CN2727190Y - 蚀刻反应槽 - Google Patents
蚀刻反应槽 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2727190Y CN2727190Y CN 200420072103 CN200420072103U CN2727190Y CN 2727190 Y CN2727190 Y CN 2727190Y CN 200420072103 CN200420072103 CN 200420072103 CN 200420072103 U CN200420072103 U CN 200420072103U CN 2727190 Y CN2727190 Y CN 2727190Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- etching reaction
- reaction tank
- projections
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种蚀刻反应槽，该蚀刻反应槽包括一蚀刻反应腔、一蚀刻液输送管道和一蚀刻液出口。其中，该蚀刻反应槽的底面上具有多个突起。本实用新型能够解决现有技术蚀刻反应槽蚀刻不均匀的问题，可应用于各种蚀刻设备中。
Description
【技术领域】
本实用新型是关于一种蚀刻(Etching)设备，特别是关于一种蚀刻反应槽。
【背景技术】
半导体芯片的制造过程中，在半导体芯片表面会涂布一些具有保护作用的薄膜层，如果涂布不均或者是厚度不符时需要将该薄膜层去除。以目前产业较为广泛应用在芯片加工的等离子体去除法而言，其等离子体表面处理虽然可有效的将该薄膜层去除，并且不影响芯片的强度，但是该方法的处理面积较小，耗费时间较长，所以造成产能较低，并且在芯片表面会产生由多种物质结合成的化合物，从而影响后续处理及最终的产品特性。所以等离子体去除法仅适合于实验室、少量或局部去除的处理情况。
目前，去除上述薄膜层较佳的方法为蚀刻去除法。现有的一种蚀刻技术是利用特定的蚀刻液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，达到蚀刻目的，该蚀刻方式即为湿式蚀刻。湿式蚀刻需要在一反应槽中进行，该反应槽即为蚀刻反应槽。
一种现有技术的蚀刻反应槽可参照图1，该蚀刻反应槽1包括一蚀刻反应腔10、多个滚轴16、一蚀刻液输送管道12和一蚀刻液出口15。
该现有技术蚀刻反应槽1工作时，一待蚀刻对象5放置在该多个滚轴16上，并且在该多个滚轴16的带动下左右滚动，蚀刻反应中所需的蚀刻液通过该蚀刻液输送管道12，从该蚀刻液出口15进入该蚀刻反应腔10中，该蚀刻反应腔10中的蚀刻液与该待蚀刻对象5发生化学反应，从而将该待蚀刻对象5上需要蚀刻去除的薄膜蚀刻掉。
该现有技术的蚀刻反应槽1，其缺陷在于：随着蚀刻反应的不断进行，该待蚀刻对象5附近的蚀刻液浓度逐渐降低，但是由于该蚀刻反应腔10中的蚀刻液流动效率降低，所以该待蚀刻对象5附近的蚀刻液浓度不能及时恢复到正常蚀刻反应所需的蚀刻液浓度，从而造成蚀刻的不均匀性。
【实用新型内容】
为克服现有技术蚀刻反应槽蚀刻不均匀的问题，本实用新型的目的在于提供一种蚀刻较均匀的蚀刻反应槽。
本实用新型的蚀刻反应槽包括一蚀刻反应腔、一蚀刻液输送管道和一蚀刻液出口，该蚀刻反应腔由该蚀刻反应槽的侧面和底面合围而成，该蚀刻反应槽的底面上具有多个突起。
与现有技术相比，本实用新型的蚀刻反应槽其底面上具有多个突起，蚀刻反应中，该多个突起可改善蚀刻反应槽中蚀刻液的流动效率，提高蚀刻反应质量，从而使本实用新型的蚀刻反应槽具有较佳的蚀刻效果；同时，由于该多个突起本身占据一定空间，从而使得该蚀刻反应槽的蚀刻反应腔容积变小，此时为获得相同蚀刻液浓度而需要添加的化学药品数量减少，从而可以节省化学药品的使用。
【附图说明】
图1是一种现有技术蚀刻反应槽的平面示意图。
图2是本实用新型蚀刻反应槽的平面示意图。
图3是本实用新型蚀刻反应槽的立体示意图。
【具体实施方式】
请同时参照图2和图3，图2是本实用新型蚀刻反应槽的平面示意图，图3是本实用新型蚀刻反应槽的立体图。本实用新型的蚀刻反应槽3包括一蚀刻反应腔30、一蚀刻液输送管道32和一蚀刻液出口35。
本实用新型蚀刻反应槽3的蚀刻反应腔30由该蚀刻反应槽3的侧面33与底面39合围而成，该蚀刻液输送管道32与该蚀刻反应槽3的底面39相连接，该蚀刻液出口35设置在该蚀刻反应腔30底部的正中位置，并且该蚀刻液出口35的四周具有多个阻隔物37；该蚀刻反应腔30内具有多个滚轴36，一待蚀刻对象7放置在该多个滚轴36上。该蚀刻反应槽3的制造材料为聚二氟乙烯；其中，该蚀刻反应槽3的底面39上具有多个突起301，该多个突起301的制造材料为聚二氟乙烯，其形状为梯形、圆柱形、圆锥形或三角形，该多个突起301均匀设置在该蚀刻反应槽3的底面39上。
