CN2685333Y - 多晶硅氢还原炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是一种多晶硅氢还原炉,由炉体、底板和上部的封头构成,封头上有冷却水腔、冷却出水口和启动装置法兰,炉体上有冷却水腔和冷却水进口,底板上有电极、进气口和排气口,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于本实用新型在氢还原炉内壁上附着了一层光滑的银质材料,利用银的化学特性,使其参与多晶硅棒的生长,不仅可大大提高多晶硅的纯度,并且大大降低了氢还原炉的能耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅氢还原炉,特别是一种炉子内壁附着有一层光滑的银质材料层的多晶硅氢还原炉。
背景技术
多晶硅氢还原炉是提炼多晶硅棒的专用设备。现有的多晶硅氢还原炉的结构是由炉体、底板和上封头构成,封头上有冷却水腔、冷却水出口和启动装置法兰,炉体上有冷却水腔和冷却水进口,底板上有电极、进气口和排气口,炉体与底板之间用法兰连接,炉子主体采用不锈钢制作。
发明内容
为了在现有基础上进一步提高多晶硅的纯度,本实用新型的目的是设计一种可提高多晶硅纯度的氢还原炉。
本实用新型是一种多晶硅氢还原炉,由炉体、底板和炉体上部的封头构成,封头上有冷却水腔、冷却水出口和启动装置法兰,炉体上有冷却水腔和冷却水进口,底板上有电极、进气口和排气口,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于本实用新型氢还原炉内壁上有一层光滑的银质材料。
本实用新型利用银的化学特性,利用银的良好的加工性以及抛光后的镜面效果使生产高纯度的多晶硅产品有了保证,为生产单晶硅提供了纯度更高的原料,同时,可大幅度降低能耗,从而大大降低多晶硅的生产成本。
本实施例中,银层的厚度应为2-3mm。
上述的多晶硅氢还原炉内壁附着的光滑的银质材料是银和不锈钢的复合材料。
上述的银层焊缝采用银焊,焊缝平整光滑。
附图说明
图1是银复合材料多晶硅氢还原炉装配结构示意图。
具体实施方式
实施例1
本实用新型涉及的银复合材料多晶硅氢还原炉的装配结构如图1所示。该银复合材料多晶硅氢还原炉由炉体13、底板6、炉体上部的封头3构成,封头上有启动装置法兰1、冷却水腔2、冷却出水口14、15,炉体上有冷却水腔4和冷却水进口9、11,底板上有电极12、进气口7和排气口8,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于银复合材料多晶硅氢还原炉内壁上有一层光滑的银材料层5。本实施例中,炉体采用银不锈钢复合板焊接而成,银面在炉体内侧。接缝处采用银焊工艺焊接并经抛光,焊缝与炉体内壁接缝处平整光滑。银层厚度为2mm。整个炉体安装在支架10上。
实施例2
本实用新型涉及的银复合材料多晶硅氢还原炉的装配结构如图1所示。该银复合材料多晶硅氢还原炉由炉体13、底板6、炉体上部的封头3构成,封头上有启动装置法兰1、冷却水腔2、冷却出水口14、15,炉体上有冷却水腔4和冷却水进口9、11,底板上有电极12、进气口7和排气口8,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于银复合材料多晶硅氢还原炉内壁上有一层光滑的银材料层5。本实施例中,炉体采用银不锈钢复合板焊接而成,银面在炉体内侧。接缝处采用银焊工艺焊接并经抛光,焊缝与炉体内壁接缝处平整光滑。银层厚度为3mm。整个炉体安装在支架10上。
Claims (3)
1、多晶硅氢还原炉,由炉体、底板和上封头组成,封头上有冷却水腔、冷却出水口和启动装置法兰,炉体上有冷却水腔和冷却水进口,底板上有电极、进气口和排气口,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于氢还原炉内壁上有一层厚度为2-3mm的光滑的银质材料。
2、根据权利要求1所述的多晶硅氢还原炉,其特征在于所述的光滑的银质材料为银复合材料层。
3、根据权利要求2所述的多晶硅氢还原炉,其特征在于炉体由银不锈钢复合板焊接而成,焊缝采用银焊,焊缝平整光滑。
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CN2685333Y true CN2685333Y (zh) | 2005-03-16 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN102173604A (zh) * | 2011-01-20 | 2011-09-07 | 宋维明 | 一种结晶还原炉 |
CN107515274A (zh) * | 2016-06-15 | 2017-12-26 | 上海韵申新能源科技有限公司 | 一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置 |
CN110328460A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-10-15 | 广东省新材料研究所 | 一种银不锈钢复合板的连接方法及其应用 |
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2004
- 2004-03-08 CN CN 200420033142 patent/CN2685333Y/zh not_active Expired - Lifetime
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GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
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