CN117881240A - 显示装置 - Google Patents

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CN117881240A
CN117881240A CN202311281285.6A CN202311281285A CN117881240A CN 117881240 A CN117881240 A CN 117881240A CN 202311281285 A CN202311281285 A CN 202311281285A CN 117881240 A CN117881240 A CN 117881240A
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金善光
金昭娟
宋炯真
李在贤
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Abstract

本发明的一实施例提供一种显示装置，具备：晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且具有至少一个层的栅极电极；存储电容器，与所述晶体管电连接，并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极；连接层，连接所述第二电容器电极和所述有源层；以及导电图案，配置在所述存储电容器和所述晶体管之间，并包含与所述栅极电极的至少一个层相同的物质。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着可视化地表达各种电信号信息的显示领域的迅速发展，正在推出具有薄型化、轻量化、低功耗化等优异特性的各种显示装置。
显示装置可以包括利用背光的光而不自行发射光的液晶显示装置或者具有能够发射光的显示要件的发光显示装置。发光显示装置可以包括具有发光层的显示要件。
发明内容
本发明的实施例涉及一种显示装置，更具体而言，提供一种关于发光显示装置的结构。
可以是，本发明的一实施例提供一种显示装置，具备：晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且具有至少一个层的栅极电极；存储电容器，与所述晶体管电连接，并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极；连接层，连接所述第二电容器电极和所述有源层；以及导电图案，配置在所述存储电容器和所述晶体管之间，并包含与所述栅极电极的至少一个层相同的物质。
在一实施例中，可以是，所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分，所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。
在一实施例中，可以是，所述第二电容器电极、所述连接层以及所述有源层设置为一体。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：绝缘图案，位于所述连接层和所述导电图案之间。
在一实施例中，可以是，所述绝缘图案包括在所述存储电容器和所述晶体管之间暴露所述连接层的至少一部分的开口部，所述导电图案与通过所述开口部暴露的所述连接层的至少一部分接触。
在一实施例中，可以是，所述导电图案的至少一部分配置在所述开口部内。
在一实施例中，可以是，与所述导电图案接触的所述连接层的所述至少一部分具有比所述第二电容器电极的垂直厚度小的垂直厚度。
在一实施例中，可以是，所述导电图案的至少一部分配置在比所述栅极电极低的垂直水平。
在一实施例中，可以是，所述导电图案通过所述绝缘图案与所述连接层隔开。
在一实施例中，可以是，所述导电图案的至少一部分配置在与所述栅极电极相同的垂直水平。
在一实施例中，可以是，所述导电图案具有与所述栅极电极相同的叠层结构。
在一实施例中，可以是，所述栅极电极包括第一栅极电极层、所述第一栅极电极层上的第二栅极电极层以及所述第二栅极电极层上的第三栅极电极层。
在一实施例中，可以是，所述导电图案包括第一层、所述第一层上的第二层以及所述第二层上的第三层，所述导电图案的所述第一层包含与所述第一栅极电极层相同的物质。
在一实施例中，可以是，所述第二栅极电极层包含与所述导电图案的所述第二层相同的物质，所述第三栅极电极层包含与所述导电图案的所述第三层相同的物质。
在一实施例中，可以是，所述导电图案包含钛(Ti)。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：钝化层，配置在所述栅极电极以及所述导电图案上，并包含硅氮化物或者硅氮氧化物。
在一实施例中，可以是，所述栅极电极接收扫描信号。
可以是，本发明的一实施例提供一种显示装置，具备：晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠的栅极电极；存储电容器，与所述晶体管电连接，并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极；连接层，与所述第二电容器电极以及所述有源层设置为一体，并连接所述第二电容器电极和所述有源层；导电图案，配置在所述存储电容器和所述晶体管之间，并具有与所述栅极电极相同的叠层结构；以及钝化层，配置在所述栅极电极以及所述导电图案上。
在一实施例中，可以是，所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分，所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。
可以是，本发明的一实施例提供一种显示装置，包括：第一驱动电压线以及第一公共电压线，在基板上沿第一方向延伸；扫描线，沿与所述第一驱动电压线以及所述第一公共电压线交叉的第二方向延伸；开关晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且与所述扫描线连接的栅极电极；存储电容器，与所述开关晶体管电连接，并包括第一电容器电极以及第二电容器电极；以及导电图案，配置在所述开关晶体管和所述存储电容器之间。
根据本发明的一实施例的显示装置还包括位于存储电容器和薄膜晶体管之间的导电图案，从而可以提高显示装置的电可靠性。当然，本发明的范围不限于这种效果。
附图说明
图1a是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图1b是根据本发明的一实施例的显示装置的沿I-I’线截取的截面图。
图1c示出了图1b的颜色转换-透射层的各部分。
图2是示出根据本发明的一实施例的显示装置的发光面板中所包括的发光二极管以及电连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。
图3是示出根据本发明的一实施例的发光面板的像素电路的平面图。
图4是示出配置在图3的像素电路上的发光二极管的平面图。
图5是放大示出根据本发明的一实施例的图4的“A”区域的放大图。
图6a是沿图5的II-II’线截取的截面图。
图6b是沿图5的III-III’线截取的截面图。
图6c是沿图5的IV-IV’线截取的截面图。
图6d是示出与沿图5的III-III’线截取的截面图相对应的区域中的变形实施例的截面图。
图7是放大示出根据本发明的另一实施例的图4的“A”区域的放大图。
图8是沿图7的V-V’线截取的截面图。
(附图标记说明)
DV：显示装置
1：发光面板
2：彩色面板
SL：扫描线
CL：控制线
DL1、DL2、DL3：第一至第三数据线
Cst1、Cs2、Cst3：第一至第三存储电容器
VDLa、VDLb：第一及第二驱动电压线
VSLa、VSLb：第一及第二公共电压线
ISL：感测线
