CN220543023U - 电力侦测系统 - Google Patents

Abstract

在本揭示的一些态样中，揭示了一种电力侦测系统。在一些态样中，电力侦测系统包括接收电力供应电压的固定转导(transconductance，gm)参考产生器电路。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括用于提供第一参考电压的第一电流镜及用于提供第二参考电压的第二电流镜。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括耦接到第一电流镜以接收第一参考电压的电力侦测电路。在一些实施例中，电力侦测电路耦接到第二电流镜以接收第二参考电压。在一些实施例中，操作电力侦测以接收电力供应电压。在一些实施例中，至少基于第二参考电压及电力供应电压操作电力侦测电路以提供具有两个逻辑状态之一的输出电压。

Description

电力侦测系统

技术领域

本揭露是关于一种电力侦测系统，特别是关于一种包含固定转导参考产生器电路以及电力侦测电路的电力侦测系统。

背景技术

电子装置在错误或异常电力损失的情况下重置自身的能力是嵌入式系统设计及程序设计的一态样。此能力可以用日常的电子设备来观察，诸如电视、音讯设备或汽车的电子设备，此等电子设备可以在突然断电之后按计划工作。

实用新型内容

本揭露的一实施例提供一种电力侦测系统，包含固定转导参考产生器电路以及电力侦测电路。固定转导参考产生器电路接收电力供应电压。固定转导参考产生器电路包含提供第一参考电压的第一电流镜及提供第二参考电压的第二电流镜。电力侦测电路耦接到第一电流镜以接收第一参考电压。电力侦测电路耦接到第二电流镜以接收第二参考电压。电力侦测电路接收电力供应电压。电力侦测电路至少基于第二参考电压及电力供应电压提供具有两个逻辑状态之一的输出电压。

本揭露的另一实施例提供一种电力侦测系统，包含固定转导参考产生器电路、电力侦测电路以及输出级。固定转导参考产生器电路接收电力供应电压并且提供参考电压。电力侦测电路耦接到固定转导参考产生器电路。电力侦测电路接收参考电压。电力侦测电路接收电力供应电压。电力侦测电路至少基于参考电压及电力供应电压提供具有两个逻辑状态之一的输出信号。输出级耦接到电力侦测电路以从电力侦测电路接收输出信号并且提供电力就绪信号。

本揭露的另一实施例提供一种电力侦测系统，包含固定转导参考产生器电路以及电力侦测电路。固定转导参考产生器电路接收电力供应电压并且提供参考电压。电力侦测电路耦接到固定转导参考产生器电路。电力侦测电路接收参考电压。电力侦测电路接收电力供应电压。电力侦测电路至少基于参考电压及电力供应电压提供第一输出信号以及第二输出信号。电力侦测电路包含多个比较器及多个电流源，比较器分别耦接到电流镜。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将最好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。

图1示出了根据本揭示的一些实施例的电力侦测系统的方块图；

图2示出了根据本揭示的一些实施例的固定转导(transconductance，gm)参考产生器的方块图；

图3A示出了根据本揭示的一些实施例的单参考电力侦测系统的方块图；

图3B示出了根据本揭示的一些实施例的图3A的电力侦测电路的电流-电压(current-voltage，IV)曲线的图解；

图4A示出了根据本揭示的一些实施例的多参考电力侦测系统的方块图；

图4B示出了根据本揭示的一些实施例的图4A的电力侦测电路的电流-电压(current-voltage，IV)曲线的图解；

图5示出了根据本揭示的一些实施例的多参考电力侦测系统的方块图；

图6A示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统的方块图；

图6B示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统的方块图；

图7示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统的方块图；

图8示出了根据本揭示的一些实施例的用于操作电力侦测的方法的流程图。

【符号说明】

100:电力侦测系统

102:固定转导参考产生器

102A:固定转导参考产生器

102B:固定转导参考产生器

102C:固定转导参考产生器

102D:固定转导参考产生器

104:电力侦测电路

104A:电力侦测电路

104A1:电力侦测电路

104A3(1):电力侦测电路

104A3(X+1):电力侦测电路

104B:电力侦测电路

104C:电力侦测电路

104N:电力侦测电路

106:输出级

200:固定转导参考产生器

202:gm偏压电路

300:单参考电力侦测系统

302:反向器

304:反向器

306:电力供应端口

308:参考端口

310:参考端口

312:参考端口

314:电力供应端口

316:输出端口

318:输出电压端口

320:电力就绪端口

350:图解

352:曲线

354:第一部分

356:第二部分

400:多参考电力侦测系统

402:参考端口

450:图解

452:曲线

454:第一部分

456:第二部分

500:多参考电力侦测系统

502:参考端口

502(1):参考端口

503:参考端口

503(1):参考端口

503(X+1):参考端口

504:参考端口

504(1):参考端口

505:参考端口

505(1):参考端口

505(X+1):参考端口

506:电力供应端口

506(1):电力供应端口

507:输入端口

507(1):输入端口

508:电力供应端口

508(1):电力供应端口

508(X+1):电力供应端口

509:电力供应端口

509(1):电力供应端口

510:输出端口

510(1):输出端口

511:输出端口

511(1):输出端口

511(X+1):输出端口

512:分压器

512(1):分压器

514:比较器

514(1):比较器

514(X+1):比较器

516:电流源

516(1):电流源

516(X+1):电流源

518:输出端口

518(1):输出端口

520:电力供应端口

520(1):电力供应端口

520(X+1):电力供应端口

600:多电力域电力侦测系统

602:电力侦测电路

603:电力侦测电路

604:输出级

606:NAND门

608:参考端口

610:参考端口

612A:输入端口

612N:输入端口

614:输出端口

650:多电力域电力侦测系统

700:多电力域电力侦测系统

702:电力侦测电路

704:电力侦测电路

706:电力侦测电路

800:方法

810:操作

820:操作

830:操作

840:操作

850:操作

IDET:电流

IREF:电流

MD2:二极管

MDN:二极管

MN0:电流镜,晶体管

MN1:电流镜,晶体管

MN3:晶体管

MP0:晶体管

MP1:晶体管

MP2:电流镜,晶体管

MP3:电流镜,晶体管

MPN:电流镜,晶体管

OUTPUT1～OUTPUTN:输出信号

POWER_RDY:电力就绪电压

PWR:电力供应电压

PWR_DIV:分压

PWR1:电力供应电压

R:电阻器

REF_BIAS:参考电压

REF1:参考电压

REF2:参考电压

REF3:参考电压

REFN:参考电压

REFN’:参考电压

VOUT:输出电压

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同的实施例或实例，用于实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及布置的具体实例以简化本揭示。当然，此等仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。此外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“下方”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲涵盖使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可同样地解读本文所使用的空间相对性描述词。

