CN221275863U - 掩模组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种掩模组件。本实用新型的掩模组件包括：框架，界定有框架开口部和沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的多个槽；以及掩模，包括各自插入到所述槽中的对应的槽的多个支承线。所述支承线的每一个由碳纳米管纤维形成。

Description

掩模组件

技术领域

本实用新型涉及一种用于蒸镀工艺的掩模组件。

背景技术

电视、便携电话、平板计算机、导航仪、游戏机等之类显示装置可以包括用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括由晶体管之类驱动元件以及有机发光二极管之类显示元件构成的像素。像素可以通过在基板上利用掩模组件的导电图案、发光图案以及各种功能层的蒸镀来形成。

掩模组件可以包括具有界定蒸镀区域的开口部的掩模。但是，由于掩模在形成有开口部的区域中具有薄的厚度，因此存在在蒸镀或者清洗过程中由于冲击而破坏的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种包括耐久性提高的掩模的掩模组件制造方法以及掩模组件。

一实施例提供一种掩模组件，包括：框架，界定有框架开口部以及沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的多个槽；以及掩模，包括各自插入到所述槽中的对应的槽的多个支承线。可以是，所述支承线的每一个由碳纳米管纤维形成。

可以是，所述框架包括：第一侧壁至第四侧壁，彼此连接而界定所述框架开口部；以及凸出部，配置在所述第一侧壁至所述第四侧壁上且彼此隔开。可以是，所述第一侧壁以及所述第二侧壁沿所述第二方向延伸并隔着所述框架开口部在所述第一方向上面对，所述第三侧壁以及所述第四侧壁沿所述第一方向延伸并隔着所述框架开口部在所述第二方向上面对。可以是，所述槽的每一个与所述凸出部之间的隔开空间对应。

可以是，所述凸出部在截面上具有四边形、梯形或者倒梯形形状。

可以是，所述凸出部的每一个的厚度是所述支承线的每一个的直径以下。

可以是，所述支承线的每一个包括第一端以及第二端，所述第一端配置在所述第一侧壁至所述第四侧壁中的任一个侧壁的外侧面上，所述第二端配置在与所述任一个侧壁不同的侧壁的外侧面上。

可以是，所述支承线的每一个向所述框架的厚度方向弯曲而结合到所述框架的外侧面上，所述支承线包括在所述外侧面上向彼此不同的方向倾斜而结合的两个以上的支承线。

可以是，所述槽的每一个的宽度是所述支承线的每一个的直径以上。

可以是，所述槽的每一个的所述宽度沿所述框架的厚度方向恒定。

可以是，所述槽的每一个的所述宽度沿所述框架的厚度方向变化。

可以是，所述支承线包括：第一支承线；以及第二支承线，在与所述第一支承线不同的方向上延伸。可以是，所述第一支承线以及所述第二支承线在平面上交叉并界定与所述框架开口部重叠的蒸镀开口部。

根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法通过将包括碳纳米管纤维的支承线结合到框架进行制造，可以制造包括耐久性提高的掩模的掩模组件。通过支承线形成的掩模可以防止蒸镀工艺中的加工基板的接触导致的冲击或者清洗工艺中的由清洗液传递的冲击导致的损坏。通过防止掩模的损坏，可以提高利用掩模的蒸镀工艺的收率，并减少重新制作或修复掩模所需的费用。

附图说明

图1是根据本实用新型的一实施例的蒸镀装置的截面图。

图2是根据本实用新型的一实施例的显示面板的截面图。

图3是根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的流程图。

图4是根据本实用新型的一实施例的框架的立体图。

图5是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。

图6a至图6c是依次示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的截面图。

图7是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。

图8是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。

图9是根据本实用新型的一实施例的掩模组件的立体图。

图10a至图10c是根据本实用新型的一实施例的掩模组件的截面图。

图11是根据本实用新型的一实施例的掩模组件的截面图。

图12a是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。

图12b是根据本实用新型的一实施例的掩模组件的立体图。

图13是根据本实用新型的一实施例的掩模组件的立体图。

(附图标记说明)

MA：掩模组件FR：框架

S1、S2、S3、S4：第一至第四侧壁

FR-O：框架开口部

PP：凸出部GV：槽

MK：掩模MK-O：蒸镀开口部

CNT1、CNT1a、CNT1b：第一支承线

CNT2、CNT2a、CNT2b：第二支承线

AP1a、AP1b、AP2a：第一至第三结合部

GR：夹持器

AP-a：结合部件WD：结合装置

具体实施方式

本实用新型可以实施各种变更且可以具有各种形态，并且将特定实施例例示于附图中并在本文中进行详细说明。但是，应理解的是，这些并不是将本实用新型限定为特定的公开形式，而是包括本实用新型的构思和技术范围内所包括的所有变更、等同物以及替代物。

在本说明书中，当提及任一构成要件(或区域、层、部分等)“在”另一构成要件“上”、“连接于”或“结合于”另一构成要件时，意指任一构成要件可以直接配置/连接/结合在另一构成要件上，或者也可以在它们之间配置第三构成要件。

相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了技术内容的有效说明而放大的。“和/或”将相关的构成要件所能定义的一个以上的组合全部包括。

第一、第二等术语可用于说明多种构成要件，但上述构成要件并不被上述术语所限制。上述术语仅用于将一个构成要件与另外构成要件区分的目的。例如，在不脱离本实用新型的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可命名为第一构成要件。只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。

另外，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成要件的关联关系。上述术语是相对性概念，以附图中表示的方向为基准进行说明。

“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在，并不是预先排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。

只要没有不同地定义，在本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本实用新型所属技术领域的人员通常所理解的含义相同的含义。另外，通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应解释为具有与相关技术的脉络上含义相同的含义，只要没有明确地在此定义，不应被解释为过于理想化或过于形式化的含义。

以下，将参照附图说明根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法以及掩模组件。

图1是根据本实用新型的一实施例的蒸镀装置DE的截面图。图2是根据本实用新型的一实施例的显示面板DP的截面图。

根据本实用新型的一实施例的蒸镀装置DE可以用于形成包括在将要后述的显示面板DP(参照图2)中的图案以及功能层中的至少一部分。例如，蒸镀装置DE可以用于制造高分辨率的显示面板DP(参照图2)的蒸镀工艺。

参照图1，蒸镀装置DE可以包括腔室CB、蒸镀单元EU、固定单元PU、工作台ST以及掩模组件MA。根据本实用新型的一实施例的蒸镀装置DE可以还包括用于实现在线系统的附加机械装置。

腔室CB可以包括提供内部空间的底面、天花板面以及连接底面和天花板面的侧壁。腔室CB的底面可以与第一方向DR1以及第二方向DR2所定义的面平行，腔室CB的底面的法线方向可以与第三方向DR3平行。在本说明书中，“在平面上”是以与第一方向DR1以及第二方向DR2所定义的面平行的面为基准进行设定。在本说明书中，“在截面上”定义为在第一方向DR1或者第二方向DR2上观察的状态。

