CN2436514Y - 一种陶瓷薄膜沉积装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型是一种大型数控等离子化学气相沉积装置,主要由高频电源、流量计、气瓶及设置在主机柜内的机械泵、罗茨泵、蝶阀、升降机械等构成。其中在主机柜的上部设置一带上下封头的真空室,其内室直径为1000mm—2000mm,主机柜可直接与电脑控制系统相连,与现有设备相比工作空间大,自动化程度高,减轻了操作难度,广泛用于发动机零部件、刀具、模具等金属异型表面沉积各种陶瓷薄膜。

Description

一种陶瓷薄膜沉积装置

本实用新型涉及一种大型数控等离子化学气相沉积装置，尤其是一种陶瓷薄膜沉积装置。

目前，国内外等离子化学气相沉积装置，主要用于半导体和光学仪器沉积，其沉积装置一是工作空间小(直径一般在750mm以内)，无法实行产业化生产；二是配气为人工手动操作，稳定性差，重复性不好。

本实用新型的目的在于克服上述现有设备的不足，提供一种具有空间大，可与电脑控制柜配合使用，其主机真空室的直径为1000mm-2000mm，由电脑自动采集工作数据和控制加工过程，主要用于发动机摩擦副、刀具、模具等金属异型工件表面沉积各种陶瓷薄膜的产业化设备。

本实用新型的目的是这样实现的，它主要由高频电源、隔直流电容、流量计、气瓶以及设置在主机柜内的机械泵、蝶阀、管道、罗茨泵、放气阀、升降机械、真空计构成，其中在所述的主机柜的上部设置一带有上、下封头的真空室，且在真空室的内部设有上、下极板，其中，上极板连接一根贯穿真空室上封头的通管接头，在通管封头的管封处连接一根与计量计相通的配气管，并且，上极板极端通过导线与隔直流电容相连接，隔直流电容的另一端与高频电源连接，而设置在真空室下封头上端的下极板，其极端通过导线与高频电源的地线共接对地；所述的下封头其封头底部设置一与蝶阀相连的阀管接头，在阀管接头左、右两侧的下封头壳体上分别设置了与真空室相通的放气阀、真空计，所述的真空室的端头设有二根流通管，真空室的内室直径为1000mm-2000mm之间。

由于采用了本设计，提供了大的工作空间，并且与配套设置使用时操作方便简单，自动化程度高，提高了加工质量和加工质量的稳定性，减轻了工人的操作难度，可用于大型金属异型工件的表面化学气相沉积。

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中1．高频电源；2．隔直流电容；3．上极板；4．下极板；5．流量计；6．气瓶；7．机械泵；8．蝶阀；9．管道；10．罗茨泵；11．放气阀；12．升降机械；13．真空计；14．主机柜；15．上封头；16．下封头；17．真空室；18．通管接头；19．阀管接头；20．管封；21．配气管；22．导线；23．导线；24．流通管。

在主机柜14的上部设置一带有上、下封头15、16的真空室17，在真空室17的内部设有上、下极板3、4，其中，上极板3连接一根贯穿真空室17上封头15的通管接头18，在通管接头18的管封20处连接有一根与流量计5相通的配气管21，配气管21的另一端与带有流量计的气瓶6连接。气瓶6内可装有用于沉积的陶瓷气体上极板3的极端通过导线22与隔直流电容2相连接，隔直流电容2的另一端与高频电源1连接；设置在直空室17下封头16上端的下极板4，其极端通过导线23与高频电源1的地线共接对地；下封头16其封头底部设置一与蝶阀8相连的阀管接头19，在阀管接头19的左、右两侧的下封头16壳体上分别设置了与真空室17相通的放气阀11和真空计13。阀管接头19通过管道9和蝶阀8分别与安装在主机柜14壳体上的罗茨泵10和机械泵7连接，在真空室17的端头通过二根流通管24与安装在主机柜14壳体上的升降机械12连接，从而构成整个主机结构。

此主机机构可与相应的电脑控制系统连接，由电脑自动采集工作数据和控制加工过程，提高了加工质量和质量的稳定性，减轻了工人操作难度及工作强度。又由于具有直径1000mm-2000mm的真空室17、工作空间大，可实行产业化生产，广泛应用于发动机零部件、刀具、模具等金属异型工件表面沉积各种陶瓷薄膜及各种化学气相沉积，与现有设备相比，工作空间大，易于产业化生产，加工质量明显提高，质量稳定可靠，减轻了操作难度。

Claims (2)

1、一种陶瓷薄膜沉积装置，具有高频电源(1)、隔直流电容(2)、流量计(5)、气瓶(6)，以及设置在主机柜(14)内的机械泵(7)、蝶阀(8)、管道(9)、罗茨泵(10)、放气阀(11)、升降机械(12)、真空计(13)，其特征是：在所述的主机柜(14)的上部设置一带有上、下封头(15)、(16)的真空室(17)，且在真空室(17)的内部设有上、下极板(3)、(4)，其中，上极板(3)连接一根贯穿真空室(17)上封头(15)的通管接头(18)，在通管接头(18)的管封(20)处连接一根与流量计(5)相通的配气管(21)，并且，上极板(3)极端通过导线(22)与隔直流电容(2)相连接，隔直流电容(2)的另一端通过导线与高频电源(1)连接，而设置在真空室(17)下封头(16)上端的下极板(4)，其极端通过导线(23)与高频电源(1)的地线共接对地；所述的下封头(16)其封头底部设置一与蝶阀(8)相连的阀管接头(19)，在阀管接头(19)左、右两侧的下封头(16)壳体上分别设置了与真空室(17)相通的放气阀(11)、真空计(13)，所述的真空室(17)的端头设有二根流通管(24)。

2、根据权利要求1所述的一种陶瓷薄膜沉积装置，其特征是：所述的真空室(17)，其内室直径为1000mm-2000mm之间。

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