CN220820976U - 可折叠显示装置以及包括其的电子装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及可折叠显示装置以及包括其的电子装置。显示装置包括显示面板，显示面板具有两个非折叠区域和在两个非折叠区域之间的折叠区域。窗在显示面板上。第一粘合剂层在窗和显示面板之间，并且具有第一厚度。下结构在显示面板之下。下结构包括：第一支承层，与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；数字化仪，在第一支承层之下，包括环形线圈，并且与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；电磁屏蔽层，在数字化仪之下，具有第二厚度；金属层，在电磁屏蔽层之下；以及绝缘的第二支承层，在金属层之下。第一厚度为约75μm至约100μm，并且第二厚度为约30μm至约60μm。

Description

可折叠显示装置以及包括其的电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月25日提交的第10-2022-0107087号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本文中的本公开涉及显示装置以及包括其的电子装置，并且更具体地，涉及可折叠显示装置以及包括其的电子装置。
背景技术
显示装置包括可以响应于电信号而被激活的显示区域。显示装置可以通过显示区域检测外部施加的输入(诸如用户的触摸)，并且显示各种图像以向用户提供信息。由于最近已经开发了具有各种形状的显示装置，因此还实现了具有各种形状的显示区域。
实用新型内容
显示装置包括显示面板，显示面板包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在第一非折叠区域与第二非折叠区域之间的折叠区域。窗设置在显示面板上。第一粘合剂层设置在窗和显示面板之间，第一粘合剂层具有第一厚度。下结构设置在显示面板之下。下结构包括：第一支承层，至少与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；数字化仪，设置在第一支承层之下，包括环形线圈，并且与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；电磁屏蔽层，设置在数字化仪之下并且具有第二厚度；金属层，设置在电磁屏蔽层之下；以及第二支承层，设置在金属层之下并且具有绝缘性质。第一厚度为约75μm至约100μm，并且第二厚度为约30μm至约60μm。
下结构还可以包括：下部分保护膜，设置在显示面板之下；以及第一附加粘合剂层，设置在下部分保护膜和第一支承层之间。第一附加粘合剂层可以直接设置在下部分保护膜之下。第一支承层可以直接设置在第一附加粘合剂层之下。
第二支承层可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
第一支承层可以包括纤维增强复合材料。
下结构还可以包括：磁场屏蔽片，设置在第二支承层的一部分和电磁屏蔽层的一部分之下。
显示装置还可以包括：上部分膜，设置在显示面板和第一粘合剂层之间。上部分膜可以直接设置在第一粘合剂层之下。
窗可以包括：薄膜玻璃衬底，设置在第一粘合剂层上；以及窗保护层，设置在薄膜玻璃衬底上。
数字化仪可以包括：第一数字化仪，与第一非折叠区域重叠；以及第二数字化仪，与第二非折叠区域重叠。
下结构还可以包括：第二附加粘合剂层，设置在数字化仪和第一支承层之间。
电磁屏蔽层可以包括：第一电磁屏蔽层，设置在第一数字化仪之下；以及第二电磁屏蔽层，设置在第二数字化仪之下。
金属层可以包括：第一金属层，设置在第一数字化仪之下；以及第二金属层，设置在第二数字化仪之下。第二支承层可以包括：第2-1支承层，设置在第一金属层之下；以及第2-2支承层，设置在第二金属层之下。
下结构还可以包括：下部分粘合剂层，设置在金属层和第二支承层之间。下部分粘合剂层可以直接设置在金属层之下，并且第二支承层可以直接设置在下部分粘合剂层之下。
第一支承层可以包括：第一支承部分，与第一非折叠区域对应；第二支承部分，与第二非折叠区域对应；以及折叠部分，设置在第一支承部分和第二支承部分之间，该折叠部分包括多个开口。下结构还可以包括：覆盖层，附接到折叠部分的底表面并且与数字化仪间隔开。
第二支承层的底表面的至少一部分可以限定下结构的最下表面。
下结构可以包括：通孔，穿过第一支承层、数字化仪、电磁屏蔽层、金属层和第二支承层。
显示装置包括显示面板，显示面板包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在第一非折叠区域与第二非折叠区域之间的折叠区域。窗设置在显示面板上。下结构设置在显示面板之下。下结构还包括：数字化仪，包括环形线圈，并且与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；电磁屏蔽层，直接设置在数字化仪之下；金属层，设置在电磁屏蔽层之下；下部分粘合剂层，直接设置在金属层之下；以及第二支承层，直接设置在下部分粘合剂层之下，并且包括绝缘的聚合物材料。
下结构还可以包括：下部分保护膜，设置在显示面板之下；第一附加粘合剂层，设置在下部分保护膜之下；第一支承层，设置在第一附加粘合剂层之下；以及第二附加粘合剂层，设置在数字化仪和第一支承层之间。第一附加粘合剂层可以直接设置在下部分保护膜之下。第一支承层可以直接设置在第一附加粘合剂层之下。第二附加粘合剂层可以直接设置在第一支承层之下。数字化仪可以直接设置在第二附加粘合剂层之下。
数字化仪的厚度可以为约120μm至约180μm，电磁屏蔽层的厚度可以为约30μm至约60μm，并且第二支承层的厚度与所述第二附加粘合剂层的厚度的总和可以为约1μm至约10μm。
电子装置包括显示装置，显示装置包括通过其传输光信号的感测区域以及与感测区域相邻的显示区域。电子光学模块设置在显示装置之下，与感测区域重叠，并且被配置成接收光信号。显示装置包括显示面板，显示面板包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在第一非折叠区域和第二非折叠区域之间的折叠区域。窗设置在显示面板上。第一粘合剂层设置在窗和显示面板之间。第一粘合剂层具有第一厚度。下结构设置在显示面板之下。下结构包括：第一支承层，至少与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；数字化仪，设置在第一支承层之下，包括环形线圈，并且与第一非折叠区域和第二非折叠区域重叠；电磁屏蔽层，设置在数字化仪之下并且具有第二厚度；金属层，设置在电磁屏蔽层之下；以及电绝缘的第二支承层，设置在金属层之下。第一厚度为约75μm至约100μm，并且第二厚度为约30μm至约60μm。
下结构还可以包括：通孔，穿过第一支承层、数字化仪、电磁屏蔽层、金属层和第二支承层。
通孔可以与感测区域对准，并且电子光学模块可以与通孔重叠。
电子光学模块可以包括相机模块。
显示面板可以包括设置在显示区域中的第一像素和设置在感测区域中的第二像素。
显示区域的分辨率可以比感测区域的分辨率大。
在参考面积内，感测区域中的遮光结构的占有比可以比显示区域中的遮光结构的占有比小(即感测区域中的透光率或孔径比相对更大)。
感测区域可以包括不透明区域和透明区域，不透明区域包括发光元件，透明区域不包括发光元件。
附图说明
附图被包括以提供对本实用新型构思的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本实用新型构思的实施方式，并且与说明书一起用来解释本实用新型构思的原理。在附图中：
图1A至图1C是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的立体图；
图2A是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的分解立体图；
图2B是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的框图；
图3A是根据本实用新型构思的实施方式的显示面板的平面图；
图3B是根据本实用新型构思的实施方式的显示面板的区段AA’的平面图；
图4是根据本实用新型构思的实施方式的显示模块的剖视图；
图5是根据本实用新型构思的实施方式的显示模块的一部分的剖视图；
图6A和图6B是根据本实用新型构思的实施方式的显示装置的剖视图；
图7是根据本实用新型构思的实施方式的下结构的剖视图；
图8A是根据本实用新型构思的实施方式的数字化仪的平面图；
图8B是根据本实用新型构思的实施方式的数字化仪的剖视图；以及
图8C和图8D是示出根据本实用新型构思的实施方式的下结构的部分配置的平面图。
具体实施方式
将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。
附图中相同的附图标记可以指代相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，可以夸大元件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”包括相关项目中的一个或多个的任何和所有组合。
诸如第一、第二等的术语可以用于描述各种组件，但是这些组件不应一定受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，或者类似地，第二组件可以被称为第一组件。除非上下文另有明确规定，单数表达可以包括复数表达。
此外，诸如“之下”、“下”、“在…上”和“上”的术语用于解释附图中所示的项目的关联。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同定向。