在腔室CB的内部空间中可以配置蒸镀单元EU、固定单元PU、工作台ST、掩模组件MA以及加工基板M-SUB。腔室CB可以形成密闭的空间，并可以将蒸镀条件设定为真空。腔室CB可以具备至少一个闸门，并可以通过闸门开闭。掩模组件MA以及加工基板M-SUB可以通过设置于腔室CB的闸门进出。

固定单元PU可以在腔室CB的内侧配置在蒸镀单元EU上。固定单元PU可以固定掩模组件MA。例如，根据一实施例的固定单元PU可以包括保持掩模组件MA的夹具或者机械臂。固定单元PU可以包括用于使掩模组件MA和加工基板M-SUB紧贴的磁体。例如，磁体可以产生磁力，从而对掩模组件MA施加引力，由此，配置在掩模组件MA和固定单元PU之间的加工基板M-SUB可以与掩模组件MA紧贴。

加工基板M-SUB可以是被蒸镀蒸镀物质DM的加工对象物。例如，加工基板M-SUB可以包括支承基板以及配置在支承基板上且与将要后述的基底基板BS(参照图2)对应的合成树脂层。所述支承基板可以在显示面板DP(参照图2)的制造工艺后半部中去除。根据通过蒸镀工艺形成的结构，加工基板M-SUB可以包括配置在基底基板BS(参照图2)上的显示面板DP(参照图2)的一部分结构。

蒸镀单元EU可以在腔室CB内侧配置为与固定单元PU面对。蒸镀单元EU可以包括容纳蒸镀物质DM的空间以及喷射蒸镀物质DM的一个以上的喷嘴。蒸镀物质DM可以包括能够升华或者汽化的无机物、金属或者有机物。蒸镀物质DM可以穿过掩模组件MA而以预定的图案蒸镀在加工基板M-SUB上。

掩模组件MA可以包括掩模MK以及框架FR。掩模MK可以配置在框架FR上而与框架FR结合。

框架FR可以支承掩模MK。在框架FR内侧可以界定框架开口部FR-O。框架FR可以在平面上具有包围框架开口部FR-O的闭合线形状。框架FR的形状只要能够支承掩模MK，则不限于任一个。

框架FR可以具有预定的刚性。例如，框架FR可以包括不锈钢(SUS)、殷钢(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)之类金属物质。但是，框架FR的物质不限于所述例子。

掩模MK可以包括各自结合到框架FR的支承线。掩模MK可以包括由在平面上彼此交叉的同时排列的支承线界定的多个蒸镀开口部MK-O。即，蒸镀开口部MK-O的每一个可以被掩模MK的支承线中的对应的支承线包围而形成。将后述关于掩模MK的详细说明。

蒸镀开口部MK-O可以在平面上与框架开口部FR-O重叠。蒸镀开口部MK-O可以界定在加工基板M-SUB上形成蒸镀图案的区域。即，蒸镀物质DM可以穿过框架开口部FR-O以及蒸镀开口部MK-O而在加工基板M-SUB的蒸镀面上形成为与蒸镀开口部MK-O对应的图案。在一实施例中，蒸镀图案可以与显示面板DP(参照图2)的图案或者功能层中的至少任一个对应。

掩模MK可以包括耐久性强的物质。例如，掩模MK可以包括碳纳米管纤维。随着掩模MK的耐久性提高，可以防止由于外部冲击导致的掩模MK的损坏。

在蒸镀工艺中，掩模MK可以配置为与加工基板M-SUB相邻。根据实施例，掩模MK可以与加工基板M-SUB接触而进行蒸镀工艺。尤其，用于制造具有高分辨率的显示面板的掩模MK可以包括微小尺寸的蒸镀开口部MK-O，随着具有薄的厚度，可能易受外部冲击。因此，掩模MK由于在蒸镀过程中与加工基板M-SUB的接触或者在清洗过程中的清洗液导致的冲击而损坏的可能性高。但是，掩模MK通过包括耐久性优异的碳纳米管纤维，可以防止掩模MK的损坏。随着防止掩模MK的损坏，可以减少重新制造掩模MK或者修复损坏的掩模MK所需的费用。另外，随着掩模MK的耐久性提高，掩模MK可以提供为用于高分辨率显示面板制造的荫罩(Shadow Mask)。

工作台ST可以配置在蒸镀单元EU和固定单元PU之间而支承框架FR。工作台ST可以配置在从蒸镀单元EU朝向加工基板M-SUB供应的蒸镀物质DM的移动路径外侧。

工作台ST可以提供安放框架FR的安放面，所述安放面可以与第一方向DR1以及第二方向DR2平行。根据一实施例，工作台ST的安放面可以提供为与腔室CB的底面平行，从而加工基板M-SUB进行水平蒸镀工艺。但是，不限于此，工作台ST的安放面可以提供为与腔室CB的底面垂直，加工基板M-SUB也可以进行垂直蒸镀工艺。

参照图2，包括在显示面板DP中的图案以及功能层中的至少任一个可以利用包括前述的本实用新型的掩模组件MA(参照图1)的蒸镀装置DE(参照图1)来形成。图2示例性示出了通过利用掩模组件MA(参照图1)的蒸镀工艺制造的显示面板DP的截面。

在本实施例中，显示面板DP可以是发光型显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或者量子点(quantum dot)发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光物质，无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点以及量子棒等。以下，显示面板DP说明为有机发光显示面板。

显示面板DP可以包括基底基板BS、电路层DP-CL以及显示元件层DP-ED。

基底基板BS可以提供形成电路层DP-CL的基底面。基底基板BS可以包括玻璃、合成树脂或者有机/无机复合材料等。基底基板BS可以具有单层或者多层结构。例如，多层结构的基底基板BS可以包括合成树脂层以及配置在合成树脂层之间的至少一个无机层。

电路层DP-CL可以包括连接到发光元件ED-1、ED-2、ED-3的驱动元件以及传输电信号的信号线等。电路层DP-CL可以包括构成像素的驱动电路的半导体图案以及导电图案。可以在基底基板BS上通过涂层、蒸镀等工艺来形成绝缘层、半导体层以及导电层之后，通过多次光刻工艺来图案化半导体层以及导电层，从而形成电路层DP-CL的结构。

显示元件层DP-ED可以配置在电路层DP-CL上。显示元件层DP-ED可以包括发光元件ED-1、ED-2、ED-3、像素界定膜PDL以及封装层TFE。

发光元件ED-1、ED-2、ED-3可以是有机发光元件、无机发光元件、量子点发光元件、微米LED(micro LED)发光元件或者纳米LED(nano LED)发光元件。但是，发光元件ED-1、ED-2、ED-3的实施例只要能够根据电信号产生光或者控制光量，则不限于任一个。

在一实施例中，发光元件ED-1、ED-2、ED-3的每一个可以包括第一电极AE1、AE2、AE3、空穴传输区域HTR、发光层EML-R、EML-G、EML-B、电子传输区域ETR以及第二电极CE。

发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第一电极AE1、AE2、AE3可以配置在电路层DP-CL上，并分别电连接于对应的电路层DP-CL的驱动元件。发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第一电极AE1、AE2、AE3可以配置为在平面上彼此隔开。