M11、M21、M31：第一至第三驱动晶体管
M12、M22、M32：第一至第三开关晶体管
M13、M23、M33：第一至第三感测晶体管
CP1、CP2、CP3：第一至第三导电图案
具体实施方式
本发明可以进行各种改变并可以具有各种实施例，将在附图中例示特定实施例并在详细说明中进行详细说明。本发明的效果、特征以及实现它们的方法将参照下文中结合附图详细描述的实施例而变得明确。但是，本发明并不限于下文中所公开的实施例，而是可以实现为各种形式。
以下，将参照所附附图对本发明的实施例进行详细说明，并且，在参照附图说明时，对相同或相对应的构成要件赋予相同的附图标记并将省略对其重复的说明。
在以下实施例中，第一、第二等术语并非具有限定性含义，其使用目的为将一个构成要件与其它构成要件区分开。
在以下的实施例中，只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。
在以下的实施例中，包括或者具有等术语是指存在说明书中记载的特征或构成要件，并非事先排除一个以上的其它特征或构成要件的附加可能性。
在以下的实施例中，当膜、区域、构成要件等部分被记载为位于其它部分之上或者上方时，不仅包括其直接位于其它部分之上的情况，还包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件的大小可能会放大或者缩小示出。例如，为了便于说明，附图所示的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此，本发明并非一定限于图中所示的情况。
当任一实施例能够以不同形式实现时，特定的工艺顺序也可以与所说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。
在以下的实施例中，当膜、区域、构成要件等被记载为连接时，不仅包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，还包括其它膜、区域、构成要件介于膜、区域、构成要件的中间而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当膜、区域、构成要件等被记载为电连接时，不仅包括膜、区域、构成要件等直接电连接的情况，还包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间而间接电连接的情况。
图1a是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图，图1b是根据本发明的一实施例的显示装置的沿I-I’线截取的截面图，图1c示出了图1b的颜色转换-透射层的各部分。
显示装置DV的各像素是能够发射预定颜色的光的区域，显示装置DV可以利用从像素发射的光来提供图像。例如，各像素可以发射红色、绿色或者蓝色的光。
非显示区域NDA是不提供图像的区域，可以整体包围显示区域DA。在非显示区域NDA中可以配置用于向像素电路提供电信号或电源的驱动器或者主电源线。在非显示区域NDA中可以包括能够电连接电子元件或印刷电路基板的区域即焊盘。
如图1a所示，显示区域DA可以具有包括四边形的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有横向长度大于纵向长度的矩形形状，或者具有横向长度小于纵向长度的矩形形状，或者具有正方形形状。或者，显示区域DA可以具有如椭圆或者圆形之类各种形状。
参照图1b，作为一些实施例，显示装置DV可以包括在厚度方向(例，Z方向)上层叠的发光面板1(或者，发光单元)以及彩色面板2(或者，彩色单元)。发光面板1可以包括第一基板10上的第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3以及分别连接到它们的第一至第三发光二极管LED1、LED2、LED3。
从第一至第三发光二极管LED1、LED2、LED3发射的光(例如，蓝色光Lb)可以穿过彩色面板2时转换或透射成红色光Lr、绿色光Lg以及蓝色光Lb。可以是，发射红色光Lr的区域相当于红色像素Pr，发射绿色光Lg的区域相当于绿色像素Pg，发射蓝色光Lb的区域相当于蓝色像素Pb。
彩色面板2可以包括具有第一颜色转换部40a、第二颜色转换部40b以及透射部40c的颜色转换-透射层以及具有第一滤色器30a、第二滤色器30b以及第三滤色器30c的彩色层。
可以是，彩色面板2的第一颜色区域包括彼此重叠的第一颜色转换部40a以及第一滤色器30a，第二颜色区域包括彼此重叠的第二颜色转换部40b以及第二滤色器30b，第三颜色区域包括彼此重叠的透射部40c以及第三滤色器30c。
彩色面板2可以包括配置为包围第一至第三颜色区域的每一个的非像素区域NPA。非像素区域NPA可以是遮光区域。遮光区域可以包括第二基板20上的第一遮光层21。第一遮光层21可以包括去除与红色像素Pr、绿色像素Pg以及蓝色像素Pb相对应的部分时形成的多个孔。第一遮光层21可以位于非像素区域NPA，并可以包含能够吸收光的各种物质。
遮光区域可以包括第一遮光层21上的第二遮光层22。第二遮光层22也可以位于非像素区域NPA。第二遮光层22可以包含能够吸收光的各种物质。第二遮光层22可以包含与前述的第一遮光层21相同的物质或者包括彼此不同的物质。第一遮光层21和/或第二遮光层22可以包含氧化铬或者氧化钼等不透明无机绝缘物质或黑色树脂等不透明有机绝缘物质。
从发光面板1的第一发光二极管LED1发射的蓝色光Lb可以穿过彩色面板2的第一颜色区域。蓝色光Lb穿过彩色面板2时可以转换以及过滤成红色光Lr。设置于第一颜色区域的第一颜色转换部40a以及第一滤色器30a配置为与第一发光二极管LED1重叠。从第一发光二极管LED1发射的蓝色光Lb可以在第一颜色转换部40a中进行转换后穿过第一滤色器30a。
第一颜色转换部40a可以将入射的蓝色光Lb转换为红色光Lr。第一颜色转换部40a可以配置为与第一滤色器30a重叠。如图1c所示，第一颜色转换部40a可以包括第一光敏聚合物1151、分散在第一光敏聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射粒子1153。
第一量子点1152可以被蓝色光Lb激发而以各向同性方式发射具有比蓝色光Lb的波长长的波长的红色光Lr。第一光敏聚合物1151可以是具有透光性的有机物质。第一散射粒子1153可以散射未被第一量子点1152吸收的蓝色光Lb，以使得更多的第一量子点1152被激发，从而可以增加颜色转换效率。第一散射粒子1153可以是例如氧化钛(TiO2)或金属粒子等。第一量子点1152可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合中选择。
更具体而言，在本说明书中，量子点(例如，第一量子点1152、第二量子点1162)可以意指半导体化合物的晶体，并包含可以根据晶体的大小发射各种发光波长的光的任意物质。
所述量子点的直径可以是例如约1nm至10nm。
所述量子点可以通过湿式化学工艺、有机金属化学蒸镀工艺、分子束外延工艺或者与此类似的工艺等来合成。所述湿式化学工艺是将有机溶剂和前体物质混合后使量子点粒子晶体生长的方法。在所述晶体生长时，有机溶剂起到自然地配位到量子点晶体表面的分散剂的作用，并调节所述晶体的生长，因此，比有机金属化学蒸镀(MOCVD，Metal OrganicChemical Vapor Deposition)或分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)等气相蒸镀方法更容易，可以通过低成本的工艺来控制量子点粒子的生长。
这种量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者其任意组合。
