CN2713631Y - 传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。在卡座主体上设计四条内凸棱，在四条内凸棱上刻卡槽，在垂直于卡座主体的平面上的、位于四条内凸棱上的点位A、B、C、D在同一圆周上。圆形晶片被在四条内凸棱的卡槽上的点位A、B、C、D卡住，并垂直于卡座主体1的底部平面。有益效果是：增加了部件单位长度内品片的承载量。晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单品硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半导体器件制造成本。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。
背景技术：
目前，用于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件的尺寸基本上均为六英寸以下，同时承载部件的壁比较厚。此种部件多以石英玻璃、单晶硅、多晶硅材料为主。其中石英玻璃软化点低(1100℃)，易发生高温蠕变造成晶片变形粘结。在1200℃以上的扩散过程中，尤其是晶圆尺寸的变大，石英因高温负重过大而产生变形，在晶圆自动化输送过程中无法对位，石英玻璃材料已远远不能满足晶片制造工艺的需要。另外该特性限制了传输承载部件的形状和尺寸，无法做到六英寸以上，且壁厚而笨拙。尺寸小影响传输承载能力，部件壁厚使得热导率低，不利于温度、气流的均匀性。这些缺陷均影响晶片器件的质量和生产成本的降低。
而如果采用单晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，则由于高温强度低，易发生脆性断裂，不耐化学腐蚀，加工难度大。
尽管如此，由于大直径晶片每片可分割成几百个芯片，为提高生产效率和节约成本，传输承载晶片的部件向大直径发展是近年的趋势。由于近年来，晶片尺寸从4吋(105mm)发展至12吋(达到300mm以上)，线宽从2微米发展到90纳米，对于制造过程中的气氛均匀性和纯净度的要求更趋严格。对每一种直径的晶片都需要想对应的尺寸的传输承载部件。所以用碳化硅大口径薄壁异型部件替代传统部件已成半导体器件发展的必然趋势。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处，本实用新型提供了一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，采用碳化硅材料制成、卡座式主体，因碳化硅无高温蠕变，提高传输承载能力。
技术方案
本实用新型的技术特征在于：
在卡座主体1上设计四条内凸棱3、4、5、6，在四条内凸棱上刻卡槽7，在垂直于卡座主体1的平面上的、位于四条内凸棱3、4、5、6上的点位A、B、C、D在同一圆周上。圆形晶片0被在四条内凸棱3、4、5、6的卡槽7上的点位A、B、C、D卡住，并垂直于卡座主体1的底部平面。
所述的卡槽7形状似梳篦，卡槽7的前端带倒角。
卡座主体1的底部可以为平面。
在不影响主体内的四条内凸棱的前提下，卡座主体1的内部或边缘可以掏空形成掏空部分2。
有益效果
本实用新型的有益效果是：增加了部件单位长度内晶片的承载量。晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50-100倍。降低了半导体器件制造成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
图1：结构示意图
1-卡座主体 2-掏空部分 3-内凸棱 4-内凸棱 5-内凸棱 6-内凸棱
7-卡槽
具体实施方式
现结合附图对本实用新型作进一步描述：
用于半导体功率器件制造工艺中3英寸晶片扩散部件(高纯碳化硅平板形晶舟)的设计如下：
卡座主体1的长度＝145mm、宽度＝88mm、高度＝32mm
四卡点A、B、C、D所组成圆的直径＝76mm
卡槽7的槽宽＝0.7mm 槽间隔＝0.9mm
卡座主体1的下平面宽度＝53mm 刻槽数量＝78个
底部、侧部掏空。
Claims (4)
1、一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于：在卡座主体(1)上设计四条内凸棱(3)、(4)、(5)、(6)，在四条内凸棱上刻卡槽(7)，在垂直于卡座主体(1)的平面上的、位于四条内凸棱(3)、(4)、(5)、(6)上的点位A、B、C、D在同一圆周上。
2、根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于：所述的卡槽(7)形状似梳篦，卡槽(7)的前端带倒角。
3、根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于：卡座主体(1)的底部可以为平面。
4、根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于：卡座主体(1)的内部或边缘可以掏空形成掏空部分(2)。
Priority Applications (1)
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| CN 200420042176 CN2713631Y (zh) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件 |
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| CN 200420042176 CN2713631Y (zh) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件 |
Publications (1)
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| CN2713631Y true CN2713631Y (zh) | 2005-07-27 |
Family
ID=34871969
Family Applications (1)
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| CN (1) | CN2713631Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101524877B (zh) * | 2008-11-25 | 2011-08-31 | 河南鸿昌电子有限公司 | 一种切割半导体晶片的固定方法 |
| CN107750282A (zh) * | 2015-04-13 | 2018-03-02 | 科恩迈尔特种石墨集团有限责任公司 | Pecvd舟 |
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2004
- 2004-07-12 CN CN 200420042176 patent/CN2713631Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN101524877B (zh) * | 2008-11-25 | 2011-08-31 | 河南鸿昌电子有限公司 | 一种切割半导体晶片的固定方法 |
| CN107750282A (zh) * | 2015-04-13 | 2018-03-02 | 科恩迈尔特种石墨集团有限责任公司 | Pecvd舟 |
| CN107750282B (zh) * | 2015-04-13 | 2019-11-08 | 科恩迈尔特种石墨集团有限责任公司 | Pecvd舟 |
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