CN117153858A - 高亮度的led模组及其制备方法、led芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高亮度的LED模组，包括：形成于CMOS驱动电路基板上的阵列排布的若干LED像素单元；其中，N型外延层的第一面形成出光粗化结构；金属空气桥结构，连接于若干N型外延层之间，且延伸于阴极柱的侧壁与表面上；光阻结构，阵列排布于光阻结构中的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；反射镜层形成于荧光结构的侧壁上；透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构单元中的荧光结构对应键合于LED像素单元中的出光粗化结构上。该技术方案解决了提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题。

Description

高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法。
背景技术
随着汽车电子化、智能化的发展，汽车照明系统也在不断升级，从传统的单纯照明功能，到现在的自适应大灯、矩阵式大灯、激光大灯等多种技术方案，实现了更高效、更安全、更个性化的照明效果。智能车灯不仅可以提高驾驶员和行人的视野和安全性，还可以与周围环境进行交互和通信提升行车效率，甚至可以通过个性化场景带来氛围和尊贵感。智能车灯的像素化、智能化和个性化，带来了更安全，更智能，更丰富的应用场景，持续为汽车安全出行，娱乐生活赋能。
矩阵式LED大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，每一个LED发光元件都是可以独立调节亮度、独立开关的。夜间会车或遇到行人时，矩阵式LED大灯就会自动熄灭部分灯体，其它车辆驾驶员因炫目而发生危险，可提升夜间行车安全系数及驾驶体验。
因而，研发一种高分辨率、高亮度的矩阵式LED车灯模组制备方法与结构，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。
发明内容
本发明提供一种高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法，以解决提高光线聚集度和芯片出光亮度，提高LED模组的分辨率，并同时提高工艺效率的问题。
根据本发明第一方面，提供了一种高亮度的LED模组，包括：
阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；其中，所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；
一个或两个以上的阴极柱；
金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；
CMOS驱动电路基板；
若干P-pad结构；形成于部分所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；
若干N-pad结构；形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；
光阻结构；
阵列排布的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；其中，所述若干荧光结构阵列排布于所述光阻结构中，且贯穿所述光阻结构；在每个所述荧光结构单元中，所述反射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；
其中，所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。
可选的，所述光阻结构的材料为黑胶。
可选的，所述透镜结构的材料为：二氧化硅或树脂。
可选的，所述荧光结构的材料为：量子点或荧光粉。
可选的，所述荧光结构为：玻璃荧光结构或陶瓷荧光结构。
根据本发明的第二方面，提供了一种高亮度的LED模组的制作方法，包括：
提供一LED模组；所述LED模组包括：LED像素单元、金属空气桥结构、CMOS驱动电路基板、若干P-pad结构、若干N-pad结构以及一个或两个以上的阴极柱；其中，所述LED像素单元包括：透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；其中，所述透明导电层、所述P型外延层、所述发光层以及所述N型外延层沿第一方向依次堆叠，且若干LED像素单元阵列排布；其中，所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；所述若干P-pad结构形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；所述若干N-pad结构形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；
提供一荧光片；
形成若干透镜结构；所述若干透镜结构阵列排布于所述荧光片的第一表面；将所述荧光片的第二表面键合于所述出光粗化结构上；所述第一表面与所述第二表面相对设置；
刻蚀所述荧光片，以在对应的每个所述LED像素单元的顶端均形成独立的荧光结构与透镜结构；
形成若干反射镜层；反射镜层形成于对应的所述荧光结构的侧壁上；所述反射镜层、所述荧光结构以及所述透镜结构形成荧光结构单元，且若干所述荧光结构单元阵列排布；
形成光阻结构；所述光阻结构形成于所述出光粗化结构上，且填充于阵列排布的所述荧光结构单元之间的空隙中；
其中，所述若干透镜结构的阵列排布方式适配于所述LED模组中所述LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述透镜结构。
可选的，形成若干透镜结构时采用的方法是刻蚀工艺或压印工艺。
根据本发明的第三方面，提供了一种LED芯片，包括本发明第一方面的任一项所述的高亮度的LED模组。
根据本发明的第四方面，提供了一种LED芯片的制作方法，包括本发明第二方面的任一项所述的高亮度的LED模组的制作方法。