II-VI族半导体化合物的例子可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS等之类二元素化合物、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS等之类三元素化合物、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe等之类四元素化合物或者其任意组合。
III-V族半导体化合物的例子可以包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb等之类二元素化合物、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb等之类三元素化合物、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb等之类四元素化合物或者其任意组合。另一方面，III-V族半导体化合物可以还包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的例子可以包括InZnP、InGaZnP或者InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的例子可以包括GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、In2S3、InSe、In2Se3或InTe等之类二元素化合物、AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、InGaS3或InGaSe3等之类三元素化合物或者其任意组合。
I-III-VI族半导体化合物的例子可以包括AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2等之类三元素化合物或者其任意组合。
IV-VI族半导体化合物的例子可以包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe等之类二元素化合物、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe等之类三元素化合物、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe等之类四元素化合物或者其任意组合。
IV族元素或化合物可以包括Si或Ge等之类单一元素化合物、SiC或SiGe等之类二元素化合物或者其任意组合。
二元素化合物、三元素化合物以及四元素化合物之类多元素化合物中所包括的各个元素可以以均匀的浓度或者不均匀的浓度存在于粒子内。
另一方面，量子点可以具有包括在相应量子点中的各个元素的浓度均匀的单一结构或者核-壳的双重结构。例如，包括在核中的物质和包括在壳中的物质可以彼此不同。量子点的壳可以执行用于防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层作用和/或用于赋予量子点电泳特性的充电层(charging layer)的作用。壳可以是单层或者多层。核和壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度越往中心降低的浓度梯度(gradient)。
作为量子点的壳的例子，可以举出金属或非金属的氧化物、半导体化合物或者它们的组合等。金属或非金属的氧化物的例子可以包括SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO等之类二元素化合物、MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4等之类三元素化合物或者其任意组合。半导体化合物的例子可以包括如上所述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或者其任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或者其任意组合。
量子点可以具有约45nm以下、具体约40nm以下、更具体约30nm以下的发光波长光谱的半高宽(full width of half maximum，FWHM)，在此范围内可以提高颜色纯度或颜色再现性。另外，通过这种量子点发射的光以全方向发射，因此可以提高光学视角。
另外，量子点的形态具体地可以是球形、锥体形、多臂形(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维或者纳米板状粒子等形态。
能够通过调节这种量子点的大小来调节能带隙，因此可以在量子点发光层中获得各种波段的光。因此，通过使用彼此不同大小的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光元件。具体地，量子点的大小可以选择为发射红色光、绿色光和/或蓝色光。另外，量子点的大小可以构成为结合各种颜色的光而发射白色光。
通过第一颜色转换部40a转换的红色光Lr可以穿过第一滤色器30a时提高颜色纯度。第一滤色器30a可以包含第一彩色(例，红色)的颜料或者染料。
从发光面板1的第二发光二极管LED2发射的蓝色光Lb可以穿过彩色面板2的第二颜色区域。蓝色光Lb穿过彩色面板2时可以转换以及过滤成绿色光Lg。设置于第二颜色区域的第二颜色转换部40b以及第二滤色器30b配置为与第二发光二极管LED2重叠。从第二发光二极管LED2发射的蓝色光Lb可以在第二颜色转换部40b中进行转换后穿过第二滤色器30b。
第二颜色转换部40b可以将入射的蓝色光Lb转换为绿色光Lg。第二颜色转换部40b可以配置为与第二滤色器30b重叠。如图1c所示，第二颜色转换部40b可以包括第二光敏聚合物1161、分散在第二光敏聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射粒子1163。
第二量子点1162可以被蓝色光Lb激发而以各向同性方式发射具有比蓝色光Lb的波长长的波长的绿色光Lg。第二光敏聚合物1161可以是具有透光性的有机物。
第二散射粒子1163可以散射未被第二量子点1162吸收的蓝色光Lb，以使得更多的第二量子点1162被激发，从而可以增加颜色转换效率。第二散射粒子1163可以是例如氧化钛(TiO2)或金属粒子等。第二量子点1162可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合中选择。
作为一些实施例，第一量子点1152以及第二量子点1162可以是相同的物质。此时，第一量子点1152的大小可以大于第二量子点1162的大小。
通过第二颜色转换部40b转换的绿色光Lg可以穿过第二滤色器30b时提高颜色纯度。第二滤色器30b可以包含第二彩色(例，绿色)的颜料或者染料。
从发光面板1的第三发光二极管LED3发射的蓝色光Lb可以穿过彩色面板2的第三颜色区域。设置于第三颜色区域的透射部40c以及第三滤色器30c配置为与第三发光二极管LED3重叠。从第三发光二极管LED3发射的蓝色光Lb可以不进行颜色转换而穿过透射部40c后经过第三滤色器30c向外部发射。
透射部40c可以不转换入射至透射部40c的蓝色光Lb而透射蓝色光Lb。如图1c所示，透射部40c可以包括分散有第三散射粒子1173的第三光敏聚合物1171。第三光敏聚合物1171可以是例如硅树脂、环氧树脂等具有透光性的有机物质，并可以是与第一及第二光敏聚合物1151、1161相同的物质。第三散射粒子1173可以散射蓝色光Lb而发射，并可以是与第一及第二散射粒子1153、1163相同的物质。
经过透射部40c的蓝色光Lb可以穿过第三滤色器30c时提高颜色纯度。
