CN221081906U - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了显示设备。该显示设备包括：显示面板，包括第一发光区以发射源光；阻挡壁，在显示面板上，并且具有与第一发光区对应的第一开口；第一光控制图案，在第一开口中；以及遮光图案，在显示面板和阻挡壁之间，并且在平面图中与阻挡壁和第一开口重叠。遮光图案在平面图中与第一光控制图案的一部分重叠。

Description

显示设备
技术领域
本公开的实施例的方面涉及显示设备。更具体地，本公开的实施例的方面涉及包括光转换图案的显示设备。
背景技术
显示设备被分类为选择性地透射由光源生成的源光的透射显示设备和生成源光的发射显示设备。显示设备根据像素包括不同类型的功能图案以生成图像。功能图案可以透射部分波长范围的源光，或者可以转换源光的颜色。
在本背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，并且因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
实用新型内容
本公开的一个或多个实施例在于具有降低的缺陷率的显示设备。
根据本公开的一个或多个实施例，显示设备包括：显示面板，包括配置成发射源光的第一发光区；阻挡壁，在显示面板上，并且具有与第一发光区对应的第一开口；第一光控制图案，在第一开口中；以及遮光图案，在显示面板与阻挡壁之间，并且在平面图中与阻挡壁和第一开口重叠。遮光图案在平面图中与第一光控制图案的一部分重叠。
在实施例中，第一发光区可以在平面图中定位在第一开口中，并且第一发光区可以在第一方向上向第一开口的一侧偏置。
在实施例中，遮光图案可以具有与第一开口对应的第一-第一开口，并且在平面图中，第一-第一开口的尺寸可以小于第一开口的尺寸。
在实施例中，遮光图案可以在平面图中与阻挡壁完全重叠。
在实施例中，显示设备还可以包括在阻挡壁上的第一滤色器。第一光控制图案可以配置成将源光转换为具有与源光的颜色不同的颜色的第一输出光，并且第一滤色器可以配置成阻挡源光并且透射第一输出光。
在实施例中，第一光控制图案可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的量子点。
在实施例中，显示设备还可以包括在平面图中与第一滤色器重叠的第二滤色器和第三滤色器。第一滤色器可以包括在平面图中不与第二滤色器和第三滤色器重叠的第一像素区，并且第一像素区可以在平面图中与第一发光区重叠。
在实施例中，遮光图案可以具有与第一开口对应的第一-第一开口，在平面图中，第一-第一开口的尺寸可以小于第一开口的尺寸，并且第一方向上，第一像素区的宽度可以等于或大于第一-第一开口的宽度。
在实施例中，显示设备还可以包括第二光控制图案。显示面板还可以包括配置成发射源光的第二发光区。阻挡壁可以具有与第二发光区对应的第二开口，并且第二光控制图案可以在第二开口中。
在实施例中，遮光图案还可以在平面图中与第二开口重叠。
在实施例中，第一开口和第二开口可以在第一方向上彼此隔开；遮光图案的第一部分可以在平面图中与在第一方向上在第一开口和第二开口之间的区重叠；遮光图案的第二部分可以从遮光图案的第一部分延伸，并且可以在平面图中与第一开口重叠；以及遮光图案的第三部分可以从遮光图案的第一部分延伸，并且可以在平面图中与第二开口重叠。
在实施例中，第一开口和第二开口之间在第一方向上的最短距离可以在从5微米至8微米的范围内。
在实施例中，遮光图案的第一部分可以在平面图中与第一开口和第二开口之间的区重叠；遮光图案的第二部分可以从遮光图案的第一部分延伸，并且可以在平面图中与第一开口重叠；以及遮光图案的第一部分在第一方向上的宽度与遮光图案的第二部分在第一方向上的宽度的总和可以大于最短距离。
在实施例中，第一开口在第一方向上的宽度可以等于或大于41微米。
在实施例中，显示设备还可以包括在显示面板的厚度方向上面对显示面板的基层，并且阻挡壁可以在基层的下表面上。
在实施例中，阻挡壁还可以具有虚设开口和子开口，其中，虚设开口限定在平面图中不与第一发光区重叠的主阱区；子开口限定第一发光区和主阱区之间的子阱区，并且遮光图案可以在平面图中与主阱区或子阱区重叠。
根据本公开的一个或多个实施例，显示设备包括：显示面板，包括发光元件；以及光转换面板，在显示面板的厚度方向上与显示面板隔开，光转换面板包括：基层；阻挡壁，在基层的下表面上，并且具有与发光元件对应的开口；光控制图案，在开口中；以及遮光图案，在阻挡壁下方，并且在厚度方向上与阻挡壁和开口重叠。遮光图案在厚度方向上与光控制图案的一部分重叠。
在实施例中，在平面图中，发光元件可以在开口中，并且发光元件可以在第一方向上向开口的一侧偏置。
根据本公开的一个或多个实施例，显示设备包括：发光元件；薄膜封装层，封装发光元件；阻挡壁，在薄膜封装层上，并且具有与发光元件对应的开口；光控制图案，在开口中；以及遮光图案，在阻挡壁与薄膜封装层之间，并且在平面图中与阻挡壁和开口重叠。遮光图案在平面图中与光控制图案的一部分重叠。
在实施例中，发光元件可以在平面图中在开口中，并且发光元件可以在第一方向上向开口的一侧偏置。
根据本公开的一个或多个实施例，可以增加阻挡壁的开口的尺寸，并且因此，可以防止或基本上防止在喷墨工艺中由光控制材料的混合而引起的缺陷。因此，可以改善从像素区提供的输出光的色纯度。
根据本公开的一个或多个实施例，可以通过遮光图案遮蔽来自相邻发光区的漏光(例如，光泄漏)。因此，可以改善图像的显示质量。
附图说明
从以下参考附图的示意性的、非限制性的实施例的详细描述将更清楚地理解本公开的上述和其他的方面和特征。
图1A是根据本公开的实施例的显示设备的立体图。
图1B是根据本公开的实施例的显示设备的剖视图。
图1C是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。
图2是根据本公开的实施例的像素的等效电路图。
图3A是根据本公开的实施例的显示区的放大平面图。
图3B是沿图3A的线I-I′截取的显示设备的剖视图。
图4A是根据本公开的实施例的阻挡壁和光控制图案的平面图。
图4B是根据本公开的实施例的遮光图案的平面图。
图5A和图5B是根据本公开的一个或多个实施例的遮光图案的平面图。
图6A是根据本公开的实施例的阻挡壁和光控制图案的平面图。
图6B是根据本公开的实施例的遮光图案的平面图。
图6C是沿图6B的线II-II′截取的显示设备的剖视图。
图7A是根据本公开的实施例的显示区的放大平面图。
图7B是沿图7A的线I-I′截取的显示设备的剖视图。
图8A是根据本公开的实施例的显示设备的立体图。
图8B是根据本公开的实施例的显示设备的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述实施例，在附图中相同的附图标记始终指代相同的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于本文中所示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可能没有描述对于本领域普通技术人员来说对于完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在所有附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不重复对其的冗余描述。
当某一实施例可以不同地实现时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本上同时执行，或者可以按照与所描述的顺序相反的顺序执行。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸、厚度和比率。为了便于解释，空间上相对术语(诸如“下面”、“之下”、“较下”、“下方”、“之上”、“较上”等)可以在本文中描述如图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在还包含设备在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在其他元件或特征“之下”或“下面”或“下方”的元件于是将被取向为在其他元件或特征“之上”。因此，示例术语“之下”和“下方”可以包含之上和之下两种取向。设备可以另行取向(例如，旋转90度或处于其他取向)，并且本文中使用的空间相对描述语应被对应地解释。