本发明提供的一种高亮度的LED模组，在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述光阻结构隔离；由于在荧光结构单元之间填充了光阻结构，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；LED像素单元中的出光面设置出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本发明提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。
进一步地，本发明还提供的一种高亮度LED模组的制备方法，形成的光阻结构，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。形成的出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；形成的反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。形成的透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本发明提供的高亮度LED模组的制备方法，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。并且，本发明提供的高亮度LED模组的制备方法，荧光结构与LED模组之间通过键合的方式组合成高亮度LED模组，可以在单独制作透镜结构与荧光片，以及LED模组之后，再进行后续工艺步骤，因而可以以及LED模组同时，有利于提高工艺效率，节省了工艺时间。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的一种高亮度的LED模组的器件结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图一；
图3是本发明一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图二；
图4是本发明一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图三；
图5是本发明一实施例提供的根据一种高亮度的LED模组的制备方法制备的不同工艺阶段的器件结构示意图四；
图6是本发明一实施例提供的一种高亮度的LED模组的制备方法的流程示意图；
附图标记说明：
101-CMOS驱动电路基板；
102-N型外延层；
103-发光层；
104-P型外延层；
105-透明导电层；
106-N-pad；
107-P-pad；
108-金属空气桥结构；
109-光阻结构；
110-荧光结构；
111-反射镜层；
112-透镜结构；
113-出光粗化结构；
114-荧光片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
矩阵式LED大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，矩阵式LED大灯的每一个LED发光元件都是可以独立调节亮度、独立开关的。夜间会车或遇到行人时，矩阵式LED大灯就会自动熄灭部分灯体，其它车辆驾驶员因炫目而发生危险，可提升夜间行车安全系数及驾驶体验。
因而，需要提研发一种高分辨率、高亮度的矩阵式LED车灯模组制备方法与结构。
有鉴于此，本申请的发明人经过反复试验和论证提出了：一种高亮度LED模组，在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述光阻结构隔离；其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端。
由于在荧光结构单元之间填充了光阻结构，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。LED像素单元中的出光面设置出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；
其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。
可见，本发明提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
请参考图1-图6根据本发明一实施例，如图1所示；提供了一种高亮度的LED模组，包括：
阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层105、P型外延层104、发光层103以及N型外延层102；其中，所述N型外延层102的第一面形成有出光粗化结构113；所述N型外延层102的第一面表征了所述N型外延层102背离所述发光层103的一面；P型外延层104与N型外延层102的材料为GaN；当然P型外延层104与N型外延层102的材料也可以是其他实现形式，任何P型外延层104与N型外延层102的材料的实现形式均在本发明的保护范围内，本发明并不以此为限；
一个或两个以上的阴极柱；
金属空气桥结构108；所述金属空气桥结构108连接于若干所述N型外延层102之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；
CMOS驱动电路基板101；
若干P-pad结构107；形成于部分所述透明导电层105与所述CMOS驱动电路基板101之间；其中，未连接P-pad结构107的外延堆叠结构不用于发光，作为阴极柱使用；其中外延堆叠结构包括：P型外延层104、发光层103以及N型外延层102；
若干N-pad结构106；形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥
结构108
上，且连接所述CMOS驱动电路基板101；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构108与所述若干N-pad结构106形成共阴极结构；
光阻结构109；一种具体举例中，所述光阻结构109的材料为黑胶；
阵列排布的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层111、荧光结构110以及透镜结构112；其中，所述若干荧光结构110阵列排布于所述光阻结构109中，且贯穿所述光阻结构109；在每个所述荧光结构单元中，所述反射镜层111形成于所述荧光结构110的侧壁上；所述透镜结构112形成于对应的荧光结构110的顶端；一种具体实施例中。所述透镜结构112的材料为：二氧化硅或树脂；当然透镜结构112的材料也可以是其他实现形式，任何透镜结构112的材料的实现形式均在本发明的保护范围内，本发明并不以此为限；