第一至第三发光二极管LED1、LED2、LED3可以包括包含有机物的有机发光二极管。作为另一实施例，第一至第三发光二极管LED1、LED2、LED3可以是包含无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机物半导体的材料的PN结二极管。若向PN结二极管正向施加电压，则可以注入空穴和电子，并将由其空穴和电子的复合产生的能量转换为光能来发射预定颜色的光。前述的无机发光二极管可以具有几微米～几百微米或者几纳米～几百纳米的宽度。在一些实施例中，发光二极管可以是包含量子点的发光二极管。如上所述，发光二极管的发光层可以包含有机物、包含无机物、包含量子点、包含有机物和量子点或者包括无机物和量子点。
具有前述结构的显示装置DV可以包括在移动电话(mobile phone)、电视、广告牌、监视器、平板PC、笔记本等中。
图2是示出根据本发明的一实施例的显示装置的发光面板中所包括的发光二极管以及电连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。
参照图2，可以是，发光二极管，例如，发光二极管LED的第一电极(例，阳极)连接于像素电路PC，发光二极管LED的第二电极(例，阴极)连接于提供公共电源电压ELVSS的公共电压线VSL。发光二极管LED可以以与从像素电路PC供应的电流量相应的亮度发光。
图2的发光二极管LED可以相当于在前面图1b所示的第一至第三发光二极管LED1、LED2、LED3的每一个，图2的像素电路PC可以相当于在前面图1b所示的第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3的每一个。
像素电路PC可以与数据信号相对应地控制从驱动电压线VDL经由发光二极管LED流向公共电压线VSL的电流量。像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及存储电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3的每一个可以是包括由氧化物半导体构成的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管或者包括由多晶硅构成的半导体层的硅半导体薄膜晶体管。根据晶体管的类型，第一电极可以是源极电极以及漏极电极中的一个，第二电极可以是源极电极以及漏极电极中的另一个。
第一晶体管M1可以是驱动晶体管。可以是，第一晶体管M1的第一电极连接于供应驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL，第二电极连接于发光二极管LED的第一电极。第一晶体管M1的栅极电极可以连接于第一节点N1。第一晶体管M1可以与第一节点N1的电压相对应地控制从驱动电压线VDL流过发光二极管LED的电流量。
第二晶体管M2可以是开关晶体管。可以是，第二晶体管M2的第一电极连接于数据线DL，第二电极连接于第一节点N1。第二晶体管M2的栅极电极可以连接于扫描线SL。第二晶体管M2可以在扫描信号供应到扫描线SL时导通而电连接数据线DL和第一节点N1。
第三晶体管M3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管M3的第一电极可以连接于第二节点N2，第二电极可以连接于感测线ISL。第三晶体管M3的栅极电极可以连接于控制线CL。
第三晶体管M3可以在控制信号供应到控制线CL时导通而电连接感测线ISL和第二节点N2。作为一些实施例，第三晶体管M3可以根据通过控制线CL接收的信号导通而用来自感测线ISL的初始化电压初始化发光二极管LED的第一电极。作为一些实施例，第三晶体管M3可以在控制信号供应到控制线CL时导通而感测发光二极管LED的特性信息。第三晶体管M3可以具备作为前述的初始化晶体管的功能以及作为感测晶体管的功能全部或者具备任一个功能。
作为一些实施例，第三晶体管M3的初始化工作以及感测工作可以分别单独进行或者同时进行。以下，为了便于说明，说明第三晶体管M3具有初始化晶体管以及感测晶体管的功能全部的情况。
存储电容器Cst可以连接在第一节点N1和第二节点N2之间。例如，可以是，存储电容器Cst的第一电容器电极连接于第一晶体管M1的栅极电极，存储电容器Cst的第二电容器电极连接于发光二极管LED的第一电极。
在图2中第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第三晶体管M3示出为NMOS，但本发明不限于此。例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第三晶体管M3中的至少一个可以由PMOS形成。另外，在图2中示出了三个晶体管，但本发明不限于此。像素电路PC可以包括四个或者其以上的晶体管。
图3是示出根据本发明的一实施例的发光面板的像素电路的平面图，图4是示出配置在图3的像素电路上的发光二极管的平面图。作为一实施例，图4说明为发光二极管为有机发光二极管的情况。
参照图3以及图4，可以是，扫描线SL以及控制线CL沿X方向延伸，第一至第三数据线DL1、DL2、DL3沿与X方向交叉的Y方向延伸。另外，可以是，感测线ISL、第一驱动电压线VDLa以及第一公共电压线VSLa沿Y方向延伸，第二驱动电压线VDLb以及第二公共电压线VSLb沿X方向延伸。
可以是，相邻的两个第一公共电压线VSLa配置为相互隔开，第一至第三数据线DL1、DL2、DL3、感测线ISL以及第一驱动电压线VDLa配置在前述的两个相邻的第一公共电压线VSLa之间。感测线ISL以及第一驱动电压线VDLa可以配置为在彼此邻近的状态下与任一个第一公共电压线VSLa相邻。第一至第三数据线DL1、DL2、DL3可以配置为在彼此邻近的状态下与另一个第一公共电压线VSLa相邻。例如，可以以将要后述的第一至第三存储电容器Cst1、Cst2、Cst3为中心，在一侧(例，左侧)配置感测线ISL以及第一驱动电压线VDLa，在另一侧(例，右侧)配置第一至第三数据线DL1、DL2、DL3，可以通过这种结构来有效使用显示面板的空间。
第二驱动电压线VDLb可以与第一驱动电压线VDLa交叉而沿X方向延伸。第二公共电压线VSLb可以与第一驱动电压线VDLa交叉而沿X方向延伸。第二驱动电压线VDLb和第二公共电压线VSLb可以隔着第一至第三存储电容器Cst1、Cst2、Cst3相互隔开。
第二驱动电压线VDLb可以配置为与扫描线SL相邻，第二公共电压线VSLb可以配置为与控制线CL相邻。第二驱动电压线VDLb可以与第一驱动电压线VDLa通过接触孔CT21接通，第二公共电压线VSLb可以与第一公共电压线VSLa通过接触孔CT22接通。
发光面板1可以包括图3所示的结构沿X方向和Y方向重复的结构，因此，设置于发光面板1的多个第一驱动电压线VDLa和多个第二驱动电压线VDLb可以在平面上构成网格(mesh)结构。相同地，多个第一公共电压线VSLa和多个第二公共电压线VSLb可以在平面上构成网格结构。
第一公共电压线VSLa可以与子公共电压线s-VSL重叠。第一公共电压线VSLa可以与子公共电压线s-VSL电连接。例如，第一公共电压线VSLa可以与子公共电压线s-VSL通过接触孔CT23接通。
子公共电压线s-VSL可以配置在扫描线SL和控制线CL之间且具有小于扫描线SL和控制线CL之间的隔开距离(Y方向上的隔开距离)的长度。子公共电压线s-VSL是为了减少第一公共电压线VSLa的自身电阻而形成的，其可以配置在与晶体管的栅极电极或者扫描线SL相同的层。
于在平面上由邻近的第一公共电压线VSLa、第二驱动电压线VDLb以及第二公共电压线VSLb包围的大致四边形的空间中可以配置晶体管以及存储电容器。前述的晶体管以及存储电容器可以分别电连接于相应的发光二极管，与此相关，图4示出了第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2、OLED3的第一电极211、212、213分别电连接于相应的像素电路。