在附图中，x轴、y轴和z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或基本上彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的彼此不同的方向。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中使用以描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在没有背离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解，当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上，直接连接至或直接联接至另一个元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。类似地，当层、区或元件被称为“电连接”至另一个层、区或元件时，其可以直接电连接至该另一个层、区或元件，和/或可以间接电连接至该另一个层、区或元件且一个或多个中间层、区或元件处于其间。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
本文中使用的术语是出于描述特定实施例的目的，并且不是旨在限制本公开。如本文中所用，单数形式“一个”和“一种”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。还将理解，术语“包含”、“包含有”、“包括”、“包括有”、“具有”、“具备”和“有”当在本说明书中使用时，指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。如本文中所用，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B、或者A和B。诸如“……中的至少一个”的表述当在元件列表之前时，修饰整列元素而不是修饰该列表中的个别元素。例如，表述“a、b和c中的至少一个”和“选自由a、b和c组成的组的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变型。
如本文中所用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指代“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所用，术语“用”、“使用”和“被使用”可以分别被认为与术语“用”、“利用”和“被利用”同义。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应被解释为具有与它们在相关技术和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于形式化的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
图1A是根据本公开的实施例的显示设备DD的立体图。图1B是根据本公开的实施例的显示设备DD的剖视图。图1C是根据本公开的实施例的显示面板100的平面图。
参考图1A，显示设备DD可以通过显示表面DD-IS显示图像。显示表面DD-IS可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行或基本上平行。设置在显示设备DD的最高位置处(例如，在第三方向DR3上)的构件的上表面可以限定为显示表面DD-IS。
第三方向DR3可以指示显示表面DD-IS的法线方向(例如，显示设备DD的厚度方向)。每个层或每个单元的前(或上)表面和后(或下)表面可以在第三方向DR3上彼此区分开。
显示设备DD可以包括显示区DA和非显示区NDA。单元像素PXU可以布置在显示区DA中，并且单元像素PXU可以不布置在非显示区NDA中。非显示区NDA可以沿显示表面DD-IS的边缘限定。非显示区NDA可以围绕显示区DA(例如，绕着显示区DA的周边)。根据实施例，非显示区NDA可以根据需要或期望而被省略，或者可以限定为与显示区DA的一侧(例如，仅一侧)相邻。图1A示出了平坦的或基本上平坦的显示设备DD作为代表性示例，但本公开不限于此，并且显示设备DD可以具有弯曲的形状，可以是可卷曲的，或者可以从壳体滑动。
图1A中所示的单元像素PXU可以限定像素行和像素列。单元像素PXU可以是能够提供一种或多种颜色的光的最小重复单元，并且可以包括至少一个像素。单元像素PXU可以包括提供彼此不同的颜色的光的多个像素。
参考图1B，显示设备DD可以包括显示面板100(例如，下显示衬底)以及面对显示面板100并且与显示面板100间隔开的光转换面板200(例如，上显示衬底)。单元间隙(例如，预定单元间隙)可以限定在显示面板100和光转换面板200之间。可以通过将显示面板100和光转换面板200彼此连接(例如，附接或联接)的密封构件SLM来保持单元间隙。密封构件SLM可以包括粘合剂树脂以及与粘合剂树脂混合的无机填料。密封构件SLM还可以包括其他合适的添加剂。添加剂可以包括胺类固化剂和光引发剂。添加剂还可以包括硅烷类添加剂和丙烯酸类添加剂。密封构件SLM可以包括诸如玻璃原料的无机类材料。
仍然参考图1B，显示面板100和光转换面板200中的每个可以包括限定在其中的显示区DA和非显示区NDA，其可以分别与显示设备DD的显示区DA和非显示区NDA相同或基本上相同。在下文中，显示设备DD的显示区DA可以指示显示面板100和光转换面板200中的每个的显示区DA，并且显示设备DD的非显示区NDA可以指示显示面板100和光转换面板200中的每个的非显示区NDA。
图1C示出了信号线以及像素PX11至PXmn在平面图中的布置关系。信号线可以包括多条栅极线GL1至GLm和多条数据线DL1至DLn，其中n和m是2或更大的自然数。图1C中所示的多条栅极线GL1至GLm是用于提供扫描信号的信号线的代表。换言之，多条栅极线GL1至GLm可以包括第一组信号线和第二组信号线。第一组信号线可以包括第i扫描线(例如，参见图2中的SCLi)，并且第二组信号线可以包括第i感测线(例如，参见图2中的SSLi)，这将在下面更详细地描述。
像素PX11至PXmn中的每个可以连接至栅极线GL1至GLm之中的对应栅极线和数据线DL1至DLn之中的对应数据线。像素PX11至PXmn中的每个可以包括像素驱动电路和发光元件。根据像素PX11至PXmn中的每个的像素驱动电路的配置，更多类型的信号线可以设置在显示面板100中。
通过氧化硅栅极驱动电路(OSG)工艺或非晶硅栅极驱动电路(ASG)工艺，栅极驱动电路GDC可以集成在显示面板100中。栅极驱动电路GDC连接至栅极线GL1至GLm，并且可以在第一方向DR1上设置在非显示区NDA的一侧处(例如，在其中或其上)。连接至数据线DL1至DLn的端部的焊盘PD可以在第二方向DR2上设置在非显示区NDA的一侧处(例如，在其中或其上)。
图2是根据本公开的实施例的像素PXij的等效电路图。
图2示出了连接至第i扫描线SCLi、第i感测线SSLi、第j数据线DLj和第j参考线RLj的像素PXij作为代表性示例。这里，i可以是1至m之中的自然数，并且j可以是1至n之中的自然数。像素PXij可以包括像素驱动电路PC和电连接至像素驱动电路PC的发光元件OLED。像素驱动电路PC可以包括多个晶体管T1至T3和电容器Cst。晶体管T1至T3可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶硅氧化物(LTPO)工艺形成。在下文中，为方便起见，将在N型晶体管的上下文中更详细地描述晶体管T1至T3，但本公开不必限于此或由此限制。根据实施例，晶体管T1至T3中的至少一个可以是P型晶体管。
在本实施例中，像素驱动电路PC可以包括第一晶体管T1(例如，驱动晶体管)、第二晶体管T2(例如，开关晶体管)、第三晶体管T3(例如，感测晶体管)和电容器Cst。然而，像素驱动电路PC不应必需限于此或由此限制。根据实施例，像素驱动电路PC还可以包括一个或多个附加晶体管和/或一个或多个附加电容器。
发光元件OLED可以是无机发光元件或包括阳极(例如，第一电极)和阴极(例如，第二电极)的有机发光元件。发光元件OLED的阳极可以经由第一晶体管T1接收第一电压ELVDD，并且发光元件OLED的阴极可以接收第二电压ELVSS。发光元件OLED可以响应于第一电压ELVDD和第二电压ELVSS而发光。
