CN221010085U - 一种电平移位电路、驱动芯片以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种电平移位电路，包括第一级电路和第二级电路，第一级电路用于根据第一脉冲信号和第二脉冲信号导通相应的通路并生成第一电流信号和第二电流信号，其第一输入端耦接第一脉冲信号，第二输入端耦接第二脉冲信号，第一输出端和第二输出端分别输出第一电流信号和第二电流信号；第二级电路用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位信号，其第一输入端、第二输入端分别耦接第一级电路的第一电流信号和第二电流信号，输出端输出电平移位信号。本实用新型通过两级电路实现两个不同电压域的切换，且获得更低的延迟，能够根据电路需求而输出轨对轨的电压范围，降低了dv/dt噪声，且没有产生额外的静态功耗。

Description

一种电平移位电路、驱动芯片以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体但不限于涉及一种电平移位电路、驱动芯片以及电子设备。

背景技术

电平移位电路(Level Shift，LS)作为不同电压域之间的桥梁，是一个在SoC设计中经常会用到的基础电路。在多电压供电的芯片中，通常需要采用电平移位电路用于将各种电压信号的电压电平改变为所需电压电平。电平移位电路的主要作用是将输入信号从高电压域切换到低电压域，或从低电压域切换到高电压域。电平移位电路通常包含多个晶体管的电路，通过接收低电压电平的输入信号经移位得到输出高电压电平的输出信号。不同电压域的VDD是不一样的，如果不进行电压转换，器件就无法正常工作。

例如，高压半桥驱动芯片由高侧和低侧驱动电路构成，通常高低侧驱动电路之间有高低压隔离区，而高侧驱动信号的产生需要专门的电平位移电路进行电压域转换，在具体应用中，高压半桥应用从几十伏到几百伏不等，驱动芯片内部需要集成能耐该电压的器件进行电压域转换。

图1为一种传统的电平移位电路结构，图中VDD_H为高电压域的电源电压，当输入信号VIN为“1”时，MOS管M1开启、MOS管M2关断，MOS管M1将MOS管M4的栅极电位下拉，从而MOS管M4导通，对MOS管M3的栅极充电，随着电位的上升，MOS管M3关断。类似的，当输入信号VIN为“0”时，MOS管M1关断而MOS管M2导通，整个过程将反置。如图2所示为传统的电平移位电路的输入-输出波形图。

当输入电压与输出电压相差较大时，电平移位电路则会引入较大的延迟，且其输出电压范围为0～VDDH，但在大部分时候并不需要这么宽的电压范围，同时这也对器件的耐压性提出了更高的要求。

综上所述，传统的电平移位电路存在延时大，速度慢，开关损耗大等问题，有鉴于此，需要提供一种新的结构，以期解决上述至少部分问题。

实用新型内容

针对现有技术中的一个或多个问题，本实用新型提出了一种电平移位电路，通过两级电路实现两个不同电压域的切换，且获得更低的延迟，能够根据电路需求而输出轨对轨的电压范围，降低了dv/dt噪声，且没有产生额外的静态功耗。

实现本实用新型目的的技术解决方案为：

一种电平移位电路，包括：

第一级电路，用于根据第一脉冲信号和第二脉冲信号导通相应的通路并生成第一电流信号和第二电流信号，第一级电路具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中，第一输入端耦接第一脉冲信号，第二输入端耦接第二脉冲信号，第一输出端和第二输出端分别输出第一电流信号和第二电流信号；

第二级电路，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位信号，第二级电路具有第一输入端、第二输入端和输出端，其中，第一输入端、第二输入端分别耦接第一级电路的第一电流信号和第二电流信号，输出端输出电平移位信号。