如图4所示，第一有机发光二极管OLED1的第一电极211可以与第一像素电路PC1电连接。如图3所示，第一像素电路PC1可以包括第一驱动晶体管M11、第一开关晶体管M12、第一感测晶体管M13以及第一存储电容器Cst1。
可以是，第二有机发光二极管OLED2的第一电极212与第二像素电路PC2电连接，第二像素电路PC2包括第二驱动晶体管M21、第二开关晶体管M22、第二感测晶体管M23以及第二存储电容器Cst2。
可以是，第三有机发光二极管OLED3的第一电极213与第三像素电路PC3电连接，第三像素电路PC3包括第三驱动晶体管M31、第三开关晶体管M32、第三感测晶体管M33以及第三存储电容器Cst3。
第一至第三存储电容器Cst1、Cst2、Cst3可以沿Y方向排列。可以是，第一存储电容器Cst1配置为相对最靠近于控制线CL，第三存储电容器Cst3配置为相对最靠近于扫描线SL，在第一存储电容器Cst1和第三存储电容器Cst3之间可以配置第二存储电容器Cst2。
第一至第三驱动晶体管M11、M21、M31、第一至第三开关晶体管M12、M22、M32以及第一至第三感测晶体管M31、M32、M33的每一个可以包括有源层以及栅极电极。
第一驱动晶体管M11可以包括第一有源层ACT1以及第一栅极电极G1。第一有源层ACT1可以包含氧化物半导体或者硅类半导体。第一有源层ACT1可以包括第一低电阻区域B1以及第二低电阻区域C1，在第一低电阻区域B1和第二低电阻区域C1之间可以设置沟道区域。第一低电阻区域B1以及第二低电阻区域C1是比沟道区域电阻小的区域，可以通过杂质的掺杂工艺或者导电化工艺来形成。第一栅极电极G1可以与第一有源层ACT1的沟道区域重叠。可以是，第一低电阻区域B1以及第二低电阻区域C1中的任一个相当于源极区域，另一个相当于漏极区域。
第一驱动晶体管M11的第一栅极电极G1可以电连接于第一存储电容器Cst1。第一有源层ACT1的第一低电阻区域B1可以电连接于第一驱动电压线VDLa。第一有源层ACT1的第二低电阻区域C1可以与第一有机发光二极管OLED1的第一电极211电连接。
第一开关晶体管M12可以包括第二有源层ACT2以及第二栅极电极G2。第二有源层ACT2可以包含氧化物半导体或者硅类半导体。第二有源层ACT2可以包括第一低电阻区域B2以及第二低电阻区域C2，在第一低电阻区域B2和第二低电阻区域C2之间可以设置沟道区域。第一低电阻区域B2以及第二低电阻区域C2是比沟道区域电阻小的区域，可以通过杂质的掺杂工艺或者导电化工艺来形成。在示例性实施例中，如图6a所示，第一低电阻区域B2以及第二低电阻区域C2可以随着与第二绝缘图案105b不重叠而通过形成连接层CNL、第二电容器电极CE2以及第二栅极电极G2的工艺步骤之后的后续工艺被导体化。第二栅极电极G2可以与第二有源层ACT2的沟道区域重叠。第一开关晶体管M12的第二栅极电极G2可以相当于在与扫描线SL交叉的方向上延伸的分支(以下，称为第一分支)SL-B的一部分。第一开关晶体管M12的第二栅极电极G2可以通过扫描线SL接收扫描信号。
扫描线SL可以与第一至第三开关晶体管M12、M22、M32的栅极电极电连接。第一分支SL-B可以在Y方向上延伸。第一分支SL-B的一部分可以相当于第一至第三开关晶体管M12、M22、M32的栅极电极。第一分支SL-B可以延伸到第一至第三存储电容器Cst1、Cst2、Cst3组和第一至第三数据线DL1、DL2、DL3组之间。第一分支SL-B可以通过连接图案CNPa与扫描线SL电连接。例如，扫描线SL可以通过接触孔CT24与连接图案CNPa连接，连接图案CNPa可以通过接触孔CT25与第一分支SL-B连接。
第一开关晶体管M12的第一低电阻区域B2以及第二低电阻区域C2中的一个可以电连接于第二数据线DL2，另一个可以电连接于第一存储电容器Cst1。例如，第二有源层ACT2的第一低电阻区域B2可以与第一存储电容器Cst1的第二电容器电极CE2在相同的层中连接。例如，第二有源层ACT2的第二低电阻区域C2可以通过接触孔CT1与连接图案CNP1连接，连接图案CNP1可以通过接触孔CT2与第二数据线DL2连接。因此，第二有源层ACT2的第二低电阻区域C2可以通过连接图案CNP1与第二数据线DL2电连接。
第一感测晶体管M13可以包括第三有源层ACT3以及第三栅极电极G3。第三有源层ACT3可以包含氧化物半导体或者硅类半导体。第三有源层ACT3可以包括第一低电阻区域B3以及第二低电阻区域C3，在第一低电阻区域B3和第二低电阻区域C3之间可以设置沟道区域。第一低电阻区域B3以及第二低电阻区域C3是比沟道区域电阻小的区域，可以通过杂质的掺杂工艺或者导电化工艺来形成。第三栅极电极G3可以与第三有源层ACT3的沟道区域重叠。
控制线CL可以与第一至第三感测晶体管M13、M23、M33的栅极电极电连接。第二分支CL-B可以在Y方向上延伸。第二分支CL-B的一部分可以相当于第一至第三感测晶体管M13、M23、M33的栅极电极。第二分支CL-B可以延伸到第一驱动电压线VDLa和感测线ISL之间。第二分支CL-B可以通过连接图案CNPb与控制线CL电连接。例如，控制线CL可以通过接触孔CT26与连接图案CNPb连接，连接图案CNPb可以通过接触孔CT27与第二分支CL-B连接。
第三有源层ACT3的第一低电阻区域B3以及第二低电阻区域C3中的一个可以电连接于感测线ISL，另一个可以电连接于第一存储电容器Cst1。例如，可以是，第三有源层ACT3的第一低电阻区域B3通过接触孔CT28连接于辅助感测线a-ISL，辅助感测线a-ISL通过接触孔CT29连接于感测线ISL。因此，第一低电阻区域B3可以通过辅助感测线a-ISL电连接于感测线ISL。辅助感测线a-ISL可以在与感测线ISL重叠的状态下沿感测线ISL的延伸方向(Y方向)延伸。在平面上，辅助感测线a-ISL可以配置在扫描线SL和控制线CL之间且具有小于扫描线SL和控制线CL之间的隔开距离(Y方向上的隔开距离)的长度。第三有源层ACT3的第二低电阻区域C3可以与第一有机发光二极管OLED1的第一电极211电连接。
第一存储电容器Cst1可以包括至少两个电极。作为一实施例，第一存储电容器Cst1可以包括第一电容器电极CE1以及第二电容器电极CE2。
第一电容器电极CE1可以配置在与第一至第三数据线DL1、DL2、DL3相同的层中。第一电容器电极CE1可以配置在与第一及第二驱动电压线VDLa、VDLb相同的层中。第一电容器电极CE1可以配置在与第一及第二公共电压线VSLa、VSLb相同的层中。
第二电容器电极CE2可以配置在第一电容器电极CE1上，并可以与第一电容器电极CE1重叠。
第二驱动晶体管M21以及第三驱动晶体管M31的具体结构以及物质与前面说明的第一驱动晶体管M11的具体结构以及物质相同。第二开关晶体管M22以及第三开关晶体管M32除了分别连接于第一数据线DL1以及第三数据线DL3的方面之外，与前面说明的第一开关晶体管M12相同。第二感测晶体管M23以及第三感测晶体管M33的具体结构以及物质与前面说明的第一感测晶体管M13的具体结构以及物质相同。第二存储电容器Cst2以及第三存储电容器Cst3的结构与前面说明的第一存储电容器Cst1的结构相同。
第一导电图案CP1可以配置在第一存储电容器Cst1和第一开关晶体管M12之间。第二导电图案CP2可以配置在第二存储电容器Cst2和第二开关晶体管M22之间。第三导电图案CP3可以配置在第三存储电容器Cst3和第三开关晶体管M32之间。后面说明的第一导电图案CP1的结构以及配置可以同样适用于第二导电图案CP2和第三导电图案CP3。