在晶片上系统(system on a chip，SoC)中，可以分离用于记忆体、逻辑、及输入/输出(input/output，IO)单元的电力轨。此可以是因为记忆体、逻辑、及IO电路可以具有不同的电压需求。然而，在第一电力域中的电力损失可以引起第一电力域(诸如I/O电力域)中的电路产生发送到第二电力域(诸如记忆体电力域)的浮动或未知信号。接收浮动或未知信号的第二电力域中的电路可以在输出处具有未知信号或导致电路或装置程序设计错误。此外，浮动或未知信号可以损坏半导体装置。此外，浮动或位置信号可以在第二电力域中导致电路中的直流(DC)泄漏。在第一电力域中的电力损失可称为异常损失。对于一些嵌入式记忆体系统，当发生异常损失或异常电力开/关序列时，可能需要侦测电路来重置记忆体系统。

本揭示提供了固定转导(transconductance，gm)电力侦测系统的各个实施例，此系统可以产生用于侦测数个电力域的电力的数个参考电压。固定转导电力侦测系统的实施例提供了指示是否侦测到所有电力域的电力的电力就绪信号。固定转导电力侦测系统的实施例可以用于多电力域记忆体，诸如磁阻随机存取记忆体(magnetoresistive random-access memory，MRAM)、电阻随机存取记忆体(resistive RAM，RRAM)、及快闪记忆体，以及多电压域电力系统。有利地，当发生异常电力损失或异常电力开/关序列时，固定转导电力侦测系统的实施例可以重置记忆体系统及/或周边电路。此外，固定转导电力侦测系统的实施例提供了低电力、低面积的准确侦测以满足嵌入的记忆体需求。例如，固定转导电力侦测系统的实施例可以实现亚微安(sub-microamp，μA)电流消耗。在另一实例中，与使用带隙电压参考的类似电力侦测系统相比，固定转导电力侦测系统的实施例可以在较小面积内实现较低电流消耗。

图1示出了根据本揭示的一些实施例的电力侦测系统100的方块图。电力侦测系统100包括固定转导(transconductance，gm)参考产生器102。gm可以定义为在装置的输出处的电流与在装置的输入处的电压的比率。电力侦测系统100适于提供一或多个参考电压，此等参考电压偏压晶体管，使得晶体管在任何条件(诸如晶体管工艺、电力供应电压、及操作温度)下具有固定的gm、或实质上固定的gm。晶体管工艺、电力供应电压、及操作温度的条件可统称为工艺电压温度(process-voltage-temperature，PVT)。在一些实施例中，固定转导参考产生器102提供一或多个参考电流或其他各个参考信号的任一者，同时保持在本揭示的范畴内。

电力侦测系统100可以包括适于侦测是否实现相应数量的电力域或电压域的数个电力侦测电路104。在一些实施例中，每个电力侦测器对应于电力域或电压域。数个电力侦测电路104耦接到固定转导参考产生器102。如图1所示，电力侦测系统100包括电力侦测电路104A、104B、104C、及104N。数个电力侦测电路104可以包括多于或少于四个电力侦测电路，同时保持在本揭示的范畴中。例如，在一些实施例中，数个电力侦测电路104可以包括一个电力侦测电路、两个电力侦测电路、10个电力侦测电路、或适于具有一或多个电力域或电压域的记忆体的任何其他数量的电力侦测电路。

在一些实施例中，数个电力侦测电路104的每个电力侦测电路从固定转导参考产生器102接收对应参考电压。例如，电力侦测电路104A接收参考电压REF1，电力侦测电路104B接收参考电压REF2，电力侦测电路104C接收参考电压REF3，并且电力侦测电路104N接收参考电压REFN’。在一些实施例中，每个电力侦测电路接收参考电压REF1及对应于彼电力侦测电路的另一参考电压。例如，电力侦测电路104A接收参考电压REF1及REF2，电力侦测电路104B接收参考电压REF1及REF3，电力侦测电路104C接收参考电压REF1及REFN，并且电力侦测电路104N接收参考电压REF1及REFN’。在一些实施例中，电力侦测电路接收参考电流或其他各个参考信号的任一者，同时保持在本揭示的范畴内。

在一些实施例中，数个电力侦测电路104的每个电力侦测电路接收对应的电力供应电压。例如，电力侦测电路104A接收电力供应电压PWR1，电力侦测电路104B接收电力供应电压PWR2，电力侦测电路104C接收电力供应电压PWR3，并且电力侦测电路104N接收电力供应电压PWRN。在一些实施例中，数个电力侦测电路104的每个电力侦测电路接收电力供应电压PWR1及对应于彼电力侦测电路的电力供应电压。例如，电力侦测电路104A接收电力供应电压PWR1及PWR1，电力侦测电路104B接收电力供应电压PWR1及PWR2，电力侦测电路104C接收电力供应电压PWR1及PWR3，并且电力侦测电路104N接收电力供应电压PWR1及PWRN。在一些实施例中，电力侦测电路接收电力供应电流或其他各个电力供应信号的任一者，同时保持在本揭示的范畴内。

在一些实施例中，数个电力侦测电路104的每个电力侦测电路提供对应输出电压。例如，电力侦测电路104A提供输出电压OUTPUT1，电力侦测电路104B提供参考信号OUTPUT2，电力侦测电路104C提供参考信号OUTPUT3，并且电力侦测电路104N提供参考信号OUTPUTN。每个输出电压可以基于参考电压及电力供应电压。在一些实施例中，电力侦测电路提供输出电流或其他各个输出信号的任一者，同时保持在本揭示的范畴内。

在一些实施例中，电力侦测系统100包括耦接到数个电力侦测电路104的输出级106。输出级106适于增加输出电压的驱动强度。输出级106可以适于对两个或多个输出电压执行逻辑AND运算。在一些实施例中，输出级106提供电力就绪电压POWER_RDY，此电力就绪电压指示是否实现数个电力域或电压域。在一些实施例中，输出级106提供电力就绪电流或其他各个电力就绪信号的任一者，同时保持在本揭示的范畴内。在其中数个电力侦测电路104包括一个电力侦测电路的一些实施例中，输出电压用于指示是否实现电力域或电压域。