可选的，所述第一脉冲信号和第二脉冲信号为脉冲电压信号。

可选的，第一级电路包括第一电阻、第二电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第五MOS管，其中，第一电阻的第一端和第二电阻的第一端均耦接第一电压，第一电阻的第二端、第一MOS管的源极和第二MOS管的栅极相连作为第一级电路的第二输入端并耦接第二脉冲信号，第二电阻的第二端、第一MOS管的栅极和第二MOS管的源极相连作为第一级电路的第一输入端并耦接第一脉冲信号，第一MOS管的漏极与第三MOS管的栅极和漏极耦接并作为第一级电路的第一输出端，所述第一输出端输出第一电流信号，第二MOS管的漏极与第五MOS管的栅极和漏极耦接并作为第一级电路的第二输出端，所述第二输出端输出第二电流信号，第三MOS管的源极和第五MOS管的源极均耦接第二电压。

可选的，第二级电路包括：

第一移位模块，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第一信号，第一移位模块具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路的第一输出端和第二输出端耦接并分别接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器的输入端S端口耦接；

第二移位模块，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第二信号，第二移位模块具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路的第一输出端和第二输出端耦接并分别接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器的输入端R端口耦接；

RS触发器，用于根据电平移位后的第一信号和/或第二信号生成电平移位后的原始信号，RS触发器的第一端和第二端分别耦接第一电压和第二电压，输出端Q端口输出电平移位后的原始信号。

可选的，所述电平移位后的第一信号和第二信号均为经过电平移位后的窄脉冲信号。

可选的，第一移位模块包括：第四MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，其中，第四MOS管的栅极作为第一移位模块的一输入端耦接第一级电路的第一输出端并接入第一电流信号，第四MOS管的源极耦接第二电压，第四MOS管的漏极与第七MOS管的栅极和漏极、第八MOS管的栅极耦接，第七MOS管的源极和第八MOS管的源极均耦接第一电压，第六MOS管的栅极作为第一移位模块的另一输入端耦接第一级电路的第二输出端并接入第二电流信号，第六MOS管的源极耦接第二电压，第六MOS管的漏极与第八MOS管的漏极、第三电阻的第一端相连作为第一移位模块的输出端与RS触发器的输入端S端口耦接，第三电阻的第二端耦接第二电压。

可选的，第二移位模块包括：第十一MOS管、第十二MOS管、第九MOS管、第十MOS管和第四电阻，第十一MOS管的栅极作为第二移位模块的一输入端耦接第一级电路的第二输出端并接入第二电流信号，第十一MOS管的源极耦接第二电压，第十一MOS管的漏极与第九MOS管的栅极和漏极、第十MOS管的栅极耦接，第九MOS管的源极和第十MOS管的源极均耦接第一电压，第十二MOS管的栅极作为第二移位模块的另一输入端耦接第一级电路的第一输出端并接入第一电流信号，第十二MOS管的源极耦接第二电压，第十二MOS管的漏极与第十MOS管的漏极、第四电阻的第一端相连作为第二移位模块的输出端与RS触发器的输入端R端口耦接，第四电阻的第二端耦接第二电压。

可选的，还包括窄脉冲产生电路，其具有一个输入端和两个输出端，其输入端接入输入信号，窄脉冲产生电路用于基于输入信号产生第一脉冲信号和第二脉冲信号，两个输出端与第一级电路耦接并分别输出第一脉冲信号和第二脉冲信号。

可选的，窄脉冲产生电路包括分别输出第一脉冲信号和第二脉冲信号的两个通路。

根据本实用新型的另一个方面，一种驱动芯片，包括上述任一的电平移位电路。

根据本实用新型的再一个方面，一种电子设备，包括上述的驱动芯片。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：

本实用新型的电平移位电路，采用两种脉冲信号通过第一级电路和第二级电路，实现了两个不同电压域的切换，且获得更低的延迟，能够输出轨对轨的电压范围，降低了dv/dt噪声，可以降低静态电流，且没有产生额外的静态功耗，从而降低了电路的整体功耗。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，与说明描述一起用于解释本实用新型的实施例，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1示出了现有技术的电平移位电路示意图。

图2示出了现有技术的电平移位电路的输入-输出信号波形图。

图3示出了本实用新型的电平移位电路示意图。

图4示出了本实用新型的电平移位电路的输入-输出信号波形图。

图中标记：1、第一级电路，2、第二级电路，21、第一移位模块，22、第二移位模块，23、RS触发器，3、窄脉冲产生电路。

具体实施方式

为了进一步理解本实用新型，下面结合实施例对本实用新型优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本实用新型的特征和优点，而不是对本实用新型权利要求的限制。