图5是放大示出根据本发明的一实施例的图4的“A”区域的放大图。图6a是根据一实施例的沿图5的II-II’线截取的截面图。图6b是根据一实施例的沿图5的III-III’线截取的截面图。图6c是沿图5的IV-IV’线截取的截面图。
参照图5、图6a至图6c，发光面板1可以包括第一基板10、第一存储电容器Cst1、下绝缘层101、第一至第三绝缘图案105a、105b、105c、第一开关晶体管M12、第一导电图案CP1、钝化层106、上绝缘层107以及像素界定膜109。发光面板1可以还包括第一电极211、发光层221、第二电极231。
第一基板10可以包含玻璃材料或者树脂材料。玻璃材料可以包括以SiO2为主要成分的透明的玻璃。树脂材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素等之类高分子树脂。当第一基板10包含前述的高分子树脂时，可以具有柔性、可卷曲、可弯曲特性。第一基板10可以具有所述物质的单层或者多层结构。
在第一基板10上可以配置第一电容器电极CE1、第一至第三数据线DL1、DL2、DL3以及下绝缘层101。第一电容器电极CE1以及第一至第三数据线DL1、DL2、DL3可以配置于比第二有源层ACT2靠下方处。
第一电容器电极CE1以及第一至第三数据线DL1、DL2、DL3可以包含钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等之类金属。第一电容器电极CE1以及第一至第三数据线DL1、DL2、DL3可以直接配置在第一基板10之上且与第一基板10直接接触，但不限于此。例如，在第一电容器电极CE1以及第一至第三数据线DL1、DL2、DL3和第一基板10之间可以配置绝缘层。
可以是，下绝缘层101配置在第一基板10上，下绝缘层101配置在第一电容器电极CE1以及第一至第三数据线DL1、DL2、DL3上。下绝缘层101可以包含无机绝缘物。
在下绝缘层101上可以配置包括第一绝缘图案105a、第二绝缘图案105b、第三绝缘图案105c的绝缘层105。第一绝缘图案105a可以配置在连接层CNL上。第二绝缘图案105b可以配置在第二有源层ACT2上。第二绝缘图案105b可以配置在第二有源层ACT2和第二栅极电极G2之间。第二绝缘图案105b可以配置在与第二有源层ACT2重叠的区域。第三绝缘图案105c可以配置在连接图案CNP1和下绝缘层101之间。绝缘层105可以包含无机绝缘物。
如图6c所示，第一绝缘图案105a可以包括暴露连接层CNL的至少一部分的开口部OP。开口部OP可以是在形成第一导电图案CP1、第二栅极电极G2以及连接图案CNP1之前的步骤中去除绝缘层105的一部分而形成的区域。由此，配置在开口部OP内的连接层CNL可以在形成第一导电图案CP1的步骤中去除一部分，从而具有比第二电容器电极CE2以及第二有源层ACT2的垂直厚度小的垂直厚度。即，与第一导电图案CP1接触的连接层CNL的至少一部分可以具有比第二电容器电极CE2以及第二有源层ACT2的垂直厚度小的垂直厚度。第一绝缘图案105a可以与第一导电图案CP1的一部分重叠。然而，在另一实施例中，可以去除配置在开口部OP内的连接层CNL整体。此时，第一导电图案CP1的一部分可以配置为与下绝缘层101接触。
在下绝缘层101上可以配置第二电容器电极CE2、连接层CNL以及第一开关晶体管M12的第二有源层ACT2。第二电容器电极CE2、第二有源层ACT2以及连接层CNL可以配置在相同的层中。第二电容器电极CE2、第二有源层ACT2以及连接层CNL可以设置为一体。此时，第二电容器电极CE2、第二有源层ACT2以及连接层CNL设置为一体可以意指在一个图案中包括与第二电容器电极CE2相对应的部分、与第二有源层ACT2相对应的部分以及与连接层CNL相对应的部分。
第二有源层ACT2可以包含氧化物半导体物质。图6a至图6c示出了设置为氧化物半导体的第二有源层ACT2，但是在一些实施例中，第二有源层ACT2可以包含非晶硅或者包含多晶硅。以下，作为一实施例，说明为第二有源层ACT2是氧化物半导体。
第二有源层ACT2可以包括例如选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)以及锌(Zn)的组中的一个以上的物质的氧化物。例如，第二有源层ACT2可以是ITZO(InSnZnO)半导体层或者IGZO(InGaZnO)半导体层。
第二有源层ACT2可以包括第一低电阻区域B2以及第二低电阻区域C2，在第一低电阻区域B2和第二低电阻区域C2之间可以设置沟道区域。
第二电容器电极CE2可以包含与第二有源层ACT2相同的物质。在第二电容器电极CE2上可以配置钝化层106。在第二电容器电极CE2上可以不配置绝缘层105。第二电容器电极CE2可以介于下绝缘层101和钝化层106之间。第二电容器电极CE2可以通过与第二有源层ACT2相同的工艺步骤来形成。第二电容器电极CE2可以随着在上方不配置绝缘层105而通过后续工艺被导体化。
发光面板1可以还包括连接第二电容器电极CE2和第二有源层ACT2的连接层CNL。连接层CNL可以配置在下绝缘层101上。
如图6a以及图6b所示，连接层CNL可以配置在第二电容器电极CE2和第二有源层ACT2之间。连接层CNL可以包括第二电容器电极CE2和第一导电图案CP1之间的第一部分CNLa、第一导电图案CP1和第一开关晶体管M12之间的第二部分CNLb。连接层CNL可以包括第一部分CNLa和第二部分CNLb之间的第三部分CNLc，第三部分CNLc可以与第一导电图案CP1重叠。与第一绝缘图案105a不重叠的连接层CNL的部分可以通过形成连接层CNL、第二电容器电极CE2以及第二栅极电极G2的工艺步骤之后的后续工艺被导体化。例如，如图6a以及图6c所示，配置在开口部OP内的连接层CNL可以被导体化。另外，如图6b所示，配置在开口部OP之外的区域中的连接层CNL的第一部分CNLa以及第二部分CNLb可以被导体化。
第二栅极电极G2可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质中的至少一个，并可以具有包含所述材料的单层或者多层结构。第二栅极电极G2可以包含透明导电性物质。透明导电性物质可以包括铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或者铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)之类导电性氧化物。
如图6a以及图6b所示，第二栅极电极G2可以具有包括第一栅极电极层Ga、第一栅极电极层Ga上的第二栅极电极层Gb以及第二栅极电极层Gb上的第三栅极电极层Gc的三层结构。在示例性实施例中，第一栅极电极层Ga以及第二栅极电极层Gb可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质中的至少一个，第三栅极电极层Gc可以包含透明导电性物质。例如，可以是，第一栅极电极层Ga包含钛(Ti)，第二栅极电极层Gb包含铜(Cu)，第三栅极电极层Gc包含铟锡氧化物(ITO)。
第一导电图案CP1可以配置在第一存储电容器Cst1和第一开关晶体管M12之间。第一导电图案CP1可以配置在第二电容器电极CE2和第二有源层ACT2之间。第一导电图案CP1可以配置在第一存储电容器Cst1和第二栅极电极G2之间。第一导电图案CP1的至少一部分可以在第一基板10上面的垂直的方向(例如，Z方向)上配置为与连接层CNL重叠。第一导电图案CP1的至少一部分可以配置在比第二栅极电极G2低的垂直水平。在本说明书中，垂直水平可以定义为从第一基板10上面到一构成要件的下表面的距离。在示例性实施例中，第一导电图案CP1的至少一部分可以配置在开口部OP内，但不限于此。例如，如图6c所示，第一导电图案CP1可以具有一部分配置在开口部OP内且向开口部OP之外的区域延伸的结构。在示例性实施例中，如图6a以及图6c所示，第一导电图案CP1的一部分可以与连接层CNL接触。第一导电图案CP1的一部分可以介于连接层CNL和钝化层106之间。第一导电图案CP1的至少一部分可以与第一绝缘图案105a接触。第一导电图案CP1的至少一部分可以介于第一绝缘图案105a和钝化层106之间。
