CN2789929Y - 非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口 - Google Patents

非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口 Download PDF

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程景全
卢友顺
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Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,该接口采用阻容串连耦合方式与射频放大器连接,提供芯片功能测试的射频信号通路;接口采用双刀双掷继电器开关将芯片的功能测试和性能测试完全隔离;性能测试采用模拟开关选择被测试的芯片通道,所有的性能测试共用一个测试通道,能有效地减小并行测试多通路电气特性不一致的影响,提高测试的一致性和精度。

Description

非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口
技术领域
本实用新型涉及一种非接触式应用芯片测试仪的测试接口,特别是涉及一种非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口。
背景技术
伴随着IT业的日新月异,微电子技术的快速发展,对智能卡芯片的需求越来越大,同时,对于芯片的生产测试,也提出了更高的要求。非接触智能芯片在最后的应用中,是通过电磁场耦合的方式,使得芯片获得能量而工作,芯片接收天线两端是完全差分的信号,因此为了模拟实际的工作情况,需要采用完全差分的信号提供芯片测试的射频信号。一般差分信号都是通过电阻和电容串连方式与测试芯片直接连接。测试时,差分信号的幅度越大,流经芯片的电流越大,通道间的互容和互感耦合变大。一般要求连接在测试芯片前的模式切换开关的动态范围宽,导通电流大。但这样的元器件具有输入寄生电容大,隔离电阻大的特点。因此为减小功能测试和性能测试的相互影响,增加电气隔离是很必要的。
在一般芯片的测试流程中,芯片电容测试和直流测试需要的测试时间相对于功能测试需要的时间很短;多通道电容测试和直流测试独立并行的办法,使测试模块与芯片测试之间的通路电气参数不同,从而各通道间因寄生,耦合的信号不同,结果每个性能测试通道都需要校准以消除这种影响。特别在动态并行测试时,可能因信号变化的不同,造成耦合、辐射的强度不同,结果在要求高精度电容测试时,会出现很大的误差,这种误差与测试芯片相对位置和通道间的信号传输之间的距离直接相关。对于非接触式应用芯片的测试,就要求很高的电容测试精度。因此如何降低这种影响是提高测试精度的关键所在。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,在影响芯片测试效率小的前提下,提高测试精度,降低操作的复杂性。
为解决上述技术问题,本实用新型非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,在射频调制模块输出的差分信号与被测芯片之间,每个测试通道由两路结构相同依次串接的射频放大器、阻容串联耦合电路、双刀双掷继电器开关组成,作为输出端的双刀双掷继电器开关的另一端与一模拟开关连接;
射频调制模块输出的差分信号经过射频放大器放大后,通过电阻、电容、双刀双掷继电器开关将测试的射频信号耦合到被测芯片,双刀双掷继电器开关通过继电器开关控制信号控制测试模式的切换,当继电器开关控制信号为低时,被测芯片通过双刀双掷继电器开关与阻容串联耦合电路接通,实现功能测试;当继电器开关控制信号为高时,被测芯片通过双刀双掷继电器开关与模拟开关接通,实现性能测试。
本实用新型采用双刀双掷的继电器开关降低功能测试和性能测试之间的相互影响,实现电气上的完全隔离,可以有效提高测试精度。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
图1是本实用新型测试接口的原理框图;
图2是图1中一个功能测试通道的原理图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,在射频调制模块1输出的差分信号与被测芯片2之间,每个测试通道由两路结构相同依次串接的射频放大器Q1、Q2,阻容串联耦合电路R1C1、R2C2,双刀双掷继电器开关K1组成,作为输出端的双刀双掷继电器开关K1的另一端与一个4选1模拟开关AK1连接。
射频调制模块1输出的差分信号经过射频放大器Q1、Q2放大后,通过阻容串联耦合电路R1C1、R2C2,双刀双掷继电器开关K1将测试的射频信号耦合到芯片2。双刀双掷继电器开关K1通过继电器开关控制信号控制测试模式的切换。当继电器开关控制信号为低时,被测芯片2通过双刀双掷继电器开关K1与阻容串联耦合电路R1C1、R2C2接通,实现功能测试;当继电器开关控制信号为高时,被测芯片2通过双刀双掷继电器开关K1与4选1模拟开关AK1接通,实现性能测试。
在进行性能测试时,还要进行芯片直流测试和电容测试的选择。图2所示的实施例中共有八个测试通道(通道1~通道8),其中每四个通道的输出(K1~K4或K5~K8)为一组,连接到一个4选1模拟开关(AK1或AK2),经4选1模拟开关输出后与性能测试模块连接,在性能测试模块上再确定选择进行芯片直流测试或电容测试。这样采用共用测试通道,分时的方式对性能进行测试,能有效地减小并行测试多通路电气特性不一致的影响,提高测试的一致性和精度。
电阻R1与电容C1的接点、电阻R2与电容C2的接点可分别与非接触式应用芯片的多通道测试仪的接收模块连接,将信号引出连接到接收模块,实现芯片功能测试时的检调和解码处理。
本实用新型射频放大器Q1、Q2采用美国模拟器件公司高速放大器AD811AN,双刀双掷继电器开关K1选择松下公司TQ2SA-12V,4选1模拟开关采用美国MAXIM公司ADG409。
图2是图1中一个功能测试通道的原理图。其中,信号RF1-N、RF1-P是射频调制模块1输出的差分信号,通过射频放大器Q1、Q2进行2.9倍的放大后,通过电阻R1、R2与电容C1、C2进入双刀双掷继电器开关K1。继电器开关AK1通过继电器开关控制信号ModCtrl控制开关切换的位置。当ModCtrl信号为低时,接入前面的电容C1、C2,进入功能测试状态;当ModCtrl信号为高时,接入模拟开关AK1,进入性能测试状态。模拟开关AK1内部包含有两组图1所示的4选1模拟开关,端子A0,A1是两组模拟开关的通道切换控制信号端,控制功能见表格1。端子Output1、Output2是模拟开关AK1的输出信号端,输出到非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片的芯片电容测试和直流测试模块。
             表格1
  端子A0,A1输入状态   功能描述
  A0   A1
  0   0   接通通道1
  1   0   接通通道2
  0   1   接通通道3
  1   1   接通通道4

Claims (2)

1、一种非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,其特征在于:在射频调制模块输出的差分信号与被测芯片之间,每个测试通道由两路结构相同依次串接的射频放大器、阻容串联耦合电路、双刀双掷继电器开关组成,作为输出端的双刀双掷继电器开关的另一端与一模拟开关连接;
射频调制模块输出的差分信号经过射频放大器放大后,通过电阻、电容、双刀双掷继电器开关将测试的射频信号耦合到被测芯片,双刀双掷继电器开关通过继电器开关控制信号控制测试模式的切换,当继电器开关控制信号为低时,被测芯片通过双刀双掷继电器开关与阻容串联耦合电路接通,实现功能测试;当继电器开关控制信号为高时,被测芯片通过双刀双掷继电器开关与模拟开关接通,实现性能测试。
2、根据权利要求1所述的非接触式应用芯片的多通道测试仪芯片测试接口,其特征在于:所述测试接口设有八个测试通道,其中,每四个通道的输出为一组。
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