该部分的描述只针对几个典型的实施例，本实用新型并不仅局限于实施例描述的范围。不同实施例的组合、不同实施例中的一些技术特征进行相互替换，相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本实用新型描述和保护的范围内。

说明书中的“耦接”或“连接”既包含直接连接，也包含间接连接。间接连接为通过中间媒介进行的连接，如通过电传导媒介如导体的连接，其中电传导媒介可含有寄生电感或寄生电容，也可通过说明书中实施例所描述的中间电路或部件的连接；间接连接还可包括可实现相同或相似功能的基础上通过其他有源器件或无源器件的连接，如通过开关、信号放大电路、跟随电路等电路或部件的连接。“多个”或“多”表示两个或两个以上。

根据本实用新型的一个方面，如图3所示，一种电平移位电路，包括第一级电路1和第二级电路2。其中，第一级电路1用于接入第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls并根据第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls导通其内部相应的通路，从而相应地生成并输出第一电流信号和第二电流信号；第二级电路2用于接入第一电流信号和第二电流信号并根据第一电流信号和第二电流信号生成并输出电平移位信号OUT。

在一个实施例中，第一级电路1具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，如图3所示，第一输入端耦接第一脉冲信号Vhs，第二输入端耦接第二脉冲信号Vls，优选的，第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls为脉冲电压信号；第一输出端和第二输出端分别输出第一电流信号和第二电流信号。在一个优选的实施方式中，第一级电路1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第五MOS管M5，其中，第一电阻R1的第一端和第二电阻R2的第一端均耦接第一电压VH，第一电阻R1的第二端、第一MOS管M1的源极和第二MOS管M2的栅极相连作为第一级电路1的第二输入端并耦接第二脉冲信号Vls，第二电阻R2的第二端、第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的源极相连作为第一级电路1的第一输入端并耦接第一脉冲信号Vhs，第一MOS管M1的漏极与第三MOS管M3的栅极和漏极耦接并作为第一级电路1的第一输出端，第二MOS管M2的漏极与第五MOS管M5的栅极和漏极耦接并作为第一级电路1的第二输出端，第三MOS管M3的源极和第五MOS管M5的源极均耦接第二电压VS。第一级电路1根据输入的第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls选通相应的第一MOS管M1或第二MOS管M2，第一脉冲电压信号Vhs和第二脉冲电压信号Vls经过第一级电路1转换为第一MOS管M1支路或第二MOS管M2支路上的MOS管的漏电流。具体的，第一MOS管M1、第二MOS管M2分别接入第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls，第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls分别作为第一MOS管M1、第二MOS管M2的栅极偏置电压作用于第一MOS管M1、第二MOS管M2，当第一脉冲信号Vhs为低电平、第二脉冲信号Vls为高电平时，第一MOS管M1导通，第二MOS管M2关断，第一MOS管M1的支路产生电流，此时第三MOS管M3的VGS大于第五MOS管M5的VGS，第三MOS管M3上产生漏电流，同时触发第二级电路；当第一脉冲信号Vhs为高电平、第二脉冲信号Vls为低电平时，第二MOS管M2导通，第一MOS管M1关断，第二MOS管M2的支路产生电流，第五MOS管M5的VGS大于第三MOS管M3的VGS，第五MOS管M5上产生漏电流，同时触发第二级电路。在另一个实施例中，第一级电路1可以是锁存器电路，同样是接入脉冲电压信号，并输出电流信号。

在一个实施例中，第二级电路2具有第一输入端、第二输入端和输出端，如图3所示，第一输入端、第二输入端分别耦接第一级电路输出的第一电流信号和第二电流信号，输出端输出电平移位信号OUT。在一个优选的实施方式中，第二级电路2包括第一移位模块21、第二移位模块22和RS触发器23。其中，第一移位模块21用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第一信号；第二移位模块用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第二信号；所述电平移位后的第一信号和第二信号均为经过电平移位后的窄脉冲信号；RS触发器用于根据电平移位后的第一信号和/或第二信号生成电平移位信号OUT，所述电平移位信号OUT为经过电平移位后的原始信号，即经过电平移位后的窄脉冲信号通过RS触发器还原成电平移位后的原始信号。

