CN220774405U - 多孔荧光片与高亮度的led模组及芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供的一种多孔荧光片，包括：第一基板；若干阵列排布的孔洞；形成于第一基板中，且贯穿第一基板；若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；若干荧光结构；分别填充于孔洞中；若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；其中，当多孔荧光片键合于LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有荧光结构单元。该方案解决了如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。

Description

多孔荧光片与高亮度的LED模组及芯片

技术领域

本实用新型涉及半导体制作工艺领域，尤其涉及一种多孔荧光片与高亮度的LED模组。

背景技术

随着汽车电子化、智能化的发展，汽车照明系统也在不断升级，从传统的单纯照明功能，到现在的自适应大灯、矩阵式大灯、激光大灯等多种技术方案，实现了更高效、更安全、更个性化的照明效果。智能车灯不仅可以提高驾驶员和行人的视野和安全性，还可以与周围环境进行交互和通信提升行车效率，甚至可以通过个性化场景带来氛围和尊贵感。智能车灯的像素化、智能化和个性化，带来了更安全，更智能，更丰富的应用场景，持续为汽车安全出行，娱乐生活赋能。

矩阵式LED大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，每一个LED发光元件都是可以独立调节亮度、独立开关的。夜间会车或遇到行人时，矩阵式LED大灯就会自动熄灭部分灯体，其它车辆驾驶员因炫目而发生危险，可提升夜间行车安全系数及驾驶体验。

因而，研发一种高分辨率、高亮度的矩阵式LED车灯模组制备方法与结构，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。

实用新型内容

本实用新型提供一种多孔荧光片与高亮度的LED模组，以解决如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种多孔荧光片，用于提高LED模组的显示对比度和出光亮度，包括：

第一基板；

若干阵列排布的孔洞；形成于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；

若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；

若干荧光结构；分别填充于所述孔洞中；

若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；

其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，所述荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；

其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于所述LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

可选的，所述透镜结构的材料为二氧化硅或树脂。

可选的，所述荧光结构的材料为：量子点或荧光胶。

根据本实用新型的第二方面，提供了一种高亮度的LED模组，包括：阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：沿第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；

一个或两个以上的阴极柱；

金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；

CMOS驱动电路基板；

若干P-pad结构；形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；

若干N-pad结构；形成于所述阴极柱的第一表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板的一面；

多孔荧光片；所述多孔荧光片包括第一基板与阵列排布的若干荧光结构单元；其中，每个荧光结构单元均包括：孔洞、反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述射镜层形成于孔洞的侧壁上；所述荧光结构填充于所述孔洞中；所述透镜结构形成于对应的所述荧光结构的顶端；

其中，所述荧光结构单元对应键合于对应的所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

根据本实用新型的第三方面，提供了一种LED芯片，包括本实用新型第二方面所述的高亮度的LED模组。

本实用新型提供的一种多孔荧光片，当多孔荧光片键合于LED模组上时，由于在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述第一基板隔离，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本实用新型提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。

进一步地，本实用新型还提供了一种高亮度的LED模组，由于在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述第一基板隔离，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元上；形成的出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本实用新型提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例提供的一种高亮度的LED模组的器件结构示意图；

图2是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图一；

图3是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图二；

图4是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图三；

图5是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图四；

图6是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图五；

图7是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图六；

图8是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图七；

图9是本实用新型一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图八；

图10是本实用新型一实施例提供的一种多孔荧光片的制备方法的流程示意图；

图11是本实用新型一实施例提供的一种高亮度的LED模组的制备方法的流程示意图；

附图标记说明：

101-CMOS驱动电路基板；

102-N型外延层；

103-发光层；

104-P型外延层；

105-透明导电层；

106-N-pad结构；

107-P-pad结构；

108-金属空气桥结构；

109-第一基板；

110-荧光结构；

111-反射镜层；

112-透镜结构；

113-出光粗化结构。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

矩阵式LED大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，矩阵式LED大灯的每一个LED发光元件都是可以独立调节亮度、独立开关的。夜间会车或遇到行人时，矩阵式LED大灯就会自动熄灭部分灯体，其它车辆驾驶员因炫目而发生危险，可提升夜间行车安全系数及驾驶体验。

因而，需要提研发一种高分辨率、高亮度的矩阵式LED车灯模组制备方法与结构。

有鉴于此，本申请的发明人经过反复试验和论证提出了：一种应用于LED模组的多孔荧光片，以及高亮度LED模组；高亮度LED模组包括：在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述基板隔离；其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端。

由于在荧光结构单元之间有基板阻挡，因而避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。LED像素单元中的出光面设置出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。

可见，本实用新型提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。并且，，将多孔荧光片的制备独立于LED模组，而形成一单独工艺路线，可以同LED模组同时制备，有利于提高工艺效率，节省了工艺时间；另外，利用单独工艺路线制备多孔荧光片，有利于多孔荧光片的量产，且可以根据LED模组的类型，定制不同的多孔荧光片