图2示出了根据本揭示的一些实施例的固定转导参考产生器200的方块图。固定转导参考产生器200可与图1的固定转导参考产生器102相同或类似。固定转导参考产生器200包括gm偏压电路202，此gm偏压电路202经由电流镜MN1产生并且提供参考电压REF1。在一些实施例中，固定转导参考产生器200包括耦接到gm偏压电路202的数个额外电流镜。例如，固定转导参考产生器200包括电流镜MP2、电流镜MP3、及电流镜MPN。数个额外电流镜可以包括多于或少于三个电流镜，同时保持在本揭示的范畴中。在一些实施例中，数个额外电流镜的每一者耦接到gm偏压电路202以接收参考电压REF_BIAS。

在一些实施例中，数个额外电流镜的每一者提供额外参考电压。例如，电流镜MP2提供参考电压REF2，电流镜MP3提供参考电压REF3，并且电流镜MPN提供参考电压REFN。

在一些实施例中，数个额外电流镜的每一者耦接到二极管。例如，电流镜MP2耦接到二极管MD2，电流镜MP3耦接到二极管MD3，并且电流镜MPN耦接到二极管MDN。每个二极管可以适于在期望电压位准下提供对应参考电压。在一些实施例中，每个二极管可以是串联或并联布置的可程序设计的二极管集合。

通过绕过可程序设计集合中的串联二极管的一或多个、或通过解耦可程序设计集合中的并联二极管的一或多个，可以改变对应参考电压的电压位准。

图3A示出了根据本揭示的一些实施例的单参考电力侦测系统300的方块图。单参考电力侦测系统300包括固定转导参考产生器102A。固定转导参考产生器102A可与图1的固定转导参考产生器102相同或类似。固定转导参考产生器102A包括电力供应端口306及参考端口308。固定转导参考产生器102A包括gm偏压电路202。gm偏压电路202可以包括晶体管MP0、MN0、MN1、及MP1及电阻器R。电阻器R的第一端口耦接到电力供应端口306。晶体管MP0的源极端口耦接到电阻器R的第二端口。晶体管MN0的漏极端口耦接到晶体管MP0的漏极端口及参考端口308，并且晶体管MN0的源极端口耦接到接地。晶体管MP1的源极端口耦接到电力供应端口306并且晶体管MP1的栅极端口耦接到晶体管MP0的栅极端口。晶体管MN1的漏极端口耦接到晶体管MP1的漏极端口，晶体管MN1的栅极端口耦接到晶体管MN0的栅极端口及参考端口308，并且晶体管MN1的源极端口耦接到接地。晶体管MN0及MP1是二极管连接的。亦即，晶体管MN0的漏极端口耦接到晶体管MN0的栅极端口并且晶体管MP1的漏极端口耦接到晶体管MP1的栅极端口。晶体管MN1是晶体管MN0的电流镜。亦即，电流IREF与在晶体管MN1与晶体管MN0之间的比率的乘积从晶体管MN0镜像到晶体管MN1。

晶体管MP0的晶体管大小与晶体管MP1的晶体管大小的比率是M。例如，对于相同的晶体管长度，晶体管MP0的晶体管宽度是晶体管MP1的晶体管宽度的M倍。晶体管MN1的晶体管大小与晶体管MN0的晶体管大小的比率是一。例如，对于相同的晶体管长度，晶体管MN1的晶体管宽度与晶体管MN0的晶体管宽度相同。晶体管大小可称为晶体管面积。

在操作中，晶体管MN0接收电流IREF，此电流从电力供应端口306，穿过电阻器R，晶体管MP0的漏极/源极端口，穿过晶体管MN0的漏极/源极端口，流动到接地。晶体管MN0提供参考电压REF1。晶体管MN1接收参考电压REF1。晶体管MP1提供参考电压REF_BIAS。晶体管MP1接收参考电压REF_BIAS并且将偏压电流IREF提供到晶体管MN1。电流IREF可以与下列成比例：

其中R是晶体管R的值并且M是晶体管MP0的大小与晶体管MP1的大小的比率。在一些实施例中，R及M经选择为使得单参考电力侦测系统300消耗亚微安(sub-microamp，μA)的电流。尽管关于单参考电力侦测系统300描述电流消耗，电流消耗可以应用于图1的电力侦测系统100及固定转导参考产生器102的其他实施方式，而不脱离本揭示的范畴。在一些实施例中，M经选择为小于四、三、二、或其他各个大小比率值的任一者，而不脱离本揭示的范畴。在一些实施例中，R经选择为大于500千欧(Kilo-ohms，kohm)、1兆欧(Mega-ohm，Mohm)、2Mohm或其他各个电阻器值的任一者，而不脱离本揭示的范畴。

单参考电力侦测系统300包括电力侦测电路104A1。电力侦测电路104A1可与图1的电力侦测电路104A相同或类似。电力侦测电路104A1包括耦接到参考端口308以接收参考电压REF1的参考端口310、耦接到参考端口308以接收参考电压REF1的参考端口312、及接收电力供应电压PWR的电力供应端口314。电力侦测电路104A1包括晶体管MN3及耦接到晶体管MN3的晶体管MP3。晶体管MN3的栅极端口耦接到参考端口310，晶体管MN3的漏极端口耦接到输出端口316，并且晶体管MN3的源极端口耦接到接地。晶体管MP3的栅极端口耦接到参考端口312，晶体管MP3的漏极端口耦接到输出端口316，并且晶体管MP3的源极端口耦接到电力供应端口314。在一些实施例中，晶体管MN3的晶体管大小与晶体管MN0的晶体管大小的比率是一。例如，对于相同的晶体管长度，晶体管MN3的晶体管宽度与晶体管MN0的晶体管宽度相同。晶体管大小可称为晶体管面积。

