CN2691050Y - 改良式晶舟 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是关于一种改良式晶舟，此晶舟上具有复数个置放晶圆的晶圆槽，而每一晶圆槽与其一侧相邻的晶圆槽间具有第一间距，而与另一侧相邻的晶圆槽间具有小于第一间距的第二间距，且置放于第二间距两侧晶圆槽内的晶圆是以背对背的置放方式，而每一晶圆表面之间乃具有第一间距，如此设计不仅不会影响晶圆制程时的均匀度，更可大幅提升每批制程的产能。
Description
技术领域
本实用新型是关于一种置放半导体晶圆的晶舟，特别是一种晶圆槽间具有一大一小间距的晶舟。
背景技术
随著科技的进步，各式各样的电子产品已深入你我的生活之中，而这些电子产品内部，大部分皆具有多颗半导体晶片，对现今人们生活而言，半导体晶片产业的重要性可想而知。
在半导体晶片的制造过程中，炉管的扩散制程是基本制程之一，扩散制程中，是先将多片晶圆置放于一晶舟上，再将晶舟置放炉管内进行批次制造，对于半导体晶片而言，同一期间内于一机台同时制造出多少晶片，深深地影响半导体晶片的成本，如果能增加每批制程时的晶圆数目，则可大幅降低晶片成本并提升产能。
请参考图1，在扩散炉管进行掺杂制程时，有些制程气体因黏滞系数比较高，流动性较差，故晶舟10上放置晶圆12的晶圆槽14之间需要较大的间距(图1中箭头表示晶圆表面的方向)，以避免产生晶圆12表面制程均匀度过差的问题，例如在进行POCI3掺杂制程时即存在此类的问题，然而，晶圆12间较大的间距造成每一晶舟10只能放置较少的晶圆12数目，故对产能及晶片成本皆造成不利影响。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种改良式晶舟，使其在进行高黏滞系数气体扩散制程时，能提高晶舟承载晶圆的数目。
本实用新型的另一目的在于提供一种改良式晶舟，使其能提升每批制造的产能。
针对上述目的，本实用新型提出一种改良式晶舟，此晶舟上具有多个晶圆槽，每一晶圆槽用以放置一晶圆，其中每一晶圆槽与其一侧相邻的晶圆槽间具有第一间距且与其另一侧相邻的晶圆槽间具有第二间距，而第一间距大于第二间距，且放置于第二间距两侧的晶圆槽的晶圆采用背对背的放置方式。
附图说明
图1为公知晶舟示意图。
图2为本实用新型改良式晶舟示意图。
图3为具有本实用新型概念的晶舟示意图。
具体实施方式
底下由具体实施例配合附图作详细说明，以更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
为了提升晶舟在进行POCI3等掺杂制程时置放晶圆的数目，本实用新型重新设计晶舟上晶圆槽的间距及晶圆的摆设方向，在不影响晶圆制造均匀度下，增加晶舟摆放晶圆的数目。
请参考图2，为本实用新型改良式晶舟20的示意图，在此晶舟20上设置有多个晶圆槽22，每一晶圆槽22用来放置一片晶圆24，如图所示，每一晶圆槽22与其一侧相邻的晶圆槽22间存在有一第一间距a，而与其另一侧相邻的晶圆槽22间存在有一第二间距b，其中第一间距a大于第二间距b，如此在多个晶圆槽22间形成第一间距a及第二间距b交叉出现的排列，而置放于第二间距b两侧晶圆槽22内的晶圆24采用晶圆背面对晶圆背面的摆设方式，如此于每一晶圆表面前皆存在至少第一间距a的间隔，因此于进行如POCI3等高黏滞系数气体的掺杂制程，仍不会有晶圆表面制程不均匀的现象产生。
本实用新型的改良式晶舟在实际应用上除了上述较佳实施例外，若仅是本实用新型概念些微改变的晶舟仍属本实用新型合理的保护范围，如图3所示的晶舟，其部分采用公知等间距的设计，而大部分间距则如本实用新型提出的概念具有一大一小的间距，且置放于小间距两侧的晶圆采用背面对背面的放置方式，如此设计的晶舟仍应属本实用新型概念的延伸，在本实用新型的保护范围内。
综上所述，本实用新型提出的改良式晶舟可在不影响晶圆制程均匀度的情况下，增加晶舟置放晶圆的数目，由此可有效地增加产能并降低晶片成本。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型的实施范围。故即凡依本实用新型申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化或修饰，均应包括于本实用新型的申请专利范围内。
Claims (3)
1.一种改良式晶舟，其特征在于，该晶舟上具有复数个晶圆槽，每一晶圆槽放置一晶圆，且每一晶圆槽与其相邻的晶圆槽间皆存在一间距，该复数晶圆槽间的复数个间距由一第一间距及第二间距交叉构成，该第一间距大于该第二间距，且放置于该第二间距两侧的该晶圆槽的晶圆背对背的放置。
2.如权利要求1所述的改良式晶舟，其特征在于，其中该改良式晶舟用于炉管内。
3.如权利要求1所述的改良式晶舟，其特征在于，其中该改良式晶舟用于POCI3的掺杂制程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200420007927 CN2691050Y (zh) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 改良式晶舟 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN 200420007927 CN2691050Y (zh) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 改良式晶舟 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2691050Y true CN2691050Y (zh) | 2005-04-06 |
Family
ID=34668293
Family Applications (1)
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| CN 200420007927 Expired - Fee Related CN2691050Y (zh) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 改良式晶舟 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN2691050Y (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101062576B (zh) * | 2006-04-26 | 2011-04-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 真空吸笔及应用其的晶片搬运的保护方法 |
| CN101092277B (zh) * | 2006-06-23 | 2011-10-19 | 东京毅力科创株式会社 | 石英制品的烘焙方法 |
| CN103614708A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-05 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种渐变式间距的石墨舟 |
| CN103898476A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 |
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2004
- 2004-03-17 CN CN 200420007927 patent/CN2691050Y/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: DUNNAN TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LISHENG SEMICONDUCTOR CO., LTD. Effective date: 20051202 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20051202 Address after: Taipei County of Taiwan Province Patentee after: Dunnan Science and Tech. Co., Ltd. Address before: Hsinchu city of Taiwan Province Patentee before: Lisheng Semiconductor Co., Ltd. |
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| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |