CN220753206U - 磁性组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种磁性组件。磁性组件包括电路板及磁芯组。电路板包括彼此相对设置的第一面以及第二面，以及至少两个通孔贯穿第一面以及第二面。磁芯组包括上磁盖以及下磁盖，分别设置于电路板的第一面及第二面，其中上磁盖包括至少两个磁柱，分别通过至少两个通孔连接至下磁盖，其中上磁盖直接热耦合至散热装置，且上磁盖的体积大于下磁盖的体积。由于下磁盖至散热装置的热阻较大，减小下磁盖的体积有助减小下磁盖的发热量，从而实现整体热量的均匀分布。

Description

磁性组件

技术领域

本实用新型涉及功率变换器领域，具体而言，涉及一种磁性组件，通过非对称磁芯结构组合而使整体热分布更均匀，且进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

背景技术

随着社会工业体系的进步，目前各行各业对电力的需求日益壮大，功率变换器如何做到效率更高，体积更小，成本更低也变得越来越重要。尤其是互联网、云计算、超级计算机、5G、新能源汽车等使用场景，对功率密度的要求越来越高，因此电源模块的发展变得尤为重要，所以如何将电源模块的功率密度进一步提高成为工程师的研发重点之一。

磁性元器件是电源模块中的重要组成部分，且一般占据着较大的面积与体积，该磁性元器件一般为变压器、电感器或耦合电感。为使电源模块的功率密度进一步提高，体积进一步缩小，一般会采用高频化的设计。

传统电源模块中，磁芯器件一般采用平面变压器结构，绕组线圈以多层电路板的形式堆叠，磁芯一般采用对称结构。磁芯采用对称结构时，一般磁通分布均匀，损耗分布均匀。另外更重要的一点是在工厂自动化生产时，这种对称的结构更便于组装生产。

然而传统电源模块的主流的散热方式则多采用非对称散热方式，通过水冷或风冷方式于电源模块的单侧进行散热，以将电源模块的热量带走。于非对称散热方式中，电源模块的单面的散热条件远优于另一面的散热条件，容易造成电源模块整体热分布不均匀的问题。

因此，如何发展一种磁性组件，通过非对称磁芯结构组合而使整体热分布更均匀，且进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题，是本领域亟需面对的课题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种磁性组件，通过非对称磁芯结构组合而使整体热分布更均匀，且进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。其中，构成平面变压器的磁芯组以上磁盖及下磁盖设置于电路板的上下表面，上磁磁盖和下磁盖为非对称结构，直接热耦合至散热装置的上磁盖具有大于下磁盖的体积。由于上磁盖至散热装置的热阻小于下磁盖至散热装置的热阻，当下磁盖的体积小于上磁盖的体积时，下磁盖相对上磁盖部分的发热量就会减小，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖过热而产生的一系列问题。再者，上磁盖及下磁盖通过电路板上的通孔连接时，上磁盖包括至少两磁柱通过电路板的通孔连接至下磁盖，使上磁盖与下磁盖的连接处邻近下磁盖，实现非对称磁芯结构组合。另一方面，下磁盖可通过至少一凸柱与上磁盖的磁柱连接或形成至少一气隙，除了实现整体热分布均匀化外，至少一凸柱的凸伸高度不小于0.9mm更有助于上磁盖及下磁盖安装固定至电路板上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

本实用新型的另一目的在于提供一种磁性组件。于平面变压器的上磁盖和下磁盖的磁芯组中，当上磁盖组配直接热耦合至散热装置时，上磁盖和下磁盖组合形成的连接处可邻近下磁盖设计而形成非对称磁芯结构组合，减小下磁盖的尺寸并使上磁盖的体积大于下磁盖的体积。由于下磁盖至散热装置的热阻大于上磁盖至散热装置的热阻，通过减小下磁盖的体积有助减小下磁盖的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖过热而产生的一系列问题。当然，非对称磁芯结构组合中的气隙不限形成边柱或中柱。