第一导电图案CP1可以包含捕获氢的导电性物质。例如，第一导电图案CP1可以包含钛(Ti)等。第一导电图案CP1可以具有单层或者多层结构。第一导电图案CP1可以包含与第二栅极电极G2的至少一个层相同的物质。在示例性实施例中，第一导电图案CP1可以具有与第二栅极电极G2相同的叠层结构。例如，第一导电图案CP1可以包括第一层CPa、第一层CPa上的第二层CPb以及第二层CPb上的第三层CPc。第一导电图案CP1的第一层CPa可以包含与第二栅极电极G2的第一栅极电极层Ga相同的物质。例如，第一导电图案CP1的第一层CPa以及第一栅极电极层Ga可以包含钛(Ti)。第一导电图案CP1的第二层CPb可以包含与第二栅极电极G2的第二栅极电极层Gb相同的物质，第一导电图案CP1的第三层CPc可以包含与第二栅极电极G2的第三栅极电极层Gc相同的物质。第一导电图案CP1可以在与第二栅极电极G2相同的工艺步骤中形成。
随着第一导电图案CP1包含捕获氢的导电性物质，可以防止氢从第二电容器电极CE2向第二栅极电极G2方向扩散。由此，连接层CNL的第一部分CNLa的氢含量可以大于第二部分CNLb的氢含量。在本发明中，由于防止氢扩散到第二栅极电极G2，因此可以防止第二栅极电极G2的导体化来提高电可靠性。
图5至图6c说明了第一导电图案CP1，但是第二像素电路PC2(参照图3)的第二导电图案CP2(参照图3)以及第三像素电路PC3(参照图3)的第三导电图案CP3(参照图3)可以配置在与第一导电图案CP1相同的层上，并包含相同的物质。
可以在绝缘层105上还配置连接图案CNP1。连接图案CNP1可以连接第二有源层ACT2和第二数据线DL2。连接图案CNP1可以通过绝缘层105的第一接触孔CT1与第二有源层ACT2连接，并可以通过绝缘层105的第二接触孔CT2与第二数据线DL2连接。第一接触孔CT1以及第二接触孔CT2可以是在形成第一导电图案CP1、第二栅极电极G2以及连接图案CNP1之前的步骤中去除绝缘层105的一部分而形成的区域。
可以在绝缘层105上配置钝化层106以覆盖第一导电图案CP1、第二栅极电极G2以及连接图案CNP1。钝化层106可以配置在第一导电图案CP1、第二栅极电极G2以及连接图案CNP1上。钝化层106可以包含硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SIOXNY)等无机绝缘物。由于钝化层106所包含的物质产生的氢可以通过第二电容器电极CE2向第二栅极电极G2方向扩散。
可以在钝化层106上配置上绝缘层107。上绝缘层107可以包含有机绝缘物。例如，上绝缘层107可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate；PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene；PS)之类通用高分子、具有苯酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子或者它们的共混物等。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一电极211、发光层221以及第二电极231。第一有机发光二极管OLED1的第一电极211可以配置在上绝缘层107上。可以是，在第一电极211上配置具有暴露第一电极211的一部分的开口的像素界定膜109，通过像素界定膜109的开口以与第一电极211重叠的方式配置发光层221以及第二电极231。
第一电极211可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或者铝锌氧化物(AZO)之类透明导电性氧化物。作为另一实施例，第一电极211可以包括包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物的反射膜。作为另一实施例，第一电极211可以在前述的反射膜之上/之下还包括由ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的膜。作为一些实施例，第一电极211可以是ITO层、Ag层、ITO层的三层结构。
图5至图6c说明了第一有机发光二极管OLED1的第一电极211，但是第二及第三有机发光二极管OLED2、OLED3(参照图4)的第一电极212、213(参照图4)可以配置在与第一有机发光二极管OLED1的第一电极211相同的层上，并包含相同的物质。
发光层221可以包含发射蓝色光的高分子或者低分子有机物。发光层221可以形成为整体覆盖第一基板10。例如，发光层221可以形成为一体以整体覆盖参照图4说明的第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2、OLED3。但是，本发明不限于此，如图6a所示，发光层221也可以形成在像素界定膜109的开口内而不形成为一体。第二电极231也可以形成为整体覆盖第一基板10。
第二电极231可以是半透射或者透射电极。第二电极231可以是包括包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物的超薄膜金属的半透射电极。例如，第二电极231可以是具有MgAg层、AgYb层、Yb层/MgAg层或者Li层/MgAg层之类结构的半透射膜。第二电极231可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或者铝锌氧化物(AZO)之类透明导电性氧化物。
像素界定膜109可以包含苯并环丁烯(BCB；Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)或者六甲基二硅氧烷(HMDSO；Hexamethyldisiloxane)等有机绝缘物。或者，像素界定膜109可以包含硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、硅氧化物(SiOX)之类无机绝缘物。或者，像素界定膜109可以包含有机绝缘物以及无机绝缘物。在一实施例中，像素界定膜109可以包含遮光物质，并设置为黑色。遮光物质可以包括碳黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或者膏剂、金属粒子(例如，镍、铝、钼以及其合金)、金属氧化物粒子(例如，铬氧化物)或者金属氮化物粒子(例如，铬氮化物)等。当像素界定膜109包含遮光物质时，可以减少由于配置在像素界定膜109的下方的金属构造物引起的外部光反射。
以下，在参照附图的说明中示出的附图标记中，与图5、图6a至图6c中示出的附图标记相同的附图标记意指相同或相对应的部件，因此，为了方便起见，省略针对其的说明，仅叙述变更内容。
图6d是示出与沿图5的III-III’线截取的截面图相对应的区域中的变形实施例的截面图。
参照图6d，第一绝缘图案105a可以不配置在第一导电图案CP1下方。第一绝缘图案105a可以与第一导电图案CP1不重叠。本实施例可以适用于图5的开口部OP的沿Y方向的宽度大于连接层CNL的沿Y方向的宽度的情况。
连接层CNL可以配置在第二电容器电极CE2和第二有源层ACT2之间。连接层CNL可以配置在下绝缘层101上。连接层CNL可以介于第一导电图案CP1和下绝缘层101之间。连接层CNL可以与第一绝缘图案105a不重叠。第一导电图案CP1可以配置在连接层CNL上。在连接层CNL和第一导电图案CP1重叠的整体区域中，连接层CNL可以与第一导电图案CP1接触。