本实用新型蚀刻反应槽3的工作原理为，蚀刻液由一泵(图未示)通过一蚀刻液输送管道32送入该蚀刻反应槽3的蚀刻反应腔30中，一待蚀刻对象7放置在该多个滚轴36上，并且在该多个滚轴36的带动下左右滚动，该蚀刻反应腔30中的蚀刻液与该待蚀刻对象7发生化学反应，从而将该待蚀刻对象7上需要蚀刻去除的薄膜蚀刻掉。
蚀刻反应过程中，随着蚀刻反应的不断进行，该蚀刻反应腔30中的蚀刻液浓度会发生变化。其中，靠近该待蚀刻对象7附近的蚀刻液由于消耗较多，因此该待蚀刻对象7附近的蚀刻液浓度较该蚀刻反应腔30中其余位置的蚀刻液浓度低，如果该待蚀刻对象7附近的蚀刻液浓度不能及时恢复到正常蚀刻反应所需的蚀刻液，将导致蚀刻不均匀的现象发生。
本实用新型蚀刻反应槽3的底面39上具有多个突起301，该多个突起301的设置将改善该蚀刻反应腔30中蚀刻液的流动效率。首先，蚀刻液通过该蚀刻液输送管道32而从该蚀刻液出口35进入该蚀刻反应腔30中，由于该蚀刻液出口35的四周具有多个阻隔物37，该蚀刻液在该多个阻隔物37作用下，向该蚀刻反应腔30的四周扩散。所以该多个阻隔物37的设置有利于蚀刻液在该蚀刻反应腔30中均匀扩散。其次，在蚀刻过程中，为使整个蚀刻反应腔30中的蚀刻液浓度均匀分布，往往可通过适当的搅拌来达到目的，在该蚀刻反应槽3的底面39上设置多个突起301后，同样能达到使蚀刻液均匀分布于该蚀刻反应腔30中的目的。当该蚀刻液碰撞该多个突起301后，将改变流动方向而往该蚀刻反应腔30的上方流动，加速整个蚀刻反应腔30中蚀刻液的对流，此时蚀刻液中的反应物质往该待蚀刻物件7的表面所进行的质量传递将不再完全依赖蚀刻液的扩散作用，而可以通过蚀刻液的对流来提高蚀刻液中反应物质往该待蚀刻物件7的传输能力，因此可以改善该蚀刻反应腔30内各处的蚀刻液浓度，使得该蚀刻反应腔30内的蚀刻液浓度具有较高的均匀性，从而获得较佳的蚀刻效果。同时，由于该多个突起301本身具有一定体积，使得该蚀刻反应腔30的内部容积变小，此时为获得相同蚀刻液浓度所需要添加的化学药品投入量将减小，从而节省化学药品的使用。
Claims (9)
1.一种蚀刻反应槽，其包括一蚀刻液输送管道、一蚀刻液出口和一蚀刻反应腔，该蚀刻反应腔由该蚀刻反应槽的侧面与底面合围而成，其特征在于：该蚀刻反应槽的底面上具有多个突起。
2.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起的制造材料为聚二氟乙烯。
3.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起均匀排布在该蚀刻反应槽的底面。
4.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起的形状为梯形。
5.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起的形状为圆柱形。
6.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起的形状为圆锥形。
7.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该多个突起的形状为三角形。
8.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于；该蚀刻反应槽的制造材料为聚二氟乙烯。
9.如权利要求1所述的蚀刻反应槽，其特征在于：该蚀刻液出口的四周具有多个阻隔物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200420072103 CN2727190Y (zh) | 2004-07-24 | 2004-07-24 | 蚀刻反应槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200420072103 CN2727190Y (zh) | 2004-07-24 | 2004-07-24 | 蚀刻反应槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2727190Y true CN2727190Y (zh) | 2005-09-21 |
Family
