CN2815685Y - 一种金属基复合介质覆铜箔板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种金属基复合介质覆铜箔板,金属板(1)上覆盖复合材料层(2),复合材料层(2)上覆盖铜箔(3);复合材料层(2)可以是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯与陶瓷或金红石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石的混合物。它满足电子通讯的发展对高频化、微波化的高性能金属基复合材料的需求。

Description

一种金属基复合介质覆铜箔板
技术领域
本实用新型涉及一种金属基复合介质覆铜箔板。
背景技术
目前市场上金属基覆铜绝缘板绝缘介质是以环氧树脂或防改性环氧树脂构成,无法满足电子通讯的发展对高频化、微波化的高性能金属基复合材料的需求。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种高频化、微波化的高性能金属基复合介质覆铜箔板。
本实用新型为一种金属基复合介质覆铜箔板,其金属板上覆盖复合材料层,复合材料层上覆盖铜箔;复合材料层可以是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯与陶瓷或金红石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石的混合物。
本实用新型为一种金属基复合介质覆铜箔板,金属板的材料是铜、铝或者铁。玻璃布的聚四氟乙烯涂层为几层至几十层。三层重量比为金属基∶复合材料∶铜箔=4-7∶2-5∶0.1-2。聚四氟乙烯与陶瓷和金红石、单独陶瓷或单独金红石的重量比为5-7∶2-5。
本实用新型在复合材料层上覆盖铜箔;复合材料层可以是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯与陶瓷或金红石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石的混合物。能使复合材料层有较高的热分解性,提高其玻璃化温度,进而达到高耐热性、高散热性和高介电常数,介电常数为2.25-10.2。满足电子通讯的发展对高频化、微波化的高性能金属基复合材料的要求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图
具体实施方式
实施例一、根据图1所示,金属板1上覆盖复合材料层2,复合材料层2上覆盖铜箔3;复合材料层2可以是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯与陶瓷或金红石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石的混合物。将原材料如四氟乙烯与陶瓷或金红石,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石按比例混合,数次进行烘干,烧结成复合材料层:按比例对铜、铝或铁进行配料,对铜、铝或铁基表面进行处理,将复合材料层2和铜、铝或铁1用导热粘粉粘结,复合材料层与铜箔3进行一次性模压成型。三层重量比控制在金属基∶复合材料∶铜箔=4-7∶2-5∶0.1-2的范围。聚四氟乙烯与陶瓷和金红石、单独陶瓷或者单独金红石的重量比控制在5-7∶2-5范围。
实施例二、复合材料层2为是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,其玻璃布的聚四氟乙烯根据要求为几层至几十层。其余结构和实施例一相同。

Claims (5)

1、一种金属基复合介质覆铜箔板,其特征是金属板(1)上覆盖复合材料层(2),复合材料层(2)上覆盖铜箔(3);复合材料层(2)可以是带有聚四氟乙烯涂层的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯与陶瓷或金红石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金红石的混合物。
2、根据权利要求1所述的金属基复合介质覆铜箔板,其特征是金属板的材料是铜、铝或者铁。
3、根据权利要求1所述的金属基复合介质覆铜箔板,其特征是玻璃布的聚四氟乙烯涂层为几层至几十层。
4、根据权利要求1所述的金属基复合介质覆铜箔板,其特征是三层重量比为金属基∶复合材料∶铜箔=4-7∶2-5∶0.1-2。
5、根据权利要求1所述的金属基复合介质覆铜箔板,其特征是聚四氟乙烯与陶瓷和金红石、单独陶瓷或单独金红石的重量比为5-7∶2-5。
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CN101905550A (zh) * 2010-07-16 2010-12-08 顾根山 一种铜基复合介质覆铜箔板
CN101913274A (zh) * 2010-07-16 2010-12-15 顾根山 一种铁基复合介质覆铜箔板
CN101913272A (zh) * 2010-07-16 2010-12-15 顾根山 一种铝基复合介质覆铜箔板
CN102371724A (zh) * 2011-09-25 2012-03-14 顾根山 一种聚四氟乙烯铝基覆铜箔板

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Assignor: Zhu Deming

Contract fulfillment period: 2008.8.10 to 2013.8.9

Contract record no.: 2008320000740

Denomination of utility model: Metal based board with copper foil coated compound medium

Granted publication date: 20060913

License type: Exclusive license

Record date: 20081009

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2008.8.10 TO 2013.8.9; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: TAIZHOU CITY WANGLING INSULATING MATERIALS PLANT

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