在操作中，电力侦测电路104A1接收参考电压REF1及电力供应电压PWR。晶体管MN3基于参考电压REF1产生电流IREF。晶体管MP3基于参考电压REF1产生电流IDET。若电力供应电压PWR大于参考电压REF1及晶体管MP3的电压阈值(voltage threshold，Vth)的总和，则电流IDET大于电流IREF。若电力供应电压PWR小于参考电压REF1及晶体管MP3的Vth的总和，则电流IDET小于电流IREF。晶体管的Vth可以通过下列来决定：扫掠晶体管的栅极电压、量测晶体管的漏极/源极电流、及外推晶体管的电流/电压(current/voltage，IV)曲线的线性部分以决定外推线与x轴交叉的电压。电力侦测电路104A1基于电流IREF及电流IDET提供输出电压VOUT。电力侦测电路如反向器般操作。若参考电压REF1是高电压，诸如具有等于或实质上等于供应电压PWR的量值的电压，则随后晶体管MN3接通，晶体管MP3断开，并且输出端口316耦接到接地，从而导致输出电压VOUT的量值等于或实质上等于接地电压的量值(例如，零伏)。若参考电压REF2是低电压，诸如具有等于或实质上等于接地电压的量值的电压，则随后晶体管MN3断开，晶体管MP3接通，并且输出端口316耦接到电力供应端口314，从而导致VOUT的量值等于或实质上等于供应电压PWR的量值。因为输出电压是基于电流IREF及电流IDET，电力侦测电路104A1可称为电流侦测方法论、电流感测方法论、电流感测电力侦测电路、及类似者。

图3B示出了根据本揭示的一些实施例的图3A的电力侦测电路104A1的电流-电压(current-voltage，IV)曲线352的图解350。将IV曲线352描绘为电流IDET与电力供应电压PWR的关系。IV曲线352的第一部分354图示了当电力供应电压PWR大于参考电压REF1及晶体管MP3的Vth的总和时，则电流IDET大于电流IREF。IV曲线352的第二部分356图示了当电力供应电压PWR小于参考电压REF1及晶体管MP3的Vth的总和时，则电流IDET小于电流IREF。

参见图3A，单参考电力侦测系统300包括输出级106。输出级106可与图1的输出级106相同或类似。输出级106包括输出电压端口318以接收通过电力侦测电路104A1提供的输出电压。输出级106包括电力就绪端口320。输出级106包括反向器302及反向器304，此反向器是用于增加单参考电力侦测系统300的驱动强度以能够将输出信号POWER_RDY发送到耦接到输出320的下一级。反向器302的输入端口耦接到输入电压端口318。反向器304的输入端口耦接到反向器302，并且反向器304的输出端口耦接到电力就绪端口320。反向器302及304可以使用NMOS晶体管及PMOS晶体管实施。反向器302及304可以使用通过一般熟悉此项技术者理解的实施方式来实施。

若电流IDET大于电流IREF，则输出级106提供处于第一逻辑状态(例如，高，“1”)的电力就绪信号。第一逻辑状态可以是第一电压位准，诸如与电力供应电压PWR的电压位准相同或类似的电压位准。若电流IDET小于电流IREF，则输出级106提供处于第二逻辑状态(例如，低，“0”)的电力就绪信号。第二逻辑状态可以是第二电压位准，诸如与接地的电压位准相同或类似的电压位准。

图4A示出了根据本揭示的一些实施例的多参考电力侦测系统400的方块图。在一些实施例中，多参考电力侦测系统400与图3A的单参考电力侦测系统300类似，并且固定转导参考产生器102B与图3A的固定转导参考产生器102A类似，不同之处在于固定转导参考产生器102B将两个参考电压提供到电力侦测电路104A1。有利地，提供两个参考电压使得多参考电力侦测系统400能够独立于其他参考电压调节参考电压的一者。

固定转导参考产生器102B包括参考端口402、晶体管MP2及二极管MD2。晶体管MP2是晶体管MP1的电流镜。在一些实施例中，晶体管MP2的晶体管大小与晶体管MP1的晶体管大小的比率是一。晶体管MP2的栅极耦接到晶体管MP1的栅极，晶体管MP2的源极接收电力供应电压PWR，并且晶体管MP2的漏极耦接到参考端口402。二极管MD2的阳极端口耦接到参考端口402并且二极管MD2的阴极端口耦接到接地。

如图4A所示，若电力供应电压PWR大于参考电压REF2及晶体管MP3的Vth的总和，则电流IDET大于电流IREF。若电力供应电压PWR小于参考电压REF2及晶体管MP3的Vth的总和，则电流IDET小于电流IREF。

图4B示出了根据本揭示的一些实施例的图4A的电力侦测电路104A1的电流-电压(current-voltage，IV)曲线452的图解450。图解450与图解350类似，不同之处在于图解450图示逻辑状态是至少基于参考电压REF2，而图解350图示逻辑状态是至少基于参考电压REF1。

图5示出了根据本揭示的一些实施例的多参考电力侦测系统500的方块图。在一些实施例中，多参考电力侦测系统500与多参考电力侦测系统400类似，不同之处在于多参考电力侦测系统500包括使用电压侦测方法论的电力侦测电路104A2，而多参考电力侦测系统400的电力侦测电路104A1使用电流侦测方法论。有利地，使用电压侦测方法论允许对电力供应电压进行分压。因此，电力侦测电路104A2可适于侦测输出较高电压位准的电源供应器。另一优点是通过电力侦测电路104A2提供的输出电压的驱动强度具有较高驱动强度，使得可省去输出级。电力侦测电路104A2可与图1的电力侦测电路104A相同或类似。

电力侦测电路104A2包括接收参考电压REF1的参考端口502、接收参考电压REF2的参考端口504、接收电力供应电压PWR的电力供应端口506、接收电力供应电压PWR的电力供应端口509、及提供输出电压的输出端口510。在一些实施例中，输出电压与电力就绪电压POWER_RDY相同，此电力就绪电压指示是否实现与电力侦测电路104A2相关联的电力/电压域。换言之，在一些实施例中，不存在输出级。

电力侦测电路104A2包括分压器512。分压器512包括输出端口518及耦接到电力侦测电路104A2的电力供应端口509的输入端口507。分压器512适于在其输入端口507处接收电压，对电压进行分压以产生分压PWR_DIV，并且在其输出端口518处输出分压PWR_DIV。分压器512可实施为在输入端口507与接地之间的电阻器串，其中输出端口518耦接到两个电阻器之间的节点。

电力侦测电路104A2包括电力侦测电路104A3，其可称为核心电力侦测电路或无分压器电力侦测电路。电力侦测电路104A3可与图1的电力侦测电路104A相同或类似。电力侦测电路104A3包括耦接到电力侦测电路104A2的参考端口502的参考端口503、耦接到电力侦测电路104A2的参考端口504的参考端口505、耦接到分压器512的输出端口518的电力供应端口520、耦接到电力侦测电路104A2的电力供应端口506的电力供应端口508、及耦接到电力侦测电路104A2的输出端口510的输出端口511。

