CN212461608U - 一种用于制造二极管的扩散炉设备 - Google Patents
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Abstract
一种用于制造二极管的扩散炉设备，包括：石英管、移动套筒装置、冷却盘；所述石英管内设有镀金的硅片；所述移动套筒装置，包括：套筒和设在所述套筒底部的支撑装置；所述套筒与所述石英管的出口对接；所述冷却盘设置在的所述移动套筒装置的套筒的出口处。石英管的长度是移动套筒装置的套筒的长度的两倍。本实用新型的扩散炉管增加可移动的石英套筒装置，正常石英管的出炉温度在低温下300℃‑500℃左右可直接出片，金扩散需求在大于900℃的高温下出片，防止出现金析出现象，可移动的石英套筒装置可实现在高温下将硅片移动到套筒中，实现快速降温，又防止了内外温差大出现硅片裂痕的情况。
Description
技术领域
本实用新型属于二极管的制造技术领域，具体涉及一种用于制造二极管的扩散炉设备。
背景技术
二极管的制造工艺细分的话一共有60～70道工序，简单分类的话有：扩散炉氧化--光刻--注入--离子扩散--扩散后氧化--光刻--金金属蒸发--金扩散--正面金属蒸发--减薄--背面金属蒸发等工序。
掺金少数载流子寿命控制工艺平台涉及到2个工序：金金属蒸发工序和金扩散工序。
金扩散工序是金金属蒸发的后一道工序。金金属蒸发工序是在硅片背面先蒸上一层薄薄的金，然后进入金扩散工序，将镀金后的硅片放进高温的扩散炉里，进行金金属在硅片里面扩散。
现有技术的金扩散工序，例如中国实用新型专利201320102132.6公开的一种扩散炉管，硅片出炉采用石英浆或碳硅浆，一般都是有一定温度下进行的，不会是常温，温度一般在300℃到600℃左右。但是若扩散工艺要求是在1000℃左右出炉，如果采用这种装置的话，石英浆或碳硅浆出片装置和浆上的硅片出于巨大的温差会产生突然断裂和裂片的情况。
金扩散工序用一般工艺存在的缺点：第一，采用传统的炉管出炉方式由于会存在较大的温差，如果用碳化硅浆或石英将出炉容易出现断裂的情况。第二，采用传统炉管出炉温度低，不能达到高温条件下快速降温的目的，会导致产品参数失效的情况。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种性能稳定的用于制造二极管的扩散炉设备。
本实用新型是这样实现的：
一种用于制造二极管的扩散炉设备，包括：石英管、移动套筒装置、冷却盘；所述石英管内设有镀金的硅片；所述移动套筒装置，包括：套筒和设在所述套筒底部的支撑装置；所述套筒与所述石英管的出口对接；所述冷却盘设置在的所述移动套筒装置的套筒的出口处。
进一步地，所述石英管的长度是所述移动套筒装置的套筒的长度的两倍。
本实用新型的优点在于：扩散炉管增加可移动的石英套筒装置，正常石英管的出炉温度在低温下300℃-500℃左右可直接出片，金扩散需求高温下(大于900℃)出片，防止出现金析出现象，可移动的石英套筒装置可实现在高温下将硅片移动到套筒中，实现快速降温，又防止了内外温差大出现硅片裂痕的情况。本实用新型用快速降温结合套筒的技术主要实现在高温下出炉的目的，通过套筒技术方案实现硅片的过渡，第一不会因较大的温差出现变形和裂片的情况，第二套筒可实现温度隔离以达到生产者可靠近操作的目的，进而可实现生产硅片由套筒到冷却盘的转移达到快速降温的目的。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种用于制造二极管的扩散炉设备，包括：石英管1、移动套筒装置2、冷却盘3；所述石英管1内设有镀金的硅片4；所述移动套筒装置2，包括：套筒21和设在所述套筒底部的支撑装置22；所述套筒21与所述石英管1的出口对接；所述冷却盘3设置在的所述移动套筒装置2的套筒21的出口处。
石英管1的长度是移动套筒装置2的套筒21的长度的两倍左右。
使用时，采用石英钩将石英管1内的硅片4推动至移动套筒装置2的套筒21内，再从套筒21内推动至冷却盘3上。由于套筒21为筒状物并且有一定的长度，使得硅片从石英管到达冷却盘3的中间有一个过渡阶段，不会出现由于温差太大而出现硅片裂痕的情况。
本实用新型的扩散炉管增加可移动的石英套筒装置，正常石英管的出炉温度在低温下300℃-500℃左右可直接出片，金扩散需求高温下(大于900℃)出片，防止出现金析出现象，可移动的石英套筒装置可实现在高温下将硅片移动到套筒中，实现快速降温，又防止了内外温差大出现硅片裂痕的情况。本实用新型用快速降温结合套筒的技术主要实现在高温下出炉的目的，通过套筒技术方案实现硅片的过渡，第一不会因较大的温差出现变形和裂片的情况，第二套筒可实现温度隔离以达到生产者可靠近操作的目的，进而可实现生产硅片由套筒到冷却盘的转移达到快速降温的目的。
上述实施例和图式并非限定本实用新型的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本实用新型的专利范畴。
Claims (2)
1.一种用于制造二极管的扩散炉设备，其特征在于：包括：石英管、移动套筒装置、冷却盘；所述石英管内设有镀金的硅片；所述移动套筒装置，包括：套筒和设在所述套筒底部的支撑装置；所述套筒与所述石英管的出口对接；所述冷却盘设置在的所述移动套筒装置的套筒的出口处。
2.如权利要求1所述的一种用于制造二极管的扩散炉设备，其特征在于：所述石英管的长度是所述移动套筒装置的套筒的长度的两倍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020817750.9U CN212461608U (zh) | 2020-05-15 | 2020-05-15 | 一种用于制造二极管的扩散炉设备 |
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| CN202020817750.9U CN212461608U (zh) | 2020-05-15 | 2020-05-15 | 一种用于制造二极管的扩散炉设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN212461608U true CN212461608U (zh) | 2021-02-02 |
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| CN202020817750.9U Active CN212461608U (zh) | 2020-05-15 | 2020-05-15 | 一种用于制造二极管的扩散炉设备 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN212461608U (zh) |
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2020
- 2020-05-15 CN CN202020817750.9U patent/CN212461608U/zh active Active
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