CN2586288Y - 高压电子波形发生器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种可以产生高达1000V的电子波形发生装置。通常使用的电子波形发生器,输出的波形电压一般不超过正负10V,只能用于弱电领域。本实用新型以常规波形发生器为基准信号源,采用高压波形输出端电压负反馈,控制一对场效应管的通断,驱动两个串联的等值高压直流电源向电容器充放电,从而产生与基准波形几近一致的高压电子波形。本实用新型由基准波形发生电路、负反馈控制电路以及高压波形输出电路组成,可满足各行各业在试验、检测、加工等方面对高电压三角波、锯齿波、方波、正弦波等波形的需要。
Description
技术领域
本实用新型是一种高压电子波形发生装置,以常规波形发生器为基准信号源,采用高压波形输出端电压负反馈,控制一对金属半导体场效应管MOSFET(以下简称M1、M2)的通断,驱动两个串联的等值高压直流电源,向电容器充放电,从而产生高压电子波形。
背景技术
通常使用的电子波形发生器大多采用电子振荡或者电子开关的方式,由于电路本身的结构和电源电压的限制,输出的波形电压一般不超过正负10V,只能用于弱电领域。随着科学技术的发展,低压波形发生器已经远远不能满足当前科学研究、技术创新、生产加工的需求,迫切需要输出电压高、功率大的高压电子波形发生装置。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种简单、实用、可靠的电压高、功率大的电子高压波形发生装置,以满足各行各业在试验、检测、加工等方面对高电压三角波、锯齿波、方波、正弦波等波形的需要。
本实用新型由基准波形发生电路、负反馈控制电路以及高压波形输出电路三大部分组成,电原理总图见图4。
1、基准波形发生电路由压控波形发生芯片IC及外围电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、电容C11、C12、二极管D组成(见图1)。芯片IC的管脚8为输出频率控制,调节与其相联的可调分压电阻R11可以改变输出波形的频率。管脚4与5为波形占空比控制,占空比由与4、5两端相联的等值电阻R14、R15串联的可调分压电阻R16改变。管脚5以可调电阻R13与负10V电源联接,用来稳定占空比。管脚12外接可调电阻R17至负10V,用于减小波形变形。管脚10外接电容C12至负10V,用于产生三角波形。管脚9为方波输出端;管脚3为三角波输出端,当占空比不等于1时,可输出锯齿波;管脚2为正弦波输出端。管脚2、3、9外接开关kr、Kt、Ks,用于选择输出的基准波形。
2、负反馈控制电路由运算放大器A1、A2、电阻R21、R22、R23、R24、R25、电容C21及光电耦合器TIL1、TIL2组成(见图2)。A1及分压耦合电阻R22、R23作为负反馈电压跟踪器,Vbf为负反馈形电压输入处;A2及输入电阻R21、偏流电阻R24作为基准波形电压与反馈波电压比较的减法器,Vref为基准电压波形输入处。负反馈信号经A1处理后,再与基准信号同时进入A2,产生差值信号并放大,经并联的电阻R25与电容C21,形成光电耦合器TIL1、TIL2的控制信号Vc,Vc=R24*(Vbf/R22-Vref/R21)。当Vref-Vbf<0时,Vc为正,TIL1导通,TIL2截止,TIL1输出端Vc1,为正电压,Vc2端为零。当Vref-Vbf>0时,Vc为负,TIL2导通,TIL1截止,TIL2输出端Vc2为正电压,Vc1端为零。当Vref-Vbf=0时,Vc1、Vc2端电压均为零。
3、高压波形输出电路由电阻R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、电容C31、C32、C33、场效应管M1、M2及直流电压电源Dc1、Dc2组成(见图1)。Vc1、Vc2为负反馈控制电路信号输入端,C33两端为高压电子波形输出端,负反馈波形电压信号由与电容C33并联的电阻R39和可调电阻R30串联处Vbf取出,调节R30可以改变负反馈电压的大小。电阻R31、R32、R33及电容C31组成Vc1端分压电路,分压信号由R32与R33相联处接出至M1栅极。当Vc1端为正,Vc2为零时,分压信号控制M1导通,M2截止,电源DC1对电容C33放电,C33两端输出波形电压降低。电阻R34、R35、R36及电容C32组成Vc2端分压电路,分压信号由R35与R36相联处接出至M2栅极。当Vc2端为正,Vc1为零时,分压信号控制M2导通,M1截止,电源DC2对电容C33充电,C33两端输出波形电压升高。当Vc1、Vc2端均为零时,M1,M2截止,C3两端电压保持不变。R37、R39为电容C33充放电限流电阻。输出电压降低时,负反馈信号经负反馈控制电路作用促使其升高;反之,输出电压升高时,负反馈信号又使其再度降低。如此循环往复,在电容C33两端即可得到与基准波形几近相同的高压波形。直流电压源DC1与DC2电压相等,输出波形峰值电压的大小,由二者电压的高低决定。