还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。
另一方面，“直接设置”可以意味着在层、膜、区域、板等的一部分与另一部分之间不存在附加的层、膜、区域、板等。例如，“直接设置”可以意味着两个层或两个结构的设置是在不使用设置在其之间的诸如粘合剂的附加结构的情况下进行的。
在下文中，将参考附图描述本实用新型构思的实施方式。
图1A至图1C是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的立体图。图1A示出了展开状态，并且图1B和图1C示出了折叠状态。
参考图1A至图1C，根据实施方式的电子装置ED可以包括显示表面DS，该显示表面DS在第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2的平面中。电子装置ED可以通过显示表面DS向用户提供图像IM。
显示表面DS可以包括显示区域DA和至少部分地围绕显示区域DA的非显示区域NDA。图像IM可以在显示区域DA中显示，并且可以不在非显示区域NDA中显示。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，本实用新型构思的实施方式不一定限于此，并且显示区域DA和非显示区域NDA的形状可以与所示的形状不同。
显示表面DS可以包括感测区域TA。感测区域TA可以是显示区域DA的一部分。感测区域TA可以具有比显示区域DA的其它区域高的透光率。在下文中，显示区域DA的除了感测区域TA之外的其它区域可以被定义为典型的显示区域。
光信号(例如，可见光或红外光)可以偏移。电子装置ED可以通过穿过感测区域TA的可见光拍摄外部图像，或者通过红外光确定外部对象的可访问性。在图1A中，示出了示例感测区域TA，但是本实用新型构思的实施方式不一定限于此。感测区域TA可以设置成多个。
在下文中，基本上竖直地穿过由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向被定义为第三方向DR3。第三方向DR3对应于参考方向，以区分每个元件的前表面与后表面。在本说明书中，表述“在平面图中”可以表示在第三方向DR3上观察的状态。在下文中，在分别由第一方向的轴、第二方向的轴和第三方向的轴指示的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3中引用相同的附图标记。
电子装置ED可以包括折叠区域FA和多个非折叠区域NFA1和NFA2。非折叠区域NFA1和NFA2可以包括第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2。在第二方向DR2，折叠区域FA可以设置在第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2之间。
如图1B中所示，折叠区域FA可以基于与第一方向DR1平行的折叠轴线FX进行折叠。折叠区域FA具有预定的曲率和预定的曲率半径R1。第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2可以彼此面对，并且电子装置ED可以被内折叠，使得显示表面DS不暴露于外部。
在本实用新型构思的实施方式中，电子装置ED可以被外折叠，使得显示表面DS暴露于外部。在本实用新型构思的实施方式中，电子装置ED可以被配置成使得内折叠操作和外折叠操作从展开操作交替地重复，但是本实用新型构思的实施方式不一定限于此。在本实用新型构思的实施方式中，电子装置ED可以被配置成选择展开操作、内折叠操作和外折叠操作中的任何一个。
如图1B中所示，第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2之间的距离可以与曲率半径R1的两倍基本上相同，但是如图1C中所示，第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2之间的距离可以比曲率半径R1小。图1B和图1C是基于显示表面DS示出的，并且示出电子装置ED的外观的外壳HM(参见图2A)可以在第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2的末端区域中接触。
图2A是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的分解立体图。图2B是根据本实用新型构思的实施方式的电子装置的框图。
如图2A和图2B中所示，电子装置ED可以包括显示装置DD、电子模块EM、电子光学模块ELM、电源模块PSM和外壳HM。电子装置ED还可以包括用于控制显示装置DD的折叠操作的机构结构。
显示装置DD生成图像并且检测外部输入。显示装置DD包括窗WM和显示模块DM。窗WM提供电子装置ED的前表面。下面将提供关于窗WM的详细描述。
显示模块DM可以包括至少一个显示面板DP。图2A仅示出了显示模块DM的层叠结构中的显示面板DP，但是实质上，显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP的上侧中的多个组件。下面将详细描述显示模块DM的层叠结构。
显示面板DP不特别限于所示的布置，并且例如可以是诸如有机发光显示面板或无机发光显示面板的发射显示面板。显示面板DP可以是包括诸如微LED或纳米LED的超小发光元件的显示面板。
显示面板DP可以包括分别与电子装置ED的显示区域DA(参见图1A)和非显示区域NDA(参见图1A)对应的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在本说明书中，“区域/部分与区域/部分对应”意味着重叠，并且重叠不一定限于相同的面积。
显示面板DP可以包括与图1A中的感测区域TA对应的感测区域DP-TA。感测区域DP-TA可以具有比显示区域DP-DA低的分辨率。下面将提供关于感测区域DP-TA的详细描述。
如图2A中所示，驱动芯片DIC可以设置在显示面板DP的非显示区域DP-NDA中。柔性电路板FCB可以粘结到显示面板DP的非显示区域DP-NDA。柔性电路板FCB可以连接到主电路板。主电路板可以是配置电子模块EM的电子组件。
驱动芯片DIC可以包括驱动元件，例如用于驱动显示面板DP的像素的数据驱动电路。图2A示出了其中驱动芯片DIC安装在显示面板DP上的结构，但是本实用新型构思的实施方式不一定限于此。例如，驱动芯片DIC可以安装在柔性电路板FCB上。
如图2B中所示，显示装置DD还可以包括输入传感器IS和数字化仪DTM。输入传感器IS感测用户的输入。静电电容类型的输入传感器IS可以设置在显示面板DP的上侧上。数字化仪DTM感测来自触控笔的输入。电磁感应类型的数字化仪DTM可以设置在显示面板DP的下侧上。
电子模块EM可以包括控制模块10、无线通信模块20、图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50、存储器60、外部接口模块70等。电子模块EM可以包括主电路板，并且模块可以安装在主电路板上或者通过柔性电路板FCB电连接到主电路板。电子模块EM电连接到电源模块PSM。
参考图2A，电子模块EM可以设置成多个以分别设置在第一外壳HM1和第二外壳HM2中，并且电源模块PSM可以设置成多个以分别设置在第一外壳HM1和第二外壳HM2中。设置在第一外壳HM1中的电子模块EM和设置在第二外壳HM2中的电子模块EM可以通过柔性电路板FCB电连接。
控制模块10控制电子装置ED的整体操作。例如，控制模块10对应于用户输入激活或去激活显示装置DD。控制模块10可以对应于用户输入来控制图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50等。控制模块10可以包括至少一个微处理器。
无线通信模块20可以使用蓝牙或Wi-Fi向/从另一终端传输/接收无线信号。无线通信模块20可以使用典型的通信线传输/接收语音信号。无线通信模块20可以包括多个天线模块。
图像输入模块30处理图像信号并将图像信号转换成可以显示在显示装置DD上的图像数据。声音输入模块40在记录模式或语音识别模式下通过麦克风接收外部声音信号，以将声音信号转换成电语音数据。声音输出模块50将从无线通信模块20接收的声音数据或存储在存储器60中的声音数据转换成声音信号，并且将声音信号输出到外部。
外部接口模块70可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡插座(例如，存储卡或SIM/UIM卡的插座)等的接口。
电源模块PSM供应电子装置ED的整体操作所需要的电力。电源模块PSM可以包括典型的电池装置。
电子光学模块ELM可以是被配置成输出或接收光信号的电子组件。电子光学模块ELM可以包括相机模块和/或接近传感器。相机模块通过感测区域DP-TA拍摄外部图像。
图2A中所示的外壳HM与显示装置DD结合，特别是与窗WM结合以容纳其它模块。外壳HM被示出为包括彼此间隔开的第一外壳HM1和第二外壳HM2，但是不一定限于此。电子装置ED还可以包括用于连接第一外壳HM1和第二外壳HM2的铰链结构。
图3A是根据本实用新型构思的实施方式的显示面板的平面图。图3B是根据本实用新型构思的实施方式的显示面板的区段AA’的平面图。图3B是图3A中的区段AA'的放大平面图。
参考图3A，显示面板DP可以包括显示区域DP-DA和至少部分地围绕显示区域DP-DA的非显示区域DP-NDA。显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA可以通过像素PX的存在来划分。像素PX设置在显示区域DP-DA中。非显示区域DP-NDA可以包括扫描驱动器SDV、数据驱动器和发射驱动器EDV。数据驱动器可以是在图3A中所示的驱动芯片DIC中配置的部分电路。