在像素界定膜PDL中可以界定暴露发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第一电极AE1、AE2、AE3的一部分的发光开口部PDL-O。通过像素界定膜PDL的发光开口部PDL-O暴露的第一电极AE1、AE2、AE3的一部分可以分别与发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B对应。配置有像素界定膜PDL的区域可以与围绕发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B的非发光区域NPXA对应。

发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的配置有第一发光元件ED-1的区域可以与第一发光区域PXA-R对应，配置有第二发光元件ED-2的区域可以与第二发光区域PXA-G对应，配置有第三发光元件ED-3的区域可以与第三发光区域PXA-B对应。

第一至第三发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以根据通过发光区域发射的光的颜色来划分。例如，可以是，第一发光区域PXA-R是发射红色光的红色发光区域，第二发光区域PXA-G是发射绿色光的绿色发光区域，第三发光区域PXA-B是发射蓝色光的蓝色发光区域。但是，通过第一至第三发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B输出的光的颜色不限于所述例子。

像素界定膜PDL可以设定发出光的区域。与像素界定膜PDL对应的非发光区域NPXA可以设定第一至第三发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的边界，并防止第一至第三发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B之间的混色。

在界定于像素界定膜PDL的发光开口部PDL-O内可以分别配置第一至第三发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B。即，发光层EML-R、EML-G、EML-B可以提供为与发光开口部PDL-O对应的图案形态。发光层EML-R、EML-G、EML-B可以通过利用根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA(参照图1)的蒸镀工艺来形成。但是，实施例不限于此，第一至第三发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B也可以提供为具有一体的形状的公共层。

发光层EML-R、EML-G、EML-B的每一个可以包括有机发光物质、无机发光物质、量子点或者量子棒等。第一至第三发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B可以发出彼此不同颜色的光。包括在第一至第三发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B的每一个中的物质可以彼此不同，它们可以利用彼此不同的掩模MK(参照图1)来蒸镀。但是，实施例并不是必须限定于此。

空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR以及第二电极CE的每一个可以提供为在发光元件ED-1、ED-2、ED-3上形成为一体的公共层。空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR以及第二电极CE可以与发光区域PXA-R、PXA-G、PXG-B以及非发光区域NPXA重叠形成。提供为公共层的空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR以及第二电极CE中的至少一个可以利用能够称为开放掩模(Open mask)的掩模来形成。

空穴传输区域HTR可以配置在第一电极AE1、AE2、AE3和发光层EML-R、EML-G、EML-B之间。空穴传输区域HTR可以包括空穴传输层以及空穴注入层中的至少一个，可以还包括电子阻挡层。电子传输区域ETR可以配置在发光层EML-R、EML-G、EML-B和第二电极CE之间。电子传输区域ETR可以包括电子传输层以及电子注入层中的至少一个，可以还包括空穴阻挡层。

通过电路层DP-CL的驱动元件，第一电压可以施加到第一电极AE1、AE2、AE3，公共电压可以施加到第二电极CE。可以是，注入到发光层EML-R、EML-G、EML-B的空穴和电子复合而形成激子(exciton)，激子跃迁到基态的同时，发光元件ED-1、ED-2、ED-3发光。

封装层TFE可以配置在发光元件ED-1、ED-2、ED-3上。封装层TFE可以密封发光元件ED-1、ED-2、ED-3。封装层TFE可以包括用于提高发光元件ED-1、ED-2、ED-3的光学效率或者保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3的多个薄膜。

封装层TFE可以包括至少一个无机膜以及有机膜。封装层TFE的无机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3免受水分和/或氧气的影响。封装层TFE的无机膜可以通过化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition，CVD)来形成，并可以包括硅氮化物、硅氧化物或者组合它们的化合物。但是，封装层TFE的无机膜的实施例不限于此。

封装层TFE的有机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2、ED-3免受灰尘粒子之类异物的影响。封装层TFE的有机膜可以形成在无机膜上而提供平坦面。例如，有机膜可以覆盖存在于形成在有机膜下方的无机膜中的颗粒(particle)或弯曲。另外，有机膜可以缓解与有机膜接触的层之间的应力。例如，封装层TFE的有机膜可以包括丙烯酸系列树脂，但实施例不限于此。封装层TFE的有机膜可以通过蒸镀、旋转涂层、狭缝涂层、喷墨工艺之类工艺来形成。

图3是根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的流程图。

参照图3，根据一实施例的掩模组件制造方法包括提供界定有框架开口部以及槽的框架的步骤(S10)、将第一支承线插入到对应的槽而结合到框架的步骤(S20)以及将第二支承线插入到对应的槽而结合到框架的步骤(S30)。

在框架提供步骤(S10)中提供的框架可以界定贯通框架而形成的框架开口部和框架的一部分凹陷而形成的槽。所述槽可以沿一方向排列。

将第一支承线结合到框架的步骤(S20)可以包括将第一支承线的两端固定到夹持器而在一方向上进行拉伸的步骤、将第一支承线对齐到槽中的对应的槽上之后插入到对应的槽的步骤以及将第一支承线的两端设置在框架的外侧面上而结合框架的外侧面和第一支承线的步骤。

将第二支承线结合到框架的步骤(S30)可以包括将第二支承线的两端固定到夹持器而在与第一支承线的拉伸方向不同的方向上进行拉伸的步骤、将第二支承线对齐到槽中的对应的槽上之后插入到对应的槽的步骤以及将第二支承线的两端设置在框架的外侧面上而结合框架的外侧面和第二支承线的步骤。

本实用新型的掩模组件制造方法可以将第一支承线和第二支承线分别插入到对应的槽之后结合到框架，从而制造包括由第一支承线以及第二支承线构成的掩模的掩模组件。针对各步骤，以下将参照附图详细说明。

图4是根据本实用新型的一实施例的框架FR的立体图。图4所示的框架FR可以与框架提供步骤(S10)(参照图3)中提供的框架FR对应。

参照图4，框架FR可以包括侧壁S1、S2、S3、S4。可以通过彼此连接的侧壁S1、S2、S3、S4的内侧面来界定框架开口部FR-O。即，彼此连接的侧壁S1、S2、S3、S4可以在平面上包围框架开口部FR-O。彼此连接的侧壁S1、S2、S3、S4的外侧面可以与侧壁S1、S2、S3、S4的内侧面相对且形成框架FR的外侧面。侧壁S1、S2、S3、S4可以包括第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4。

第一侧壁S1以及第二侧壁S2的每一个可以沿第二方向DR2延伸。第一侧壁S1和第二侧壁S2可以隔着框架开口部FR-O在第一方向DR1上彼此面对。

第三侧壁S3可以沿第一方向DR1延伸而连接于第一侧壁S1的一端和第二侧壁S2的一端。即，第一侧壁S1和第二侧壁S2可以通过第三侧壁S3彼此连接。第四侧壁S4可以沿第一方向DR1延伸而连接于第一侧壁S1的另一端和第二侧壁S2的另一端。第三侧壁S3和第四侧壁S4可以隔着框架开口部FR-O在第二方向DR2上彼此面对。