如图3所示，第一移位模块21具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路1的第一输出端和第二输出端耦接并接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器23的输入端S端口耦接。第二移位模块22具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路1的第一输出端和第二输出端耦接并接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器23的输入端R端口耦接。RS触发器23的第一端和第二端分别耦接第一电压VH和第二电压VS，输出端Q端口输出电平移位信号。

优选的，第一移位模块21包括：第四MOS管M4、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第三电阻R3，其中，第四MOS管M4的栅极作为第一移位模块21的一输入端耦接第一级电路1的第一输出端并接入第一电流信号，第四MOS管M4的源极耦接第二电压VS，第四MOS管M4与第三MOS管M3相当于组成了一等比例的电流镜，第四MOS管M4的漏极与第七MOS管M7的栅极和漏极、第八MOS管M8的栅极耦接，第七MOS管M7的源极和第八MOS管M8的源极均耦接第一电压VH，第六MOS管M6的栅极作为第一移位模块21的另一输入端耦接第一级电路1的第二输出端并接入第二电流信号，第六MOS管M6的源极耦接第二电压VS，第六MOS管M6与第五MOS管M5相当于组成了另一等比例的电流镜，第六MOS管M6的漏极与第八MOS管M8的漏极、第三电阻R3的第一端相连作为第一移位模块21的输出端与RS触发器23的输入端S端口耦接，第三电阻R3的第二端耦接第二电压VS。具体的，如图4所示，第四MOS管M4和第六MOS管M6相当于第一移位模块21的输入对管，当第一脉冲信号Vhs为低电平、第二脉冲信号Vls为高电平时，第一MOS管M1导通，第二MOS管M2关断，第一MOS管M1的支路产生电流，则第三MOS管M3和第四MOS管M4的VGS大于第五MOS管M5和第六MOS管M6的VGS，第三MOS管M3和第四MOS管M4上产生漏电流，第一移位模块21输出高电平。此时，RS触发器的输入端S端口输入为高电平，输出端Q端口输出OUT置1。当第一脉冲信号Vhs为高电平、第二脉冲信号Vls为低电平时，第二MOS管M2导通，第一MOS管M1关断，第二MOS管M2的支路产生电流，则第五MOS管M5和第六MOS管M6的VGS大于第三MOS管M3和第四MOS管M4的VGS，第五MOS管M5和第六MOS管M6上产生漏电流，第一移位模块21输出低电平。此时，RS触发器的输入端S端口输入为低电平，输出端Q端口输出OUT置0。

优选的，第二移位模块22包括：第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第九MOS管M9、第十MOS管M10和第四电阻R4，其中，第十一MOS管M11的栅极作为第二移位模块22的一输入端耦接第一级电路1的第二输出端并接入第二电流信号，第十一MOS管M11的源极耦接第二电压VS，第十一MOS管M11与第五MOS管M5相当于组成了一等比例的电流镜，第十一MOS管M11的漏极与第九MOS管M9的栅极和漏极、第十MOS管M10的栅极耦接，第九MOS管M9的源极和第十MOS管M10的源极均耦接第一电压VH，第十二MOS管M12的栅极作为第二移位模块22的另一输入端耦接第一级电路1的第一输出端并接入第一电流信号，第十二MOS管M12的源极耦接第二电压VS，第十二MOS管M12与第三MOS管M3相当于组成了另一等比例的电流镜，第十二MOS管M12的漏极与第十MOS管M10的漏极、第四电阻R4的第一端相连作为第二移位模块22的输出端与RS触发器23的输入端R端口耦接，第四电阻R4的第二端耦接第二电压VS。具体的，如图4所示，第十一MOS管M11和第十二MOS管M12相当于第二移位模块22的输入对管，当第一脉冲信号Vhs为低电平、第二脉冲信号Vls为高电平时，第一MOS管M1导通，第二MOS管M2关断，第一MOS管M1的支路产生电流，则第三MOS管M3和第十二MOS管M12的VGS大于第五MOS管M5和第十一MOS管M11的VGS，第三MOS管M3和第十二MOS管M12上产生漏电流，第二移位模块22输出低电平。此时，RS触发器的输入端R端口输入为低电平，输出端Q端口输出OUT置1。当第一脉冲信号Vhs为高电平、第二脉冲信号Vls为低电平时，第二MOS管M2导通，第一MOS管M1关断，第二MOS管M2的支路产生电流，则第五MOS管M5和第十一MOS管M11的VGS大于第三MOS管M3和第十二MOS管M12的VGS，第五MOS管M5和第十一MOS管M11上产生漏电流，第二移位模块22输出高电平。此时，RS触发器的输入端R端口输入为高电平，输出端Q端口输出OUT置0。