电力侦测电路104A3包括比较器514。比较器514可以经由参考端口505在反向输入端子处接收参考电压REF2。如5图所示，比较器514可以经由电力供应端口520在非反向输入端子处接收分压PWR_DIV。比较器可以适于基于参考电压REF2及分压PWR_DIV经由比较器514的输出端子在输出端口511处提供输出信号。回应于分压PWR_DIV大于参考电压REF2，输出信号处于第一逻辑状态。回应于分压PWR_DIV小于参考电压REF2，输出信号处于第二逻辑状态。比较器可以使用运算放大器实施。比较器可以使用NMOS晶体管及PMOS晶体管实施。比较器可以使用通过一般熟悉此项技术者理解的实施方式来实施。比较器514可以使用各个电路的任一者实施而不脱离本揭示的范畴。

电力侦测电路104A3包括电流源516。操作电流源516以将电流偏压供应到比较器514。电流源516可以使用电流镜(诸如NMOS晶体管)实施，此电流镜接收参考电压REF1并且产生穿过漏极/源极端口流动的电流。电流源516可以使用各个电路的任一者实施而不脱离本揭示的范畴。

图6A示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统600的方块图。在一些实施例中，多电力域电力侦测系统600与图3A单参考电力侦测系统300或图4A的多参考电力侦测系统400类似，不同之处在于多电力域电力侦测系统600可以独立地侦测是否实现分离的电力域或电压域。有利地，多电力域电力侦测系统600可以处置不当地禁用一个电力域的情况。在此种情况下，多电力域电力侦测系统600可以通过指示并非赋能所有电力域或电压域来防止错误程序设计或损坏半导体装置，此可以借此触发重新启动工艺。

多电力域电力侦测系统600包括固定转导参考产生器102C。固定转导参考产生器102C可与图1的固定转导参考产生器102及图2的固定转导参考产生器200相同或类似。固定转导参考产生器102C包括图2、图3A、图4A、及图5的固定转导参考产生器200、102A、及102B的gm偏压电路202。固定转导参考产生器102C包括图4A及图5的固定转导参考产生器102B的参考端口402、晶体管MP2及二极管MD2。

固定转导参考产生器102C包括数个参考端口，诸如参考端口402、608及610，数个电流镜，诸如晶体管MP2、MP3及MPN，以及数个二极管，诸如二极管MD2、MD3及MDN。数个参考端口的每一者可以将参考电压提供到与相应电力域相关联的电力侦测电路。电流镜MP2、MP3及MPN的每一者是晶体管MP1的电流镜。参考端口608、晶体管MP3及二极管MD3与图4A及图5的参考端口402、晶体管MP2及二极管MD2彼此耦接的方式类似地彼此耦接。同样，参考端口610、晶体管MPN及二极管MDN与图4A及图5的参考端口402、晶体管MP2及二极管MD2彼此耦接的方式类似地彼此耦接。尽管固定转导参考产生器102C图示了四个电流镜(MN0、MP2、MP3及MPN)、四个参考端口(308、402、608及610)、及四个参考电压(REF1、REF2、REF3及REFN)，但固定转导参考产生器102C可以具有多于或少于四个电流镜、参考端口、及参考电压，同时保持在本揭示的范畴中。

多电力域电力侦测系统600包括数个电力侦测电路602。数个电力侦测电路602可以与图1的数个电力侦测电路104相同或类似。数个电力侦测电路602的每个电力侦测电路可以与相应电力域或电压域相关联。

数个电力侦测电路602包括电力侦测电路104A1。电力侦测电路104A1可以与图1的电力侦测电路104A相同或类似。电力侦测电路104A1与图3A及图4A的电力侦测电路104A1相同。电力侦测电路104A1在电力供应端口314处接收电力供应电压PWR1。图6A的电力供应电压PWR1可与图3A、图4A、及图5的电力供应电压PWR相同。电力侦测电路104A1在输出端口316处提供输出信号OUTPUT1。

在一些实施例中，电力侦测电路104A1在参考端口310及参考端口312的每一者处接收参考电压REF1，此参考端口与关于图3A的电力侦测电路104的端口连接类似。

数个电力侦测电路602包括数个电力侦测电路603。数个电力侦测电路603包括N-1个电力侦测电路，其中N是多电力域电力侦测系统600中的电力域的总数，并且N可以是任何正整数值，同时保持在本揭示的范畴中。数个电力侦测电路603的N-1个电力侦测电路的每一者与图5的电力侦测电路104A3相同或类似。数个电力侦测电路603的N-1个电力侦测电路的每一者可以与图1的电力侦测电路104B相同或类似。

电力侦测电路104A3(1)是N-1个电力侦测电路中的示例性电力侦测电路。电力侦测电路104A3(1)包括接收参考电压REF1的参考端口503(1)、接收参考电压REF2的参考端口505(1)、接收电力供应电压PWR2的电力供应端口520(1)、接收电力供应电压PWR1的电力供应端口508(1)、及输出端口511(1)、比较器514(1)及电流源516(1)。除非另外规定，否则电力侦测电路104A3(1)的每个端口及部件与具有相同的对应元件符号的电力侦测电路104A3的对应端口及部件相同，不同之处在于“(1)”。固定转导参考产生器102C产生N个参考电压，并且N-1个电力侦测电路的每一者经由其对应参考端口503(Y)接收参考电压REF1，经由其对应参考端口505(Y)接收参考电压REF(Y)、经由其对应电力供应端口508(Y)接收电力供应电压PWR1，以及经由其对应电力供应端口520(Y)接收电力供应电压PWR(Y)，其中Y是从2到N的任何数量。在一些实施例中，电力供应电压PWR1的电压位准大于电力供应电压PWR2～PWRN的每一者的电压位准。

多电力域电力侦测系统600包括输出级604。输出级604包括输入端口612A、612B、…、612N。输入端口612A耦接到电力侦测电路104A1的输出端口316以接收输出电压OUTPUT1。输入端口612B～612N分别耦接到输出端口511(1)～511(N-1)以分别接收输出电压OUTPUT2～OUTPUTN。例如，输入端口612B接收输出信号OUTPUT2，输入端口612C接收输出信号OUTPUT3，输入端口612D接收输出信号OUTPUT4，并且输入端口612N接收输出信号OUTPUTN。输出级604包括输出端口614以提供电力就绪电压POWER_RDY。输出级604包括NAND门606，此NAND门对在相应输入端口612A～612N的每一者处接收的输出电压OUTPUT1～OUTPUTN的每一者执行NAND运算以产生第一电压。可以使用NMOS晶体管及PMOS晶体管实施NAND门606。NAND门606可以使用通过熟悉此项技术者理解的实施方式来实施。输出级604包括耦接到NAND门606的图3A及图4A的反向器304以反向第一电压来产生电力就绪电压POWER_RDY。