第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4可以包括相同物质并形成为一体。第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4可以包括具有刚性的物质。例如，第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4可以包括不锈钢(SUS)、殷钢(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)之类金属物质。但是，第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4的物质不限于所述例子。

框架FR可以包括凸出部PP。凸出部PP可以配置在彼此连接的第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4的上面US上。在一方向上彼此相邻配置的凸出部PP可以形成槽GV并隔开。因此，通过沿一方向隔开排列的凸出部PP，可以在框架FR中界定多个槽GV。

配置在第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的凸出部PP可以沿第二方向DR2形成槽GV并排列。即，配置在第一侧壁S1或者第二侧壁S2上并在第二方向DR2上相邻的凸出部PP之间的隔开空间可以与槽GV对应。通过配置在第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的凸出部PP，形成在第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的槽GV可以沿第二方向DR2排列。

配置在第三侧壁S3或者第四侧壁S4上的凸出部PP可以沿第一方向DR1形成槽GV并排列。即，配置在第三侧壁S3或者第四侧壁S4上并在第一方向DR1上相邻的凸出部PP之间的隔开空间可以与槽GV对应。通过配置在第三侧壁S3或者第四侧壁S4上的凸出部PP，形成在第三侧壁S3或者第四侧壁S4上的槽GV可以沿第一方向DR1排列。

凸出部PP可以包括具有刚性的物质。例如，凸出部PP可以包括不锈钢(SUS)、殷钢(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)等之类金属物质。凸出部PP可以包括与第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4相同的物质并形成为一体。但是，不限于此，凸出部PP也可以包括与第一至第四侧壁S1、S2、S3、S4中所包括的物质不同的物质。

另一方面，图4所示的凸出部PP的尺寸以及形状是示例性的情况，只要沿一方向隔开配置来形成槽GV，则凸出部PP的尺寸以及形状不限于示出的情况。

图5是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。图5所示的步骤可以与将第一支承线CNT1结合到框架FR的步骤(S20)(参照图3)对应。

参照图5，第一支承线CNT1可以提供在框架FR上。第一支承线CNT1可以以第一支承线CNT1的两端(以下，第一端以及第二端)分别固定到夹持器(Gripper)GR的状态提供在框架FR上。夹持第一支承线CNT1的第一端的夹持器GR和夹持第一支承线CNT1的第二端的夹持器GR可以在与第一方向DR1上平行地彼此相对的方向上拉伸第一支承线CNT1。在一实施例中，第一支承线CNT1可以通过夹持器GR在第一方向DR1上拉伸，并沿第一方向DR1延伸。

第一支承线CNT1可以包括具有耐久性的物质。例如，第一支承线CNT1可以包括碳纳米管纤维。第一支承线CNT1可以是在截面上具有几微米(um)至几十微米(um)的直径的碳纳米管纤维。

夹持器GR可以在框架FR上对齐第一支承线CNT1以使得第一支承线CNT1插入到槽GV中的对应的槽GV。例如，与固定到一个夹持器GR的第一支承线CNT1的第一端相邻的部分可以对齐到形成在第一侧壁S1上的槽GV中的对应的槽GV上。与固定到又另一个夹持器GR的第一支承线CNT1的第二端相邻的部分可以对齐到形成在第二侧壁S2上的槽GV中的对应的槽GV上。

第一支承线CNT1可以分别插入到位于第一侧壁S1上的一个槽GV和位于第二侧壁S2上并与所述一个槽GV在第一方向DR1上并排的另一个槽GV，第一支承线CNT1可以沿第一方向DR1延伸并结合到框架FR。因此，第一支承线CNT1可以跨过第一侧壁S1和第二侧壁S2之间并与框架开口部FR-O在平面上重叠。

第一支承线CNT1结合到框架FR的一步骤在图6a至图6c中更加具体地示出。以下，将参照图6a至图6c说明将第一支承线CNT1结合到框架FR的步骤。

图6a至图6c是依次示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的截面图。图6a至图6c所示的步骤可以与将第一支承线CNT1结合到框架FR的步骤对应。

参照图5以及图6a，可以是，对齐夹持器GR以及第一支承线CNT1以使得第一支承线CNT1位于对应的槽GV上之后，使夹持器GR向下方移动，从而将第一支承线CNT1插入到对应的槽GV。夹持器GR可以在与第一方向DR1平行的方向上对第一支承线CNT1施加拉伸力，并将第一支承线CNT1配置在框架FR上。

参照图6a以及图6b，夹持器GR可以向下方移动以使得与第一支承线CNT1的第一端以及第二端相邻的一部分分别位于第一及第二侧壁S1、S2的外侧面上。与固定到一个夹持器GR的第一支承线CNT1的第一端相邻的一部分可以配置在第一侧壁S1上，与固定到又另一个夹持器GR的第一支承线CNT1的第二端相邻的一部分可以配置在第二侧壁S2上。与第一支承线CNT1的第一端相邻的一部分可以从第一侧壁S1的上面向框架FR的厚度方向(例如，第三方向DR3)弯曲而配置在第一侧壁S1的外侧面上。与第一支承线CNT1的第二端相邻的一部分可以从第二侧壁S2的上面向框架FR的厚度方向弯曲而配置在第二侧壁S2的外侧面上。

可以在位于第一侧壁S1以及第二侧壁S2的外侧面上的第一支承线CNT1的一部分上分别提供结合部件AP-a。例如，结合部件AP-a可以通过输送装置提供在需要焊接的位置上。结合部件AP-a可以是通过热或者光熔融而使第一支承线CNT1和框架FR结合的物质。

可以在结合部件AP-a上提供结合装置WD。结合装置WD可以是提供热或者光的焊接装置。结合装置WD可以对齐到工艺对象即结合部件AP-a上，从而向结合部件AP-a照射热或者光。结合装置WD可以将任一个结合部件AP-a焊接到第一支承线CNT1的一部分上之后，移动为位于另一个结合部件AP-a上。

图6b示例性示出了照射热或者光来将结合部件AP-a焊接到第一支承线CNT1，从而结合第一支承线CNT1和框架FR的步骤。但是，结合第一支承线CNT1和框架FR的方法不限于此。例如，结合部件AP-a可以是结合到框架FR的侧壁而将第一支承线CNT1固定到框架FR的外侧面的紧固构造体。

参照图6b以及图6c，配置在第一侧壁S1的外侧面上的第一支承线CNT1的一部分可以通过第一结合部AP1a固定到第一侧壁S1。配置在第二侧壁S2的外侧面上的第一支承线CNT1的一部分可以通过第二结合部AP1b固定到第二侧壁S2。第一结合部AP1a以及第二结合部AP1b的每一个可以与在第一支承线CNT1上焊接结合部件AP-a而形成的部分对应。但是，第一结合部AP1a以及第二结合部AP1b的每一个只要是将第一支承线CNT1固定到框架FR的外侧面上的部分，则不限于任一个。

将第一支承线CNT1结合到框架FR的外侧面的工艺结束之后，夹持器GR可以从第一支承线CNT1去除。此后，夹持器GR可以将又另一第一支承线CNT1提供在框架FR上。