为达前述目的，本实用新型提供一种磁性组件，包括电路板及磁芯组。电路板包括彼此相对设置的第一面以及第二面，以及至少两个通孔贯穿第一面以及第二面。磁芯组包括上磁盖以及下磁盖，分别设置于电路板的第一面及第二面，其中上磁盖包括至少两个磁柱，分别通过至少两个通孔连接至下磁盖，其中上磁盖直接热耦合至一散热装置，且上磁盖的体积大于下磁盖的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖至该散热装置的热阻小于该下磁盖至该散热装置的热阻。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖包括至少一个凸柱，于空间上相对该上磁盖的该两个边柱中至少一者，且通过该至少两个通孔中至少一者连接至该上磁盖，其中该凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖为U型磁芯包括两个凸柱，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且分别通过该至少两个通孔连接至该上磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖为一U型磁芯包括两个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖为一E型磁芯包括三个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该三个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱以及该中柱，且分别通过该三个通孔连接至该上磁盖，其中该三个凸柱的体积小于该两个边柱及该中柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖包括一个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该凸柱于空间上相对于该上磁盖的该中柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖，其中该凸柱的体积小于该中柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖包括至少一个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该至少一个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该至少一个中柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该至少两个中柱分别通过该至少四个通孔连接至该下磁盖，其中该至少一个凸柱的体积小于该两个中柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为U型磁芯包括两个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且分别通过该至少四个通孔连接至该上磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为U型磁芯包括至少四个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该至少四个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱及该至少两个中柱，且分别通过该至少四个通孔连接至该上磁盖，其中该至少四个凸柱的体积小于该两个边柱及该至少两个中柱的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该下磁盖的至少一该凸柱具有一凸伸高度，该凸伸高度大于或等于0.9mm。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖为一I型磁芯，该至少两个通孔包括两个通孔，该上磁盖的该两个边柱分别通过该两个通孔连接至该下磁盖。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该上磁盖为一E型磁芯；该下磁盖包括两个边柱，该下磁盖为一U型磁芯，该下磁盖的该两个边柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，该中柱的长度大于该上磁盖的该两个边柱的长度，该中柱邻近该下磁盖形成一气隙。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该上磁盖为一E型磁芯，该下磁盖为一I型，该至少两个通孔包括三个通孔，该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为I型磁芯，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该两个边柱及该至少两个中柱通过该至少四个通孔连接至该下磁盖。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖的该至少两个磁柱形成至少一个气隙邻近该下磁盖，该至少一气隙对应形成于该上磁盖的至少一该中柱与该下磁盖之间。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖的该至少两个磁柱形成至少一个气隙邻近该下磁盖，该至少一气隙形成于该上磁盖的至少一该边柱与该下磁盖之间。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该磁性组件为一平面变压器，该电路板还包括一绕组，环绕该至少两个通孔的外周缘。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该散热装置为一散热器或一导热胶片。

为达前述目的，本实用新型另提供一种磁性组件，包括电路板以及磁芯组。电路板包括彼此相对设置的第一面以及第二面，以及至少一个通孔贯穿第一面以及第二面。磁芯组包括上磁盖以及下磁盖，分别设置于电路板的第一面及第二面，且通过至少一个通孔连接，其中上磁盖直接热耦合至散热装置，上磁盖至散热装置的热阻小于下磁盖至散热装置的热阻，且上磁盖的体积大于下磁盖的体积。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖包括至少一个磁柱，通过该至少一个通孔连接至该下磁盖，其中至少一个气隙形成于该至少一个磁柱和该下磁盖相接处。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该下磁盖包括至少一个凸柱，于空间上相对于该上磁盖的该至少一磁柱，该至少一个气隙设置该至少一磁柱和该至少一个凸柱相接处，其中该下磁盖的该至少一个凸柱具有一凸伸高度，该凸伸高度大于或等于0.9mm。

根据本实用新型其中的一个实施方式，该上磁盖包括至少两个磁柱，该至少两个磁柱中的一者通过该电路板的外缘侧连接至该下磁盖。

本实用新型的有益效果在于，本实用新型的实施例提供一种磁性组件，通过非对称磁芯结构组合而使整体热分布更均匀，且进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

