CN2665828Y - 小型存储卡构造 - Google Patents
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Abstract
一种小型存储卡构造,其包括有一第一基板、一散热片、一第二基板、至少一个上层内存芯片、至少一下层内存芯片及一封胶层,第一基板与第二基板分别形成有多数个通孔,于多数个通孔内填充有金属,散热片是设置于第一基板与第二基板间,并与多数个通孔内的金属接触,上层内存芯片及下层内存芯片分别设置于第一基板及第二基板上,上、下层内存芯片的热量可经由多数个通孔内的金属传导至散热片上,经由散热片将热量散发,具有可提高存储卡的可靠度及使用寿命,且制造更为便利的功效。
Description
技术领域
本实用新型为一种小型存储卡构造,特别是指一种具有高散热性,可提高其可靠度及寿命的小型存储卡构造。
背景技术
传统存储卡的制作方法一般都是先将芯片封装成单颗集成电路,然后再通过表面粘着技术(SMT),将集成电路焊接在印刷电路板上,集成电路则可以是内存,例如闪存(flash)等主动组件。在印刷电路基板上则有金手指可以插入计算机预留的插槽,除此,还可能有一些电容、电感、电阻等被动组件。
图1为传统存储卡的侧视示意图,金手指15是用来插入计算机的一个插槽。在模块卡上设有主动组件及被动组件(未绘出)。主动组件通常封装成集成电路11,集成电路11内部封装一芯片12,此芯片12可能是一个内存芯片,例如闪存(flash memory)。集成电路11的接脚13是利用表面粘着技术焊接在存储卡的电路基板14上,电路基板14则有焊接点17与接脚13连接。传统的方法存在下列缺点:
一、先将芯片12封装好,再焊在电路基板14上,造成步骤繁复,会增加封装及制作成本。
二、一般存储卡上的集成电路通常不只一颗,可能有好几个,在制作模块卡时,就必须一颗一颗将集成电路11焊在电路基板14上,造成较费工时。
三、利用表面粘着技术(SMT)焊接到电路基板14的成本较高,必须再过一道锡炉,增加了SMT的设备成本。
四、存储卡是单片制造,没有整批制作,所以生产效率较低。
五、集成电路11无法有效地散热,因此其可靠度及使用寿命将受到影响。
本发明人本着精益求精、创新突破的精神,戮力于存储卡的研发,创造出本实用新型小型存储卡构造,使其制造上更为便利,且可有效提高其可靠度及延长使用寿命。
发明内容
本实用新型的主要目的是提供一种小型存储卡构造,其具有制造便利的功效,达到有效降低生产成本的目的。
本实用新型的又一目的是提供一种小型存储卡构造,其具有提高散热效果的功效,达到提高其可靠度及延长使用寿命的目的。
本实用新型的目的是这样实现的:一种小型存储卡构造,其是用以装设于一电子装置内,其包括有一第一基板、一散热片、一第二基板、至少一个上层内存芯片、至少一个下层内存芯片及一封胶层,其特征是:该第一基板设有一上表面及一下表面,该上表面形成有多数个接点、多数个金手指电连接该多数个接点及多数个由该上表面贯通至该下表面的通孔,该通孔内填充有金属,该第一基板是装设于该电子装置内,该金手指与该电子装置电连接;该散热片设有一顶表面及一底表面,该顶表面是设置于该第一基板的下表面,且与该第一基板的多数个通孔内的金属接触;该第二基板设有一上表面及一下表面,该下表面形成有多数个接点及多数个由该上表面贯通至该下表面的通孔,该通孔内填充有金属,该第二基板的上表面是设于该散热片的底表面,且其通孔内的金属与散热片接触;该至少一个上层内存芯片是设置于该第一基板的上表面,通过覆晶方式与该第一基板的接点电连接;该至少一个下层内存芯片是设置于该第二基板的下表面,而以覆晶方式与该第二基板的接点电连接;该封胶层是设于该第一基板的上表面及该第二基板的下表面,同时将该至少一个上层内存芯片包覆住,及同时将该至少一个下层内存芯片包覆住。
该第一基板的多数个通孔内的金属为铜。该第二基板的多数个通孔内的金属为铜。该散热片为铜片或铝片。
由于上层内存芯片及下层内存芯片的热量可经由其通孔内的金属传导至散热片上,经由散热片将热量散发,可达到本实用新型的目的及功效。
下面结合较佳实施例的附图详细说明。
附图说明
图1为传统小型存储卡构造的示意图。
图2为本实用新型的第一种结构示意图。
图3为本实用新型的第二种结构示意图。
图4为本实用新型的第三种结构示意图。
具体实施方式
参阅图2-图4所示,本实用新型小型存储卡构造,其包括一第一基板20、一散热片22、一第二基板24、至少一个上层内存芯片26、至少一下层内存芯片28及一封胶层30,其中:
第一基板20形成有一上表面32及一下表面34,上表面32形成有多数个接点36、多数个金手指(Golden Finger)38电连接至多数个接点36及多数个由上表面32贯通至下表面34的通孔40,另,于通孔40内填充有金属42,金属42可为铜,第一基板20是用以装设于一电子装置(图未显示)内,使金手指38与该电子装置电连接。
散热片22可为铜片或铝片,其形成有一顶表面44及一底表面46,顶表面44是设置于第一基板20的下表面34上,且与第一基板20的多数个通孔40内的金属42接触。
第二基板24形成有一上表面48及一下表面50,下表面50形成有多数个接点52及多数个由上表面48贯通至下表面50的通孔54,且通孔54内填充有金属42,第二基板24的上表面48是设于散热片22的底表面46,且其通孔54内的金属42与散热片22接触。
二个上层内存芯片26是设置于第一基板20的上表面32,而以覆晶方式通过凸块56与第一基板20的接点36电连接。