结合到框架FR的第一支承线CNT1可以经由第一侧壁S1的外侧面、第一侧壁S1的上面、框架开口部FR-O、第二侧壁S2的上面以及第二侧壁S2的外侧面来延伸。第一支承线CNT1的第一端可以位于第一侧壁S1的外侧面上，第一支承线CNT1的第二端可以位于第二侧壁S2的外侧面上。第一支承线CNT1的在第一方向DR1上延伸的部分可以与框架开口部FR-O重叠。

图5以及图6a至图6c示例性示出了提供一个第一支承线CNT1之后结合到框架FR的一步骤，但是在所述一个第一支承线CNT1结合到框架FR之后，其它多个第一支承线CNT1可以经过上述的步骤依次提供及结合到框架FR上。

图7是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。图7示例性示出了多个第一支承线CNT1结合到框架FR。多个第一支承线CNT1的每一个可以通过上述的方法结合到框架FR。

参照图7，第一支承线CNT1的每一个可以沿第一方向DR1延伸并结合到框架FR的第一及第二侧壁S1、S2上。具体地，第一支承线CNT1的每一个可以经由框架开口部FR-O而结合到第一及第二侧壁S1、S2的外侧面上。例如，可以是，第一支承线CNT1的第一端配置在第一侧壁S1的外侧面上，与第一端相邻的部分分别通过第一结合部AP1a结合到第一侧壁S1。与此相同地，第一支承线CNT1的第二端可以配置在第二侧壁S2的外侧面上而通过第二结合部AP1b(参照图6c)结合到第二侧壁S2。第一支承线CNT1的沿第一方向DR1延伸的部分可以与框架开口部FR-O重叠。

图7示例性示出了配置在第一侧壁S1的外侧面上并与第一支承线CNT1分别结合的多个第一结合部AP1a。但是，实施例不限于此，第一结合部AP1a可以提供为在与第一侧壁S1的外侧面平行的方向上延伸并与第一支承线CNT1重叠的一体的结合部，一体的结合部也可以将第一支承线CNT1结合到第一侧壁S1。

第一支承线CNT1可以分别插入到位于第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的第一支承线CNT1可以沿第二方向DR2隔开排列。因此，框架FR的槽GV的间隔可以考虑所要形成的第一支承线CNT1的配置间隔来设计。

图8是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。图8所示的步骤可以与在框架FR上结合第二支承线CNT2的步骤(S30)(参照图3)对应。

参照图8，可以在结合有第一支承线CNT1的框架FR上提供第二支承线CNT2。第二支承线CNT2可以以第二支承线CNT2的两端(以下，第三端以及第四端)分别固定到夹持器GR的状态提供在框架FR上。夹持第二支承线CNT2的第三端的夹持器GR和夹持第二支承线CNT2的第四端的夹持器GR可以在与第二方向DR2平行地彼此相对的方向上拉伸第二支承线CNT2。在一实施例中，第二支承线CNT2可以通过夹持器GR在第二方向DR2上拉伸，并沿第二方向DR2延伸。

第二支承线CNT2可以包括具有耐久性的物质。例如，第二支承线CNT2可以包括碳纳米管纤维。第二支承线CNT2可以是在截面上具有几微米(um)至几十微米(um)的直径的碳纳米管纤维。

夹持器GR可以在框架FR上对齐第二支承线CNT2以使得第二支承线CNT2插入到槽GV中的对应的槽GV。例如，与固定到一个夹持器GR的第二支承线CNT2的第三端相邻的部分可以对齐到形成在第三侧壁S3上的槽GV中的对应的槽GV上。与固定到又另一个夹持器GR的第二支承线CNT2的第四端相邻的部分可以对齐到形成在第四侧壁S4上的槽GV中的对应的槽GV上。

第二支承线CNT2可以分别插入到位于第三侧壁S3上的一个槽GV和位于第四侧壁S4上并与所述一个槽GV在第二方向DR2上并排的另一个槽GV，第二支承线CNT2可以沿第二方向DR2延伸并结合到框架FR。第二支承线CNT2可以跨过第三侧壁S3和第四侧壁S4之间并与框架开口部FR-O在平面上重叠。另外，在与框架开口部FR-O对应的平面上，第二支承线CNT2可以与第一支承线CNT1交叉并重叠。

第二支承线CNT2与第一支承线CNT1仅在延伸方向以及结合到框架FR的位置上不同，可以通过与图6a至图6c所示的方法相同的方法结合到框架FR。

夹持器GR可以向下方移动以使得第二支承线CNT2的第三端位于第三侧壁S3的外侧面上且第二支承线CNT2的第四端位于第四侧壁S4的外侧面上。由此，第二支承线CNT2可以延伸为经由第三侧壁S3的外侧面、第三侧壁S3的上面、框架开口部FR-O、第四侧壁S4的上面以及第四侧壁S4的外侧面而配置在框架FR上。

此后，可以在分别位于第三侧壁S3以及第四侧壁S4的外侧面上的第二支承线CNT2的一部分上提供结合部件。在结合部件上提供结合装置之后，照射热或者光，从而可以焊接结合部件以使得第二支承线CNT2的一部分结合到框架FR的外侧面上。但是，结合第二支承线CNT2和框架FR的方法不限于焊接。例如，第二支承线CNT2也可以通过紧固构造体结合到框架FR。

图8示出了提供一个第二支承线CNT2，但是在所述一个第二支承线CNT2结合到框架FR之后，其它多个第二支承线CNT2可以经过上述的步骤依次提供及结合到框架FR上。

图9是根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA的立体图。图9的掩模组件MA可以是通过上述的掩模组件制造方法制造的掩模组件MA。针对各结构，可以适用上述的说明。

参照图9，第一支承线CNT1的每一个可以经由框架开口部FR-O并沿第一方向DR1延伸，并从在第一方向DR1上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第一及第二侧壁S1、S2的外侧面上。第二支承线CNT2的每一个可以经由框架开口部FR-O并沿第二方向DR2延伸，并从在第二方向DR2上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第三及第四侧壁S3、S4的外侧面上。

与第一支承线CNT1的第一端相邻的部分可以分别通过第一结合部AP1a结合到第一侧壁S1。虽然在图9中看不到，但是与第一支承线CNT1的第二端相邻的部分可以配置在第二侧壁S2的外侧面上而通过第二结合部AP1b(参照图6c)结合到第二侧壁S2。

与第二支承线CNT2的第三端相邻的部分可以通过第三结合部AP2a结合到第三侧壁S3。虽然在图9中看不到，但是与第二支承线CNT2的第四端相邻的部分可以通过第四结合部结合到第四侧壁S4。

图9示例性示出了配置在第三侧壁S3的外侧面上并分别结合到第二支承线CNT2的多个第三结合部AP2a。但是，实施例不限于此，第三结合部AP2a可以提供为在与第三侧壁S3的外侧面平行的方向上延伸并与第二支承线CNT2重叠的一体的结合部，一体的结合部也可以将第二支承线CNT2结合到第三侧壁S3。