附图说明

图1示意性示出本实用新型第一实施例磁性组件的结构分解图。

图2示意性示出本实用新型第一实施例磁性组件的剖面结构图。

图3示意性示出本实用新型第二实施例磁性组件的结构分解图。

图4示意性示出本实用新型第二实施例磁性组件的剖面结构图。

图5示意性示出本实用新型第三实施例磁性组件的剖面结构图。

图6示意性示出本实用新型第四实施例磁性组件的剖面结构图。

图7示意性示出本实用新型第五实施例磁性组件的剖面结构图。

图8示意性示出本实用新型第六实施例磁性组件的剖面结构图。

图9示意性示出本实用新型第七实施例磁性组件的剖面结构图。

图10示意性示出本实用新型第八实施例磁性组件的剖面结构图。

图11示意性示出本实用新型第九实施例磁性组件的剖面结构图。

图12示意性示出本实用新型第十实施例磁性组件的剖面结构图。

图13示意性示出本实用新型第十一实施例磁性组件的剖面结构图。

图14示意性示出本实用新型第十二实施例磁性组件的结构分解图。

图15示意性示出本实用新型第十二实施例磁性组件的剖面结构图。

图16示意性示出本实用新型第十三实施例磁性组件的结构分解图。

图17示意性示出本实用新型第十三实施例磁性组件的剖面结构图。

附图标记如下：

1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、1j、1k、1m：磁性组件

10、10a：电路板

11：第一面

12：第二面

13：通孔

14：绕组

20、20a、20b、20c、20d、20e、20f、20g、20h、20i、20j：上磁盖

21a、21b：边柱

21c、21d：中柱

22：气隙

30、30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g、30h、30i、30j：下磁盖

31a、31b、31c、31d：凸柱

40：散热器

41：导热胶片

H：凸伸高度

X、Y、Z：轴

具体实施方式

体现本实用新型特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本实用新型能够在不同的方式上具有各种的变化，其皆不脱离本实用新型的范围，且其中的说明及附图在本质上为当作说明之用，而非用于限制本实用新型。例如，若是本公开以下的内容叙述了将一第一特征设置于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所设置的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了还可将附加的特征设置于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本公开中不同实施例可能使用重复的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例和/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一组件或特征部件与另一(复数)组件或(复数)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“上”、“下”、“左”、“右”及类似的用语等。除了附图所示出的方位之外，空间相关用语用以涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。此外，当将一组件称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接至或耦合至另一组件，或者可存在介入组件。例如文中所使用的“热耦合”一词，既可以指直接接触形成传热路径，也可以指通过其他部件间接地形成传热路径。尽管本公开的广义范围的数值范围及参数为近似值，但尽可能精确地在具体实例中陈述数值。另外，可理解的是，虽然“第一”、“第二”、“第三”等用词可被用于权利要求中以描述不同的组件，但这些组件并不应被这些用语所限制，在实施例中相应描述的这些组件是以不同的组件符号来表示。这些用语是为了分别不同组件。例如：第一组件可被称为第二组件，相似地，第二组件也可被称为第一组件而不会脱离实施例的范围。如此所使用的用语“和/或”包含了一或多个相关列出的项目的任何或全部组合。

图1及图2示意性示出本实用新型第一实施例磁性组件。本实用新型提供一种磁性组1的组装结构，例如应用于平面变压器。磁性组件1上方配置有散热装置解决磁性组件1作用时的散热问题。于本实施例中，配合上方散热装置的磁性组件1包括电路板10及磁芯组(magnetic core set)。电路板10包括彼此相对设置的第一面11以及第二面12，以及至少两个通孔13贯穿第一面11以及第二面12。于本实施例中，磁性组件(magnetic component)1例如应用于平面变压器，则电路板10还包括有一绕组14，环绕至少两个通孔(through hole)13，嵌埋于电路板10内。当然，本实用新型并不以此为限。于本实施例中，磁芯组为非对称磁芯组合结构，包括上磁盖(upper magnetic cover)20以及下磁盖(lower magnetic cover)30。上磁盖20设置于电路板10上方的第一面11，下磁盖30设置于电路板10下方的第二面12。于本实施例中，上磁盖20为一U型磁芯，下磁盖30为一I型磁芯，下磁盖30的体积小于上磁盖20的体积。上磁盖20包括两个磁柱例如两个边柱(side column)21a、21b，分别通过两个通孔13连接至下磁盖30。进一步的，于本实施例中，两个边柱21a、21b可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30。其中上磁盖20的上方平行XY平面的顶面直接热耦合至散热装置，例如散热器(heat sink)40或导热胶片(thermal pad)41，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，上磁盖20至散热装置的热阻小于下磁盖30至散热装置的热阻。于本实施例中，通过设置上磁盖20的体积大于下磁盖30的体积，于磁芯组的散热途径上，虽然下磁盖30至散热装置的热阻较大，但通过设置下磁盖30的体积小于上磁盖20的体积，则可减少下磁盖30相对上磁盖20的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30过热而产生的一系列问题。

于本实施中，上磁盖20为一U型磁芯，下磁盖30为一I型磁芯，上磁盖20具有至少两个磁柱，例如两个边柱21a、21b。其中气隙22例如可设置于左边柱21a与下磁盖30的顶面之间，此时左边柱21a的长度略小于右边柱21b的长度。于其他实施例中，气隙22例如可设置于右边柱21b与下磁盖30的顶面之间。当然，本实用新型并不受限于此。