显示面板DP包括在第二方向DR2上划分的第一区域AA1、第二区域AA2和弯曲区域BA。第二区域AA2和弯曲区域BA可以是非显示区域DP-NDA的区段。弯曲区域BA设置在第一区域AA1和第二区域AA2之间。
第一区域AA1与图1A的显示表面DS对应。第一区域AA1可以包括第一非折叠区域NFA10、第二非折叠区域NFA20和折叠区域FA0。第一非折叠区域NFA10、第二非折叠区域NFA20和折叠区域FA0可以分别与图1A至图1C的第一非折叠区域NFA1、第二非折叠区域NFA2和折叠区域FA对应。
弯曲区域BA和第二区域AA2在第二方向DR2上的长度可以小于第一区域AA1在第二方向DR2上的长度。在弯曲轴线方向上的长度更短的区域可以更容易地弯曲。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发射线EL1至ELm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、电力线PL和多个焊盘PD。这里，m和n是大于1的正整数。像素PX可以电连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn以及发射线EL1至ELm。
扫描线SL1至SLm可以在第一方向DR1上延伸以电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸，以经由弯曲区域BA电连接到驱动芯片DIC。发射线EL1至ELm可以在第一方向DR1上延伸以电连接到发射驱动器EDV。
电力线PL可以包括在第二方向DR2上延伸的部分和在第一方向DR1上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在不同的层上。电力线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可以经由弯曲区域BA延伸到第二区域AA2。电力线PL可以向像素PX提供第一电压。
第一控制线CSL1可以电连接到扫描驱动器SDV，并且可以经由弯曲区域BA朝向第二区域AA2的下端部延伸。第二控制线CSL2可以电连接到发射驱动器EDV，并且可以经由弯曲区域BA朝向第二区域AA2的下端部延伸。
在平面图中，焊盘PD可以与第二区域AA2的下端部相邻设置。驱动芯片DIC、电力线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以电连接到焊盘PD。柔性电路板FCB可以通过各向异性导电粘合剂层电连接到焊盘PD。
参考图3B，感测区域DP-TA可以具有比显示区域DP-DA高的透光率和低的分辨率。在参考面积内测量透光率和分辨率。在参考面积内感测区域DP-TA具有比显示区域DP-DA高的透光率或小的遮光结构的占有比(例如，感测区域DP-TA具有相对更大的孔径比)。遮光结构可以包括下面要描述的电路层的导电图案、发光元件的电极、遮光图案等。
在参考面积内，感测区域DP-TA具有比显示区域DP-DA低的分辨率。感测区域DP-TA具有比显示区域DP-DA少数量的包括在参考面积(或相同面积)内的像素PX。
如图3B中所示，第一像素PX1可以设置在显示区域DP-DA中，并且第二像素PX2可以设置在感测区域DP-TA中。当比较相同颜色的像素PX的面积时，第一像素PX1和第二像素PX2可以具有不同的发光面积。第一像素PX1和第二像素PX2可以具有不同的布置。
图3B示出了作为第一像素PX1和第二像素PX2的代表的第一像素PX1和第二像素PX2的发光区域LA。发光区域LA中的每一个可以限定为其中发光元件的阳极从像素限定层暴露的区域。非发光区域NLA在显示区域DP-DA内设置在发光区域LA之间。
第一像素PX1可以包括第一颜色像素PX1-R、第二颜色像素PX1-G和第三颜色像素PX1-B，并且第二像素PX2可以包括第一颜色像素PX2-R、第二颜色像素PX2-G和第三颜色像素PX2-B。第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。
感测区域DP-TA可以包括像素区域PA、布线区域BLL和透射区域BT。第二像素PX2设置在像素区域PA内。示出了两个第一颜色像素PX2-R、四个第二颜色像素PX2-G和两个第三颜色像素PX2-B设置在一个像素区域PA中。然而，本实用新型构思的实施方式不一定限于此。
在像素区域PA和布线区域BLL中，设置与第二像素PX2相关的导电图案、信号线或遮光图案。遮光图案可以是金属图案，并且基本上与像素区域PA和布线区域BLL重叠。像素区域PA和布线区域BLL可以是非透射区域。
透射区域BT是光信号基本上穿过其的区域。由于第二像素PX2不设置在透射区域BT中，因此透射区域BT中不设置导电图案、信号线或遮光图案。相应地，透射区域BT增加了感测区域DP-TA的透光率。
图4是根据本实用新型构思的实施方式的显示模块的沿着图2A的线I-I’截取的剖视图。
参考图4，显示模块DM可以包括显示面板DP、输入传感器IS和抗反射层ARL。显示面板DP可以包括基础层BL、电路层DP-CL、发光元件层DP-EL和封装层TFE。
基础层BL可以提供其上设置有电路层DP-CL的基础表面。基础层BL可以是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性衬底。基础层BL可以是玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底等。然而，本实用新型构思的实施方式不一定限于此，并且基础层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。
基础层BL可以具有多层结构。例如，基础层BL可以包括第一合成树脂层、单层或多层的无机层以及设置在单层或多层的无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺基树脂，但是不特别限于此。
电路层DP-CL可以设置在基础层BL上。电路层DP-CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。
发光元件层DP-EL可以设置在电路层DP-CL上。发光元件层DP-EL可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子杆、微LED或纳米LED。
封装层TFE可以设置在发光元件层DP-EL上。封装层TFE可以保护发光元件层DP-EL免受诸如湿气、氧气和灰尘颗粒的异物质的影响。封装层TFE可以包括至少一个无机层。封装层TFE可以包括无机层/有机层/无机层的层叠结构。
输入传感器IS可以直接设置在显示面板DP上。显示面板DP和输入传感器IS可以通过连续的工艺来设置。这里，“直接设置”可以意味着在输入传感器IS和显示面板DP之间不设置第三组件。单独的粘合剂层可以不设置在输入传感器IS和显示面板DP之间。
抗反射层ARL可以直接设置在输入传感器IS上。抗反射层ARL可以减小从显示装置DD的外部入射的外部光的反射比例。抗反射层ARL可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。例如，滤色器可以鉴于包括在显示面板DP中的像素PX的发射颜色来布置。此外，抗反射层ARL还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。
在本实用新型构思的实施方式中，输入传感器IS和抗反射层ARL的位置可以彼此交换。在本实用新型构思的实施方式中，抗反射层ARL可以用偏振膜代替。偏振膜可以通过粘合剂层粘结到输入传感器IS。
图5是根据本实用新型构思的实施方式的显示模块的一部分的剖视图。在图5中，详细示出了图4中所示的显示模块DM的一部分。例如，在图5中，详细示出了与根据实施方式的显示模块DM中的一个像素PX对应的组件。
在图5中，示出了一个发光元件LD和包括硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT的像素电路PC。包括在像素电路PC中的多个晶体管中的至少一个可以是氧化物晶体管O-TFT，并且其它晶体管可以是硅晶体管S-TFT。
缓冲层BFL可以设置在基础层BL上。缓冲层BFL可以防止金属原子或杂质从基础层BL扩散到上侧中的第一半导体图案SP1。第一半导体图案SP1可以包括硅晶体管S-TFT的有源区域AC1。缓冲层BFL可以调整热量提供速率以允许第一半导体图案SP1在提供第一半导体图案SP1的结晶工艺期间被均匀地提供。
第一后表面金属层BMLa设置在硅晶体管S-TFT之下，并且第二后表面金属层BMLb设置在氧化物晶体管O-TFT之下。第一后表面金属层BMLa和第二后表面金属层BMLb可以与像素电路PC重叠。第一后表面金属层BMLa和第二后表面金属层BMLb可以阻挡外部光到达像素电路PC。
第一后表面金属层BMLa可以与像素电路PC的至少一部分对应。第一后表面金属层BMLa可以与用硅晶体管S-TFT实现的驱动晶体管重叠。
第一后表面金属层BMLa可以设置在基础层BL和缓冲层BFL之间。在本实用新型构思的实施方式中，无机阻挡层还可以设置在第一后表面金属层BMLa和缓冲层BFL之间。第一后表面金属层BMLa可以与电极或布线电连接，并且从电极或布线接收恒定电压或信号。在本实用新型构思的实施方式中，第一后表面金属层BMLa可以是与另一电极或布线隔离类型的浮置电极。