二个下层内存芯片28是设置于第二基板24的下表面50,而以覆晶方式通过凸块58与第二基板24的接点52电连接。
一封胶层30是设于第一基板20的上表面32及第二基板24的下表面50上,用以同时将二个上层内存芯片20包覆住,及同时将二个下层内存芯片28覆住。如此,即完成本实用新型小型存储卡构造的封装。
本实用新型具有如下的优点:
1、上层内存芯片26的热量通过第一基板20上的通孔40内的金属42传递至散热片22上,使热量快速地由散热片22散出,而下层内存芯片28的热量通过第二基板24上的通孔54内的金属42传递至散热片22上,使热量快速地由散热片22散出,可提高存储卡的可靠度及内存芯片的使用寿命,而得以延长存储卡的使用期限。
2、将上层内存芯片26先行设置于第一基板20的上表面32上,及将下层内存芯片28先行设置于第二基板24的下表面50上,再以封胶层26同时将每一上层内存芯片26及同时将下层内存芯片28封装包覆,使其在制造上更为便利,同时可有效地降低生产成本。
上述较佳实施例的详细说明仅为了易于说明本实用新型的技术内容,并非将本实用新型狭义地限制于实施例,凡依本实用新型的精神所作种种变化实施,均属于本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1、一种小型存储卡构造,其包括有一第一基板、一散热片、一第二基板、至少一个上层内存芯片、至少一个下层内存芯片及一封胶层,其特征是:该第一基板设有一上表面及一下表面,该上表面形成有多数个接点、多数个金手指电连接该多数个接点及多数个由该上表面贯通至该下表面的通孔,该通孔内填充有金属,该第一基板是装设于该电子装置内,该金手指与该电子装置电连接;
该散热片设有一顶表面及一底表面,该顶表面是设置于该第一基板的下表面,且与该第一基板的多数个通孔内的金属接触;
该第二基板设有一上表面及一下表面,该下表面形成有多数个接点及多数个由该上表面贯通至该下表面的通孔,该通孔内填充有金属,该第二基板的上表面是设于该散热片的底表面,且其通孔内的金属与散热片接触;
该至少一个上层内存芯片是设置于该第一基板的上表面,通过覆晶方式与该第一基板的接点电连接;
该至少一个下层内存芯片是设置于该第二基板的下表面,而以覆晶方式与该第二基板的接点电连接;
该封胶层是设于该第一基板的上表面及该第二基板的下表面,同时将该至少一个上层内存芯片包覆住,及同时将该至少一个下层内存芯片包覆住。
2、根据权利要求1所述的小型存储卡构造,其特征是:该第一基板的多数个通孔内的金属为铜。
3、根据权利要求1所述的小型存储卡构造,其特征是:该第二基板的多数个通孔内的金属为铜。
4、根据权利要求1所述的小型存储卡构造,其特征是:该散热片为铜片或铝片。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CN 200320100353 CN2665828Y (zh) | 2003-10-14 | 2003-10-14 | 小型存储卡构造 |
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CN 200320100353 CN2665828Y (zh) | 2003-10-14 | 2003-10-14 | 小型存储卡构造 |
Publications (1)
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CN2665828Y true CN2665828Y (zh) | 2004-12-22 |
Family
ID=34339222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 200320100353 Expired - Lifetime CN2665828Y (zh) | 2003-10-14 | 2003-10-14 | 小型存储卡构造 |
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CN (1) | CN2665828Y (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101271535B (zh) * | 2007-03-22 | 2010-07-14 | 沈育浓 | 一种具有堆叠式元件结构的存储介质 |
WO2023082704A1 (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 华为技术有限公司 | 芯片系统及电子设备 |
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2003
- 2003-10-14 CN CN 200320100353 patent/CN2665828Y/zh not_active Expired - Lifetime
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CN101271535B (zh) * | 2007-03-22 | 2010-07-14 | 沈育浓 | 一种具有堆叠式元件结构的存储介质 |
WO2023082704A1 (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 华为技术有限公司 | 芯片系统及电子设备 |
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