图7是放大示出根据本发明的另一实施例的图4的“A”区域的放大图。图8是沿图7的V-V’线截取的截面图。
参照图7以及图8，绝缘层105可以配置在第二有源层ACT2以及连接层CNL上。绝缘层105可以包括第一绝缘图案105a、第二绝缘图案105b以及第三绝缘图案105c。第一绝缘图案105a可以介于第一导电图案CP1和连接层CNL之间。在本实施例中，与图5至图6c的实施例不同，连接层CNL可以不包括开口部OP(参照图5)。在本实施例中，连接层CNL以及第一绝缘图案105a可以整体重叠。
可以在下绝缘层101上配置第二电容器电极CE2、连接层CNL以及第一开关晶体管M12的第二有源层ACT2。第二电容器电极CE2、第二有源层ACT2以及连接层CNL可以配置在相同的层中。第二电容器电极CE2、第二有源层ACT2以及连接层CNL可以设置为一体。
连接层CNL可以包含与第二有源层ACT2相同的物质。连接层CNL可以在与第二有源层ACT2相同的工艺步骤中形成。在本实施例中，连接层CNL可以在与第一绝缘图案105a不重叠的第一部分CNLa以及第二部分CNLb中被导体化，与第一绝缘图案105a重叠的第三部分CNLc可以不被导体化，但不限于此。
第一导电图案CP1可以在第一存储电容器Cst1和第一开关晶体管M12之间配置为与连接层CNL重叠。第一导电图案CP1可以与连接层CNL以及第一绝缘图案105a重叠。在一实施例中，第一导电图案CP1可以通过第一绝缘图案105a与连接层CNL隔开。在一实施例中，第一导电图案CP1可以电浮置，但不限于此。第一导电图案CP1可以配置在与第二栅极电极G2实质上相同的垂直水平上。第一导电图案CP1可以与第一绝缘图案105a接触。第一导电图案CP1可以介于第一绝缘图案105a和钝化层106之间。
即使在第一导电图案CP1配置在第一绝缘图案105a上而与连接层CNL隔开的情况下，由于第一导电图案CP1所包含的捕获氢的导电性物质，第一部分CNLa的氢含量可以大于第二部分CNLb的氢含量。
如上所述，本发明参考附图所示的一实施例进行了说明，但是其不过是示例性的，只要是本技术领域中具有通常知识的人就可以理解能够由此实施各种变形及实施例的变形。因此，本发明的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术构思而定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，具备：
晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且具有至少一个层的栅极电极；
存储电容器，与所述晶体管电连接，并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极；
连接层，连接所述第二电容器电极和所述有源层；以及
导电图案，配置在所述存储电容器和所述晶体管之间，并包含与所述栅极电极的至少一个层相同的物质。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分，
所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电容器电极、所述连接层以及所述有源层设置为一体。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
绝缘图案，位于所述连接层和所述导电图案之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述绝缘图案包括在所述存储电容器和所述晶体管之间暴露所述连接层的至少一部分的开口部，
所述导电图案与通过所述开口部暴露的所述连接层的至少一部分接触。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述导电图案的至少一部分配置在所述开口部内。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
与所述导电图案接触的所述连接层的所述至少一部分具有比所述第二电容器电极的垂直厚度小的垂直厚度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述导电图案的至少一部分配置在比所述栅极电极低的垂直水平。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述导电图案通过所述绝缘图案与所述连接层隔开。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述导电图案的至少一部分配置在与所述栅极电极相同的垂直水平。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述导电图案具有与所述栅极电极相同的叠层结构。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述栅极电极包括第一栅极电极层、所述第一栅极电极层上的第二栅极电极层以及所述第二栅极电极层上的第三栅极电极层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述导电图案包括第一层、所述第一层上的第二层以及所述第二层上的第三层，
所述导电图案的所述第一层包含与所述第一栅极电极层相同的物质。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第二栅极电极层包含与所述导电图案的所述第二层相同的物质，
所述第三栅极电极层包含与所述导电图案的所述第三层相同的物质。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述导电图案包含钛。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
钝化层，配置在所述栅极电极以及所述导电图案上，并包含硅氮化物或者硅氮氧化物。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述栅极电极接收扫描信号。
18.一种显示装置，其中，具备：
晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠的栅极电极；
存储电容器，与所述晶体管电连接，并包括配置于比所述有源层靠下方处的第一电容器电极以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极；
连接层，与所述第二电容器电极以及所述有源层设置为一体，并连接所述第二电容器电极和所述有源层；
导电图案，配置在所述存储电容器和所述晶体管之间，并具有与所述栅极电极相同的叠层结构；以及
钝化层，配置在所述栅极电极以及所述导电图案上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述连接层包括所述第二电容器电极和所述导电图案之间的第一部分以及所述导电图案和所述晶体管之间的第二部分，
所述第一部分的氢含量大于所述第二部分的氢含量。
20.一种显示装置，其中，包括：
第一驱动电压线以及第一公共电压线，在基板上沿第一方向延伸；
扫描线，沿与所述第一驱动电压线以及所述第一公共电压线交叉的第二方向延伸；
开关晶体管，包括有源层以及与所述有源层的沟道区域重叠且与所述扫描线连接的栅极电极；
存储电容器，与所述开关晶体管电连接，并包括第一电容器电极以及第二电容器电极；以及
导电图案，配置在所述开关晶体管和所述存储电容器之间。
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