第二后表面金属层BMLb可以设置在氧化物晶体管O-TFT之下。第二后表面金属层BMLb可以设置在第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3之间。第二后表面金属层BMLb可以与存储电容器Cst的第二电极CE20设置在相同的层上。第二后表面金属层BMLb可以与要被施加有恒定电压或信号的接触电极BML2-C电连接。接触电极BML2-C可以与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2设置在相同的层上。
第一后表面金属层BMLa和第二后表面金属层BMLb中的每一个可以包括反射金属。例如，第一后表面金属层BMLa和第二后表面金属层BMLb中的每一个可以包括银(Ag)、包含银(Ag)的合金、钼(Mo)、包含钼(Mo)的合金、铝(Al)、包含铝(Al)的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、p+掺杂的非晶硅等。第一后表面金属层BMLa和第二后表面金属层BMLb可以包括相同的材料或彼此不同的材料。
根据本实用新型构思的实施方式，第二后表面金属层BMLb可以被省略。第一后表面金属层BMLa可以在氧化物晶体管O-TFT之下延伸，并且阻挡入射到氧化物晶体管O-TFT下侧中的光。
第一半导体图案SP1可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案SP1可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。例如，第一半导体图案SP1可以包括低温多晶硅。
图5示出了设置在缓冲层BFL上的第一半导体图案SP1的一部分，并且第一半导体图案SP1还可以设置在另一区域中。第一半导体图案SP1可以遍及像素PX以特定规则布置。根据第一半导体图案SP1是否被掺杂，第一半导体图案SP1可以具有不同的电性质。第一半导体图案SP1可以包括具有高导电率的第一区域和具有低导电率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或者与第一区域相比以更低的浓度掺杂。
第一区域可以具有比第二区域大的导电率，并且基本上用作电极或信号线。第二区域可以与晶体管的有源区域(或沟道)基本上对应。第一半导体图案SP1的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且又一部分可以是连接电极或信号连接线。
硅晶体管S-TFT的源极区域SE1(或源极)、有源区域AC1(或沟道)和漏极区域DE1(或漏极)可以从第一半导体图案SP1提供。源极区域SE1和漏极区域DE1可以在截面上在彼此相反的方向上从有源区域AC1延伸。
第一绝缘层IL1可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层IL1可以与多个像素PX共同重叠并且覆盖第一半导体图案SP1。第一绝缘层IL1可以包括无机材料和/或有机材料，并且具有单层结构或多层结构。第一绝缘层IL1可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。在实施方式中，第一绝缘层IL1可以是单层的氧化硅。不仅第一绝缘层IL1，而且下面要描述的电路层DP-CL的绝缘层可以包括无机层和/或有机层，并且具有单层结构或多层结构。无机层可以包括前面提及的材料中的至少一种，但是不一定限于此。
硅晶体管S-TFT的栅极GT1可以设置在第一绝缘层IL1上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1可以与有源区域AC1重叠。栅极GT1可以在掺杂第一半导体图案SP1的工艺中用作掩模。栅极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、包含银的合金、钼(Mo)、包含钼的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但是不一定特别限于此。
第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1上并且可以覆盖栅极GT1。第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。存储电容器Cst的第二电极CE20可以设置在第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3之间。此外，存储电容器Cst的第一电极CE10可以设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2之间。
第二半导体图案SP2可以设置在第三绝缘层IL3上。第二半导体图案SP2可以包括下面要描述的氧化物晶体管O-TFT的有源区域AC2。第二半导体图案SP2可以包括氧化物半导体。例如，第二半导体图案SP2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等的透明导电氧化物(TCO)。
氧化物半导体可以包括根据TCO是否被还原而划分的多个区域。与其中TCO未被还原的带(在下文中，称为非还原带)相比，其中TCO被还原的带(在下文中，称为还原带)具有高导电率。还原带可以基本上用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原带基本上与晶体管的半导体区域(或有源区域、或沟道)对应。第二半导体图案SP2的一部分可以是晶体管的半导体区域，另一部分可以是晶体管的源极/漏极，并且又一部分可以是信号传输区域。
氧化物晶体管O-TFT的源极区域SE2(或源极)、有源区域AC2(或沟道)和漏极区域DE2(或漏极)可以从第二半导体图案SP2提供。源极区域SE2和漏极区域DE2可以在截面上在彼此相反的方向上从有源区域AC2延伸。
第四绝缘层IL4可以设置在第三绝缘层IL3上。如图5中所示，第四绝缘层IL4可以是与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2重叠的绝缘图案，并且暴露氧化物晶体管O-TFT的源极区域SE2和漏极区域DE2。如图5中所示，第四绝缘层IL4可以覆盖第二半导体图案SP2的一部分。
如图5中所示，氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以设置在第四绝缘层IL4上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以是金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2与有源区域AC2重叠。
第五绝缘层IL5可以设置在第四绝缘层IL4上并且可以覆盖栅极GT2。第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层IL5上。第一连接电极CNE1可以通过穿透通过第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第五绝缘层IL5的接触孔电连接到硅晶体管S-TFT的漏极区域DE1。
第六绝缘层IL6可以设置在第五绝缘层IL5上。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层IL6上。第二连接电极CNE2可以通过穿透通过第六绝缘层IL6的接触孔电连接到第一连接电极CNE1。第七绝缘层IL7可以设置在第六绝缘层IL6上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层IL8可以设置在第七绝缘层IL7上。
第六绝缘层IL6至第八绝缘层IL8中的每一个可以是有机层。例如，第六绝缘层IL6至第八绝缘层IL8中的每一个可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亚胺基聚合物、烯丙基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、其共混物等。
发光元件LD可以包括第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。第二电极CE可以共同设置在多个发光元件LD上。
发光元件LD的第一电极AE可以设置在第八绝缘层IL8上。发光元件LD的第一电极AE可以是(半)透明电极或反射电极。根据本实用新型构思的实施方式，发光元件LD的第一电极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物组成的反射层以及设置在反射层上的透明或半透明的电极层。透明或半透明的电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)和/或掺杂铝的氧化锌(AZO)。例如，发光元件LD的第一电极AE可以包括ITO/Ag/ITO的层叠结构。
像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层IL8上。像素限定层PDL可以具有光吸收性质，并且具有例如遮挡颜色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。像素限定层PDL可以与具有遮光性质的遮光图案对应。
像素限定层PDL可以覆盖发光元件LD的第一电极AE的一部分。例如，暴露发光元件LD的第一电极AE的一部分的开口PDL-OP可以限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL可以增加发光元件LD的第一电极AE的边缘和第二电极CE之间的距离。因此，像素限定层PDL可以用于防止在第一电极AE的边缘处出现电弧等。
