CN220731543U - 发电玻璃 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种发电玻璃。该发电玻璃包括：基底玻璃、TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层，以及用于封装的封装玻璃；所述基底玻璃面向所述TCO膜层的内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理。本申请通过采用内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理的异形玻璃作为基底玻璃，在基底玻璃之上依次包括TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层，以及用于封装的封装玻璃，利用第一阵列纹理结构能够对入射光形成的反射光进行二次吸收，进而提高光的吸收率，提高能力转换效率。

Description

发电玻璃

技术领域

本申请涉及薄膜太阳能电池技术领域，尤其涉及一种发电玻璃。

背景技术

在薄膜太阳能电池技术领域，提高转换效率是最核心的研发方向之一。但目前提高转换效率的方法多集中在镀膜工艺、活化工艺以及激光划线工艺的优化和改善上，例如利用激光划线工艺来降低死区面积，提高基板的受光面积，但目前对死区面积的缩减技术已然控制在100微米附近，难以进一步优化。因此，为了进一步提高转换效率，会结合提高对光的吸收率的方式实现，目前提高薄膜太阳能电池光吸收率的方式主要在TCO层上形成陷光结构，但这种方式制造成本较高，并且需要一定厚度的TCO层才能实现，TCO层的厚度越大，其上将会吸收更多的光，使得到达光吸收活性层的光变少，降低转换效率。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种发电玻璃，能够在尽可能保证厚度的同时提高能量转换效率。

本申请提供了一种发电玻璃，包括：基底玻璃、TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层，以及用于封装的封装玻璃；

所述基底玻璃面向所述TCO膜层的内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理。

在其中一个实施例中，所述TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层均为依次在所述基底玻璃内表面沉积形成的，且具有与所述第一阵列纹理相同纹理的膜层。

在其中一个实施例中，所述第一阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与所述两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

在其中一个实施例中，所述封装玻璃与背电极层相接触的一面具有多个脊形结构的第二阵列纹理，所述第二阵列纹理中的每个脊形结构的最高点均与所述第一阵列纹理中的其中一个脊形结构的最低点相对。

在其中一个实施例中，所述第二阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与所述两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

在其中一个实施例中，所述脊形结构的截面呈三角形或半圆形。

在其中一个实施例中，所述基底玻璃与TCO膜层之间还包括第一透明介质层，所述第一透明介质层与所述TCO膜层相接触的一侧为无纹理结构的平面。

在其中一个实施例中，所述第一透明介质层为透明粘合剂层。

在其中一个实施例中，所述封装玻璃面向背电极层的内表面具有多个脊形结构的第二阵列纹理，所述封装玻璃与所述背电极层之间还包括第二透明介质层，所述第二透明介质层与所述背电极层相接触的一侧为无纹理结构的平面。

在其中一个实施例中，所述封装玻璃为夹胶玻璃。

从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：

本申请提供的发电玻璃，采用内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理的异形玻璃作为基底玻璃，在基底玻璃之上依次包括TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层，以及用于封装的封装玻璃，利用第一阵列纹理结构能够对入射光形成的反射光进行二次吸收，进而提高光的吸收率，提高能力转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为实施例1中的发电玻璃截面结构示意图；

图2为一个实施例中，脊形结构的截面结构示意图；

图3为另一个实施例中，脊形结构的截面结构示意图；

图4为实施例2中的发电玻璃截面结构示意图；

图5为实施例3中的发电玻璃截面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请提供了一种发电玻璃，包括：基底玻璃100、TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600，以及用于封装的封装玻璃700；所述基底玻璃100面向所述TCO膜层200的内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理。

基底玻璃100主要对电池起支撑、防止污染和入射太阳光的作用。TCO膜层200即为透明导电薄膜玻璃层，主要起的是透光和导电的作用。背接触层500能够降低P型半导体膜层400与背电极层600的接触势垒，引出电流，使背电极层600与P型半导体膜层400形成欧姆接触。

本申请提供的发电玻璃，采用内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理的异形玻璃作为基底玻璃，在基底玻璃100之上依次包括TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600，以及用于封装的封装玻璃700，利用第一阵列纹理结构能够对入射光形成的反射光进行二次吸收，进而提高光的吸收率，提高能力转换效率。并且相比直接在TCO膜层200上形成陷光结构而言，玻璃的可塑性较高，形成异形结构更为容易实现，制作成本更低，若在TCO膜层200上形成陷光结构，会吸收部分自由载流子，且TCO膜层200并非完全透明的，会吸收一些入射光，要在其上形成陷光结构，必须使用较厚的TCO材料层，将会吸收更多的入射光，使得到达光吸收活性层的光变少，反而对发电玻璃的转换效率产生负面影响。

实施例1：

如图1所示，在基底玻璃100的内表面上依次沉积形成TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600，使得TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600均具有与第一阵列纹理相同的纹理，封装玻璃700与背电极层600相接触的一面具有多个脊形结构的第二阵列纹理，第二阵列纹理中的每个脊形结构的最高点均与第一阵列纹理中的其中一个脊形结构的最低点相对。

本实施例中，利用基底玻璃100内表面的纹理间接使其上沉积形成的膜层产生相同的纹理，容易实现，制造成本交底，能够提高光吸收层的面积，并且能够对反射的部分光进行二次吸收，提高光的利用率。