图3及图4示意性示出本实用新型第二实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1a与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1a包括电路板10，以及上磁盖20a和下磁盖30a组成的非对称磁芯组。其中上磁盖20a为一U型磁芯包括两个边柱21a、21b，下磁盖30a亦为U型磁芯包括两个凸柱31a、31b。下磁盖30a的两个凸柱31a、31b于空间上相对于上磁盖20a的两边柱21a、21b，且分别通过两个通孔13连接，其中两个凸柱31a、31b的体积小于两个边柱21a、21b的体积。当然，于其他实施例中，下磁盖30a亦可只包含一个凸柱，例如凸柱31a或凸柱31b，并于空间上对应相对于上磁盖20a的边柱21a或边柱21b。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可设置于左边柱21a与下磁盖30a的左凸柱31a之间，此时左凸柱31a的高度略低于右凸柱31b的长度。于其他实施例中，气隙22例如可设置于右边柱21b与下磁盖30a的右凸柱31b之间。当然，本实用新型并不受限于此。由于上磁盖20a的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30a至散热装置的热阻大于上磁盖20a至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30a的体积小于上磁盖20a的体积，有助于平衡下磁盖30a相对上磁盖20a的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30a过热而产生的一系列问题。值得注意的是，下磁盖30a的两个凸柱31a、31b中至少一凸柱具有一凸伸高度H不小于0.9mm，即凸伸高度H大于或等于0.9mm。由此，上磁盖20a及下磁盖30a通过电路板10上的通孔13连接时，上磁盖20a的两个边柱21a、21b通过电路板10的通孔13连接至下磁盖30a的凸柱31a、31b时，例如可形成邻近下磁盖30a的气隙22并实现非对称磁芯结构组合。除了实现整体热分布均匀化外，至少一凸柱31a、31b的凸伸高度H不小于0.9mm更有助于上磁盖20a及下磁盖30a安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。当然，本实用新型并不受限于此。

图5示意性示出本实用新型第三实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1b与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1b包括电路板10，以及上磁盖20b和下磁盖30b组成的非对称磁芯组。其中上磁盖20b为一E型磁芯，下磁盖30b为一I型磁芯，下磁盖30b体积小于上磁盖20b的体积。上磁盖20b包括两个边柱21a、21b以及一个中柱(middle column)21c，电路板10具有三个通孔13。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可设置于中柱21c与下磁盖30b的顶面相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30b，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20b的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30b至散热装置的热阻大于上磁盖20b至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30b的体积小于上磁盖20b的体积，有助于平衡下磁盖30b相对上磁盖20b的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30b过热而产生的一系列问题。

图6示意性示出本实用新型第四实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1c与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1c包括电路板10，以及上磁盖20c和下磁盖30c组成的非对称磁芯组。其中上磁盖20c为一E型磁芯，下磁盖30c为一U型磁芯，下磁盖30c的体积小于上磁盖20c的体积。上磁盖20c包括两个边柱21a、21b以及一个中柱21c。下磁盖30c包括两个凸柱31a、31b。电路板10包括三个通孔13。于本实施例中，下磁盖30c的两个凸柱31a、31b于空间上相对于上磁盖20c的两个边柱21a、21b，且上磁盖30c的两个边柱21a、21b以及中柱21c分别通过三个通孔13连接至下磁盖30c，其中两个凸柱31a、31b的体积小于两个边柱21a、21b的体积。并且，于本实施例中，沿垂直方向(即Z轴方向)中柱21c的长度可大于两个边柱21a、21b的长度。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可形成于上磁盖20c的中柱21c与下磁盖30c的顶面相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱亦可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30c，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20c的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30c至散热装置的热阻大于上磁盖20c至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30c的体积小于上磁盖20c的体积，有助于平衡下磁盖30c相对上磁盖20c的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30c过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30c的两个凸柱31a、31b中至少一凸柱具有一凸伸高度H不小于0.9mm，即凸伸高度H大于或等于0.9mm。由此，上磁盖20c及下磁盖30c通过电路板10上的通孔13连接时，除了通过非对称磁芯组设计实现整体热分布均匀化外，至少一凸柱31a、31b的凸伸高度H不小于0.9mm更有助于上磁盖20c及下磁盖30c安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

图7示意性示出本实用新型第五实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1d与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1d包括电路板10，以及上磁盖20d和下磁盖30d组成的非对称磁芯组。上磁盖20d为一E型磁芯，包括两个边柱21a、21b以及一个中柱21c。下磁盖30d为一E型磁芯，包括三个凸柱31a、31b、31c，下磁盖30d的体积小于上磁盖20d的体积。电路板10包括三个通孔13贯穿第一面11及第二面12。于本实施例中，下磁盖30d的三个凸柱31a、31b、31c于空间上相对于上磁盖20d的两个边柱21a、21b以及中柱21c,其中三个凸柱31a、31b、31c的体积小于两个边柱21a、21b以及中柱21c的体积。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可形成于上磁盖20d的中柱21c与下磁盖30d的凸柱31c相接处。对应气隙22的设置，中间凸柱31c的高度略低于左凸柱31a和右凸柱31b的长度。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22对应邻近下磁盖30d的凸柱31a、31b，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20d的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30d至散热装置的热阻大于上磁盖20d至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30d的体积小于上磁盖20d的体积，有助于平衡下磁盖30d相对上磁盖20d的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30d过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30d的三个凸柱31a、31b、31c中至少一凸柱具有不小于0.9mm的凸伸高度H，更有助于上磁盖20d及下磁盖30d安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