第一电极AE和发光层EL可以具有设置在其之间的空穴控制层。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还包括空穴注入层。发光层EL和第二电极CE可以具有设置在其之间的电子控制层。电子控制层可以包括电子传输层，并且还包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模共同设置在多个像素PX(参见图3A)中。
封装层TFE可以设置在发光元件层DP-EL上。封装层TFE可以包括依次层叠的无机层TFE1、有机层TFE2和无机层TFE3，但是限定封装层TFE的层不一定限于此。
无机层TFE1和TFE3可以保护发光元件层DP-EL免受湿气和氧气的影响，并且有机层TFE2可以保护发光元件层DP-EL免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层TFE1和TFE3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等。有机层TFE2可以包括丙烯酸基有机层，但是不一定限于此。
输入传感器IS可以设置在显示面板DP上。输入传感器IS可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。输入传感器IS可以包括传感器基础层210、第一导电层220、感测绝缘层230和第二导电层240。
传感器基础层210可以直接设置在显示面板DP上。传感器基础层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机层。可选地，传感器基础层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。传感器基础层210可以具有单层结构或沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
第一导电层220和第二导电层240中的每一个可以具有单层结构或沿着第三方向DR3层叠的多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括限定网格形状的感测电极的导线。导线可以不与开口PDL-OP重叠，但是可以与像素限定层PDL重叠。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。
多层结构的导电层可以包括依次层叠的金属层。例如，金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
感测绝缘层230可以设置在第一导电层220和第二导电层240之间。感测绝缘层230可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。
可选地，感测绝缘层230可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺树脂和/或聚对二甲苯基树脂。
抗反射层ARL可以直接设置在输入传感器IS上。抗反射层ARL可以包括分隔层310、多个滤色器320和平坦化层330。
限定分隔层310的材料不一定限于任何一种材料，只要它吸收光即可。分隔层310是具有黑颜色的层，并且在实施方式中，可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
分隔层310可以覆盖输入传感器IS的第二导电层240。分隔层310可以防止由第二导电层240引起的外部光的反射。在显示模块DM的一部分中，分隔层310可以被省略。在其中省略并且不设置分隔层310的区域的透光率可以比其它区域的透光率高。
开口310-OP可以限定在分隔层310中。开口310-OP可以与发光元件LD的第一电极AE重叠。多个滤色器320中的任何一个可以与发光元件LD的第一电极AE重叠。多个滤色器320中的任何一个可以覆盖开口310-OP。多个滤色器320中的每一个可以接触分隔层310。
平坦化层330可以覆盖分隔层310和多个滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料，并且在平坦化层330的顶表面上提供平坦表面。在本实用新型构思的实施方式中，平坦化层330可以被省略。
图6A和图6B是根据本实用新型构思的实施方式的显示装置的剖视图。图6A是沿着图3A的线II-II’截取的剖视图。
图6A示出了其中显示模块DM不被弯曲的展开状态。图6B示出了其中显示模块DM的弯曲区域BA(参见图3A)被弯曲的状态。在图6A和图6B中，基于图3A的显示面板DP示出了构成显示模块DM的区域。
参考图6A和图6B，显示装置DD包括窗WM、上结构UM、显示模块DM和下结构LM。设置在窗WM和显示模块DM之间的组件被统称为上结构UM，并且设置在显示模块DM之下的组件被统称为下结构LM。
窗WM可以包括薄膜玻璃衬底UTG、设置在薄膜玻璃衬底UTG上的窗保护层PF以及设置在窗保护层PF的底表面上的边框图案BP。在实施方式中，窗保护层PF可以包括合成树脂膜。窗WM可以包括粘结窗保护层PF和薄膜玻璃衬底UTG的窗粘合剂层AL-W。
边框图案BP与图1A中所示的非显示区域NDA重叠。边框图案BP可以设置在薄膜玻璃衬底UTG的或窗保护层PF的一个表面上。图6A和图6B示出了设置在窗保护层PF的底表面上的示例边框图案BP。然而，该示例不一定限于此，并且边框图案BP可以设置在窗保护层PF的顶表面上。边框图案BP可以例如以涂覆方式设置为着色屏蔽膜。边框图案BP可以包括基础材料以及与基础材料混合的染料或颜料。
薄膜玻璃衬底UTG的厚度可以为约15μm至约45μm。薄膜玻璃衬底UTG的厚度可以例如为约30μm。薄膜玻璃衬底UTG可以是化学强化玻璃。即使当重复折叠和展开时，薄膜玻璃衬底UTG也可以最小化褶皱的生成。
窗保护层PF的厚度可以为约50μm至约80μm。窗保护层PF的合成树脂膜可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。硬核心层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个可以设置在窗保护层PF的顶表面上。
窗粘合剂层AL-W可以设置有压敏粘合剂(PSA)或光学透明粘合剂(OCA)。下面要描述的粘合剂层也可以与窗粘合剂层AL-W包括相同的粘合剂。
窗粘合剂层AL-W可以与薄膜玻璃衬底UTG分离。窗保护层PF具有比薄膜玻璃衬底UTG低的强度，并且因此可以相对容易地被划损。窗粘合剂层AL-W与窗保护层PF分离，并且然后新的窗保护层PF可以粘附到薄膜玻璃衬底UTG。窗粘合剂层AL-W和窗保护层PF的厚度的总和可以为约100μm至约110μm。例如，窗粘合剂层AL-W和窗保护层PF的厚度的总和可以为约105μm。
上结构UM包括上部分膜DL。上部分膜DL可以包括合成树脂膜。合成树脂膜可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
上部分膜DL可以吸收施加到显示装置DD的前表面的外部冲击。如图5中所示，根据实施方式的显示模块DM可以包括抗反射层结构，该抗反射层结构包括多个滤色器320而不是偏振膜，并且因此可能降低显示装置DD的前冲击强度。上部分膜DL可以补偿通过采用包括滤色器320的抗反射层ARL而降低的冲击强度。在本实用新型构思的实施方式中，上部分膜DL可以被省略。
上结构UM可以包括粘结上部分膜DL和窗WM的第一粘合剂层AL1以及粘结上部分膜DL和显示模块DM的第二粘合剂层AL2。第一粘合剂层AL1和第二粘合剂层AL2中的每一个可以是压敏粘合剂(PSA)或光学透明粘合剂(OCA)。例如，第一粘合剂层AL1和第二粘合剂层AL2中的每一个可以是PSA。
在实施方式的显示装置DD中，第一粘合剂层AL1的厚度d1可以是预定的厚度或更大。第一粘合剂层AL1的厚度d1可以例如为约75μm或更大。第一粘合剂层AL1的厚度d1可以例如为约75μm至约100μm。对于实施方式的显示装置DD，粘结薄膜玻璃衬底UTG和上部分膜DL的第一粘合剂层AL1的厚度d1可以厚至约75μm或更大，从而增加显示装置DD的机械强度。因此，可以防止显示模块DM由外部冲击损坏。当第一粘合剂层AL1的厚度d1超过100μm时，显示装置DD的厚度可能过度增加，从而降低显示装置DD的折叠特性等。
上部分膜DL和第二粘合剂层AL2的厚度的总和可以为约60μm至约80μm。上部分膜DL和第二粘合剂层AL2的厚度的总和可以例如为约73μm。
下结构LM可以包括下部分保护膜PPL、第一支承层PLT、覆盖层SCV、数字化仪DTM、电磁屏蔽层MML、金属层ML、第二支承层PP以及第三粘合剂层AL3至第九粘合剂层AL9。第三粘合剂层AL3至第九粘合剂层AL9可以包括诸如PSA或OCA的粘合剂。在本实用新型构思的实施方式中，前述组件中的一些可以被省略。
下部分保护膜PPL可以设置在显示模块DM之下。下部分保护膜PPL可以保护显示模块DM的下部分。下部分保护膜PPL可以包括柔性合成树脂膜。例如，下部分保护膜PPL可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在本实用新型构思的实施方式中，下部分保护膜PPL可以不设置在弯曲区域BA中。下部分保护膜PPL可以包括保护显示面板DP(参见图3A)的第一区域AA1的第一下部分保护膜PPL-1和保护第二区域AA2的第二下部分保护膜PPL-2。
第三粘合剂层AL3粘结下部分保护膜PPL和显示面板DP。第三粘合剂层AL3可以包括与第一下部分保护膜PPL-1对应的第一部分AL3-1和与第二下部分保护膜PPL-2对应的第二部分AL3-2。
显示模块DM、第三粘合剂层AL3和下部分保护膜PPL的厚度的总和可以为约90μm至约120μm。例如，显示模块DM、第三粘合剂层AL3和下部分保护膜PPL的厚度的总和可以为约105μm。