第一支承线CNT1可以分别插入到位于第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的第一支承线CNT1可以沿第二方向DR2隔开排列。第二支承线CNT2可以分别插入到位于第三侧壁S3或者第四侧壁S4上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的第二支承线CNT2可以沿第一方向DR1隔开排列。因此，框架FR的槽GV的间隔可以考虑所要形成的第一支承线CNT1的配置间隔以及第二支承线CNT2的配置间隔来设计。

在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1和第二支承线CNT2可以彼此交叉并重叠。具体地，可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1的每一个沿第一方向DR1延伸，第一支承线CNT1在第二方向DR2上彼此隔开排列，第二支承线CNT2的每一个沿第二方向DR2延伸，第二支承线CNT2在第一方向DR1上彼此隔开排列。

在与框架开口部FR-O对应的区域中，第二支承线CNT2可以配置在第一支承线CNT1上。但是，不限于此，根据形成顺序，也可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1配置在第二支承线CNT2上。

彼此交叉并重叠的第一支承线CNT1和第二支承线CNT2可以定义为形成蒸镀开口部MK-O的掩模MK。即，本实用新型一实施例的掩模MK可以包括在平面上彼此交叉的第一支承线CNT1和第二支承线CNT2。

第一及第二支承线CNT1、CNT2的每一个可以包括耐久性优异的碳纳米管纤维，由此，可以提高掩模MK的耐久性。随着掩模MK的耐久性提高，可以防止由于在蒸镀工艺中与加工基板M-SUB(参照图1)的接触、根据工艺环境的冲击或者清洗过程中的冲击而掩模MK损坏。

蒸镀开口部MK-O的每一个可以通过在第二方向DR2上相邻的第一支承线CNT1和与相应第一支承线CNT1在平面上交叉并在第一方向DR1上相邻的第二支承线CNT2包围来界定。通过第一及第二支承线CNT1、CNT2界定的蒸镀开口部MK-O可以与框架开口部FR-O在平面上重叠。蒸镀开口部MK-O可以与在蒸镀工艺中在加工基板M-SUB(参照图1)上形成蒸镀图案的区域对应。

蒸镀开口部MK-O的尺寸可以根据第一及第二支承线CNT1、CNT2的直径、第一及第二支承线CNT1、CNT2的配置间隔来调节。根据第一及第二支承线CNT1、CNT2提供为具有几微米(um)至几十微米(um)的直径的碳纳米管纤维，可以在掩模MK内容易地形成具有微小尺寸的蒸镀开口部MK-O。另外，可以省略在制造掩模MK的过程中为了形成蒸镀开口部而对无机膜或金属膜使用蚀刻液或激光来蚀刻的过程，与蚀刻工艺相比，本实用新型一实施例的掩模组件制造方法可以提高工艺的精密性。

图10a至图10c是根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA的截面图。图10a是与图9的线I-I'对应的一实施例的掩模组件MA的截面图，图10b以及图10c是与图10a的截面对应的另一实施例的掩模组件MA的截面图。

图10a至图10c示例性示出了第二支承线CNT2分别配置在槽GV中的截面，以下，基于此进行说明，但是以下的说明也可以适用于第一支承线CNT1。

参照图10a至图10c，配置在第三侧壁S3上的凸出部PP可以沿第一方向DR1隔开配置。凸出部PP之间的隔开空间可以分别与槽GV对应。第二支承线CNT2可以分别配置在槽GV内。

参照图10a，凸出部PP的每一个可以在截面上具有四边形的形状。与第三侧壁S3的上面US相接的凸出部PP的底面和连接到所述底面的凸出部PP的侧面之间的角度可以是实质上直角。由此，在第一方向DR1上相邻的凸出部PP的面对的侧面可以相对于第一方向DR1实质上垂直。

通过凸出部PP在截面上具有四边形的形状，在第一方向DR1上槽GV的宽度WT可以沿框架FR的厚度方向即第三方向DR3恒定。即，在第一方向DR1上相邻的凸出部PP的底面之间的间隔和上面之间的间隔可以恒定。

槽GV的每一个的宽度WT可以是第二支承线CNT2的直径以上。若槽GV的每一个的宽度WT小于第二支承线CNT2的直径，则第二支承线CNT2可能难以分别插入到槽GV内。因此，随着槽GV的每一个的宽度WT大于第二支承线CNT2的直径，第二支承线CNT2可以容易插入到槽GV。

凸出部PP可以在第三方向DR3上具有预定的厚度TT。凸出部PP的每一个的厚度TT可以与槽GV的每一个的深度对应。凸出部PP的每一个的厚度TT可以是第二支承线CNT2的直径以下。但是，实施例并不是必须限定于此。

在蒸镀工艺中，在配置在掩模组件MA上的加工基板M-SUB(参照图1)中，由于掩模MK的干涉，蒸镀物质无法充分到达，从而可能形成不充分地形成蒸镀图案的阴影区域。通过凸出部PP的每一个的厚度TT小于第二支承线CNT2的直径，当在第二支承线CNT2上配置加工基板M-SUB(参照图1)时，加工基板M-SUB(参照图1)可以比凸出部PP更相邻于第二支承线CNT2。由此，可以防止由于凸出部PP的干涉形成阴影区域，并可以减少阴影区域的面积。

凸出部PP中的一个凸出部PP的宽度和在第一方向DR1上与所述一个凸出部PP相邻的一个槽GV的宽度WT之和可以定义为间距PT。所述间距PT可以考虑所需的第二支承线CNT2的配置间隔来设计。

参照图10b，凸出部PP的每一个可以在截面上具有倒梯形形状。由此，与第三侧壁S3的上面US相接的凸出部PP的底面的在第一方向DR1上的宽度可以小于凸出部PP的上面的在第一方向DR1上的宽度。凸出部PP的底面和连接到所述底面的凸出部PP的侧面之间的角度可以是超过90度的钝角。

在第一方向DR1上槽GV的宽度WT1、WT2可以沿框架FR的厚度方向即第三方向DR3变化。槽GV的宽度WT1、WT2可以随着距第三侧壁S3的上面US沿第三方向DR3越远而减小。即，与在第一方向DR1上相邻的凸出部PP的底面之间的间隔对应的槽GV的下宽度WT2可以大于与凸出部PP的上面之间的间隔对应的槽GV的上宽度WT1。

槽GV的每一个的上宽度WT1可以是第二支承线CNT2的直径以上。由此，第二支承线CNT2可以分别容易插入到槽GV。通过槽GV的每一个的上宽度WT1小于下宽度WT2，插入到槽GV的第二支承线CNT2可以很好地固定到槽GV内。

凸出部PP的每一个的厚度TT可以与槽GV的每一个的深度对应。凸出部PP的每一个的厚度TT可以是第二支承线CNT2的直径以下。但是，实施例并不是必须限定于此。

参照图10c，凸出部PP的每一个可以在截面上具有梯形形状。由此，凸出部PP的底面的在第一方向DR1上的宽度可以大于凸出部PP的上面的在第一方向DR1上的宽度。凸出部PP的底面和连接到所述底面的凸出部PP的侧面之间的角度可以是小于90度的锐角。