一种具体实施例中，反光镜膜层的材料为Al、Ag、DBR等高反光材料；当然反光镜膜层的材料也可以是其他实现形式，任何反光镜层的材料的实现形式均在本发明的保护范围内，本发明并不以此为限；
其中，所述荧光结构单元中的所述荧光结构110对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构113上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。一种具体实施例中，所述荧光结构110的材料为：玻璃荧光结构110或陶瓷荧光结构110。当然荧光结构110的材料也可以是其他实现形式，任何荧光结构110的材料的实现形式均在本发明的保护范围内，本发明并不以此为限；
其中，每个LED像素单元的出光面均设置了出光粗化结构113，因而，利用出光粗化结构113的散射作用，可以破坏LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度。
一种实施方式中，部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元，且荧光结构单元密集排列于所述LED模组的顶端；则荧光结构单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；
另一种实施方式中，部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元，且荧光结构单元零散分布于所述LED模组的顶端；
其他实施方式中，LED模组中的每个LED像素单元的顶端均形成有荧光结构单元，则荧光结构单元的阵列排布方式也同LED像素单元的阵列排布方式一致。
本发明提供的一种高亮度的LED模组，在至少部分LED像素单元的出光面形成荧光结构单元；其中，若干所述荧光结构单元之间通过所述光阻结构隔离；由于在荧光结构单元之间填充了光阻结构，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。其中，每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；所述射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；LED像素单元中的出光面设置出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本发明提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。
根据本发明的另一实施例，还提供了一种高亮度的LED模组的制作方法，制作方法的工艺流程图如图6所示；该方法包括：
S11：提供一LED模组；所述LED模组包括：LED像素单元、金属空气桥结构108、CMOS驱动电路基板101、若干P-pad结构107、若干N-pad结构106以及一个或两个以上的阴极柱；其中，所述LED像素单元包括：透明导电层105、P型外延层104、发光层103以及N型外延层102；其中，所述透明导电层105、所述P型外延层104、所述发光层103以及所述N型外延层102沿第一方向依次堆叠，且若干LED像素单元阵列排布；其中，所述N型外延层102的第一面形成有出光粗化结构113；所述N型外延层102的第一面表征了所述N型外延层102背离所述发光层103的一面；其中，出光粗化结构113是通过化学药液腐蚀出来的微型结构；所述金属空气桥结构108连接于若干所述N型外延层102之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；所述若干P-pad结构107形成于所述透明导电层105与所述CMOS驱动电路基板101之间；所述若干N-pad结构106形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构108上，且连接所述CMOS驱动电路基板101；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构108与所述若干N-pad结构106形成共阴极结构；LED模组如图2所示；
S12：提供一荧光片114；
S13：形成若干透镜结构112；所述若干透镜结构112阵列排布于所述荧
光片114的第一表面；
S14：将所述荧光片114的第二表面键合于所述出光粗化结构113上；所述第一表面与所述第二表面相对设置；如图3所示；
S15：刻蚀所述荧光片114，以在对应的每个所述LED像素单元的顶端均形成独立的荧光结构110与透镜结构112；
S16：形成若干反射镜层111；反射镜层111形成于对应的所述荧光结构110的侧壁上；所述反射镜层111、所述荧光结构110以及所述透镜结构112形成荧光结构单元，且若干所述荧光结构单元阵列排布；如图5所示；
S17：形成光阻结构109；所述光阻结构109形成于所述出光粗化结构113上，且填充于阵列排布的所述荧光结构单元之间的空隙中；一种实施方式中，形成光阻结构109时，通过旋涂方式形成；如图1所示；
其中，所述若干透镜结构112的阵列排布方式适配于所述LED模组中所述LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述荧光片114键合于所述LED模组上时，至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述透镜结构112。
一种实施方式中，部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述若干透镜结构112，且若干透镜结构112密集排列于所述LED模组的顶端；则若干透镜结构112的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；以使得最终形成的荧光结构单元密集排列于所述LED模组的顶端，且荧光结构单元的阵列排布方式与LED像素单元的阵列排布方式一致；
另一种实施方式中，仅部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述若干透镜结构112，且若干透镜结构112零散分布于所述LED模组的顶端；以使得仅部分所述LED像素单元的顶端最终对应形成有所述若干荧光结构单元，荧光结构单元零散分布于所述LED模组的顶端；