下部分保护膜PPL可以设置在图4和图5中的显示面板DP的基础层BL之下。在实施方式中，第三粘合剂层AL3直接设置在显示面板DP的基础层BL之下，并且下部分保护膜PPL可以直接设置在第三粘合剂层AL3之下。
如图6B中所示，当弯曲区域BA弯曲时，第二下部分保护膜PPL-2可以与第二区域AA2一起设置在第一区域AA1和第一下部分保护膜PPL-1之下。由于下部分保护膜PPL不设置在弯曲区域BA中，因此弯曲区域BA可以更容易地弯曲。第二下部分保护膜PPL-2可以通过第九粘合剂层AL9附接到第二支承层PP。第九粘合剂层AL9可以被省略。
如图6B中所示，弯曲区域BA具有预定的曲率和曲率半径。曲率半径可以为约0.1mm至0.5mm。弯曲保护层BPL可以至少设置在弯曲区域BA中。弯曲保护层BPL可以与弯曲区域BA、第一区域AA1和第二区域AA2重叠。弯曲保护层BPL可以设置在第一区域AA1的一部分和第二区域AA2的一部分中。
弯曲保护层BPL可以与弯曲区域BA一起弯曲。弯曲保护层BPL保护弯曲区域BA免受外部冲击，并且控制弯曲区域BA的中性表面。弯曲保护层BPL控制弯曲区域BA的应力，使得中性表面靠近设置在弯曲区域BA中的信号线。
如图6A和图6B中所示，第四粘合剂层(也称为第一附加粘合剂层)AL4粘结下部分保护膜PPL和第一支承层PLT。本说明书中的第四粘合剂层AL4可以被称为第一附加粘合剂层。第四粘合剂层AL4的厚度d1可以为约10μm至约20μm。例如，第四粘合剂层AL4的厚度可以为约16μm。
第四粘合剂层AL4可以包括彼此分离的第一部分AL4-1和第二部分AL4-2。第一部分AL4-1和第二部分AL4-2之间的距离(或间隔)与折叠区域FA0的宽度对应，并且比下面要描述的间隙GP大。第一部分AL4-1和第二部分AL4-2之间的分离距离可以为约7mm至约15mm，优选地，为约9mm至约13mm。
在实施方式中，第一部分AL4-1和第二部分AL4-2被限定为一个粘合剂层的不同部分，但是不一定限于此。当第一部分AL4-1被限定为一个粘合剂层(例如，第一粘合剂层或第二粘合剂层)时，第二部分AL4-2可以被限定为另一粘合剂层(例如，第二粘合剂层或第三粘合剂层)。以上描述的限定可以应用于下面要描述的包括两个部分的粘合剂层的所有粘合剂层以及第四粘合剂层AL4。
第四粘合剂层AL4直接设置在下部分保护膜PPL之下，并且第一支承层PLT直接设置在第四粘合剂层AL4之下。在实施方式的显示装置DD中，第一支承层PLT经由第四粘合剂层AL4直接附接在下部分保护膜PPL之下，并且另一组件可以不插置在其之间。在设置在显示模块DM之下的第一支承层PLT和下部分保护膜PPL之间，除了一层的第四粘合剂层AL4之外，实施方式的显示装置DD可以不包括另一组件，并且因此可以减小对折叠操作的反作用力。当诸如聚合物膜的阻挡膜不设置在下部分保护膜PPL和第一支承层PLT之间时，可能降低显示装置DD的整体机械强度。然而，实施方式的显示装置DD使用前面提及的具有约75μm或更大的厚度的第一粘合剂层AL1，并且因此即使当阻挡膜被省略时也可以确保足够的机械强度。
图7是根据本实用新型构思的实施方式的下结构LM的剖视图。图7示出了图6A和图6B中所示的下结构LM中的数字化仪DTM、电磁屏蔽层MML、金属层ML、第二支承层PP以及第五粘合剂层AL5至第七粘合剂层AL7，并且下部分保护膜PPL、第三粘合剂层AL3、第四粘合剂层AL4、第八粘合剂层AL8、磁场屏蔽片MSM被省略。
一起参考图6A、图6B和图7，第一支承层PLT设置在下部分保护膜PPL之下。第一支承层PLT支承设置在其上方的组件，并且保持显示装置DD的展开状态和折叠状态。第一支承层PLT可以具有比下部分保护膜PPL大的强度。第一支承层PLT可以至少包括与第一非折叠区域NFA10对应的第一支承部分PLT-1和与第二非折叠区域NFA20对应的第二支承部分PLT-2。第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2在第二方向DR2上彼此间隔开。
与实施方式一样，第一支承层PLT可以包括与折叠区域FA0对应的折叠部分PLT-F，该折叠部分PLT-F设置在第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2之间并且限定有多个开口OP。多个开口OP可以布置成使得折叠区域FA0在平面图中具有网格形状。第一支承部分PLT-1、第二支承部分PLT-2和折叠部分PLT-F可以具有一体的形状，例如，它们可以由单个不间断结构形成。
在图1B和图1C中所示的折叠操作期间，折叠部分PLT-F可以防止异物质从第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2渗透到下部分保护膜PPL的敞开的中央区域的下部分。折叠部分PLT-F的柔性通过多个开口OP增加。此外，第四粘合剂层AL4不设置在折叠部分PLT-F中，并且因此可以增强第一支承层PLT的柔性。在本实用新型构思的实施方式中，折叠部分PLT-F可以被省略。在此情况下，第一支承层PLT可以包括彼此间隔开的第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2。
第一支承层PLT可以从可以在没有损耗或有最小损耗的情况下传输由数字化仪DTM生成的电磁场的材料中选择。第一支承层PLT可以包括具有绝缘性质的材料。第一支承层PLT可以包括非金属材料。第一支承层PLT可以包括纤维增强复合材料。第一支承层PLT可以包括设置在基质内部的增强纤维。增强纤维可以是碳纤维或玻璃纤维。基质可以包括聚合物树脂。基质可以包括热塑性树脂。例如，基质可以包括聚酰胺基树脂或聚丙烯基树脂。例如，纤维增强复合材料可以是碳纤维增强塑料(CFRP)或玻璃纤维增强塑料(GFRP)。
第一支承层PLT的厚度d2可以为约150μm至约200μm。例如，第一支承层PLT的厚度d2可以为约170μm。
第一支承层PLT可以具有设置在其之下的覆盖层SCV和数字化仪DTM。覆盖层SCV与折叠区域FA0重叠。数字化仪DTM可以包括分别与第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2重叠的第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2。第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2中的每一个的一部分可以设置在覆盖层SCV之下。
第五粘合剂层(也称为第二附加粘合剂层)AL5粘结第一支承层PLT和数字化仪DTM，并且第八粘合剂层AL8粘结覆盖层SCV和第一支承层PLT。第五粘合剂层AL5可以包括粘结第一支承部分PLT-1和第一数字化仪DTM-1的第一部分AL5-1以及粘结第二支承部分PLT-2和第二数字化仪DTM-2的第二部分AL5-2。本说明书中的第五粘合剂层AL5可以被称为第二附加粘合剂层。
覆盖层SCV可以在第二方向DR2上设置在第一部分AL5-1和第二部分AL5-2之间。覆盖层SCV可以与数字化仪DTM间隔开，以防止在展开状态下对数字化仪DTM的干扰。覆盖层SCV和第八粘合剂层AL8的厚度的总和可以比第五粘合剂层AL5的厚度小。覆盖层SCV和第八粘合剂层AL8的厚度的总和可以为约10μm至约20μm。例如，覆盖层SCV和第八粘合剂层AL8的厚度的总和可以为约16μm。第五粘合剂层AL5的厚度可以为约15μm至约25μm。例如，第五粘合剂层AL5的厚度可以为约20μm。
覆盖层SCV可以被制造为附接到第一支承层PLT的片。覆盖层SCV可以附接在与第一支承层PLT的折叠部分PLT-F对应的部分之下。覆盖层SCV可以附接在折叠部分PLT-F之下，以阻挡湿气或异物进入限定在折叠部分PLT-F中的多个开口OP。覆盖层SCV可以包括具有低弹性模量的材料，例如热塑性聚氨酯。覆盖层SCV可以附接在第一支承层PLT的折叠部分PLT-F之下，并且可以附接在第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2的一部分之下，但不附接在第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2的大部分之下。
覆盖层SCV的在一个方向上的宽度可以比折叠部分PLT-F的在该一个方向上的宽度大。在实施方式中，基于第一支承部分PLT-1、折叠部分PLT-F和第二支承部分PLT-2在其上布置的第二方向DR2，折叠部分PLT-F可以具有第一宽度W1，并且覆盖层SCV可以具有第二宽度W2。第一宽度W1可以比第二宽度W2小。第一宽度W1可以比第二宽度W2小约0.5mm至约3mm。在实施方式中，第一宽度W1可以为约6mm至约10mm。例如，第一宽度W1可以为约8.65mm。在实施方式中，第二宽度W2可以为约9mm至约15mm。例如，第二宽度W2可以为约10.65mm。
数字化仪DTM被称为电磁共振(EMR)感测面板，并且包括被配置成生成用电子笔预设的谐振频率的磁场的多个环形线圈。由环形线圈提供的磁场被施加到由电子笔的电感器(线圈)和电容器配置的LC谐振电路。线圈借助于所接收的磁场生成电流，并且将所生成的电流传送到电容器。因此，电容器用从线圈输入的电流进行充电，并且所充电的电流被放电到线圈。最后，谐振频率的磁场被发射到线圈。由电子笔发射的磁场可以被数字化仪DTM的环形线圈再次吸收，并且因此，可以确定电子笔位于触摸屏幕上的哪个位置处。
数字化仪DTM可以包括第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2。第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2彼此间隔开，且预定的间隙GP插置在其之间。间隙GP可以为约0.3mm至3mm，并且可以与折叠区域FA0对应。