图8示意性示出本实用新型第六实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1e与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1e包括电路板10，以及上磁盖20e和下磁盖30e组成的非对称磁芯组。上磁盖20e为一E型磁芯，包括两个边柱21a、21b以及一个中柱21c。下磁盖30e包括一个凸柱31c，于空间上相对于上磁盖20e的中柱21c,其中凸柱31c的体积小于中柱21c的体积，下磁盖30e的体积小于上磁盖20e的体积。电路板10包括三个通孔13贯穿第一面11及第二面12。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可形成于上磁盖20e的中柱21c与下磁盖30e的凸柱31c相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22对应邻近下磁盖30e，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20e的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30e至散热装置的热阻大于上磁盖20e至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30e的体积小于上磁盖20e的体积，有助于平衡下磁盖30e相对上磁盖20e的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30e过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30e的凸柱31c具有不小于0.9mm的凸伸高度H，更有助于上磁盖20e及下磁盖30e安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。于其他实施例中，下磁盖30e上至少一个凸柱31c的设置视气隙22的位置而调变，例如于空间上相对上磁盖20e的左边柱21a或右边柱21b而设置成左凸柱31a或右凸柱31b(参见图7)，本实用新型并不以此为限。

图9示意性示出本实用新型第七实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1f与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1f包括电路板10，以及上磁盖20f和下磁盖30f组成的非对称磁芯组。其中上磁盖20f包括两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d，下磁盖30为一I型磁芯，下磁盖30f的体积小于上磁盖20f的体积，电路板10具有至少四个通孔13,两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d通过至少四个通孔13连接至下磁盖30f。进一步的，于本实施例中，至少一个气隙22例如可设置于中柱21c、21d与下磁盖30f顶面相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30f，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20f的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30f至散热装置的热阻大于上磁盖20f至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30f的体积小于上磁盖20f的体积，有助于平衡下磁盖30f相对上磁盖20f的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30f过热而产生的一系列问题。当然，本实用新型并不以此为限。

图10示意性示出本实用新型第八实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1g与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1g包括电路板10，以及上磁盖20g和下磁盖30g组成的非对称磁芯组。其中上磁盖20g包括两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d。下磁盖30g为一U型磁芯包括两个凸柱31a、31b，下磁盖30g的体积小于上磁盖20g的体积。电路板10包括至少三个通孔13。于本实施例中，下磁盖30g的两个凸柱31a、31b于空间上相对于上磁盖20g的两个边柱21a、21b，且上磁盖30g的两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d分别通过至少四个通孔13连接至下磁盖30g，其中两个凸柱31a、31b的体积小于两个边柱21a、21b的体积。并且，于本实施例中，沿垂直方向(即Z轴方向)中柱21c、21d的长度可大于两个边柱21a、21b的长度。进一步的，于本实施例中，至少一个气隙22形成于上磁盖20g的至少一个中柱21c、21d与下磁盖30g的顶面相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30g，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20g的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30g至散热装置的热阻大于上磁盖20g至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30g的体积小于上磁盖20g的体积，有助于平衡下磁盖30g相对上磁盖20g的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30g过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30g的两个凸柱31a、31b中至少一凸柱具有一凸伸高度H不小于0.9mm，即凸伸高度H大于或等于0.9mm。由此，上磁盖20g及下磁盖30g通过电路板10上的通孔13连接时，除了通过非对称磁芯组设计实现整体热分布均匀化外，至少一凸柱31a、31b的凸伸高度H不小于0.9mm更有助于上磁盖20g及下磁盖30g安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

图11示意性示出本实用新型第九实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1h与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1h包括电路板10，以及上磁盖20h和下磁盖30h组成的非对称磁芯组。上磁盖20h包括两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d。下磁盖30h包括至少四个凸柱31a、31b、31c、31d，其中下磁盖30h的体积小于上磁盖20h的体积。电路板10包括至少四个通孔13贯穿第一面11及第二面12。于本实施例中，下磁盖30h的四个凸柱31a、31b、31c、31d于空间上相对于上磁盖20h的两个边柱21a、21b以及两个中柱21c、21d，其中至少四个凸柱31a、31b、31c、31d的体积小于两个边柱21a、21b以及两个中柱21c、21d的体积。进一步的，于本实施例中，两个气隙22例如可形成于上磁盖20h的中柱21c、21d与下磁盖30d的凸柱31c、31d相接处。对应气隙22的设置，中间凸柱31c、31d的高度略低于左凸柱31a和右凸柱31b的长度。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(airgap)22邻近下磁盖30h，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20h的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30h至散热装置的热阻大于上磁盖20h至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30h的体积小于上磁盖20h的体积，有助于平衡下磁盖30h相对上磁盖20h的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30h过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30h的四个凸柱31a、31b、31c、31d中至少一凸柱具有不小于0.9mm的凸伸高度H，更有助于上磁盖20h及下磁盖30h安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。

