CN220439639U - 一种硅片Q-time动态管控装置 - Google Patents
一种硅片Q-time动态管控装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220439639U CN220439639U CN202321407052.1U CN202321407052U CN220439639U CN 220439639 U CN220439639 U CN 220439639U CN 202321407052 U CN202321407052 U CN 202321407052U CN 220439639 U CN220439639 U CN 220439639U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temporary storage
- storage area
- silicon wafer
- time
- production line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 88
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种硅片Q‑time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区，在暂存区的入口和出口处均设置有花篮计数器，通过花篮计数器对上料和下料的数量进行计数，在暂存区处设置转运AGV，转运AGV和花篮计数器均与数据终端处理PC电连接，数据终端处理PC通过花篮计数器的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV将超Q‑time的硅片运送至返工区；本实用新型采用花篮计数器对暂存量进行实时统计，当暂存量超上限时自动报警，转运AGV对超Q‑time片自动清理，保证其他正常片的正常流转，且生产过程中待料现象可以有效避免，保证生产节奏的流畅性。
Description
技术领域
本实用新型涉及硅片生产技术领域，具体涉及一种硅片Q-time动态管控装置。
背景技术
TOPcon电池片的核心提效为超薄氧化层隧穿+掺磷多晶硅结构，该结构能够实现电子的选择性透过，提升了开压；另外，金属栅线和多晶硅层的良好接触提升了FF；同时，TOPCon结构属于一维传输结构，载流子可以直接高效的通过氧化层进行一维纵向传输，使得电流传输路径达到最短，避免了载流子在二维传输过程中引起的复合，降低了电池的串阻，使得电池具有更高的填充因子，因而可以获得更高的光电转换效率。该结构中，超薄氧化层的厚度成为工艺管控的关键因素，如氧化层太薄，在磷扩散过程中易出现扩穿，在退火过程中易出现氧化层破裂，从而导致隧穿层失效，出现大规模暗片；如氧化层过厚，则导致电子难以穿过隧穿层，导致载流子传输受阻，串阻过大，FF偏低，同样导致暗片。因此，工艺需要在工艺过程中严格控制温度、压力、流量、时间等因素，从而制得均匀、厚度恰当的氧化层。不幸的是，硅本身在空气中遇水汽容易被氧化形成氧化硅，由此形成的氧化硅一方面会成为隧穿氧化硅的一部分，影响电子隧穿，另一方面，由于其质地不够紧密和均匀，其隧穿效果不佳，最终成为隧穿层生产制备过程中的重要干扰项，需要予以避免。控制自然氧化层生长的方法包括控制温湿度和暂存时间。现有的产线上仅通过暂存区进行缓存，并未对流转顺序进行控制，导致部分片快速流转，部分片长期暂存超Q-time，导致需要批量返工的问题，影响产线的生产节奏与生产质量。
实用新型内容
技术目的：针对上述现有暂存区存在的不足，本实用新型公开了一种能够对暂存时间进行监控，并控制硅片在暂存区内的流转顺序，减少超Q-time片的产生，保证生产节奏的流畅性。
技术方案：为实现上述技术目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种硅片Q-time动态管控装置，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区，在暂存区的入口和出口处均设置有花篮计数器，通过花篮计数器对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区的暂存量；在暂存区处设置转运AGV，转运AGV和花篮计数器均与数据终端处理PC电连接，数据终端处理PC通过花篮计数器的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV将超Q-time的硅片运送至返工区。
优选地，本实用新型的暂存区分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。
优选地，本实用新型的暂存区在出口处设有超时报警器，所述超时报警器与数据终端处理PC电连接，数据终端处理PC根据暂存区的暂存硅片数量，判断是否存在是否超出Q-time的硅片。
优选地，本实用新型的暂存区的暂存硅片量根据硅片前道产线的吞吐能力、硅片后道产线的吞吐能力以及硅片的暂存要求时间进行设计。
优选地，本实用新型的暂存区的暂存量其中T1为硅片前道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T2为硅片后道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T3为工艺要求Q-time，单位为min。
有益效果：本实用新型采用花篮计数器对硅片产线间暂存量进行实时统计，当暂存量超上限时自动报警，AGV对超Q-time片进行自动清理，保证其他正常片的正常流转，所有暂存电池片能够保证不超Q-time，且生产过程中待料现象可以有效避免，保证生产节奏的流畅性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍。
图1为本实用新型整体结构示意图；
其中，1-暂存区、2-花篮计数器、3-转运AGV、4-数据终端处理PC、5-超时报警器。
具体实施方式
下面通过一较佳实施例的方式并结合附图来更清楚完整地说明本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。
如图1所示为本实用新型所公开的一种硅片Q-time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，保证产线的流畅性，动态管控装置包括用于对前道产线输出的硅片暂存的暂存区1，在暂存区1的入口和出口处均设置有花篮计数器2，通过花篮计数器2对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区1的暂存量；在暂存区1处设置转运AGV3，转运AGV3和花篮计数器2均与数据终端处理PC4电连接，数据终端处理PC4通过花篮计数器3的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV3将超Q-time的硅片运送至返工区。
为能够保证硅片按照生产的先后顺序进行流转，防止部分硅片超Q-time，本实用新型的暂存区1分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，通过输送带自上料区先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。
为能够对硅片暂存的Q-time进行准确监控，并及时通知，本实用新型的暂存区1在出口处设有超时报警器5，所述超时报警器5与数据终端处理PC4电连接，根据暂存区对应的前后产线的生产能力，建立暂存数量与暂存时间之间的关系，从而使数据终端处理PC4根据暂存区1的暂存硅片数量，判断是否存在是否超出Q-time的硅片。
为保证暂存区1的暂存能力与对应的产线相匹配，避免出现暂存量冗余或者不足的情形，本实用新型的暂存区1的暂存硅片量根据前道产线的吞吐能力、硅片后道产线的吞吐能力以及硅片的暂存要求时间进行设计。