下面以具体地实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

请参考图1-图11，根据本实用新型的一实施例，提供了一种多孔荧光片，如图9所示；用于提高LED模组的显示对比度和出光亮度，包括：

第一基板109；

若干阵列排布的孔洞；形成于所述第一基板109中，且贯穿所述第一基板109；

若干反射镜层111；分别形成于孔洞的侧壁上；

若干荧光结构110；分别填充于所述孔洞中；一种具体实施例中，所述荧光结构110的材料为：量子点或荧光胶。当然荧光结构110的材料也可以是其他实现形式，任何荧光结构110的材料的实现形式均在本实用新型的保护范围内，本实用新型并不以此为限；

若干透镜结构112；分别形成于对应的荧光结构110的顶端；一种具体实施例中，所述透镜结构112的材料为：二氧化硅或树脂；当然透镜结构112的材料也可以是其他实现形式，任何透镜结构112的材料的实现形式均在本实用新型的保护范围内，本实用新型并不以此为限；

其中，在同一孔洞中形成的反射镜层111，所述荧光结构110以及其顶端对应形成的透镜结构112形成荧光结构单元；

其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于所述LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

一种实施方式中，若干孔洞的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致，每个孔洞中均形成有荧光结构单元，则若干荧光单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；后续制备高亮度的LED模块时，荧光结构单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；每个LED像素单元的顶端均形成有荧光结构单元；

另一种实施方式中，若干孔洞的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致，仅部分孔洞中均形成有荧光结构单元，且若干荧光单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；则后续制备高亮度的LED模块时，荧光结构单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；且部分LED像素单元的顶端形成有荧光结构单元；

其他种实施方式中，若干孔洞的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致，仅部分孔洞中零散分布有荧光结构单元，且若干荧光单元的零散分布于LED像素单元的阵列的顶端；则后续制备高亮度的LED模块时，部分LED像素单元的顶端形成有荧光结构单元；且荧光结构单元呈现零散分布形态；

本实用新型提供的一种多孔荧光片，当多孔荧光片键合于LED模组上时，由于可以在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述第一基板隔离，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本实用新型提供的技术方案，在提高LED模组的光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。

前述的一种多孔荧光片的制作方法的流程示意图如图10所示；该制备方法的具体包括：

S11：提供第一基板109；

S12：形成若干孔洞、若干反射镜层111以及若干荧光结构110；所述若干孔洞阵列排布于所述第一基板109中，且贯穿所述第一基板109；所述若干反射镜层111分别形成于对应的孔洞的侧壁上；所述若干荧光结构110分别填充于对应的孔洞中；形成若干孔洞之后的结构如图3所示；形成若干反射镜层111之后的结构如图6所示；形成若干荧光结构110之后的结构如图7所示；

S13：形成若干透镜结构112；所述若干透镜结构112分别形成于对应的荧光结构110的顶端；其中，每个所述孔洞中的形成的所述荧光结构110、反射镜层111以及对应的透镜结构112形成荧光结构单元；如图8所示；

S14：对所述第一基板109的第一面进行减薄，以暴露出所述第一基板109的所述第一面的所述荧光结构110；其中，所述第一基板109的第一面表征了所述第一基板109的形成所述透镜结构112的一面的对立面；如图9所示；

其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

其中，孔洞的横截面的截面图的形状可以是圆形，如图5所示，也可以是矩形，如图4所示；当然也可以是其他实现形式，任何孔洞截面图的形状的实现形式，均在本实用新型的保护范围内，本实用新型并不以此为限；

根据本实用新型的另一实施例，还提供了一种高亮度的LED模组，如图1所示，包括：

阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：沿第一方向依次堆叠的透明导电层105、P型外延层104、发光层103以及N型外延层102；所述N型外延层102的第一面形成有出光粗化结构113；所述N型外延层102的第一面表征了所述N型外延层102背离所述发光层103的一面；

一个或两个以上的阴极柱；

金属空气桥结构108；所述金属空气桥结构108连接于若干所述N型外延层102之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；

CMOS驱动电路基板101；

若干P-pad结构107；形成于所述透明导电层105与所述CMOS驱动电路基板101之间；

若干N-pad结构106；形成于所述阴极柱的第一表面的所述金属空气桥结构108上，且连接所述CMOS驱动电路基板101；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构108与所述若干N-pad结构106形成共阴极结构；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板101的一面；

多孔荧光片；所述多孔荧光片包括第一基板109与阵列排布的若干荧光结构单元；其中，每个荧光结构单元均包括：孔洞、反射镜层111、荧光结构110以及透镜结构112；所述射镜层形成于孔洞的侧壁上；所述荧光结构110填充于所述孔洞中；所述透镜结构112形成于对应的所述荧光结构110的顶端；