图12示意性示出本实用新型第十实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1i与图3至图4所示的磁性组件1a相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1i包括电路板10，以及上磁盖20i和下磁盖30i组成的非对称磁芯组。上磁盖20i包括两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c、21d。下磁盖30i例如包括至少两个凸柱31c、31d，其中下磁盖30i的体积小于上磁盖20i的体积。下磁盖30i的至少两个凸柱31c、31d于空间上对应相对于上磁盖20i的至少两个中柱21c、21d。电路板10包括至少四个通孔13贯穿第一面11及第二面12，其中上磁盖20i的两个边柱21a、21b以及至少两个中柱21c对应通过至少四个通孔13连接至下磁盖30i，其中至少两个凸柱31c、31d的体积小于两个中柱21c、21d的体积。于其他实施例中，下磁盖30i亦可仅包括一个凸柱例如凸柱31c或凸柱31d，本实用新型不以此为限。于本实施例中，两个气隙22例如可形成于上磁盖20i的中柱21c、21d与下磁盖30e的两个凸柱31c、31d相接处。当然，于其他实施例中，两个边柱21a、21b亦可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30h，本实用新型不以此为限。由于上磁盖20i的上方直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置，形成沿垂直方向(即Z轴方向)的散热途径上，下磁盖30i至散热装置的热阻大于上磁盖20i至散热装置的热阻，然而通过设置下磁盖30i的体积小于上磁盖20i的体积，有助于平衡下磁盖30i相对上磁盖20i的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30i过热而产生的一系列问题。此外，下磁盖30i的两个凸柱31c、31d中至少一凸柱具有不小于0.9mm的凸伸高度H，更有助于上磁盖20i及下磁盖30i安装固定至电路板10上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。于其他实施例中，下磁盖30i上两个凸柱31c、31d的设置视气隙22的位置而调变或省略其中的一者，本实用新型并不以此为限。

图13示意性示出本实用新型第十一实施例磁性组件的剖面结构图。于本实施例中，磁性组件1j与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1j包括电路板10，以及上磁盖20j和下磁盖30j组成的非对称磁芯组，以应用于例如平面变压器的结构中。于本实施例中，当磁芯组的上磁盖20j组配直接热耦合至例如散热器40或导热胶片41等散热装置时，上磁盖20j和下磁盖30j组合形成的气隙22例如可邻近下磁盖30j设计而形成非对称磁芯结构组合，如图13所示。通过减小下磁盖30j相对上磁盖20j的尺寸以使上磁盖20j的体积大于下磁盖30j的体积。于本实施例中，上磁盖20j例如为一E型磁芯包括两个边柱21a、21b以及中柱21c，下磁盖30j例如为一U型磁芯包括两个边柱31a、31b，其中上磁盖20j的两个边柱21a、21b和下磁盖30j的两个边柱31a、31b在沿垂直方向(即Z轴方向)上的长度相等或近似相等或两者的长度差小于一预设值。本实施例通过延伸上磁盖20j的中柱21c至邻近下磁盖30j并于邻接处例如形成一气隙22邻近下磁盖30j的顶面，达成前述非对称磁芯结构组合，使得上磁盖20j的体积大于下磁盖30j的体积。当然，于另一实施例中，延伸边柱21a或边柱21b邻近下磁盖30j的顶面，亦可使上磁盖20j的体积大于下磁盖30j的体积。于上磁盖20j的顶面直接热耦合至散热器或导热胶片等散热装置的应用中，由于下磁盖30j至散热装置的热阻大于上磁盖20j至散热装置的热阻，通过减小下磁盖30j相对上磁盖20j的体积即有助减小下磁盖30j相对上磁磁盖20j的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30j过热而产生的一系列问题。当然，非对称磁芯结构组合中的气隙22不限形成边柱21a、21b或中柱21c。另一方面，下磁盖30j可维持至少一凸柱31a、31b具有不小于0.9mm的凸伸高度H，以进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。当然，本实用新型并不以此为限，且不再赘述。

图14及图15示意性示出本实用新型第十二实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1k与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1k包括电路板10a，以及上磁盖20和下磁盖30组成的非对称磁芯组。电路板10a包括彼此相对设置的第一面11以及第二面12，以及一个通孔13贯穿第一面11以及第二面12。电路板10a还包括有一绕组14，环绕通孔(through hole)13，嵌埋于电路板10a内。于本实施例中，上磁盖20例如为一U型磁芯，下磁盖30例如为一I型磁芯，下磁盖30的体积小于上磁盖20的体积，上磁盖20包括两个磁柱例如两个边柱(sidecolumn)21a、21b。边柱21a沿电路板10a外缘侧连接至下磁盖30。电路板10a外缘侧可设置凹槽或侧边通孔对应容置边柱21a，本实用新型并不以此为限。边柱21b通过通孔13连接至下磁盖30。进一步的，两个边柱21a、21b可形成至少一个气隙(air gap)22邻近下磁盖30。于本实施例中，气隙22例如可设置于左边柱21a与下磁盖30的顶面之间，此时左边柱21a的长度略小于右边柱21b的长度。于其他实施例中，气隙22例如可设置于右边柱21b与下磁盖30的顶面之间。通过设置上磁盖20的体积大于下磁盖30的体积，于磁芯组的散热途径上，虽然下磁盖30至散热装置的热阻较大，但通过设置下磁盖30的体积小于上磁盖20的体积，则可减少下磁盖30相对上磁盖20的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30过热而产生的一系列问题。当然，本实用新型并不受限于此。