本实用新型特点在于:采用常规基准波形发生器,使波形的产生简单、可靠;采用场效应管控制高压直流电源对电容充放电,使输出波形的电压大幅度提升成为可能;采用负反馈控制电路,使输出的高压波形得以产生并与基准波形基本一致。
附图说明
图1为基准波形发生电路的电原理图。图2为负反馈控制电路的电原理图。图3为高压波形输出电路的电原理图。图2中的Vref与图1中的Vref相联接,图2中的Vc1,Vc2端与图3中的Vc1,Vc2端相联接。图2及图3中的0接地处为向光电耦合器TIL2提供15V电压的电源接地处,与其他公共接地处不相联接。图4为电原理总图。
具体实施方式
实例一:本实用新型基准波形发生电路的芯片选用大规模集成块ICL8038,电源电压正负10V;负反馈控制电路的光电耦合器选用光电隔离管TIL117,电源电压正15V;高压波形输出电路的直流电源DC1、DC2电压均为1200V。输出波形峰值电压1000V,频率2kHz。
Claims (1)
1、一种电子波形发生器,其特征在于:它由基准波形发生电路、负反馈控制电路以及高压波形输出电路三大部分组成,
(1)、基准波形发生电路由压控波形发生芯片IC及外围电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、电容C11、C12、二极管D组成,芯片IC的管脚8为输出频率控制,调节与其相联的可调分压电阻R11可以改变输出波形的频率,管脚4与5为波形占空比控制,占空比由与4、5两端相联的等值电阻R14、R15串联的可调分压电阻R16改变,管脚5以可调电阻R13与负10V电源联接,用来稳定占空比,管脚12外接可调电阻R17至负10V,用于减小波形变形,管脚10外接电容C12至负10V,用于产生三角波形。管脚9为方波输出端;管脚3为三角波输出端,当占空比不等于1时,可输出锯齿波;管脚2为正弦波输出端,管脚2、3、9外接开关Kr、Kt、Ks,用于选择输出的基准波形;
(2)、负反馈控制电路由运算放大器A1、A2、电阻R21、R22、R23、R24、R25、电容C21及光电耦合器TIL1、TIL2组成,A1及分压耦合电阻R22、R23作为负反馈电压跟踪器,Vbf为负反馈电压输入处;A2及输入电阻R21、偏流电阻R24作为基准波形电压与反馈波形电压比较的减法器,Vref为基准电压波形输入处,负反馈信号经A1处理后,再与基准信号同时进入A2,产生差值信号并放大,经并联的电阻R25与电容C21,形成光电耦合器TIL1、TIL2的控制信号Vc,Vc=R24*(Vbf/R22-Vref/R21);
(3)、高压波形输出电路由电阻R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、电容C31、C32、C33、场效应管M1、M2及直流电压电源DC1、DC2组成,Vc1、Vc2为负反馈控制电路信号输入端,C33两端为高压电子波形输出端,负反馈波形电压信号由与电容C33并联的电阻R39和可调电阻R30串联处Vbf取出,调节R30可以改变负反馈电压的大小,电阻R31、R32、R33及电容C31组成Vc1端分压电路,分压信号由R32与R33相联处接出至M1栅极。电阻R34、R35、R36及电容C32组成Vc2端分压电路,分压信号由R35与R36相联处接出至M2栅极,R37、R39为电容C33充放电限流电阻,直流电压源DC1与DC2电压相等,输出波形峰值电压的大小,由二者电压的高低决定。
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CN109194323A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-11 | 常州朗奇威电器有限公司 | 用于电机控制的光耦隔离电路及其工作方法 |
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