数字化仪DTM的厚度d3可以为约120μm至约180μm。数字化仪DTM的厚度d3可以为约140μm至约160μm。数字化仪DTM的厚度d3可以例如为约152μm。当数字化仪DTM的厚度d3满足前述范围时，包括数字化仪DTM的下结构LM可以对外部冲击是稳健的，并且防止显示装置DD过度厚。
电磁屏蔽层MML设置在数字化仪DTM之下。电磁屏蔽层MML可以直接设置在数字化仪DTM之下。电磁屏蔽层MML可以执行电磁屏蔽功能。当电磁屏蔽层MML执行电磁屏蔽功能时，可以最小化从设置在下部分中的电子模块EM(参见图2A)、电子光学模块ELM(参见图2A)和电源模块PSM(参见图2A)生成的电磁波对数字化仪DTM和显示面板DP的影响。此外，当设置电磁屏蔽层MML时，数字化仪DTM的灵敏度被增强，并且施加到数字化仪DTM的信号变得均匀，从而增加了显示装置DD的可靠性。
电磁屏蔽层MML可以包括磁金属粉末(MMP)。电磁屏蔽层MML可以包括磁金属粉末以执行电磁屏蔽功能。包括在电磁屏蔽层MML中的磁金属粉末可以包括软磁粉末合金。电磁屏蔽层MML可以包括例如铁(Fe)、硅(Si)和铝(Al)。电磁屏蔽层MML可以包括85at％的铁、9at％的硅和6at％的铝。
电磁屏蔽层MML可以包括第一电磁屏蔽层MML-1和第二电磁屏蔽层MML-2。第一电磁屏蔽层MML-1可以设置在第一数字化仪DTM-1之下，并且第二电磁屏蔽层MML-2可以设置在第二数字化仪DTM-2之下。第一电磁屏蔽层MML-1可以直接设置在第一数字化仪DTM-1之下，并且第二电磁屏蔽层MML-2可以直接设置在第二数字化仪DTM-2之下。
电磁屏蔽层MML的厚度d4可以为约30μm至约60μm。电磁屏蔽层MML的厚度d4可以例如为约45μm至约55μm。电磁屏蔽层MML的厚度d4可以为约50μm。当电磁屏蔽层MML的厚度d4小于约30μm时，电磁屏蔽层MML的屏蔽性能可能降低。当电磁屏蔽层MML的厚度d4大于约60μm时，显示装置DD的厚度可能变得过度厚。
金属层ML设置在电磁屏蔽层MML之下。金属层ML可以包括分别与第一支承部分PLT-1和第二支承部分PLT-2重叠的第一金属层ML1和第二金属层ML2。金属层ML可以使在驱动数字化仪DTM期间生成的热量消散到外部。金属层ML将数字化仪DTM中生成的热量传输到下侧。金属层ML可以具有比下面要描述的金属板高的导电率和热导率。金属层ML可以包括铜或铝。具有相对更高的导电率的金属层ML可以防止从设置在下侧中的电子模块EM(参见图2A)、电子光学模块ELM(参见图2A)、电源模块PSM(参见图2A)等生成的电磁波作为噪声影响数字化仪DTM。在实施方式中的下结构LM包括设置在数字化仪DTM之下的电磁屏蔽层MML和金属层ML，并且因此可以防止数字化仪DTM的性能因包括在电子装置ED中的诸如电子模块EM的电子部件劣化。
第六粘合剂层AL6粘结电磁屏蔽层MML和金属层ML。第六粘合剂层AL6可以包括分别与第一金属层ML1和第二金属层ML2对应的第一部分AL6-1和第二部分AL6-2。本说明书中的第六粘合剂层AL6可以被称为第三附加粘合剂层。
金属层ML和第六粘合剂层AL6的厚度的总和d5可以为约15μm至约25μm。例如，金属层ML和第六粘合剂层AL6的厚度的总和d5可以为约20μm。
第二支承层PP设置在金属层ML之下。第二支承层PP可以包括分别与第一金属层ML1和第二金属层ML2重叠的第2-1支承层PP1和第2-2支承层PP2。第二支承层PP可以吸收从下侧施加的外部冲击。
第二支承层PP可以具有绝缘性质。第二支承层PP可以包括绝缘材料。在实施方式中，第二支承层PP可以包括例如聚合物膜。第二支承层PP可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。例如，第二支承层PP可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
第七粘合剂层(也称为下部分粘合剂层)AL7可以粘结金属层ML和第二支承层PP。第七粘合剂层AL7可以包括分别与第2-1支承层PP1和第2-2支承层PP2对应的第一部分AL7-1和第二部分AL7-2。本说明书中的第七粘合剂层AL7可以被称为下部分粘合剂层。
第二支承层PP和第七粘合剂层AL7的厚度的总和d6可以为约1μm至约10μm。第二支承层PP和第七粘合剂层AL7的厚度的总和d6可以为约2μm至约8μm。第二支承层PP和第七粘合剂层AL7的厚度的总和d6可以为约6μm。第二支承层PP的厚度可以为约3μm。当第二支承层PP和第七粘合剂层AL7的厚度的总和d6小于1μm时，第二支承层PP的冲击吸收特性可能劣化，并且当第二支承层PP和第七粘合剂层AL7的厚度的总和d6大于10μm时，显示装置DD的整个厚度可能过度增加。
第二支承层PP的至少一部分的底表面可以限定下结构LM的最下表面。第二支承层PP的至少一部分的底表面可以限定显示装置DD的最下表面。在实施方式的显示装置DD中，在第二支承层PP的至少一部分的底表面上可以不设置另一组件。在第二支承层PP的底表面上，除了其上设置有磁场屏蔽片MSM的部分表面之外的其它表面可以限定下结构LM的最下表面。在实施方式的显示装置DD中，磁场屏蔽片MSM可以设置在第二支承层PP的一部分之下，并且除了包括磁场屏蔽片MSM的部分之外的其它部分可以在没有诸如散热层的功能层的情况下设置为暴露表面。
在实施方式的显示装置DD中，设置在金属层ML之下的第二支承层PP设置有绝缘材料，即包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚合物材料的聚合物膜，并且第二支承层PP可以具有10μm或更小的薄的厚度。因此，与在金属层之下包括包含诸如不锈钢的金属材料的金属板的典型显示装置相比，显示装置DD的整体厚度和重量可以减小，从而使得显示装置DD能够薄并且重量轻。此外，用于附接金属板的工艺可以用相对简单的聚合物膜附接工艺代替，从而简化该工艺并且降低工艺成本。
当提供包括绝缘材料而不是典型金属板的第二支承层PP时，显示装置DD的整体机械强度可能降低。然而，在本实用新型构思的实施方式中，数字化仪DTM的厚度d3为约120μm或更大，并且因此即使当省略金属板并且包括第二支承层PP时也可以确保足够的机械强度。
磁场屏蔽片MSM设置在第二支承层PP之下。磁场屏蔽片MSM阻挡设置在下侧中的电子部件中生成的磁场。磁场屏蔽片MSM可以防止在电子部件中生成的磁场干扰数字化仪DTM。电子部件可以包括以上参考图2A和图2B所提及的电子模块EM、电子光学模块ELM和电源模块PSM。
磁场屏蔽片MSM包括多个部分。多个部分中的至少一些可以具有不同的厚度。多个部分可以与设置在显示装置DD之下的支架的偏移对应。磁场屏蔽片MSM可以具有其中电磁屏蔽层和粘合剂层交替层叠的结构。磁场屏蔽片MSM的一部分直接附接在第二支承层PP之下，并且磁场屏蔽片MSM的另一部分可以直接附接在电磁屏蔽层MML之下。将参考图8D详细描述磁场屏蔽片MSM的配置。
通孔LTH可以设置在下结构LM的一些元件中。通孔LTH可以与图2A中的感测区域DP-TA重叠。如图6A中所示，通孔LTH可以从第四粘合剂层AL4穿透到第二支承层PP。通孔LTH可以提供光信号的路径，且光屏蔽结构被从其去除，并且因此可以增加电子光学模块ELM的光信号接收效率。
图8A是根据本实用新型构思的实施方式的数字化仪的平面图。图8B是根据本实用新型构思的实施方式的数字化仪的剖视图。图8C和图8D是示出根据本实用新型构思的实施方式的下结构的一些组件的平面图。图8A、图8C和图8D是基于其中图6A中所示的显示装置DD从右向左转的状态而示出的。
如图8A中所示，数字化仪DTM可以包括彼此间隔开的第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2。第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2可以电连接到第一柔性电路板FCB1和第二柔性电路板FCB2。第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2可以将第一柔性电路板FCB1和第二柔性电路板FCB1电连接到主电路板。
第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2可以分别包括多个第一环形线圈和多个第二环形线圈。第一环形线圈可以被称为驱动线圈，并且第二环形线圈可以被称为感测线圈。多个第一环形线圈和多个第二环形线圈可以设置在彼此不同的层上。
参考图8B，将参考第一数字化仪DTM-1的截面来描述数字化仪DTM的层叠结构。图8B是沿着图8A中的线III-III’截取的剖视图。
图8B示出了在与图6A中所示的显示装置DD相同的状态下设置的第一数字化仪DTM-1的截面。第一数字化仪DTM-1和第二数字化仪DTM-2可以具有相同的层叠结构。
第一数字化仪DTM-1包括基础层D-BL、设置在基础层D-BL的一个表面上的第一环形线圈510以及设置在基础层D-BL的另一表面上的第二环形线圈520。基础层D-BL可以包括合成树脂膜。基础层D-BL可以包括例如聚酰亚胺膜。可选地，基础层D-BL可以包括环氧树脂膜。第一环形线圈510和第二环形线圈520可以包括诸如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)等的金属。
保护第一环形线圈510和第二环形线圈520的保护层可以设置在基础层D-BL的一个表面和另一表面上。第一保护层PL-D1可以设置在第一环形线圈510上并且通过第一粘合剂层AL-D1附到基础层D-BL的一个表面。第二保护层PL-D2可以设置在第二环形线圈520上并且通过第二粘合剂层AL-D2粘附到基础层D-BL的另一表面。保护层可以包括合成树脂膜，例如聚酰亚胺膜。第三粘合剂层AL-D3可以设置在第二保护层PL-D2之下，这使得前面提及的图6A中的电磁屏蔽层MML附接在第一数字化仪DTM-1之下。