参考图2所示，在其中一个实施例中，第一阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处A点分别与两个脊形结构的最高点B点、C点的连线之间的夹角大于90°，即∠BAC＞90°。若该夹角的角度太小可能会发生全反射，或者多次反射导致被吸收的光减少，因此可以将该夹角的角度设置为大于90°。

在其中一个实施例中，第二阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

参考图2、图3所示，在其中一个实施例中，脊形结构的截面呈三角形或半圆形。

在其中一个实施例中，封装玻璃700为夹胶玻璃。

实施例2：

如图4所示，基底玻璃100的内表面上覆盖有第一透明介质层800，第一透明介质层800与TCO膜层200相接触的一侧为无纹理结构的平面，在第一透明介质层800无纹理结构的一面上依次沉积形成TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600，封装玻璃700的内表面和外表面均为无纹理结构的平面。

本实施例中通过增设第一透明介质层800使其上沉积的TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600均为平坦无纹理的结构，使用平坦的TCO膜层200可使TCO膜层200变薄，从而减少TCO膜层200中的光吸收，另外能够避免因N型半导体膜层300、P型半导体膜层400具有纹理化结构产生的短路等问题。

在其中一个实施例中，第一阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处A点分别与两个脊形结构的最高点B点、C点的连线之间的夹角大于90°，即∠BAC＞90°。若该夹角的角度太小可能会发生全反射，或者多次反射导致被吸收的光减少，因此可以将该夹角的角度设置为大于90°。

在其中一个实施例中，第二阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

在其中一个实施例中，脊形结构的截面呈三角形或半圆形。

在其中一个实施例中，第一透明介质层800为透明粘合剂层。

在其中一个实施例中，封装玻璃700为夹胶玻璃。

实施例3：

如图5所示，基底玻璃100的内表面上覆盖有第一透明介质层800，第一透明介质层800与TCO膜层200相接触的一侧为无纹理结构的平面，在第一透明介质层800无纹理结构的一面上依次沉积形成TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600，封装玻璃700面向背电极层600的内表面具有多个脊形结构的第二阵列纹理，封装玻璃700与背电极层600之间还包括第二透明介质层900，第二透明介质层900与背电极层600相接触的一侧为无纹理结构的平面。

本实施例中通过增设第一透明介质层800使其上沉积的TCO膜层200、N型半导体膜层300、P型半导体膜层400、背接触层500、背电极层600均为平坦无纹理的结构，使用平坦的TCO膜层200可使TCO膜层200变薄，从而减少TCO膜层200中的光吸收，另外能够避免因N型半导体膜层、P型半导体膜层400具有纹理化结构产生的短路等问题，采用具有第二阵列纹理内表面的封装玻璃700，增加封装玻璃700内表面的面积，将更多到达封装玻璃700内表面的光反射，提高光的吸收率。

在其中一个实施例中，第一阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处A点分别与两个脊形结构的最高点B点、C点的连线之间的夹角大于90°，即∠BAC＞90°。若该夹角的角度太小可能会发生多次全反射，或者多次反射导致被吸收的光减少，因此可以将该夹角的角度设置为大于90°。

在其中一个实施例中，第二阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

在其中一个实施例中，脊形结构的截面呈三角形或半圆形。

在其中一个实施例中，第一透明介质层800为透明粘合剂层。

在其中一个实施例中，封装玻璃700为夹胶玻璃。

在其中一个实施例中，第二透明介质层900为透明粘合剂层。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，本申请实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间可以根据需要进行组合，且相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种发电玻璃，其特征在于，包括：基底玻璃、TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层、背电极层，以及用于封装的封装玻璃；

所述基底玻璃与TCO膜层之间还包括第一透明介质层，所述第一透明介质层与所述TCO膜层相接触的一侧为无纹理结构的平面；

所述封装玻璃与所述背电极层之间还包括第二透明介质层，所述第二透明介质层与所述背电极层相接触的一侧为无纹理结构的平面；

所述TCO膜层、N型半导体膜层、P型半导体膜层、背接触层和背电极层均为平坦无纹理的结构；

所述基底玻璃面向所述TCO膜层的内表面具有多个脊形结构的第一阵列纹理。

2.根据权利要求1所述的发电玻璃，其特征在于，所述第一阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与所述两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

3.根据权利要求1所述的发电玻璃，其特征在于，所述封装玻璃与背电极相接触的一面具有多个脊形结构的第二阵列纹理，所述第二阵列纹理中的每个脊形结构的最高点均与所述第一阵列纹理中的其中一个脊形结构的最低点相对。

4.根据权利要求3所述的发电玻璃，其特征在于，所述第二阵列纹理中相邻两个脊形结构的连接处分别与所述两个脊形结构的最高点的连线之间的夹角大于90°。

5.根据权利要求3所述的发电玻璃，其特征在于，所述脊形结构的截面呈三角形或半圆形。

6.根据权利要求1所述的发电玻璃，其特征在于，所述第一透明介质层为透明粘合剂层。

7.根据权利要求1所述的发电玻璃，其特征在于，所述封装玻璃为夹胶玻璃。