图16及图17示意性示出本实用新型第十三实施例的磁性组件。于本实施例中，磁性组件1m与图1至图2所示的磁性组件1相似，且相同的组件标号代表相同的组件、结构与功能，于此不再赘述。于本实施例中，磁性组件1a包括电路板10a，以及上磁盖20a和下磁盖30a组成的非对称磁芯组。电路板10a包括彼此相对设置的第一面11以及第二面12，以及一个通孔13贯穿第一面11以及第二面12。电路板10a还包括有一绕组14，环绕通孔(through hole)13，嵌埋于电路板10a内。上磁盖20a为一U型磁芯包括两个边柱21a、21b，下磁盖30a亦为U型磁芯包括两个凸柱31a、31b，下磁盖30的体积小于上磁盖20的体积。下磁盖30a的两个凸柱31a、31b于空间上相对于上磁盖20a的两边柱21a、21b，其中两个凸柱31a、31b的体积小于两边柱21a、21b的体积。边柱21a沿电路板10a外缘侧连接至下磁盖30a。电路板10a外缘侧可设置凹槽或侧边通孔对应容置边柱21a，本实用新型并不以此为限。边柱21b通过通孔13连接至下磁盖30a。进一步的，于本实施例中，气隙22例如可设置于左边柱21a与下磁盖30a的左凸柱31a之间，此时左凸柱31a的高度略低于右凸柱31b的长度。于其他实施例中，气隙22例如可设置于右边柱21b与下磁盖30a的右凸柱31b之间。通过设置上磁盖20a的体积大于下磁盖30a的体积，于磁芯组的散热途径上，虽然下磁盖30a至散热装置的热阻较大，但通过设置下磁盖30a的体积小于上磁盖20a的体积，则可减少下磁盖30a相对上磁盖20a的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖30a过热而产生的一系列问题。当然，本实用新型并不受限于此，且不再赘述。综上所述，本实用新型的实施例提供一种磁性组件，通过非对称磁芯结构组合而使整体热分布更均匀，且进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。其中，构成平面变压器的磁芯组以上磁盖及下磁盖设置于电路板的上下表面，上磁盖和下磁盖为非对称结构，直接热耦合至散热装置的上磁盖具有大于下磁盖的体积。由于上磁盖至散热装置的热阻小于下磁盖至散热装置的热阻，当下磁盖的体积小于上磁盖的体积时，下磁盖相对上磁盖部分的发热量就会减小，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖过热而产生的一系列问题。再者，上磁盖及下磁盖通过电路板上的通孔连接时，上磁盖包括至少两磁柱通过电路板的通孔连接至下磁盖，使上磁盖与下磁盖的连接处邻近下磁盖，实现非对称磁芯结构组合。另一方面，下磁盖可通过至少一凸柱与上磁盖的磁柱连接或形成至少一气隙，除了实现整体热分布均匀化外，至少一凸柱的凸伸高度不小于0.9mm更有助于上磁盖及下磁盖安装固定至电路板上，进一步解决生产安装过程中磁芯难以固定的问题。又于平面变压器的上磁盖和下磁盖的磁芯组中，当上磁盖组配直接热耦合至散热装置时，上磁盖和下磁盖组合形成的连接处可邻近下磁盖设计而形成非对称磁芯结构组合，减小下磁盖的尺寸并使上磁盖的体积大于下磁盖的体积。由于下磁盖至散热装置的热阻大于上磁盖至散热装置的热阻，减小下磁盖的体积有助减小下磁盖的发热量，从而实现整体热量的均匀分布，避免下磁盖过热而产生的一系列问题。当然，非对称磁芯结构组合中的气隙不限形成边柱或中柱。

以上具体地示出和描述了本实用新型的示例性实施方式。应该理解，本实用新型不限于所公开的实施方式，相反，本实用新型意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (23)

1.一种磁性组件，其特征在于，包括：

一电路板，包括彼此相对设置的一第一面以及一第二面，以及至少两个通孔贯穿该第一面以及该第二面；以及

一磁芯组，包括一上磁盖以及一下磁盖，分别设置于该电路板的该第一面及该第二面，其中该上磁盖包括至少两个磁柱，分别通过该至少两个通孔连接至该下磁盖，其中该上磁盖直接热耦合至一散热装置，且该上磁盖的体积大于该下磁盖的体积。