ID=35043209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200420072103 Expired - Lifetime CN2727190Y (zh) | 2004-07-24 | 2004-07-24 | 蚀刻反应槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2727190Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100499964C (zh) * | 2004-06-19 | 2009-06-10 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 蚀刻反应槽 |
-
2004
- 2004-07-24 CN CN 200420072103 patent/CN2727190Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100499964C (zh) * | 2004-06-19 | 2009-06-10 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 蚀刻反应槽 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101313384B (zh) | 用于在连续过程中湿法化学处理薄平面衬底的方法和装置 | |
| AU2008337880B2 (en) | Method and device for treating silicon wafers | |
| CN100517587C (zh) | 在衬底处理中利用弯液面的设备和方法 | |
| CN101495242A (zh) | 用于衬底表面处理的装置，设备和方法 | |
| WO2010105585A1 (de) | Substratbearbeitungsanlage und substratbearbeitungsverfahren | |
| CN1707759A (zh) | 使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法和装置 | |
| TW201207928A (en) | Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate | |
| CN2727190Y (zh) | 蚀刻反应槽 | |
| CN103933902B (zh) | 一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法 | |
| JP2006196781A (ja) | 基板表面処理装置 | |
| CN112358194B (zh) | 一种极薄玻璃刻蚀减薄装置及方法 | |
| CN106220237A (zh) | 一种单层有序二氧化硅纳米球阵列的制备方法 | |
| CN1710147A (zh) | 蚀刻反应槽 | |
| CN109860083A (zh) | 用于晶硅制绒的链式设备及单面倒金字塔制绒的制备方法 | |
| CN202307830U (zh) | 单片晶圆湿法刻蚀装置 | |
| EP3224859A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur unterseitigen behandlung eines substrats | |
| TW535195B (en) | A carrying-typed device for treating substrate | |
| KR101023143B1 (ko) | 태양전지용 실리콘 기판 텍스처링장치 | |
| TW201323094A (zh) | 基板表面處理之裝置 | |
| CN208433367U (zh) | 用于化学处理半导体衬底的设备 | |
| CN202210474U (zh) | 一种高效流体均布强制脱气高压箔腐蚀装置 | |
| TWI463560B (zh) | 濕式蝕刻方法與基板承載裝置 | |
| JP2006303042A (ja) | 基板表面処理装置 | |
| CN108447799B (zh) | 湿化学处理设备及其使用方法 | |
| CN2741679Y (zh) | 快速排水清洗槽 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Expiration termination date: 20140724 Granted publication date: 20050921 |