其中，所述荧光结构单元对应键合于对应的所述LED像素单元中的所述出光粗化结构113上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

其中，由于荧光结构110被填充在独立的孔洞内，与其对应的LED像素单元发出的光直接被其激发，不会被相邻的孔洞内的荧光结构110激发，从而激发后发出的光线还完全被隔离，没有光串扰现象，得到很高的分辨率效果。

其中，每个LED像素单元的出光面均设置了出光粗化结构113，因而，利用出光粗化结构113的散射作用，可以破坏LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度。

一种实施方式中，部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元，且荧光结构单元密集排列于所述LED模组的顶端；则荧光结构单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；

另一种实施方式中，部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元，且荧光结构单元零散分布于所述LED模组的顶端；

其他实施方式中，LED模组中的每个LED像素单元的顶端均形成有荧光结构单元，则荧光结构单元的阵列排布方式也同LED像素单元的阵列排布方式一致。

本实用新型提供的一种高亮度的LED模组，由于在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述第一基板隔离，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元上；形成的出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本实用新型提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。

一种高亮度的LED模组的制作方法的流程示意图如图11所示；该制作方法该方法包括：

S21：提供一LED模组；所述LED模组包括：阵列排布的若干LED像素单元、金属空气桥结构108、CMOS驱动电路基板101、若干P-pad结构107、若干N-pad结构106以及一个或两个以上的阴极柱；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层105、P型外延层104、发光层103以及N型外延层102；所述N型外延层102的第一面形成有出光粗化结构113；所述N型外延层102的第一面表征了所述N型外延层102背离所述发光层103的一面；其中，所述金属空气桥结构108连接于若干所述N型外延层102之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板101的一面；所述若干P-pad结构107形成于所述透明导电层105与所述CMOS驱动电路基板101之间；所述若干N-pad结构106形成于所述阴极柱的所述第一表面的所述金属空气桥结构108上，且连接所述CMOS驱动电路基板101；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构108与所述若干N-pad结构106形成共阴极结构；如图2所示；

S22：提供第一基板109；

S23：形成阵列排布的若干孔洞、若干反射镜层111以及若干荧光结构110；所述若干孔洞形成于所述第一基板109中，且贯穿所述第一基板109；所述若干反射镜层111分别形成于对应的孔洞的侧壁上；所述若干荧光结构110分别填充于对应的所述孔洞中；

S24：形成若干透镜结构112；分别形成于对应的荧光结构110的顶端；其中，在每个所述孔洞中形成的所述荧光结构110、所述反射镜层111以及所述透镜结构112形成荧光结构单元；

S25：对所述第一基板109的第一面进行减薄，以暴露出所述第一基板109的所述第一面的所述荧光结构单元；其中，所述第一基板109的第一面表征了所述第一基板109的形成所述透镜结构112的一面的对立面；一种具体举例中，对所述第一基板109的第一面进行减薄时采用的工艺为抛光减薄工艺；

S26：将所述荧光结构单元键合于对应的所述LED像素单元中的所述出光粗化结构113上；其中，所述若干荧光结构单元的阵列排布方式适配于所述LED模组中所述LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

另外，根据本实用新型的一实施例，还提供了一种LED芯片，包括本实用新型前述实施例所述的高亮度的LED模组。

前述的一种LED芯片的制作方法，包括本实用新型前述实施例所述的高亮度的LED模组的制作方法。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (5)

1.一种多孔荧光片，用于提高LED模组的显示对比度和出光亮度，其特征在于，包括：

第一基板；

若干阵列排布的孔洞；形成于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；

若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；

若干荧光结构；分别填充于所述孔洞中；

若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；

其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，所述荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；

其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于所述LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

2.根据权利要求1所述的多孔荧光片，其特征在于，所述透镜结构的材料为二氧化硅或树脂。

3.根据权利要求1所述的多孔荧光片，其特征在于，所述荧光结构的材料为：量子点或荧光胶。

4.一种高亮度的LED模组，其特征在于，包括：

阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：沿第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；

一个或两个以上的阴极柱；

金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；

CMOS驱动电路基板；

若干P-pad结构；形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；

若干N-pad结构；形成于所述阴极柱的第一表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板的一面；

多孔荧光片；所述多孔荧光片包括第一基板与阵列排布的若干荧光结构单元；其中，每个荧光结构单元均包括：孔洞、反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述射镜层形成于孔洞的侧壁上；所述荧光结构填充于所述孔洞中；所述透镜结构形成于对应的所述荧光结构的顶端；

其中，所述荧光结构单元对应键合于对应的所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

5.一种LED芯片，其特征在于，利用包括权利要求4所述的高亮度的LED模组。