第一晶体管T1可以包括漏极D1、源极S1和栅极G1，其中，漏极D1用于接收第一电压ELVDD；源极S1连接至发光元件OLED的阳极；以及栅极G1连接至电容器Cst。第一晶体管T1可以响应于在电容器Cst中充电的电压电平来控制从第一电压ELVDD流到发光元件OLED的驱动电流。
第二晶体管T2可以包括漏极D2、源极S2和栅极G2，其中，漏极D2连接至第j数据线DLj；源极S2连接至电容器Cst；以及栅极G2用于接收第i-第一扫描信号SCi。第j数据线DLj可以接收数据电压Vd。第二晶体管T2可以响应于第i-第一扫描信号SCi向第一晶体管T1施加数据电压Vd。
第三晶体管T3可以包括源极S3、漏极D3和栅极G3，其中，源极S3连接至第j参考线RLj；漏极D3连接至发光元件OLED的阳极；栅极G3用于接收第i-第二扫描信号SSi。第j参考线RLj可以接收参考电压Vr。第三晶体管T3可以使电容器Cst和发光元件OLED的阳极初始化。
电容器Cst可以用与来自第二晶体管T2的电压和第一电压ELVDD之间的差对应的电荷充电。电容器Cst可以连接至第一晶体管T1的栅极G1和发光元件OLED的阳极。
图3A是根据本公开的实施例的显示区DA的放大平面图。图3B是沿图3A的线I-I′截取的显示设备DD的剖视图。
参考图3A，单元像素PXU可以沿第一方向DR1和第二方向DR2布置。在本实施例中，单元像素PXU可以包括发射具有彼此不同的颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素。第一像素、第二像素和第三像素可以分别发射红光、绿光和蓝光。图3A示出了第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3分别作为第一像素、第二像素和第三像素的代表性示例。此外，示出了分别与第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3对应的第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B。
第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3中的每个可以与第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之中的对应像素区对准。表述“发光区与像素区对准”可以意指发光区的中心可以与像素区的中心一致。此外，表述“发光区与像素区对准”可以意指：在第一方向DR1上的两侧处发光区的边缘和像素区的边缘之间的距离彼此相同或基本上相同，并且在第二方向DR2上的两侧处发光区的边缘和像素区的边缘之间的距离彼此相同或基本上相同。
第一发光区EA1可以是生成第一像素的源光的区。第二发光区EA2可以是生成第二像素的源光的区。第三发光区EA3可以是生成第三像素的源光的区。第一像素区PXA-R可以是向外部提供第一像素的输出光的区。第二像素区PXA-G可以是向外部提供第二像素的输出光的区。第三像素区PXA-B可以是向外部提供第三像素的输出光的区。
周边区NPXA可以限定在第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之间。周边区NPXA可以限定第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B的边界，并且可以防止或基本上防止第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之间的颜色混合。
仍然参考图3A，第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B可以布置在彼此相同的行中，并且第二像素区PXA-G可以布置在与布置第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B的行不同的行中。第二像素区PXA-G可以具有最大尺寸，并且第三像素区PXA-B可以具有最小尺寸，但本公开不限于此或由此限制。在本实施例中，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个具有四边形或基本上为四边形的形状，但本公开不限于此。
图3B主要示出了第二像素区PXA-G，并且示出了第一晶体管T1的横截面作为代表性示例。第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B可以具有与图3B中所示的第二像素区PXA-G相同或基本上相同的堆叠结构。
显示面板100可以包括第一基层BL1、驱动元件层DEL、发光元件层EDL和薄膜封装层TFE。驱动元件层DEL可以设置在第一基层BL1上。驱动元件层DEL可以包括多个绝缘层、多个导电层和半导体层。发光元件层EDL可以设置在驱动元件层DEL上。薄膜封装层TFE可以设置在发光元件层EDL上，并且可以封装发光元件层EDL。
第一基层BL1可以包括玻璃或合成树脂层。合成树脂层可以包括可热固化的树脂。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但本公开不限于此或由此限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂或二萘嵌苯类树脂中的至少一种。基层可以包括玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合材料衬底。
金属图案BML可以设置在第一基层BL1上。信号线可以设置在与金属图案BML的层相同的层处(例如，在其中或其上)。第一绝缘层10可以设置在第一基层BL1上以覆盖金属图案BML。
半导体图案可以设置在第一绝缘层10上，并且可以与金属图案BML重叠。依据是否掺杂和/或是否掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂，半导体图案可以具有不同的电特性。半导体图案可以包括具有相对高导电性的第一区域和具有相对低导电性的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或以低于第一区域的浓度掺杂的区域。
半导体图案可以包括源区S1、沟道区A1(例如，有源区)和漏区D1。与以上参考图2描述的源极S1和漏极D1的附图标记相同的附图标记可以指代图3B中所示的源区S1和漏区D1。第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上。接触孔CNT1可以限定成贯穿(例如，可以穿透)第二绝缘层20以暴露源区S1和漏区D1。第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每个可以是无机层。
连接电极CNE1和CNE2可以设置在第二绝缘层20上。第一连接电极CNE1可以将第一晶体管T1的源区S1电连接至图2中所示的第三晶体管T3的漏极D3。第二连接电极CNE2可以将第一晶体管T1的漏区D1电连接至图2中所示的用于接收第一电压ELVDD的信号线。第一晶体管T1的栅极G1以及连接电极CNE1和CNE2可以设置在彼此相同的层处(例如，在其中或其上)。第一晶体管T1的栅极G1可以与沟道区A1重叠。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三连接电极CNE3可以设置在第三绝缘层30上。第三连接电极CNE3可以经由贯穿(例如，穿透)第三绝缘层30限定的接触孔CNT2连接至第一连接电极CNE1。第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。阳极AE2可以设置在第四绝缘层40上。阳极AE2可以经由贯穿(例如，穿透)第四绝缘层40限定的接触孔CNT3连接至第三连接电极CNE3。第三绝缘层30和第四绝缘层40中的每个可以是有机层。第一像素区PXA-R的阳极AE1和第三像素区PXA-B的阳极AE3可以设置在与在其处(例如，在其中或其上)设置第二像素区PXA-G的阳极AE2的层相同的层处(例如，在其中或其上)。
发光元件OLED和像素限定层PDL可以设置在第四绝缘层40上。像素限定层PDL可以设置有贯穿(例如，穿透)其限定以暴露阳极AE2的至少一部分的开口OP。像素限定层PDL的开口OP可以限定在发光区EA1、EA2和EA3中，以分别与第一像素区PXA-R的阳极AE1、第二像素区PXA-G的阳极AE2和第三像素区PXA-B的阳极AE3对应。发光区EA1、EA2和EA3之间的区(即设置像素限定层PDL的区)可以限定为非发光区NEA。
空穴控制层HCL可以遍及发光区EA1、EA2和EA3以及非发光区NEA公共地设置。诸如空穴控制层HCL的公共层可以设置在图3A中所示的显示区DA中，以与多个单元像素PXU重叠。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。
发光结构EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光结构EML可以遍及发光区EA1、EA2和EA3以及非发光区NEA公共地设置。发光结构EML可以生成源光。发光结构EML可以包括至少一个发光层。
电子控制层ECL可以设置在发光结构EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。阴极CE可以设置在电子控制层ECL上。薄膜封装层TFE可以设置在阴极CE上。薄膜封装层TFE可以遍及图3A中所示的显示区DA中的多个单元像素PXU公共地设置。在本实施例中，薄膜封装层TFE可以直接覆盖阴极CE。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机层或有机层。薄膜封装层TFE可以包括顺序堆叠的第一无机封装层ITL1、有机封装层OTL和第二无机封装层ITL2。有机封装层OTL可以设置在第一无机封装层ITL1和第二无机封装层ITL2之间。第一无机封装层ITL1和第二无机封装层ITL2可以保护发光元件层EDL免受湿气和氧气的影响。有机封装层OTL可以保护发光元件层EDL免受诸如尘埃粒子的外部异物的影响。第一无机封装层ITL1和第二无机封装层ITL2可以包括硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物和铝氧化物中的至少一种。有机封装层OTL可以包括聚合物(例如，丙烯酸类有机层)，但本公开不限于此或由此限制。
图3B示出了薄膜封装层TFE包括两个无机层和一个有机层作为代表性示例，但是薄膜封装层TFE不必限于此或由此限制。例如，薄膜封装层TFE可以包括三个无机层和两个有机层，并且在这种情况下，薄膜封装层TFE可以具有无机层和有机层交替地堆叠在彼此上的结构。显示面板100还可以包括折射率控制层，该折射率控制层设置在薄膜封装层TFE上方以提高发光效率。
在本实施例中，发光结构EML可以生成第一颜色的源光。此外，根据实施例，发光结构EML可以生成第一颜色的源光和第二颜色的源光。根据实施例，第一颜色的源光可以是蓝光和红光中的一种，并且第二颜色的源光可以是绿光、蓝光和红光中的另一种。
发光结构EML可以包括至少一个发光层。发光层可以包括用于生成第一颜色的源光的发光材料。发光层可以包括用于生成第一颜色的源光的发光材料以及用于生成第二颜色的源光的发光材料。发光结构EML可以包括用于生成第一颜色的源光的发光层和用于生成第二颜色的源光的发光层。发光层可以包括有机发光材料或无机发光材料。发光结构EML可以包括在第三方向DR3上顺序堆叠的第一发光层、电荷生成层和第二发光层。第一发光层可以生成第一颜色的源光和第二颜色的源光中的一种，并且第二发光层可以生成第一颜色的源光和第二颜色的源光中的另一种。
将参考图3B更详细地描述光转换面板200。合成树脂材料SRM可以设置在光转换面板200和显示面板100之间的单元间隙GP中。由于光转换面板200和显示面板100被连接(例如，附接或联接)并且合成树脂材料SRM插置其间，因此合成树脂材料SRM定位在单元间隙GP中。
光转换面板200可以包括第二基层BL2、滤色器CF-R、CF-G和CF-B、光控制图案CCF-R、CCF-G和SP、阻挡壁BW、多个绝缘层200-1、200-2和200-3以及遮光图案LSP。滤色器CF-R、CF-G和CF-B、光控制图案CCF-R、CCF-G和SP、阻挡壁BW、绝缘层200-1、200-2和200-3以及遮光图案LSP可以设置在第二基层BL2的下表面上。第二基层BL2可以包括玻璃或合成树脂层。合成树脂层可以包括可热固化的树脂。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但本公开不限于此或由此限制。
滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以包括第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B。第一滤色器CF-R可以设置成与第一发光区EA1重叠，第二滤色器CF-G可以设置成与第二发光区EA2重叠，并且第三滤色器CF-B可以设置成与第三发光区EA3重叠。第一滤色器CF-R和第二滤色器CF-G可以阻挡第一颜色的源光，并且第三滤色器CF-B可以透射第一颜色的源光。
第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B可以限定第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G、第三像素区PXA-B和周边区NPXA。第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B之中的两个或更多滤色器被设置成彼此重叠的区可以限定为周边区NPXA。第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B之中的对应滤色器(例如，仅一个对应滤色器)可以放置(例如，可以定位)在第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个中。作为示例，不与第一滤色器CF-R和第三滤色器CF-B重叠的第二像素区PXA-G可以限定在第二滤色器CF-G中(例如，可以与之重叠)。在显示设备DD还包括黑矩阵图案的情况下，周边区NPXA可以限定为黑矩阵图案所定位的区。
第一绝缘层200-1可以设置在第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B下方，并且可以覆盖第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B。第二绝缘层200-2可以覆盖第一绝缘层200-1，并且可以在其下方提供平坦的或基本上平坦的表面。第一绝缘层200-1可以是无机层，并且第二绝缘层200-2可以是有机层。
阻挡壁BW可以设置在第二绝缘层200-2下方。当在平面中(例如，在平面图中)观察时，阻挡壁BW可以与周边区NPXA重叠。阻挡壁BW可以设置有贯穿其限定的开口BW-OP。开口BW-OP可以包括分别与第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B对应的第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB。
第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB可以分别与第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3对应。表述“两个部件彼此对应”可以意指当在平面中(例如，在平面图中)观察时，两个部件彼此重叠，但不必限于具有彼此相同的尺寸。
阻挡壁BW可以包括合成树脂。阻挡壁BW可以包括具有等于或小于预定值的透射率的合适材料。作为示例，阻挡壁BW可以包括遮光材料(例如，黑色着色剂)。阻挡壁BW可以包括基础树脂和与基础树脂混合的黑色染料或颜料。作为示例，阻挡壁BW可以包括丙二醇甲基醚乙酸酯、3-甲氧基-乙酸正丁酯、丙烯酸酯单体、丙烯酸单体、有机颜料和丙烯酸酯中的至少一种。
光控制图案CCF-R、CCF-G和SP可以包括分别设置在开口BW-OP中的第一光控制图案CCF-R、第二光控制图案CCF-G和第三光控制图案SP。在下文中，第一光控制图案CCF-R、第二光控制图案CCF-G和第三光控制图案SP可以被称为第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP可以布置成分别与第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B对应。
第一光转换图案CCF-R可以将第一颜色的源光转换为第三颜色的光。第一颜色的源光可以是蓝光，并且第三颜色的光可以是红光。第三颜色的光可以在通过第一滤色器CF-R之后作为第一输出光被提供到外部。
第二光转换图案CCF-G可以将第一颜色的源光转换为第二颜色的光。第二颜色的光可以是绿光。第二颜色的光可以在通过第二滤色器CF-G之后作为第二输出光被提供到外部。
透明树脂图案SP可以在不将第一颜色的源光转换为另一颜色的光的情况下透射第一颜色的源光。第一颜色的源光可以在通过第三滤色器CF-B之后作为第三输出光被提供到外部。
透明树脂图案SP可以包括透明基础树脂。透明树脂图案SP还可以包括与基础树脂混合的散射粒子。散射粒子可以散射通过透明树脂图案SP的第一颜色的源光以增加第三像素区PXA-B的视角。
第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个可以通过喷墨工艺形成。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个可以通过向由阻挡壁BW(例如，开口BW-OP)限定的空间提供与其对应的组合物来形成。
第一光转换图案CCF-R和第二光转换图案CCF-G可以包括量子点。第一光转换图案CCF-R和第二光转换图案CCF-G中的每个可以包括基础树脂、量子点和散射粒子。根据实施例，散射粒子可以根据需要或期望而被省略。
基础树脂可以是量子点和/或散射粒子被分散或混合在其中的介质，并且可以包括通常被称为粘合剂的各种合适的树脂组合物，但本公开不限于此或由此限制。在本公开中，量子点被分散或混合在其中的任何合适的介质可以被称为基础树脂，而不管其名称、附加功能、材料等。基础树脂可以是聚合物树脂。例如，基础树脂可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、有机硅类树脂或环氧类树脂。基础树脂可以是透明树脂。
散射粒子可以包括二氧化钛(TiO2)或二氧化硅类纳米粒子。散射粒子可以散射向其入射的光，并且可以增加提供到显示设备DD的外部的光量。根据实施例，第一光转换图案CCF-R和第二光转换图案CCF-G中的至少一个可以不包括散射粒子。
量子点可以是改变向其入射的光的波长的粒子。量子点可以是具有几纳米尺寸的晶体结构的材料，包含数百至数千个原子，并且显示出量子限制效应，在量子限制效应中能带隙由于小尺寸而增加。当具有比能带隙的能量高的能量的波长的光入射到量子点中时，量子点吸收光并且被激发，并且然后，量子点发射特定波长的光并且落入基态。特定波长的发射光具有与能带隙对应的能量值。可以通过调节量子点的尺寸和组合物来控制量子点的归因于量子限制效应的发光特性。
量子点的核可以选自II-VI族化合物、I-II-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、II-IV-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV-IV族化合物及其合适的组合。
II-VI族化合物可以选自以下：二元化合物，其选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其合适的混合物组成的组；三元化合物，其选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其合适的混合物组成的组；和/或四元化合物，其选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其合适的混合物组成的组。II-VI族化合物还可以包括I族金属和/或IV族元素。I-II-VI族化合物可以选自CuSnS或CuZnS，并且II-IV-VI族化合物可以选自ZnSnS。I-II-IV-VI族化合物可以选自四元化合物，其选自由Cu2ZnSnS2、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Ag2ZnSnS2及其合适的混合物组成的组。
III-VI族化合物可以包括诸如In2S3、In2Se3等的二元化合物、诸如InGaS3、InGaSe3等的三元化合物或其任何合适的组合。
I-III-VI族化合物可以包括三元化合物，其选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其合适的混合物组成的组；或四元化合物，其选自AgInGaS、CuInGaS等。
III-V族化合物可以选自以下：二元化合物，其选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其合适的混合物组成的组；三元化合物，其选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其合适的混合物组成的组；和/或四元化合物，其选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其合适的混合物组成的组。III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，可以选择InZnP作为III-II-V族化合物。
II-IV-V族化合物可以包括三元化合物，其选自由ZnSnP、ZnSnP2、ZnSnAs2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdSnP2、CdGeP2及其合适的混合物组成的组。
IV-VI族化合物可以选自以下：二元化合物，其选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其合适的混合物组成的组；三元化合物，其选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其合适的混合物组成的组；和/或四元化合物，其选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其合适的混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其合适的混合物组成的组。IV-IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其合适的混合物组成的组的二元化合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀或基本上均匀的浓度存在于粒子中，或者可以在被分成具有彼此不同浓度的多个部分之后存在于相同的粒子中。此外，量子点可以具有核/壳结构，在核/壳结构中一个量子点围绕另一个量子点(例如，绕着其周边)。在核/壳结构中，存在于壳中的元素的浓度可以具有随着离核距离的减小而降低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有这样的核-壳结构，该核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核以及围绕核(例如，绕着核的周边)的壳。量子点的壳可以用作保护层以防止或基本上防止核的化学改性以及保持或基本上保持半导体特性，和/或可以用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可以具有单层结构或多层结构。量子点的壳可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其合适的组合作为代表性示例。
金属氧化物或非金属氧化物可以包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4的三元化合物，但本公开不必限于此或由此限制。
此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP或AlSb，但本公开不必限于此或由此限制。
量子点可以具有45nm或更小(例如，诸如40nm或更小或者30nm或更小)的光发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。颜色纯度和颜色再现性可以在该范围内改善。此外，因为通过量子点发射的光可以在各个方向(例如，在所有方向)上发射，所以可以改善光学视角。
量子点的形状可以具有本领域中常用的合适的形状，但不特别限制。更详细地，球形、金字塔形、多臂或立方纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片或诸如此类可以应用于量子点。
量子点可以依据其粒子尺寸来控制发射光的颜色，并且因此，量子点可以具有各种合适的发射颜色，诸如蓝色、红色和绿色。
第三绝缘层200-3可以覆盖阻挡壁BW、第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。作为示例，第三绝缘层200-3可以是无机层。根据实施例，第三绝缘层200-3可以根据需要或期望而被省略。
遮光图案LSP可以设置在第三绝缘层200-3下方。遮光图案LSP可以包括光吸收材料(例如，黑色着色剂)。遮光图案LSP可以包括基础树脂以及与基础树脂混合的黑色颜料和/或黑色染料。
遮光图案LSP的黑色着色剂的构成比可以高于上述阻挡壁BW的黑色着色剂的构成比。因为与遮光图案LSP相比，阻挡壁BW具有相对薄的厚度，所以即使遮光图案LSP具有高的黑色着色剂的构成比，遮光图案LSP也可以容易地固化。
遮光图案LSP可以设置在显示面板100和阻挡壁BW之间，并且可以与开口BW-OP之中的对应开口重叠。遮光图案LSP可以与光控制图案的设置在对应开口中的一部分重叠。遮光图案LSP和对应开口重叠的区可以与遮光图案LSP和光控制图案重叠的区相同或基本上相同。如图3B中所示，遮光图案LSP可以与第二开口BW-OPG的一部分重叠，并且可以与第二光转换图案CCF-G的一部分重叠。
遮光图案LSP可以遮蔽漏光LKL的入射。漏光LKL是指这样的源光，其由设置在发光区EA1、EA2和EA3中的发光元件OLED生成，并且入射到与发光区EA1、EA2和EA3相邻的光控制图案或像素区中而不入射到对应光控制图案或对应像素区中。漏光LKL可能增加光转换图案CCF-R和CCF-G的光转换效率，或者可能增加入射到透明树脂图案SP中的光量。由于漏光LKL，像素区可能显示高于目标灰阶(例如，目标灰阶值或灰阶级)的灰阶(例如，灰阶值或灰阶级)。因此，漏光LKL可能引起显示设备DD的显示质量的劣化。
根据本实施例，遮光图案LSP可以遮蔽来自第一发光区EA1和第三发光区EA3的漏光LKL使其不进入第二光转换图案CCF-G。在包括光吸收材料的阻挡壁BW具有足以遮蔽漏光LKL的宽度的情况下，可以在不采用遮光图案LSP的情况下遮蔽漏光LKL。然而，当阻挡壁BW(例如，在第一方向DR1上)的宽度增大时，第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB的尺寸减小。当第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB的尺寸减小时，在形成光控制图案CCF-R、CCF-G和SP的喷墨工艺中，不正确地提供液体树脂组合物的可能性可能增加。随着显示设备DD的分辨率增加，上述不正确地提供液体树脂组合物的可能性增加。
在以下描述中，显示设备DD可以遮蔽漏光LKL，同时确保喷墨工艺的可靠性。在下文中，将参考图4A和图4B更详细地描述漏光LKL的遮蔽。
图4A是根据本公开的实施例的阻挡壁BW和光控制图案CCF-R、CCF-G和SP的平面图。图4B是根据本公开的实施例的遮光图案LSP的平面图。在下文中，可以不重复对与以上参考图3B描述的部件相同或基本上相同的部件的冗余描述。
图4A示出了第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3相对于第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB的位置。第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3中的每个可以不与第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之中的对应开口对准。表述“发光区不与开口对准”可以意指发光区的中心不与开口的中心一致。此外，表述“发光区不与开口对准”可以意指：在第一方向DR1或第二方向DR2上的两侧处发光区的边缘和开口的边缘之间的距离不同。
参考第二发光区EA2和第二开口BW-OPG，第二发光区EA2可以设置成相对于第二开口BW-OPG向上(例如，在第二方向DR2上)偏置。第二发光区EA2可以设置成相对于第二开口BW-OPG向上偏置，以确保与第一发光区EA1和第三发光区EA3的间隔距离。换言之，第二开口BW-OPG可以在第一方向DR1上向两侧扩展，以确保与第二发光区EA2的尺寸相比相对大的尺寸。此外，第二开口BW-OPG可以在第二方向DR2上向下侧扩展得比向上侧扩展得多，以确保与第二发光区EA2的尺寸相比相对大的尺寸。
第一开口BW-OPR可以在第一方向DR1上向左侧扩展得比向右侧扩展得多，以确保与第一发光区EA1的尺寸相比相对大的尺寸。此外，第一开口BW-OPR可以在第二方向DR2上向下侧扩展得比向上侧扩展得多，以确保与第一发光区EA1的尺寸相比相对大的尺寸。第三开口BW-OPB可以在第一方向DR1上向两侧扩展，以确保与第三发光区EA3的尺寸相比相对大的尺寸，并且可以在第二方向DR2上向下侧扩展得比向上侧扩展得多。
第二开口BW-OPG可以设置成在第二方向DR2上与第一开口BW-OPR和第三开口BW-OPB间隔开。第二开口BW-OPG可以设置成在第二方向DR2上与第一开口BW-OPR和第三开口BW-OPB间隔开第一距离DT1。第一距离DT1可以是图3B的阻挡壁BW的宽度，并且第一距离DT1可以在阻挡壁BW的下表面处(例如，在其中或其上)测量。
第一距离DT1可以是从第二开口BW-OPG到第一开口BW-OPR和第三开口BW-OPB中的每个的最短距离。第一距离DT1可以在从5μm至8μm的范围内。具有上述范围的第一距离DT1可以意指设置在第一开口BW-OPR和第二开口BW-OPG之间的阻挡壁BW的宽度小，并且设置在第一开口BW-OPR和第三开口BW-OPB之间的阻挡壁BW的宽度小。
第一开口BW-OPR可以设置成在第一方向DR1上与第三开口BW-OPB间隔开第二距离DT2。第二距离DT2可以在与第一距离DT1的条件相同的条件下测量。第二距离DT2可以在从5μm至8μm的范围内。
由于设置在第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之间的阻挡壁BW的宽度减小，因此可以确保相对大尺寸的第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB。第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB中的每个可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的每个上具有等于或大于41μm的宽度。在实施例中，可以确保上述数值宽度以便喷墨头向第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB中的每个精确地供应墨水组合物。
参考图4B，遮光图案LSP可以与阻挡壁BW完全重叠。遮光图案LSP可以包括分别与第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB对应的第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB。第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB中的每个的尺寸可以小于第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之中的对应开口的尺寸。此外，第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB中的每个可以限定在第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之中的对应开口的内部(例如，内)。换言之，在平面图中，第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之中的对应开口可以围绕第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB之中的对应开口(例如，绕着其周边)。