在第一方向DR1上槽GV的宽度WT1、WT2可以沿框架FR的厚度方向即第三方向DR3变化。槽GV的宽度WT1、WT2可以随着距第三侧壁S3的上面US沿第三方向DR3越远而增大。即，与在第一方向DR1上相邻的凸出部PP的底面之间的间隔对应的槽GV的下宽度WT2可以小于与凸出部PP的上面之间的间隔对应的槽GV的上宽度WT1。

槽GV的每一个的下宽度WT2可以是第二支承线CNT2的直径以上。由此，第二支承线CNT2可以分别完全插入到槽GV内。通过槽GV的每一个的上宽度WT1大于下宽度WT2，第二支承线CNT2可以分别容易对齐到对应的槽GV上之后插入。

凸出部PP的每一个的厚度TT可以与槽GV的每一个的深度对应。凸出部PP的每一个的厚度TT可以是第二支承线CNT2的直径以下。但是，实施例并不是必须限定于此。

另一方面，图10a至图10c所示的凸出部PP的在截面上的形状是示例性的情况，不限于此，只要能够界定槽GV，则可以进行各种变更。

图11是根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA的截面图。图11与在第二方向DR2上观察第三侧壁S3的外侧面的截面对应。

参照图11，第二支承线CNT2的每一个的第三端可以配置在第三侧壁S3的外侧面上。与第三端相邻的第二支承线CNT2的一部分可以从沿第二方向DR2延伸的第二支承线CNT2的部分向框架FR的厚度方向(例如，第三方向DR3)弯曲而配置为与第三侧壁S3的外侧面重叠。与第三端相邻的第二支承线CNT2的一部分可以分别通过第三结合部AP2a结合到第三侧壁S3的外侧面。

由于第二支承线CNT2的每一个的直径和第二支承线CNT2的配置间隔是几微米(um)至几十微米(um)级，因此第二支承线CNT2可以实质上在第三侧壁S3的外侧面上紧凑配置。因此，在具有受限的面积的第三侧壁S3的外侧面上需要用于焊接第二支承线CNT2的空间，因此第二支承线CNT2中的一部分可以配置为在外侧面上以预定的角度折弯。

例如，在第三侧壁S3的外侧面上，随着从中心前往左侧或者右侧，第二支承线CNT2可以配置为倾斜的角度变大。在第三侧壁S3的外侧面上沿第一方向DR1排列的第二支承线CNT2中的配置在第三侧壁S3的中心部分的第二支承线CNT2可以实质上与第三方向DR3平行地延伸。随着从第三侧壁S3的中心前往左侧，第二支承线CNT2可以延伸配置成以第三方向DR3为基准向右侧倾斜。随着从第三侧壁S3的中心前往右侧，第二支承线CNT2可以延伸配置成以第三方向DR3为基准向左侧倾斜。

但是，只要在框架FR的侧壁的外侧面上第二支承线CNT2的配置形状是结合到框架FR的侧壁的情况，则不限于示出的情况。

另一方面，示例性说明了配置在第三侧壁S3的外侧面上的第二支承线CNT2，但是相应说明也可以适用于配置在框架FR的其它侧壁的外侧面上的支承线。

图12a是示出根据本实用新型的一实施例的掩模组件制造方法的一步骤的立体图。图12b是根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA的立体图。图12b的掩模组件MA可以通过图12a所示的一步骤制造。

图12a可以与在结合有第一支承线CNT1的框架FR上结合第二支承线CNT2的步骤(S30)(参照图3)对应。第二支承线CNT2可以以第二支承线CNT2的第三端以及第四端分别固定到夹持器GR的状态提供在框架FR上。

图12a所示的实施例可以与图8所示的第二支承线CNT2的实施例在施加拉伸力的方向上存在区别。夹持第二支承线CNT2的第三端以及第四端的夹持器GR可以在与第四方向DR4上平行地彼此相对的方向上拉伸第二支承线CNT2。在此，第四方向DR4与第一方向DR1以及第二方向DR2所界定的平面平行，但可以是与第一方向DR1以及第二方向DR2的每一个交叉的方向。第一方向DR1和第四方向DR4之间的角度可以小于90度。

夹持器GR可以在框架FR上对齐第二支承线CNT2以使得第二支承线CNT2插入到槽GV中的对应的槽GV。例如，与第二支承线CNT2的第三端相邻的部分可以对齐到形成在第四侧壁S4上的槽GV中的对应的槽GV上，与第二支承线CNT2的第四端相邻的部分可以对齐到形成在第二侧壁S2上的槽GV中的对应的槽GV上。

插入到槽GV的第二支承线CNT2可以沿第四方向DR4延伸并结合到框架FR。例如，第二支承线CNT2可以跨过第二侧壁S2和第四侧壁S4之间并与框架开口部FR-O在平面上重叠。在与框架开口部FR-O对应的平面上，第二支承线CNT2可以与第一支承线CNT1交叉并重叠。

第二支承线CNT2与第一支承线CNT1仅在延伸方向以及结合到框架FR的位置上不同，可以通过与图6a至图6c所示的方法相同的方法结合到框架FR。

图12a示出了提供一个第二支承线CNT2的情况，但是在所述一个第二支承线CNT2结合到框架FR之后，其它多个第二支承线CNT2可以依次提供及结合到框架FR上而制造图12b所示的掩模组件MA。

参照图12b，第一支承线CNT1的每一个可以经由框架开口部FR-O而沿第一方向DR1延伸，并从在第一方向DR1上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第一及第二侧壁S1、S2的外侧面上。第二支承线CNT2a、CNT2b中的一部分第二支承线CNT2a可以经由框架开口部FR-O而沿第四方向DR4延伸，并从在第四方向DR4上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第二及第四侧壁S2、S4的外侧面上。第二支承线CNT2a、CNT2b中的其余第二支承线CNT2b可以经由框架开口部FR-O而沿第四方向DR4延伸，并从在第四方向DR4上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第一及第三侧壁S1、S3的外侧面上。

第一支承线CNT1可以分别插入到位于第一侧壁S1或者第二侧壁S2上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的第一支承线CNT1可以沿第二方向DR2隔开排列。

所述一部分第二支承线CNT2a可以分别插入到位于第二侧壁S2或者第四侧壁S4上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的所述一部分第二支承线CNT2a可以在平面上沿与第四方向DR4交叉的方向隔开排列。

所述其余一部分第二支承线CNT2b可以分别插入到位于第一侧壁S1或者第三侧壁S3上的槽GV中的对应的槽GV内。插入到对应的槽GV的所述其余一部分第二支承线CNT2b可以在平面上沿与第四方向DR4交叉的方向隔开排列。第二支承线CNT2a、CNT2b所排列的方向可以根据插入有第二支承线CNT2a、CNT2b的槽GV的位置而变化。

在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1和第二支承线CNT2a、CNT2b可以彼此交叉并重叠。具体地，可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1的每一个沿第一方向DR1延伸，第二支承线CNT2a、CNT2b的每一个沿与第一方向DR1交叉的第四方向DR4延伸。可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1在第二方向DR2上彼此隔开排列，第二支承线CNT2a、CNT2b在与第一方向DR1、第二方向DR2以及第四方向DR4交叉的方向上彼此隔开排列。

彼此交叉并重叠的第一支承线CNT1和第二支承线CNT2a、CNT2b可以定义为形成蒸镀开口部MK-O的掩模MK。蒸镀开口部MK-O的每一个可以通过在第二方向DR2上相邻的第一支承线CNT1和与相应第一支承线CNT1在平面上交叉的第二支承线CNT2a、CNT2b包围来界定。通过第一及第二支承线CNT1、CNT2a、CNT2b界定的蒸镀开口部MK-O可以与框架开口部FR-O在平面上重叠。

第一支承线CNT1以及第二支承线CNT2a、CNT2b所延伸的方向和插入第一支承线CNT1以及第二支承线CNT2a、CNT2b的槽GV的位置可以根据通过第一支承线CNT1以及第二支承线CNT2a、CNT2b所要形成的蒸镀开口部MK-O的形状或面积而变化。

图13是根据本实用新型的一实施例的掩模组件MA的立体图。除了第一支承线CNT1a、CNT1b以及第二支承线CNT2a、CNT2b的延伸方向之外，图13所示的实施例可以适用上述的说明。

关于图13的第二支承线CNT2a、CNT2b的延伸方向以及配置，可以相同地适用参照图12a以及图12b的说明，以下将主要说明第一支承线CNT1a、CNT1b。

参照图13，第一支承线CNT1a、CNT1b的每一个可以沿第五方向DR5延伸。在此，第五方向DR5与第一方向DR1以及第二方向DR2所界定的平面平行，但可以是与第一方向DR1、第二方向DR2以及第四方向DR4的每一个交叉的方向。

第一支承线CNT1a、CNT1b中的一部分第一支承线CNT1a可以经由框架开口部FR-O而沿第五方向DR5延伸，并从在第五方向DR5上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第一及第四侧壁S1、S4的外侧面上。第一支承线CNT1a、CNT1b中的其余第一支承线CNT1b可以经由框架开口部FR-O而沿第五方向DR5延伸，并从在第五方向DR5上延伸的部分向框架FR的厚度方向弯曲而结合到第二及第三侧壁S2、S3的外侧面上。

所述一部分第一支承线CNT1a可以分别插入到位于第一侧壁S1或者第四侧壁S4上的槽GV中的对应的槽GV。插入到对应的槽GV的所述一部分第一支承线CNT1a可以在平面上沿与第五方向DR5交叉的方向隔开排列。例如，所述一部分第一支承线CNT1a可以沿第四方向DR4排列。

所述其余一部分第一支承线CNT1b可以分别插入到位于第二侧壁S2或者第三侧壁S3上的槽GV中的对应的槽GV内。插入到对应的槽GV的所述其余一部分第一支承线CNT1b可以在平面上沿与第五方向DR5交叉的方向隔开排列。例如，所述其余一部分第一支承线CNT1b可以沿第四方向DR4排列。

在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1a、CNT1b和第二支承线CNT2a、CNT2b可以彼此交叉并重叠。例如，可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1a、CNT1b的每一个沿第五方向DR5延伸，第二支承线CNT2a、CNT2b的每一个沿与第五方向DR5交叉的第四方向DR4延伸。可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1a、CNT1b可以在第四方向DR4上彼此隔开排列，第二支承线CNT2a、CNT2b可以在第五方向DR5上彼此隔开排列。

在与框架开口部FR-O对应的区域中，第一支承线CNT1a、CNT1b可以配置在第二支承线CNT2a、CNT2b上。但是，不限于此，根据形成顺序，也可以是，在与框架开口部FR-O对应的区域中，第二支承线CNT2a、CNT2b配置在第一支承线CNT1a、CNT1b上。

彼此交叉并重叠的第一支承线CNT1a、CNT1b和第二支承线CNT2a、CNT2b可以定义为形成蒸镀开口部MK-O的掩模MK。蒸镀开口部MK-O的每一个可以通过在第四方向DR4上相邻的第一支承线CNT1a、CNT1b和与相应第一支承线CNT1a、CNT1b在平面上交叉并在第五方向DR5上相邻的第二支承线CNT2a、CNT2b包围来界定。通过第一及第二支承线CNT1a、CNT1b、CNT2a、CNT2b界定的蒸镀开口部MK-O可以与框架开口部FR-O在平面上重叠。

第一支承线CNT1a、CNT1b以及第二支承线CNT2a、CNT2b所延伸的方向和插入第一支承线CNT1a、CNT1b以及第二支承线CNT2a、CNT2b的槽GV的位置可以根据通过第一支承线CNT1a、CNT1b以及第二支承线CNT2a、CNT2b所要形成的蒸镀开口部MK-O的形状或面积而变化。

以上，参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员来说能够理解的是，可以在不超出所附的权利要求书中记载的本实用新型的构思以及技术领域的范围内对本实用新型进行多种修改及变更。

因此，本实用新型的技术范围并不是由说明书的详细说明中记载的内容来限定，而是应由权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种掩模组件，其特征在于，包括：

框架，界定有框架开口部以及沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的多个槽；以及

掩模，包括各自插入到所述槽中的对应的槽的多个支承线，

所述支承线的每一个由碳纳米管纤维形成。

2.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，

所述框架包括：

第一侧壁至第四侧壁，彼此连接而界定所述框架开口部；以及

凸出部，配置在所述第一侧壁至所述第四侧壁上并彼此隔开，

所述第一侧壁以及所述第二侧壁沿所述第二方向延伸并隔着所述框架开口部在所述第一方向上面对，

所述第三侧壁以及所述第四侧壁沿所述第一方向延伸并隔着所述框架开口部在所述第二方向上面对，

所述槽的每一个与所述凸出部之间的隔开空间对应。

3.根据权利要求2所述的掩模组件，其特征在于，

所述凸出部在截面上具有四边形、梯形或者倒梯形形状。

4.根据权利要求2所述的掩模组件，其特征在于，

所述凸出部的每一个的厚度是所述支承线的每一个的直径以下。

5.根据权利要求2所述的掩模组件，其特征在于，

所述支承线的每一个包括第一端以及第二端，

所述第一端配置在所述第一侧壁至所述第四侧壁中的任一个侧壁的外侧面上，所述第二端配置在与所述任一个侧壁不同的侧壁的外侧面上。

6.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，

所述支承线的每一个向所述框架的厚度方向弯曲而结合到所述框架的外侧面上，

所述支承线包括在所述外侧面上向彼此不同的方向倾斜而结合的两个以上的支承线。

7.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，

所述槽的每一个的宽度是所述支承线的每一个的直径以上。

8.根据权利要求7所述的掩模组件，其特征在于，

所述槽的每一个的所述宽度沿所述框架的厚度方向恒定。

9.根据权利要求7所述的掩模组件，其特征在于，

所述槽的每一个的所述宽度沿所述框架的厚度方向变化。

10.根据权利要求2所述的掩模组件，其特征在于，

所述支承线包括：

第一支承线；以及

第二支承线，在与所述第一支承线不同的方向上延伸，

所述第一支承线以及所述第二支承线在平面上交叉且界定与所述框架开口部重叠的蒸镀开口部。