本实用新型提出的电平移位电路，能够在两个不同电压域切换中可以获得更低的延迟；针对现有技术的电平移位电路从0～VDD移位到0～VDDH，0～VDDH并非是后续电路所需的电压域，而本实用新型通过移位能够输出轨对轨的VS～VH的电压范围，即从0～VDD移位到VS～VH，满足了后续电路的电压域需求，同时降低了dv/dt噪声，且没有额外静态功耗。

根据本实用新型的另一个方面，如图3所示，一种电平移位电路，包括第一级电路1、第二级电路2和窄脉冲产生电路3。其中，窄脉冲产生电路3用于基于输入信号IN产生第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls，具体的，当输入信号IN是一个矩形波，在其上升沿时Vhs端口会产生一个窄脉冲即为第一脉冲信号Vhs，再起下降沿时Vls端口会产生一个窄脉冲即为第二脉冲信号Vls；第一级电路1用于根据第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls导通其内相应的通路，并相应地生成并输出第一电流信号和第二电流信号；第二级电路2用于根据第一电流信号和第二电流信号生成并输出电平移位信号OUT。

在一个实施例中，窄脉冲产生电路3具有一个输入端和两个输出端，其输入端接入输入信号IN，两个输出端与第一级电路1耦接并分别输出第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls。优选的，窄脉冲产生电路3内部包含可以分别输出第一脉冲信号Vhs和第二脉冲信号Vls的两个通路。第一级电路1具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中，第一输入端耦接窄脉冲产生电路3的第一脉冲信号Vhs，第二输入端耦接窄脉冲产生电路3的第二脉冲信号Vls，第一输出端和第二输出端分别输出第一电流信号和第二电流信号。第二级电路2具有第一输入端、第二输入端和输出端，第一输入端、第二输入端分别耦接第一级电路1的第一电流信号和第二电流信号，输出端输出电平移位信号OUT。优选的，第二级电路2包括第一移位模块21、第二移位模块22和RS触发器23。其中，第一移位模块21用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第一信号并耦接RS触发器23的S端口；第二移位模块用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第二信号并耦接RS触发器23的R端口；RS触发器用于根据电平移位后的第一信号和/或第二信号输出电平移位信号，所述电平移位信号OUT为经过电平移位后的原始信号。

基于上述电平移位电路，本实用新型还提出了一种驱动芯片，包括上述任一的电平移位电路，能够通过轨对轨的电平移位实现驱动不同电压域的电路。

基于上述驱动芯片，本实用新型还提出了一种电子设备，包括上述的驱动芯片。

本领域技术人员应当知道，说明书或附图所涉逻辑控制中的“高电平”与“低电平”、“置位”与“复位”、“与门”与“或门”、“同相输入端”与“反相输入端”等逻辑控制可相互调换或改变，通过调节后续逻辑控制而实现与上述实施例相同的功能或目的。

这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。说明书中所涉及的效果或优点等相关描述可因具体条件参数的不确定或其它因素影响而可能在实际实验例中不能体现，效果或优点等相关描述不用于对实用新型范围进行限制。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (11)

1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：

第一级电路，用于根据第一脉冲信号和第二脉冲信号导通相应的通路并生成第一电流信号和第二电流信号，第一级电路具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中，第一输入端耦接第一脉冲信号，第二输入端耦接第二脉冲信号，第一输出端和第二输出端分别输出第一电流信号和第二电流信号；