其他实施方式中，LED模组中的每个LED像素单元的顶端均形成有若干透镜结构112，则若干透镜结构112的阵列排布方式也同LED像素单元的阵列排布方式一致；以使得最终LED模组中的每个LED像素单元的顶端均形成有若干荧光结构单元，且荧光结构单元的阵列排布方式也同LED像素单元的阵列排布方式一致。
本发明提供的一种高亮度LED模组的制备方法，首先，提供一荧光片；并在所述荧光片的第一表面形成若干透镜结构；将所述荧光片的第二表面键合于所述出光粗化结构上；刻蚀所述荧光片，以在对应的所述LED像素单元的顶端均形成独立的荧光结构与透镜结构；在所述荧光结构的侧壁上形成对应的反射镜层，以形成阵列排布的若干荧光结构单元；在所述出光粗化结构上形成所述光阻结构，且光阻结构还填充于阵列排布的所述若干荧光结构单元之间的空隙中；所述若干透镜结构的阵列排布方式适配于所述LED模组中LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有透镜结构，从而最终至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有荧光结构。由于在荧光结构单元之间填充了光阻结构，避免了LED像素单元出射的光束相互产生光串扰的现象，提高了LED模组的分辨率。LED像素单元中的出光面设置出光粗化结构，破坏了LED像素单元中出射的光线的在出光面的全反射现象，提高了外量子出光效率，提高芯片出光亮度；其中，荧光结构用于对LED像素单元中发出的光束进行色转换；反射镜层，用于反射LED像素单元中出射的光线，避免光线从荧光结构四周的出射而损失掉，进而，更多的光束可以被荧光结构转换，并从透镜结构出射；因而，提高了光线聚集度和芯片出光亮度。透镜结构可以对经荧光结构转换的光线形成聚光效果，使得光线出射角度更小，因而，进一步地提高了芯片出光亮度。可见，本发明提供的技术方案，在提高光线聚集度和芯片出光亮度的同时，还提高了LED模组的分辨率。
一种实施例中，形成若干透镜结构112时采用的方法是刻蚀工艺或压印工艺。
其次，根据本发明的一实施例，还提供了一种LED芯片，包括本发明前述实施例的任一项所述的高亮度的LED模组。
根据本发明的一实施例，还提供了一种LED芯片的制作方法，包括本发明前述实施例的任一项所述的高亮度的LED模组的制作方法。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种高亮度的LED模组，其特征在于，包括：
阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；其中，所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；
一个或两个以上的阴极柱；
金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；
CMOS驱动电路基板；
若干P-pad结构；形成于部分所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；
若干N-pad结构；形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；
光阻结构；
阵列排布的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；其中，所述若干荧光结构阵列排布于所述光阻结构中，且贯穿所述光阻结构；在每个所述荧光结构单元中，所述反射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；
其中，所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。
2.根据权利要求1所述的高亮度的LED模组，其特征在于，所述光阻结构的材料为黑胶。
3.根据权利要求1所述的高亮度的LED模组，其特征在于，所述透镜结构的材料为：二氧化硅或树脂。
4.根据权利要求3所述的多孔荧光结构，其特征在于，所述荧光结构为：玻璃荧光结构或陶瓷荧光结构。
5.一种高亮度的LED模组的制作方法，其特征在于，包括：
提供一LED模组；所述LED模组包括：LED像素单元、金属空气桥结构、CMOS驱动电路基板、若干P-pad结构、若干N-pad结构以及一个或两个以上的阴极柱；其中，所述LED像素单元包括：透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；其中，所述透明导电层、所述P型外延层、所述发光层以及所述N型外延层沿第一方向依次堆叠，且若干LED像素单元阵列排布；其中，所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；所述若干P-pad结构形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；所述若干N-pad结构形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构；提供一荧光片；
形成若干透镜结构；所述若干透镜结构阵列排布于所述荧光片的第一表面；将所述荧光片的第二表面键合于所述出光粗化结构上；所述第一表面与所述第二表面相对设置；
刻蚀所述荧光片，以在对应的每个所述LED像素单元的顶端均形成独立的荧光结构与透镜结构；
形成若干反射镜层；反射镜层形成于对应的所述荧光结构的侧壁上；所述反射镜层、所述荧光结构以及所述透镜结构形成荧光结构单元，且若干所述荧光结构单元阵列排布；
形成光阻结构；所述光阻结构形成于所述出光粗化结构上，且填充于阵列排布的所述荧光结构单元之间的空隙中；
其中，所述若干透镜结构的阵列排布方式适配于所述LED模组中所述LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述透镜结构。
6.根据权利要求5所述的高亮度的LED模组的制作方法，其特征在于，形成若干透镜结构时采用的方法是刻蚀工艺或压印工艺。
7.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的高亮度的LED模组。
8.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括权利要求5-6任一项所述的高亮度的LED模组的制作方法。
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