图6B示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统650的方块图。在一些实施例中，多电力域电力侦测系统650与图6A的多电力域电力侦测系统600类似，并且固定转导参考产生器102D与图6A的固定转导参考产生器102C相同或类似，不同之处在于固定转导参考产生器102D将N+1个参考电压提供到电力侦测电路104A1，其中N在图6A及图6B中是相同的。换言之，固定转导参考产生器102D将与图6A的固定转导参考产生器102C相比多一个的参考电压提供到电力侦测电路104A1。有利地，提供N+1个参考电压使得多电力域电力侦测系统650能够独立于电力侦测电路104A1的其他参考电压(REF2)调节参考电压(REF1)的一者。若PMOS晶体管或NMOS晶体管的制造工艺不同于期望行为，则此举可能是有用的，因为参考电压REF1或REF2可以经调节以分别补偿PMOS晶体管MP3或NMOS晶体管MN3的变化。

多电力域电力侦测系统650包括固定转导参考产生器102D。固定转导参考产生器102D可与图1的固定转导参考产生器102及图2的固定转导参考产生器200相同或类似。固定转导参考产生器102D产生N+1个参考电压。

多电力域电力侦测系统650包括图3A、图4A及图6A的电力侦测电路104A1。多电力域电力侦测系统650的电力侦测电路104A1在参考端口310处接收参考电压REF1并且在参考端口312处接收参考电压REF2，此参考端口与关于图4A的电力侦测电路104的端口连接类似。

多电力域电力侦测系统650包括图6A的数个电力侦测电路603。数个电力侦测电路603的N-1个电力侦测电路的每一者经由对应参考端口505(Y)接收参考电压REF(Y+1)，其中Y是从2到N的任何数量。在一个实例中，若N＝10，则操作图6B的电力侦测电路603以接收参考电压REF3至REF11。仍假设N＝10，此将与图6A的电力侦测电路603不同，将操作此电力侦测电路以接收参考电压REF2至REF10。

图7示出了根据本揭示的一些实施例的多电力域电力侦测系统700的方块图。在一些实施例中，多电力域电力侦测系统700与图6B的多电力域电力侦测系统600类似，不同之处在于多电力域电力侦测系统700的电力侦测电路的每一者使用电压侦测方法论并且至少一些电力侦测电路包括分压器。有利地，分压器允许侦测输出较高电压位准的电源供应器。

多电力域电力侦测系统700包括图6B的固定转导参考产生器102D。此关于图6B更详细描述。

多电力域电力侦测系统700包括数个电力侦测电路702。数个电力侦测电路702可以与图1的数个电力侦测电路104相同或类似。数个电力侦测电路702的每个电力侦测电路可以与相应电力域或电压域相关联。

数个电力侦测电路702包括数个电力侦测电路704。数个电力侦测电路704包括X个电力侦测电路，其中X是包括分压器的电力侦测电路的数量，并且X可以是任何正整数值，同时保持在本揭示的范畴中。在一些实施例中，X是具有需要分压器的电压位准的电力域的数量。数个电力侦测电路704的X个电力侦测电路的每一者与图5的电力侦测电路104A2相同或类似。数个电力侦测电路704的X个电力侦测电路的每一者可以与图1的电力侦测电路104相同或类似。

电力侦测电路104A2(1)是X个电力侦测电路中的示例性电力侦测电路。电力侦测电路104A2(1)包括接收参考电压REF1的参考端口502(1)、接收参考电压REF2的参考端口504(1)、接收电力供应电压PWR1的电力供应端口509(1)、接收电力供应电压PWR1的电力供应端口506(1)、及输出端口510(1)、分压器512(1)、及电力侦测电路104A3(1)。除非另外规定，否则电力侦测电路104A2(1)的每个端口及部件与具有相同的对应元件符号的图5的电力侦测电路104A2的对应端口及部件相同，不同之处在于“(1)”。

分压器512(1)包括输入端口507(1)及输出端口518(1)。除非另外规定，否则分压器512(1)的每个端口及部件与具有相同的对应元件符号的图5的分压器512的对应端口及部件相同，不同之处在于“(1)”。电力侦测电路104A3(1)与图6A的电力侦测电路104A3(1)相同或类似。

数个电力侦测电路704的X个电力侦测电路的每一者经由其对应参考端口502(V)接收参考电压REF1，经由其对应参考端口504(V)接收参考电压REF(V+1)，经由其对应电力供应端口506(V)接收电力供应电压PWR1，并且经由其对应电力供应端口509(V)接收电力供应电压PWR(V)，其中V是从1到X的任何数量。

数个电力侦测电路702包括数个电力侦测电路706。数个电力侦测电路704包括N-X个电力侦测电路，其中N是电力域的总数，并且N可以是大于X的任何正整数值，同时保持在本揭示的范畴中。数个电力侦测电路706的N-X个电力侦测电路的每一者与图5、图6A、及图6B的电力侦测电路104A3相同或类似。数个电力侦测电路706的N-X个电力侦测电路的每一者可以与图1的电力侦测电路104B相同或类似。

电力侦测电路104A3(X+1)是N-X个电力侦测电路中的示例性电力侦测电路。电力侦测电路104A3(X+1)包括接收参考电压REF1的参考端口503(X+1)、接收参考电压REF(X+2)的参考端口505(X+1)、接收电力供应电压PWR(X+1)的电力供应端口520(X+1)、接收电力供应电压PWR1的电力供应端口508(X+1)、及输出端口511(X+1)、比较器514(X+1)、及电流源516(X+1)。除非另外规定，否则电力侦测电路104A3(X+1)的每个端口及部件与具有相同的对应元件符号的电力侦测电路104A3的对应端口及部件相同，不同之处在于“(X+1)”。N-X个电力侦测电路的每一者经由其对应参考端口503(Z)接收参考电压REF1，经由其对应参考端口505(Z)接收参考电压REF(Z+1)、经由其对应电力供应端口508(Z)接收电力供应电压PWR1，以及经由其对应电力供应端口520(Z)接收电力供应电压PWR(Z)，其中Z是从X+1到N的任何数量。在一些实施例中，电力供应电压PWR1～PWRX的每一者的电压位准大于电力供应电压PWR(X+1)～PWRN的每一者的电压位准。

多电力域电力侦测系统700包括图6A的输出级604。输入端口612A～612X分别耦接到输出端口511(1)～511(X)以接收输出电压OUTPUT1～OUTPUTX，并且输入端口612(X+1)～612N耦接到输出端口511(X+1)～511(N)以接收输出电压OUTPUT(X+1)～OUTPUTN。

尽管图6A、图6B、及图7示出了电力侦测电路的一些组合，电力侦测电路的其他组合是在本揭示的范畴内。例如，电力侦测系统可以包括电力侦测电路104A1的多个实例与电力侦测电路104A2的多个实例、电力侦测电路104A3的多个实例、或两者结合。

图8示出了根据本揭示的一些实施例的用于操作电力侦测的方法800的流程图。注意到，方法800仅是实例，并且不意欲限制本揭示。由此，将理解，额外操作可在图8的方法800之前、期间、及之后提供，并且一些其他操作仅可在本文中简单描述。在一些实施例中，方法800通过电力侦测系统100、电力侦测系统300、电力侦测系统400、电力侦测系统500、电力侦测系统600、电力侦测系统650、或电力侦测系统700执行。

于操作810，电力侦测系统(例如，电力侦测系统400的电力侦测电路104A1或电力侦测系统500的电力侦测电路104A2)从固定转导(transconductance，gm)参考产生器电路(例如，固定转导参考产生器电路102B)接收参考电压(例如，参考电压REF2)。于操作820，电力侦测系统接收电力供应信号(例如，PWR，经由电力供应端口314)。于操作830，电力侦测系统将参考电压与电力供应信号进行比较。于操作840，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的函数的量值，电力侦测系统提供具有第一逻辑状态的第一输出信号(例如，输出电压VOUT或电力就绪电压POWER_RDY)。于操作850，回应于电力供应信号的量值小于参考电压的函数的量值，电力侦测系统提供具有第二逻辑状态的第二输出信号(例如，输出电压VOUT或电力就绪电压POWER_RDY)。

在一些实施例中，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的量值与晶体管阈值电压的量值的总和，电力侦测系统(例如，电力侦测系统400的电力侦测电路104A1)提供具有第一逻辑状态的第一输出信号。在一些实施例中，回应于电力供应信号的量值小于参考电压的量值与晶体管阈值电压的量值的总和，电力侦测系统提供具有第二逻辑状态的第二输出信号。

在一些实施例中，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的量值与分压器比率的乘积，电力侦测系统(例如，电力侦测系统500的电力侦测电路104A2)提供具有第一逻辑状态的第一输出信号。在一些实施例中，回应于电力供应信号的量值小于参考电压的量值与分压器比率的乘积，电力侦测系统提供具有第二逻辑状态的第二输出信号。

在本揭示的一些态样中，揭示了一种电力侦测系统。在一些态样中，电力侦测系统包括接收电力供应电压的固定转导(transconductance，gm)参考产生器电路。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括用于提供第一参考电压的第一电流镜及用于提供第二参考电压的第二电流镜。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括耦接到第一电流镜以接收第一参考电压的电力侦测电路。在一些实施例中，电力侦测电路耦接到第二电流镜以接收第二参考电压。在一些实施例中，操作电力侦测以接收电力供应电压。在一些实施例中，至少基于第二参考电压及电力供应电压操作电力侦测电路以提供具有两个逻辑状态之一的输出电压。

在一些实施例中，电力侦测电路包括N型金属氧化物半导体(N-type metal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管及耦接到NMOS晶体管的P型金属氧化物半导体(P-typemetal-oxide-semiconductor，PMOS)晶体管。在一些实施例中，NMOS晶体管耦接到第一电流镜并且PMOS晶体管耦接到第二电流镜。

在一些实施例中，电力侦测电路包括比较器及电流源。在一些实施例中，电流源耦接到第一电流镜并且比较器耦接到第二电流镜。在一些实施例中，比较器接收电力供应电压。在一些实施例中，电力侦测电路包括接收电力供应电压的分压器，并且比较器耦接到分压器的输出端口。

在一些实施例中，电力侦测系统包括第二电力侦测电路。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路进一步包含第三电流镜。在一些实施例中，第二电力侦测电路耦接到第一电流镜以接收第一参考电压。在一些实施例中，第二电力侦测电路耦接到第三电流镜以接收第三参考电压。在一些实施例中，第二电力侦测电路接收第二电力供应电压。在一些实施例中，至少基于第三参考电压及第二电力供应电压，第二电力侦测电路提供具有两个逻辑状态之一的第二输出电压。

在一些实施例中，第二电力供应电压的量值小于电力供应电压的量值。在一些实施例中，第二电力侦测电路包括N型金属氧化物半导体(N-type metal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管及耦接到NMOS晶体管的P型金属氧化物半导体(P-typemetal-oxide-semiconductor，PMOS)晶体管，其中NMOS晶体管耦接到第一电流镜并且PMOS晶体管耦接到第三电流镜。

在一些实施例中，第二电力侦测电路包括第二比较器及第二电流源。在一些实施例中，第二电流源耦接到第一电流镜并且第二比较器耦接到第三电流镜。在一些实施例中，第二电力侦测电路包含接收电力供应电压的分压器，并且第二比较器耦接到分压器。

在一些实施例中，电力侦测系统包括耦接到电力侦测电路以从电力侦测电路接收输出电压并且提供电力就绪电压的输出级。在一些实施例中，输出级包括第一反向器及耦接到第一反向器的第二反向器。在一些实施例中，输出级包括NAND门及耦接到NAND门的反向器。

在一些实施例中，电力侦测系统消耗小于1μA的直流。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括二极管连接的P型金属氧化物半导体(P-type metal-oxide-semiconductor，PMOS)晶体管及耦接到二极管连接的PMOS晶体管的电流镜PMOS晶体管。在一些实施例中，电流镜PMOS与二极管连接的PMOS的比率小于四。

在本揭示的一些态样中，揭示了一种电力侦测系统。在一些态样中，电力侦测系统包括接收电力供应电压并且提供参考电压的固定转导(transconductance，gm)电路及耦接到固定转导参考产生器电路的电力侦测电路。在一些实施例中，操作电力侦测电路以接收参考电压。在一些实施例中，操作电力侦测电路以接收电力供应电压。在一些实施例中，至少基于参考电压及电力供应电压操作电力侦测以提供具有两个逻辑状态之一的输出电压。在一些实施例中，电力侦测系统包括耦接到电力侦测电路以从电力侦测电路接收输出信号并且提供电力就绪信号的输出级。

在一些实施例中，电力侦测电路包括N型金属氧化物半导体(N-type metal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管及耦接到NMOS晶体管的P型金属氧化物半导体(P-typemetal-oxide-semiconductor，PMOS)晶体管。在一些实施例中，NMOS晶体管及PMOS晶体管接收参考电压。

在本揭示的一些态样中，揭示了一种用于电力侦测的方法。在一些态样中，用于电力侦测的方法包括从固定转导(transconductance，gm)参考产生器电路接收参考电压，接收电力供应信号，将参考电压与电力供应信号进行比较，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的函数的量值，提供具有第一逻辑状态的第一输出信号，以及回应于电力供应信号的量值小于参考电压的函数的量值，提供具有第二逻辑状态的第二输出信号。

在一些实施例中，方法包括，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的量值与晶体管阈值电压的量值的总和，提供具有第一逻辑状态的第一输出信号，并且回应于电力供应信号的量值小于参考电压的量值与晶体管阈值电压的量值的总和，提供具有第二逻辑状态的第二输出信号。

在一些实施例中，方法包括，回应于电力供应信号的量值大于参考电压的量值与分压器比率的乘积，提供具有第一逻辑状态的第一输出信号，并且回应于电力供应信号的量值小于参考电压的量值与分压器比率的乘积，提供具有第二逻辑状态的第二输出信号。

在本揭示的一些态样中，揭示了一种电力侦测系统，包含接收电力供应电压并且提供参考电压的固定转导参考产生器电路以及耦接到固定转导参考产生器电路的电力侦测电路。电力侦测电路接收参考电压。电力侦测电路接收电力供应电压。电力侦测电路至少基于参考电压及电力供应电压提供具有第一逻辑状态的第一输出信号以及第二逻辑状态的第二输出信号；其中电力侦测电路包含比较器。

在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包含用于提供第一参考电压的第一电流镜及用于提供第二参考电压的第二电流镜。

在一些实施例中，电力侦测电路进一步包含电流源，其中电流源耦接到第一电流镜并且比较器耦接到第二电流镜。

上文概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示作为设计或修改其他流程及结构的基础，以便执行本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造并未脱离本揭示的精神及范畴，且可在不脱离本揭示的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、取代及更改。

Claims (10)

1.一种电力侦测系统，其特征在于，包含：

一固定转导参考产生器电路，该固定转导参考产生器电路接收一电力供应电压，其中该固定转导参考产生器电路包含提供一第一参考电压的一第一电流镜及提供一第二参考电压的一第二电流镜；以及

一电力侦测电路，耦接到该第一电流镜以接收该第一参考电压，其中该电力侦测电路耦接到该第二电流镜以接收该第二参考电压，其中该电力侦测电路接收该电力供应电压，其中该电力侦测电路至少基于该第二参考电压及该电力供应电压提供具有两个逻辑状态之一的一输出电压。

2.如权利要求1所述的电力侦测系统，其特征在于，其中该电力侦测电路包含一比较器及一电流源，其中该电流源耦接到该第一电流镜并且该比较器耦接到该第二电流镜。

3.如权利要求1所述的电力侦测系统，其特征在于，进一步包含一第二电力侦测电路，其中该固定转导参考产生器电路进一步包含一第三电流镜，其中该第二电力侦测电路耦接到该第一电流镜以接收该第一参考电压，其中该第二电力侦测电路耦接到该第三电流镜以接收一第三参考电压，其中该第二电力侦测电路接收一第二电力供应电压，其中该第二电力侦测电路至少基于第三参考电压及该第二电力供应电压提供具有两个逻辑状态之一的一第二输出电压。

4.如权利要求3所述的电力侦测系统，其特征在于，其中该第二电力侦测电路包含一N型金属氧化物半导体晶体管及耦接到该N型金属氧化物半导体晶体管的一P型金属氧化物半导体晶体管，其中该N型金属氧化物半导体晶体管耦接到该第一电流镜并且该P型金属氧化物半导体晶体管耦接到该第三电流镜。

5.如权利要求3所述的电力侦测系统，其特征在于，其中该第二电力侦测电路包含一第二比较器及一第二电流源，其中该第二电流源耦接到该第一电流镜并且该第二比较器耦接到该第三电流镜。

6.如权利要求5所述的电力侦测系统，其特征在于，其中该第二电力侦测电路包含接收该电力供应电压的一分压器，并且该第二比较器耦接到该分压器。

7.一种电力侦测系统，其特征在于，包含：

一固定转导参考产生器电路，该固定转导参考产生器电路接收一电力供应电压并且提供一参考电压；

一电力侦测电路，耦接到该固定转导参考产生器电路，其中该电力侦测电路接收该参考电压，其中该电力侦测电路接收该电力供应电压，其中该电力侦测电路至少基于该参考电压及该电力供应电压提供具有两个逻辑状态之一的一输出信号；以及

一输出级，耦接到该电力侦测电路以从该电力侦测电路接收该输出信号并且提供一电力就绪信号。

8.一种电力侦测系统，其特征在于，包含：

一固定转导参考产生器电路，该固定转导参考产生器电路接收一电力供应电压并且提供一参考电压；以及

一电力侦测电路，耦接到该固定转导参考产生器电路，其中该电力侦测电路接收该参考电压，其中该电力侦测电路接收该电力供应电压，其中该电力侦测电路至少基于该参考电压及该电力供应电压提供一第一输出信号以及一第二输出信号；

其中该电力侦测电路包含多个比较器及多个电流源，所述多个比较器分别耦接到所述多个电流源。

9.如权利要求8所述的电力侦测系统，其特征在于，其中该固定转导参考产生器电路包含提供一第一参考电压的一第一电流镜及提供一第二参考电压的一第二电流镜。

10.如权利要求8所述的电力侦测系统，其特征在于，其中当该电力供应电压的量值大于该参考电压的一函数的量值时，该第一输出信号具有一第一逻辑状态；当该电力供应电压的量值小于该参考电压的该函数的量值时，该第二输出信号具有一第二逻辑状态。