第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB中的每个可以与第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3之中的对应发光区对准。表述“开口与发光区对准”可以意指开口的中心与发光区的中心一致。此外，表述“开口与发光区对准”可以意指：在第一方向DR1上的两侧处开口的边缘和发光区的边缘之间的距离彼此相同，并且在第二方向DR2上的两侧处开口的边缘和发光区的边缘之间的距离彼此相同。
以上参考图3B描述的第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B可以与图4B的第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB相同或基本上相同。第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个的边缘可以与第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB之中的对应开口的边缘重叠或可与其对准。因此，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个的宽度可以与第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB之中的对应开口的宽度相同或基本上相同。
遮光图案LSP可以与第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB中的每个部分地重叠，但本公开不限于此或由此限制。根据实施例，遮光图案LSP可以与第一开口BW-OPR、第二开口BW-OPG和第三开口BW-OPB之中的至少一个开口部分地重叠。
根据本实施例，遮光图案LSP可以与第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个部分地重叠。遮光图案LSP可以与第一光转换图案CCF-R在第一方向DR1上的左侧部分重叠，并且可以与第一光转换图案CCF-R在第二方向DR2上的较下部分重叠。遮光图案LSP可以与第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个在第一方向DR1上的两侧的部分重叠，并且可以与第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个在第二方向DR2上的较下部分重叠。
在测量第一距离DT1的区中，遮光图案LSP的第一部分B1(例如，第一区)可以与阻挡壁BW重叠。遮光图案LSP的第二部分B2(例如，第二区)可以从遮光图案LSP的第一部分B1延伸，并且可以与第二光转换图案CCF-G重叠。遮光图案LSP的第一部分B1在第二方向DR2上的宽度和遮光图案LSP的第二部分B2在第二方向DR2上的宽度的总和WT1可以大于第一距离DT1。在测量第二距离DT2的区中，遮光图案LSP的第三部分B3可以与阻挡壁BW重叠。遮光图案LSP的第四部分B4可以从遮光图案LSP的第三部分B3延伸，并且可以与透明树脂图案SP重叠。遮光图案LSP的第三部分B3在第一方向DR1上的宽度与遮光图案LSP的第四部分B4在第一方向DR1上的宽度的总和WT2可以大于第二距离DT2。
图5A和图5B是根据本公开的一个或多个实施例的遮光图案LSP的平面图。在下文中，可以不重复对与以上参考图3A至图4B描述的部件相同或基本上相同的部件的冗余描述。
参考图5A，与图4B的遮光图案LSP不同，当在平面中(例如，在平面图中)观察时，图5A的遮光图案LSP可以暴露阻挡壁BW的一部分。如以上参考图3B所述，因为遮光图案LSP设置成遮蔽漏光LKL，所以可以足以使遮光图案LSP与第一发光区EA1、第二发光区EA2和第三发光区EA3之间的区重叠。在彼此相邻的单元像素PXU之间的距离相对大的情况下，遮光图案LSP可以暴露阻挡壁BW的设置在单元像素PXU之间的一部分。
参考图5B，遮光图案LSP可以与第一光转换图案CCF-R和透明树脂图案SP中的每个在第一方向DR1上的两侧的部分重叠，并且可以与第一光转换图案CCF-R和透明树脂图案SP中的每个在第二方向DR2上的较上部分重叠。遮光图案LSP与第二光转换图案CCF-G重叠的区可以小于图4B的遮光图案LSP的区。因此，可以增大第二-第一开口L-OPG，并且可以增大与第二发光区EA2对应的发光区。
遮光图案LSP可以与阻挡壁BW、第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB重叠。在测量第一距离DT1的区中，遮光图案LSP的第一部分B10可以与阻挡壁BW重叠。遮光图案LSP的第二部分B20可以从遮光图案LSP的第一部分B10延伸，并且可以与第二光转换图案CCF-G重叠。遮光图案LSP的第三部分B30可以从遮光图案LSP的第一部分B10延伸，并且可以与第一光转换图案CCF-R重叠。遮光图案LSP的第一部分B10、第二部分B20和第三部分B30中的每个在第二方向DR2上的宽度的总和WT1可以大于第一距离DT1。以上参考图4B描述的遮光图案LSP的第一部分B1和第二部分B2中的每个在第二方向DR2上的宽度的总和WT1可以与参考图5B描述的遮光图案LSP的第一部分B10、第二部分B20和第三部分B30中的每个在第二方向DR2上的宽度的总和WT1相同或基本上相同。根据本实施例，可以增大与第二发光区EA2对应的发光区，并且可以减小漏光LKL的干扰。
由于与以上参考设置在遮光图案LSP的第一-第一开口L-OPR和遮光图案LSP的第二-第一开口L-OPG之间的第一部分B10至第三部分B30描述的原因相同或基本上相同的原因，遮光图案LSP的设置在第一-第一开口L-OPR和第三-第一开口L-OPB之间的一部分可以遮蔽第一发光区EA1和第三发光区EA3中的漏光LKL。
图6A是根据本公开的实施例的阻挡壁BW和光控制图案CCF-R、CCF-G和SP的平面图。图6B是根据本公开的实施例的遮光图案LSP的平面图。图6C是沿图6B的线II-II′截取的显示设备DD的剖视图。在下文中，可以不重复对与以上参考图3A至图5B描述的部件相同或基本上相同的部件的冗余描述。
参考图6A，可以贯穿阻挡壁BW进一步限定虚设开口BW-OPD和子开口BW-OPS。虚设开口BW-OPD和子开口BW-OPS中的每一者可以设置为多个。
阻挡壁BW可以包括限定与第一发光区EA1对应的第一开口BW-OPR的第一阻挡壁BW1、限定与第二发光区EA2对应的第二开口BW-OPG的第二阻挡壁BW2以及限定与第三发光区EA3对应的第三开口BW-OPB的第三阻挡壁BW3。第一阻挡壁BW1、第二阻挡壁BW2和第三阻挡壁BW3可以设置成彼此间隔开。
阻挡壁BW还可以包括与非发光区NEA重叠并且限定虚设开口BW-OPD的主虚设阻挡壁BW-D。主虚设阻挡壁BW-D可以在第一方向DR1上设置在第二阻挡壁BW2的两侧处。主虚设阻挡壁BW-D可以与和图6A中所示的单元像素PXU相邻的单元像素重叠。
主虚设阻挡壁BW-D可以限定主阱区MW。主阱区MW可以容纳在被执行以形成以上参考图3B描述的光控制图案CCF-R、CCF-G和SP的喷墨工艺期间未精确地提供的液体树脂组合物。例如，主阱区MW可以容纳未精确地提供在第二开口BW-OPG中的液体树脂组合物。在主阱区MW没有形成在主虚设阻挡壁BW-D中的情况下，主虚设阻挡壁BW-D可以布置为占据特定区的绝缘图案。未精确地提供在绝缘图案上的液体树脂组合物可能形成突起，并且该突起可能在显示设备DD的制造工艺中引起缺陷。主阱区MW可以防止或基本上防止缺陷发生。
阻挡壁BW还可以包括与非发光区NEA重叠的子虚设阻挡壁BW-SD。子虚设阻挡壁BW-SD可以将第一阻挡壁BW1、第二阻挡壁BW2、第三阻挡壁BW3和主虚设阻挡壁BW-D之中的彼此相邻的阻挡壁彼此连接。子虚设阻挡壁BW-SD可以将第一阻挡壁BW1、第二阻挡壁BW2、第三阻挡壁BW3和主虚设阻挡壁BW-D彼此连接成一个结构，并且因此，可以改善阻挡壁结构的耐久性。第一阻挡壁BW1、第二阻挡壁BW2、第三阻挡壁BW3、主虚设阻挡壁BW-D以及子虚设阻挡壁BW-SD中的两个之中的彼此相邻的阻挡壁可以限定子开口BW-OPS。子开口BW-OPS可以与子阱区SW对应。子阱区SW也可以容纳在制造工艺中未精确地提供的液体树脂组合物，这将在下面更详细地描述。
参考图6B和图6C，第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB可以贯穿(例如，可以穿透)遮光图案LSP来限定。遮光图案LSP可以与第一阻挡壁BW1、第二阻挡壁BW2、第三阻挡壁BW3、主虚设阻挡壁BW-D和子虚设阻挡壁BW-SD重叠。