具体的，本实用新型的暂存区的暂存量其中T1为硅片前道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T2为硅片后道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T3为工艺要求Q-time，单位为min。
在实际生产中，可以将本申请的暂存区设置在碱抛工序与poly产线之间，或者制绒、退火等工序的后方，对相应产线的硅片产品进行暂存，以碱抛工序与poly产线之间的暂存进行说明，碱抛工序的硅片产品通过暂存区1的入口送入暂存区1的上料区内，通过上料区入口处的花篮计数器2对进入暂存区的花篮计数，随着硅片的持续暂存，由于暂存区前后产线的吞吐能力差异，导致暂存区内的硅片数量增多，通过暂存区下料区的花篮计数器对取出的硅片进行计数，从而可以得出暂存区内现存的硅片数量，并且针对不同的产线，其自身的生产节奏等固定，因此，能够通过预设硅片暂存数量与时间的关系，对暂存区内硅片的Q-time实时进行监控；并在超过Q-time时，超时报警器5自动报警，并由转运AGV3对超Q-time片进行自动清理；对于碱抛工艺与pol产线，其暂存区的T1包括工艺时间、设备时间、运输时间，每班泡槽时间；T2包括工艺时间、设备时间、运输时间；以此进行暂存区暂存量的计算，使暂存区的暂存能力与产线相匹配。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种硅片Q-time动态管控装置，用于硅片产线之间的暂存，其特征在于，包括用于对前道工序产出的硅片进行暂存的暂存区(1)，在暂存区(1)的入口和出口处均设置有花篮计数器(2)，通过花篮计数器(2)对上料和下料的数量进行计数，判断暂存区(1)的暂存量；在暂存区(1)处设置转运AGV(3)，转运AGV(3)和花篮计数器(2)均与数据终端处理PC(4)电连接，数据终端处理PC(4)通过花篮计数器(2)的计数结果进行暂存量的判断，控制转运AGV(3)将超Q-time的硅片运送至返工区；所述暂存区(1)分为上料区和下料区，硅片在暂存区内按照进入顺序排布，先进入的硅片在出料时优先输送至后续的硅片产线。
2.根据权利要求1所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区(1)在出口处设有超时报警器(5)，所述超时报警器(5)与数据终端处理PC(4)电连接，数据终端处理PC(4)根据暂存区(1)的暂存硅片数量，判断是否存在是否超出Q-time的硅片。
3.根据权利要求1所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区(1)的暂存硅片量根据硅片前道产线的吞吐能力、硅片后道产线的吞吐能力以及硅片的暂存要求时间进行设计。
4.根据权利要求3所述的一种硅片Q-time动态管控装置，其特征在于，所述暂存区的暂存量其中T1为硅片前道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T2为硅片后道产线的吞吐能力，单位为min/2000pcs；T3为工艺要求Q-time，单位为min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321407052.1U CN220439639U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 一种硅片Q-time动态管控装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321407052.1U CN220439639U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 一种硅片Q-time动态管控装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220439639U true CN220439639U (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=89690793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321407052.1U Active CN220439639U (zh) | 2023-06-05 | 2023-06-05 | 一种硅片Q-time动态管控装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220439639U (zh) |
-
2023
- 2023-06-05 CN CN202321407052.1U patent/CN220439639U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104409405B (zh) | 用平板式pecvd制备hit太阳电池的传片机构及方法 | |
| WO2023116080A1 (zh) | 一种高效异质结太阳能电池及制备方法 | |
| WO2023093542A1 (zh) | 太阳能光伏电池低压水平磷扩散生产线 | |
| CN105006444A (zh) | 一种高效晶硅太阳能电池片的生产工艺 | |
| CN220439639U (zh) | 一种硅片Q-time动态管控装置 | |
| US20150011036A1 (en) | Method for manufacturing a solar cell | |
| CN110656323A (zh) | 用于制造hit太阳能电池的cvd设备、成套cvd设备及镀膜方法 | |
| CN112582485A (zh) | 一种太阳能电池及其制作方法 | |
| CN106169521A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池加工的去磷硅玻璃加工生产线 | |
| KR101011493B1 (ko) | 태양전지 제조 공정시스템 | |
| CN110643978A (zh) | 一种制造hit电池的非晶硅镀膜设备 | |
| EP2323172A1 (en) | Photoelectric conversion device manufacturing method, photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device manufacturing system | |
| JP5153750B2 (ja) | 基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置 | |
| CN109698113A (zh) | 氧化锌薄膜及其制备方法、发光器件 | |
| CN209000893U (zh) | 一种晶硅电池片翻转输送装置 | |
| CN109244186B (zh) | 一种新型背钝化背膜正膜机台镀膜连体上下料装置及方法 | |
| CN214848505U (zh) | 一种高度集成的太阳能电池片槽式清洗制绒设备 | |
| CN211256085U (zh) | 一种制造hit电池的非晶硅镀膜设备 | |
| CN114023636A (zh) | 一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法 | |
| CN210926048U (zh) | 一种槽式和链式相结合的黑硅制绒设备 | |
| CN110085517A (zh) | 一种长宽非等尺寸的长方形多晶硅太阳能电池片加工方法 | |
| CN115663070B (zh) | 硅片加工工艺 | |
| CN220382115U (zh) | 一种太阳能电池生产用酸洗槽结构 | |
| CN211079409U (zh) | 一种用于连续式生产的晶体硅太阳能电池扩散炉及生产线 | |
| CN212011010U (zh) | 一种太阳能电池生产设备配套的硅片自动化上下料系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |