CN221176193U - 直接型高精度吸嘴及吸附结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型直接型高精度吸嘴，包括吸嘴本体，吸嘴本体一侧开始有吸嘴接入口，另一侧设置有吸嘴做业部，吸嘴接入口的中心设置有吸附通道，吸附通道贯穿吸嘴做业部；吸嘴接入口用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道的中心载体，形成吸嘴通道直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道通过吸附做业部进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制备技术及辅助装备，具体的，是一种直接型高精度吸嘴及吸附结构。
背景技术
在半导体制备技术领域中，部分场合需要进行高精度原料抓取上料，如用做衬底的单晶硅、蓝宝石、碳化硅，单晶硅、蓝宝石、碳化硅需要抓取上料至相应位置，后进行高温生长，因而，单晶硅、蓝宝石、碳化硅的高精度抓取放置直接影响成品的合格率，但单晶硅、蓝宝石、碳化硅的尺寸规格小，现阶段的抓取方式存在精度不足问题，进而，提供对应的高精度吸附部进行高精度上料，显得尤为必要。
因此，有必要提供一种直接型高精度吸嘴及吸附结构来实现上述目的。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种直接型高精度吸嘴及吸附结构。
技术方案之一如下：
一种直接型高精度吸嘴，包括吸嘴本体，吸嘴本体一侧开始有吸嘴接入口，另一侧设置有吸嘴做业部，吸嘴接入口的中心设置有吸附通道，吸附通道贯穿吸嘴做业部；
吸嘴接入口用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道的中心载体，形成吸嘴通道直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道通过吸附做业部进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
进一步的，吸嘴做业部包括呈锥形状的外扩部。
进一步的，外扩部端部设置有吸附部。
进一步的，吸附部为坡度小于外扩部的锥形坡体。
进一步的，吸附通道位于吸附部中心，且吸附部端面呈圆形状，吸附通道的直径为吸附部端面直径的1/6-1/4。
技术方案之二为：
一种直接型高精度吸附结构，包括直接型高精度吸嘴，直接型高精度吸嘴包括吸嘴本体，吸嘴本体一侧开始有吸嘴接入口，另一侧设置有吸嘴做业部，吸嘴接入口的中心设置有吸附通道，吸附通道贯穿吸嘴做业部；
吸嘴接入口用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道的中心载体，形成吸嘴通道直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道通过吸附做业部进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
进一步的，吸嘴做业部包括呈锥形状的外扩部。
进一步的，外扩部端部设置有吸附部。
进一步的，吸附部为坡度小于外扩部的锥形坡体。
进一步的，吸附通道位于吸附部中心，且吸附部端面呈圆形状，吸附通道的直径为吸附部端面直径的1/6-1/4。
与现有技术相比，本实用新型直接将吸附通道的中心参照直接转嫁至吸附设备的吸附头，保证吸附抓取及上料的精度。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图之一。
图2是本实用新型的结构示意图之二。
具体实施方式
实施例：
参阅图1-2，本实施例展示一种直接型高精度吸附结构，包括直接型高精度吸嘴100，直接型高精度吸嘴100包括吸嘴本体1，吸嘴本体1一侧开始有吸嘴接入口2，另一侧设置有吸嘴做业部3，吸嘴接入口2的中心设置有吸附通道4，吸附通道4贯穿吸嘴做业部3；
吸嘴接入口2用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道4的中心载体，形成吸嘴通道4直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道4通过吸附做业部3进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
吸嘴做业部3包括呈锥形状的外扩部31。
外扩部端部31设置有吸附部32。
吸附部32为坡度小于外扩部的锥形坡体。
吸附通道4位于吸附部32中心，且吸附部32端面呈圆形状，吸附通道4的直径为吸附部32端面直径的1/6-1/4。
与现有技术相比，本实用新型直接将吸附通道的中心参照直接转嫁至吸附设备的吸附头，保证吸附抓取及上料的精度。
以上所述的仅是本实用新型的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种直接型高精度吸嘴，其特征在于：包括吸嘴本体，吸嘴本体一侧开始有吸嘴接入口，另一侧设置有吸嘴做业部，吸嘴接入口的中心设置有吸附通道，吸附通道贯穿吸嘴做业部；
吸嘴接入口用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道的中心载体，形成吸嘴通道直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道通过吸附做业部进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
2.根据权利要求1所述的一种直接型高精度吸嘴，其特征在于：吸嘴做业部包括呈锥形状的外扩部。
3.根据权利要求2所述的一种直接型高精度吸嘴，其特征在于：外扩部端部设置有吸附部。
4.根据权利要求3所述的一种直接型高精度吸嘴，其特征在于：吸附部为坡度小于外扩部的锥形坡体。
5.根据权利要求4所述的一种直接型高精度吸嘴，其特征在于：吸附通道位于吸附部中心，且吸附部端面呈圆形状，吸附通道的直径为吸附部端面直径的1/6-1/4。
6.一种直接型高精度吸附结构，其特征在于：包括直接型高精度吸嘴，直接型高精度吸嘴包括吸嘴本体，吸嘴本体一侧开始有吸嘴接入口，另一侧设置有吸嘴做业部，吸嘴接入口的中心设置有吸附通道，吸附通道贯穿吸嘴做业部；
吸嘴接入口用做对接吸附头的连接部，且同时还用做吸嘴通道的中心载体，形成吸嘴通道直接对应吸附头的中心设定结构，吸嘴通道通过吸附做业部进行单晶硅、蓝宝石、碳化硅的吸附，形成高精度吸附头结构。
7.根据权利要求6所述的一种直接型高精度吸附结构，其特征在于：吸嘴做业部包括呈锥形状的外扩部。
8.根据权利要求7所述的一种直接型高精度吸附结构，其特征在于：外扩部端部设置有吸附部。
9.根据权利要求8所述的一种直接型高精度吸附结构，其特征在于：吸附部为坡度小于外扩部的锥形坡体。
10.根据权利要求9所述的一种直接型高精度吸附结构，其特征在于：吸附通道位于吸附部中心，且吸附部端面呈圆形状，吸附通道的直径为吸附部端面直径的1/6-1/4。
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- 2023-11-07 CN CN202322994905.2U patent/CN221176193U/zh active Active
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