遮光图案LSP可以与主阱区MW和子阱区SW重叠。图6C示出了遮光图案LSP设置在子阱区SW中的结构。
图7A是根据本公开的实施例的显示区DA的放大平面图。图7B是沿图7A的线I-I′截取的显示设备DD的剖视图。在下文中，可以不重复对与以上参考图3A和图3B描述的部件相同或基本上相同的部件的冗余描述。
参考图7A和图7B，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个的尺寸可以大于第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB之中的对应开口的尺寸。第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB中的每个可以设置在第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之中的对应像素区中。因此，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个的宽度可以大于第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB之中的对应开口的宽度。
由于第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B的尺寸可以大于由第一-第一开口L-OPR、第二-第一开口L-OPG和第三-第一开口L-OPB限定的区的尺寸，因此可以增加显示设备DD的孔径比。
图8A是根据本公开的实施例的显示设备DD的立体图。图8B是根据本公开的实施例的显示设备DD的剖视图。在下文中，可以不重复对与以上参考图3A和图7B描述的部件相同或基本上相同的部件的冗余描述。
与以上参考图1A至图7B描述的显示设备DD不同，根据本实施例的显示设备DD可以包括一个基层(即，第一基层BL1)。在制造工艺中，可以省略显示面板100和光转换面板200的联接工艺，并且其部件可以顺序地形成在第一基层BL1上。
参考图8A和图8B，包括在显示设备DD中的显示面板100与以上参考图3B描述的显示面板100相同或基本上相同。遮光图案LSP可以设置在薄膜封装层TFE上。阻挡壁BW可以设置在遮光图案LSP上。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP可以分别设置在阻挡壁BW的开口BW-OP中。第五绝缘层50可以覆盖阻挡壁BW、第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。作为示例，第五绝缘层50可以是无机层。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60的折射率可以低于第五绝缘层50的折射率。第六绝缘层60的折射率可以等于或大于1.1，并且等于或小于1.5。可以依据分布在第六绝缘层60中的中空粒子和/或空隙的比率来确定第六绝缘层60的折射率。源光和转换光可以由于第六绝缘层60而被更竖直地提供。
第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上。第七绝缘层70可以是封装设置在其下方的结构的无机层。第七绝缘层70可以根据需要或期望而被省略。
第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B可以设置在第七绝缘层70上。第八绝缘层80可以设置在第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B上，并且第八绝缘层80可以覆盖第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B，以提供平坦的或基本上平坦的表面。第八绝缘层80可以是有机层。
在一些实施例中，阻挡壁BW可以具有与以上参考图4A至图7B描述的阻挡壁BW中的任何一个的形状和布置相同或基本上相同的形状和布置。
尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在没有背离本公开的精神和范围的情况下，可以在实施例中进行各种修改。将理解，除非另有描述，否则对每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，除非特别地另有指示，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，要理解，上述内容是各种示例性实施例的示例，并且不被解释为限于本文中所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例以及其他示例性实施例的各种修改旨在包括在如所附权利要求及其等同所限定的本公开的精神和范围内。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
显示面板，包括配置成发射源光的第一发光区；
阻挡壁，在所述显示面板上，并且具有与所述第一发光区对应的第一开口；
第一光控制图案，在所述第一开口中；以及
遮光图案，在所述显示面板和所述阻挡壁之间，并且在平面图中与所述阻挡壁和所述第一开口重叠，
其中，所述遮光图案在平面图中与所述第一光控制图案的一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光区在平面图中定位在所述第一开口中，并且所述第一发光区在第一方向上向所述第一开口的一侧偏置。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述遮光图案具有与所述第一开口对应的第一-第一开口，并且在平面图中，所述第一-第一开口的尺寸小于所述第一开口的尺寸。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述遮光图案在平面图中与所述阻挡壁完全重叠。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括在所述阻挡壁上的第一滤色器，
其中，所述第一光控制图案配置成将所述源光转换为具有与所述源光的颜色不同的颜色的第一输出光，以及
其中，所述第一滤色器配置成阻挡所述源光并且透射所述第一输出光。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，还包括在平面图中与所述第一滤色器重叠的第二滤色器和第三滤色器，
其中，所述第一滤色器包括在平面图中不与所述第二滤色器和所述第三滤色器重叠的第一像素区，以及
其中，所述第一像素区在平面图中与所述第一发光区重叠。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其特征在于，所述遮光图案具有与所述第一开口对应的第一-第一开口，
其中，在平面图中，所述第一-第一开口的尺寸小于所述第一开口的尺寸，以及
其中，在第一方向上，所述第一像素区的宽度等于或大于所述第一-第一开口的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述阻挡壁还具有虚设开口和子开口，所述虚设开口限定在平面图中不与所述第一发光区重叠的主阱区，所述子开口限定所述第一发光区和所述主阱区之间的子阱区，以及
其中，所述遮光图案在平面图中与所述主阱区或所述子阱区重叠。
9.一种显示设备，其特征在于，包括：
显示面板，包括发光元件；以及
光转换面板，在所述显示面板的厚度方向上与所述显示面板隔开，所述光转换面板包括：
基层；
阻挡壁，在所述基层的下表面上，并且具有与所述发光元件对应的开口；
光控制图案，在所述开口中；以及
遮光图案，在所述阻挡壁下方，并且在所述厚度方向上与所述阻挡壁和所述开口重叠，
其中，所述遮光图案在所述厚度方向上与所述光控制图案的一部分重叠。
10.一种显示设备，其特征在于，包括：
发光元件；
薄膜封装层，封装所述发光元件；
阻挡壁，在所述薄膜封装层上，并且具有与所述发光元件对应的开口；
光控制图案，在所述开口中；以及
遮光图案，在所述阻挡壁和所述薄膜封装层之间，并且在平面图中与所述阻挡壁和所述开口重叠，
其中，所述遮光图案在平面图中与所述光控制图案的一部分重叠。
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