2.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖至该散热装置的热阻小于该下磁盖至该散热装置的热阻。

3.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖包括至少一个凸柱，于空间上相对该上磁盖的该两个边柱中至少一者，且通过该至少两个通孔中至少一者连接至该上磁盖，其中该凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

4.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖为U型磁芯包括两个凸柱，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且分别通过该至少两个通孔连接至该上磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

5.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖为一U型磁芯包括两个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

6.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖为一E型磁芯包括三个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该三个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱以及该中柱，且分别通过该三个通孔连接至该上磁盖，其中该三个凸柱的体积小于该两个边柱及该中柱的体积。

7.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖为一E型磁芯，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该下磁盖包括一个凸柱，该至少两个通孔包括三个通孔，该下磁盖的该凸柱于空间上相对于该上磁盖的该中柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖，其中该凸柱的体积小于该中柱的体积。

8.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖包括至少一个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该至少一个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该至少一个中柱，且该上磁盖的该两个边柱以及该至少两个中柱分别通过该至少四个通孔连接至该下磁盖，其中该至少一个凸柱的体积小于该两个中柱的体积。

9.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为U型磁芯包括两个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该两个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，且分别通过该至少四个通孔连接至该上磁盖，其中该两个凸柱的体积小于该两个边柱的体积。

10.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为U型磁芯包括至少四个凸柱，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该下磁盖的该至少四个凸柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱及该至少两个中柱，且分别通过该至少四个通孔连接至该上磁盖，其中该至少四个凸柱的体积小于该两个边柱及该至少两个中柱的体积。

11.如权利要求3-10任一所述的磁性组件，其特征在于，该下磁盖的至少一该凸柱具有一凸伸高度，该凸伸高度大于或等于0.9mm。

12.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱，该上磁盖为一U型磁芯，该下磁盖为一I型磁芯，该至少两个通孔包括两个通孔，该上磁盖的该两个边柱分别通过该两个通孔连接至该下磁盖。

13.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该上磁盖为一E型磁芯；该下磁盖包括两个边柱，该下磁盖为一U型磁芯，该下磁盖的该两个边柱于空间上相对于该上磁盖的该两个边柱，该中柱的长度大于该上磁盖的该两个边柱的长度，该中柱邻近该下磁盖形成一气隙。

14.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及一个中柱，该上磁盖为一E型磁芯，该下磁盖为一I型，该至少两个通孔包括三个通孔，该上磁盖的该两个边柱以及该中柱分别通过该三个通孔连接至该下磁盖。

15.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该至少两个磁柱包括两个边柱以及至少两个中柱，该下磁盖为I型磁芯，该至少两个通孔包括至少四个通孔，该两个边柱及该至少两个中柱通过该至少四个通孔连接至该下磁盖。

16.如权利要求5-10及13-15中任一所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖的该至少两个磁柱形成至少一个气隙邻近该下磁盖，该至少一气隙对应形成于该上磁盖的至少一该中柱与该下磁盖之间。

17.如权利要求3-10及12-15中任一所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖的该至少两个磁柱形成至少一个气隙邻近该下磁盖，该至少一气隙形成于该上磁盖的至少一该边柱与该下磁盖之间。

18.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该磁性组件为一平面变压器，该电路板还包括一绕组，环绕该至少两个通孔的外周缘。

19.如权利要求1中所述的磁性组件，其特征在于，该散热装置为一散热器或一导热胶片。

20.一种磁性组件，其特征在于，包括：

一电路板，包括彼此相对设置的一第一面以及一第二面，以及至少一个通孔贯穿该第一面以及该第二面；以及

一磁芯组，包括一上磁盖以及一下磁盖，分别设置于该电路板的该第一面及该第二面，且通过该至少一个通孔连接，其中该上磁盖直接热耦合至一散热装置，该上磁盖至该散热装置的热阻小于该下磁盖至该散热装置的热阻，且该上磁盖的体积大于该下磁盖的体积。

21.如权利要求20中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖包括至少一个磁柱，通过该至少一个通孔连接至该下磁盖，其中至少一个气隙形成于该至少一个磁柱和该下磁盖相接处。

22.如权利要求21中所述的磁性组件，其特征在于，该下磁盖包括至少一个凸柱，于空间上相对于该上磁盖的该至少一磁柱，该至少一个气隙设置该至少一磁柱和该至少一个凸柱相接处，其中该下磁盖的该至少一个凸柱具有一凸伸高度，该凸伸高度大于或等于0.9mm。

23.如权利要求20中所述的磁性组件，其特征在于，该上磁盖包括至少两个磁柱，该至少两个磁柱中的一者通过该电路板的外缘侧连接至该下磁盖。