第二级电路，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位信号，第二级电路具有第一输入端、第二输入端和输出端，其中，第一输入端、第二输入端分别耦接第一级电路的第一电流信号和第二电流信号，输出端输出电平移位信号。

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一脉冲信号和第二脉冲信号为脉冲电压信号。

3.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，第一级电路包括第一电阻、第二电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第五MOS管，其中，第一电阻的第一端和第二电阻的第一端均耦接第一电压，第一电阻的第二端、第一MOS管的源极和第二MOS管的栅极相连作为第一级电路的第二输入端并耦接第二脉冲信号，第二电阻的第二端、第一MOS管的栅极和第二MOS管的源极相连作为第一级电路的第一输入端并耦接第一脉冲信号，第一MOS管的漏极与第三MOS管的栅极和漏极耦接并作为第一级电路的第一输出端，所述第一输出端输出第一电流信号，第二MOS管的漏极与第五MOS管的栅极和漏极耦接并作为第一级电路的第二输出端，所述第二输出端输出第二电流信号，第三MOS管的源极和第五MOS管的源极均耦接第二电压。

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，第二级电路包括：

第一移位模块，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第一信号，第一移位模块具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路的第一输出端和第二输出端耦接并分别接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器的输入端S端口耦接；

第二移位模块，用于根据第一电流信号和第二电流信号生成电平移位后的第二信号，第二移位模块具有两个输入端和一个输出端，其中，两个输入端分别与第一级电路的第一输出端和第二输出端耦接并分别接入第一电流信号和第二电流信号，输出端与RS触发器的输入端R端口耦接；

RS触发器，用于根据电平移位后的第一信号和/或第二信号生成电平移位后的原始信号，RS触发器的第一端和第二端分别耦接第一电压和第二电压，输出端Q端口输出电平移位后的原始信号。

5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位后的第一信号和第二信号均为经过电平移位后的窄脉冲信号。

6.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，第一移位模块包括：第四MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，其中，第四MOS管的栅极作为第一移位模块的一输入端耦接第一级电路的第一输出端并接入第一电流信号，第四MOS管的源极耦接第二电压，第四MOS管的漏极与第七MOS管的栅极和漏极、第八MOS管的栅极耦接，第七MOS管的源极和第八MOS管的源极均耦接第一电压，第六MOS管的栅极作为第一移位模块的另一输入端耦接第一级电路的第二输出端并接入第二电流信号，第六MOS管的源极耦接第二电压，第六MOS管的漏极与第八MOS管的漏极、第三电阻的第一端相连作为第一移位模块的输出端与RS触发器的输入端S端口耦接，第三电阻的第二端耦接第二电压。

7.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，第二移位模块包括：第十一MOS管、第十二MOS管、第九MOS管、第十MOS管和第四电阻，第十一MOS管的栅极作为第二移位模块的一输入端耦接第一级电路的第二输出端并接入第二电流信号，第十一MOS管的源极耦接第二电压，第十一MOS管的漏极与第九MOS管的栅极和漏极、第十MOS管的栅极耦接，第九MOS管的源极和第十MOS管的源极均耦接第一电压，第十二MOS管的栅极作为第二移位模块的另一输入端耦接第一级电路的第一输出端并接入第一电流信号，第十二MOS管的源极耦接第二电压，第十二MOS管的漏极与第十MOS管的漏极、第四电阻的第一端相连作为第二移位模块的输出端与RS触发器的输入端R端口耦接，第四电阻的第二端耦接第二电压。

8.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，还包括窄脉冲产生电路，其具有一个输入端和两个输出端，其输入端接入输入信号，窄脉冲产生电路用于基于输入信号产生第一脉冲信号和第二脉冲信号，两个输出端与第一级电路耦接并分别输出第一脉冲信号和第二脉冲信号。

9.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，窄脉冲产生电路包括分别输出第一脉冲信号和第二脉冲信号的两个通路。

10.一种驱动芯片，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的电平移位电路。

11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的驱动芯片。