如以上所描述的，由于第一支承层PLT具有绝缘性质，因此从第一环形线圈510和第二环形线圈520生成的电磁场可以穿过第一支承层PLT。设置在第一支承层PLT之下的数字化仪DTM可以感测外部输入。
再次参考图8A，与图8A中的通孔LTH对应的开口可以限定在第一数字化仪DTM-1中。第一柔性电路板FCB1可以粘结到第一数字化仪DTM-1的焊盘区域DTM1-P，并且第二柔性电路板FCB2可以粘结到第二数字化仪DTM-2的焊盘区域DTM2-P。彼此对应的柔性电路板FCB1和FCB2以及焊盘区域DTM1-P和DTM2-P可以通过各向异性导电粘合剂层电结合。
第一数字化仪DTM-1的焊盘区域DTM1-P可以被定义为其中第一环形线圈和第二环形线圈的末端对准的区域，或者其中电连接到第一环形线圈和第二环形线圈的信号线的末端对准的区域。第二数字化仪DTM-2的焊盘区域DTM2-P也可以被定义为其中第一环形线圈和第二环形线圈的末端对准的区域，或者其中电连接到第一环形线圈和第二环形线圈的信号线的末端对准的区域。
参考图8C，第一金属层ML1设置在第一电磁屏蔽层MML-1上，并且第二金属层ML2设置在第二电磁屏蔽层MML-2上。暴露第一柔性电路板FCB1的开口ML-OP1限定在第一金属层ML1中。开口ML-OP1与用于将第一柔性电路板FCB1连接到主电路板的通道对应。暴露第二柔性电路板FCB2的开口ML-OP2限定在第二金属层ML2中。开口也可以限定在电磁屏蔽层MML-1和MML-2中，以分别与限定在第一金属层ML1和第二金属层ML2中的开口ML-OP1和ML-OP2重叠。切割部分ML-C1和ML-C2可以分别限定在第一金属层ML1和第二金属层ML2中。电磁屏蔽层MML-1和MML-2的一部分可以由切割部分ML-C1和ML-C2暴露。
如图8C和图8D中所示，第2-1支承层PP1设置在第一金属层ML1上，并且第2-2支承层PP2设置在第二金属层ML2上。与第一金属层ML1的开口ML-OP1对应的开口PP-OP1可以限定在第2-1支承层PP1中。与第二金属层ML2的开口ML-OP2对应的开口PP-OP2可以限定在第2-2支承层PP2中。与第一金属层ML1的切割部分ML-C1对应的切割部分PP-C1可以限定在第2-1支承层PP1中。与第二金属层ML2的切割部分ML-C2对应的切割部分PP-C2可以限定在第2-2支承层PP2中。与通孔LTH对应的开口可以限定在第2-1支承层PP1中。
如图8D中所示，第一磁场屏蔽片MSM1设置在第一金属层ML1的切割部分ML-C1中，并且第二磁场屏蔽片MSM2设置在第二金属层ML2的切割部分ML-C2中。第一磁场屏蔽片MSM1附接到第一电磁屏蔽层MML-1，并且第二磁场屏蔽片MSM2附接到第二电磁屏蔽层MML-2。参考图8D，第三磁场屏蔽片MSM3可以附接到第2-1支承层PP1上。第三磁场屏蔽片MSM3可以与第一磁场屏蔽片MSM1相邻设置。
参考图6A和图8D，磁场屏蔽片MSM包括附接在第一电磁屏蔽层MML-1之下的第一磁场屏蔽片MSM1、附接在第二电磁屏蔽层MML-2之下的第二磁场屏蔽片MSM2以及附接在第2-1支承层PP1之下的第三磁场屏蔽片MSM3，并且第一磁场屏蔽片MSM1、第二磁场屏蔽片MSM2和第三磁场屏蔽片MSM3中的每一个与显示装置DD的非折叠区域NFA10和NFA20重叠。包括在显示装置DD中的磁场屏蔽片MSM不与折叠区域FA0重叠。
在实施方式的显示装置DD中，由于省略了与折叠区域FA0重叠的磁场屏蔽片MSM，因此可以减小响应于折叠操作的反作用力。在实施方式的显示装置DD中，即使当与折叠区域FA0重叠的磁场屏蔽片MSM被省略时，电磁屏蔽层MML具有30μm或更大的厚度，并且因此也可以通过厚的电磁屏蔽层MML在折叠区域FA0中确保足够的电磁波屏蔽性能。因此，可以防止数字化仪DTM的性能劣化。
根据本实用新型构思的实施方式，可以省略显示面板的下部分中的阻挡膜和与折叠区域重叠的磁场屏蔽片，这产生更好的折叠特性。此外，即使当省略包括在显示装置的下结构中的重且厚的金属板时，也可以充分地保证显示装置的机械强度，并且因此显示装置可以被制成薄并且重量轻的。
虽然在本文中已经参考本实用新型的示例性实施方式描述了本实用新型的实施方式，但是本实用新型所属领域中的普通技术人员将清楚，在不背离本实用新型的精神和技术领域的情况下，可以对所描述的实施方式进行各种改变和修改。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示面板，包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域之间的折叠区域；
窗；
第一粘合剂层，设置在所述窗和所述显示面板之间，并且具有第一厚度；以及
下结构，设置在所述显示面板之下，
其中，所述下结构包括：
第一支承层，与所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域重叠；
数字化仪，设置在所述第一支承层之下，包括环形线圈，并且与所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域重叠；
电磁屏蔽层，设置在所述数字化仪之下并且具有第二厚度；
金属层，设置在所述电磁屏蔽层之下；以及
绝缘的第二支承层，设置在所述金属层之下，以及
其中，所述第一厚度为75μm至100μm，并且所述第二厚度为30μm至60μm。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述下结构还包括：
下部分保护膜，设置在所述显示面板之下；以及
第一附加粘合剂层，设置在所述下部分保护膜和所述第一支承层之间，
其中，所述第一附加粘合剂层直接设置在所述下部分保护膜之下，并且所述第一支承层直接设置在所述第一附加粘合剂层之下。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述下结构还包括：磁场屏蔽片，设置在所述第二支承层的一部分和所述电磁屏蔽层的一部分之下。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述数字化仪包括：
第一数字化仪，与所述第一非折叠区域重叠；以及
第二数字化仪，与所述第二非折叠区域重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一支承层包括：
第一支承部分，与所述第一非折叠区域对应；
第二支承部分，与所述第二非折叠区域对应；以及
折叠部分，设置在所述第一支承部分和所述第二支承部分之间，并且包括多个开口，以及
其中，所述下结构还包括：覆盖层，附接到所述折叠部分的底表面并且与所述数字化仪间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述下结构还包括：通孔，穿过所述第一支承层、所述数字化仪、所述电磁屏蔽层、所述金属层和所述第二支承层。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示面板，包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域之间的折叠区域；
窗，设置在所述显示面板上；以及
下结构，设置在所述显示面板之下，
其中，所述下结构包括：
数字化仪，包括环形线圈，并且与所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域重叠；
电磁屏蔽层，直接设置在所述数字化仪之下；
金属层，设置在所述电磁屏蔽层之下；
下部分粘合剂层，直接设置在所述金属层之下；以及
绝缘的第二支承层，直接设置在所述下部分粘合剂层之下。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述数字化仪的厚度为120μm至180μm，
其中，所述电磁屏蔽层的厚度为30μm至60μm，以及
其中，所述第二支承层的厚度与所述下结构的第二附加粘合剂层的厚度的总和为1μm至10μm。
9.一种电子装置，其特征在于，包括：
显示装置，包括通过其传输光信号的感测区域以及与所述感测区域相邻的显示区域；以及
电子光学模块，设置在所述显示装置之下，与所述感测区域重叠，并且被配置成接收所述光信号，
其中所述显示装置包括：
显示面板，包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域之间的折叠区域；
窗；
第一粘合剂层，设置在所述窗和所述显示面板之间，并且具有第一厚度；以及
下结构，设置在所述显示面板之下，
其中，所述下结构包括：
第一支承层，与所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域重叠；
数字化仪，设置在所述第一支承层之下，包括环形线圈，
并且与所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域重叠；
电磁屏蔽层，设置在所述数字化仪之下并且具有第二厚度；
金属层，设置在所述电磁屏蔽层之下；以及
第二支承层，设置在所述金属层之下并且具有绝缘性质，其中，所述第一厚度为75μm至100μm，并且所述第二厚度为30μm至60μm。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述下结构包括：通孔，穿过所述第一支承层、所述数字化仪、所述电磁屏蔽层、所述金属层和所述第二支承层。
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