CN220439569U - 一种湿法刻蚀槽 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及刻蚀槽的领域，公开了一种湿法刻蚀槽，包括刻蚀槽主体，刻蚀槽主体的顶面固定有两个第一气缸，第一气缸伸缩杆的一端贯穿刻蚀槽主体的顶面，第一气缸伸缩杆的一端固定有喷气嘴，刻蚀槽主体的上方设置有两个气泵，刻蚀槽主体的一侧设置有两个水泵，水泵输水管的一端与气泵输气管的外圆壁面固定，刻蚀槽主体的一侧设置有储药箱，储药箱的上方设置有第一耐酸泵，第一耐酸泵抽料管的一端贯穿储药箱的顶面，并延伸至储药箱的内部。在本实用新型中，通过设置两个喷气嘴实现交替使用，其中一个喷气嘴堵塞使用另一个喷气嘴，并同步清理其中一个喷气嘴，从而不需要在清理喷气嘴时停止刻蚀操作，大大提高了单晶片的生产速度。
Description
技术领域
本实用新型涉及刻蚀槽的技术领域，具体为一种湿法刻蚀槽。
背景技术
湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的，在湿法刻蚀的过程中，通常会选用腐蚀性好的酸溶液(如草酸)作为药液喷洒到玻璃基板上。由于湿法刻蚀具有选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低等优点，得到了广泛的应用。
例如根据公开号为CN206541807U的中国专利，一种湿法刻蚀槽以及湿法刻蚀设备，该湿法刻蚀槽包括具有进口和出口的槽体和设置在所述出口处的气帘，在所述进口和所述出口之间传送有喷洒药液的玻璃基板，所述气帘包括形成于所述气帘内部的通道，所述通道的两端分别形成有与气源相通的进气口以及能够向所述玻璃基板吹出气体的出气口，并且所述湿法刻蚀槽包括供给单元，所述供给单元能够通过所述进气口提供介质以通过所述介质冲洗所述通道。该湿法刻蚀槽中的气帘的内部的通道能够被冲洗，从而防止所述气帘被堵塞。由于在所述湿法刻蚀设备中设置了该湿法刻蚀槽，从而使得气体能够被稳定顺畅的排出，提高了刻蚀效率。
上述方案仍存在如下缺点：上述方案在使用时，当气帘被堵塞需要清理时，需要停止进行单晶片的刻蚀，需要等待气帘堵塞物被清理时才能继续进行刻蚀操作，影响了单晶片的生产速度。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了提供一种湿法刻蚀槽，以解决气帘被堵塞需要清理时，需要等待气帘堵塞物被清理时才能继续进行刻蚀操作，影响了单晶片的生产速度的问题。
为了实现上述实用新型目的，本实用新型采用了以下技术方案：一种湿法刻蚀槽，包括刻蚀槽主体，所述刻蚀槽主体的顶面固定有两个第一气缸，所述第一气缸伸缩杆的一端贯穿刻蚀槽主体的顶面，并延伸至所述刻蚀槽主体的内部，所述第一气缸伸缩杆的一端固定有喷气嘴，所述刻蚀槽主体的上方设置有两个气泵，所述气泵输气管的一端贯穿刻蚀槽主体的顶面，并延伸至刻蚀槽主体的内部，所述气泵输气管的一端与喷气嘴的顶面固定，所述气泵输气管与喷气嘴的内部相连通，所述刻蚀槽主体的一侧设置有两个水泵，所述水泵输水管的一端与气泵输气管的外圆壁面固定，所述水泵输水管与气泵输气管的内部相连通，所述刻蚀槽主体的一侧设置有储药箱，所述储药箱的上方设置有第一耐酸泵，所述第一耐酸泵抽料管的一端贯穿储药箱的顶面，并延伸至所述储药箱的内部，所述第一耐酸泵输料管的一端贯穿刻蚀槽主体的顶面，并延伸至所述刻蚀槽主体的内部，所述第一耐酸泵输料管的一端固定有喷头，所述刻蚀槽主体的一侧设置有废水箱，所述废水箱的顶面固定有软管，所述软管与废水箱的内部相连通，所述刻蚀槽主体的一侧开设有活动口，所述刻蚀槽主体的一侧固定有延伸箱，所述软管的一端分别贯穿延伸箱与活动口，并延伸至刻蚀槽主体的内部，所述软管的一端固定有收液盒，所述软管与收液盒的内部相连通，所述延伸箱的一侧固定有第二气缸，所述第二气缸伸缩杆的一端分别贯穿延伸箱的一侧与活动口，并延伸至刻蚀槽主体的内部与收液盒的一侧固定。
优选的，所述刻蚀槽主体的顶面开设有两个限位孔，所述限位孔的内部插设有限位杆，两个所述限位杆的一端分别与两个喷气嘴的顶面固定。
优选的，所述刻蚀槽主体的底面固定有排液管，所述排液管的一端固定有集液箱，所述排液管与集液箱的内部相连通。
优选的，所述刻蚀槽主体的内部底面固定有导流板。
优选的，所述集液箱的一侧固定有阀门，所述阀门的一侧固定有PH传感器，所述PH传感器检测端贯穿集液箱的一侧，并延伸至所述集液箱的内部。
优选的，所述集液箱与储药箱之间设置有第二耐酸泵，所述第二耐酸泵输液管的一端与储药箱的一侧固定，所述第二耐酸泵输液管与储药箱的内部相连通，所述第二耐酸泵抽液管的一端与集液箱的一侧固定，所述第二耐酸泵抽液管与集液箱的内部相连通。
与现有技术相比，采用了上述技术方案的一种湿法刻蚀槽，具有如下有益效果：
一、将单晶片置于玻璃基座上，然后置入到刻蚀槽主体的内部，通过刻蚀槽主体的驱动机构带动玻璃基座与单晶片移动到喷头的底面，此时启动第一耐酸泵抽取储药箱内部的酸液并通过喷头喷洒在单晶片上，完成刻蚀，随后单晶片继续传动到喷气嘴的底面，此时其中一个气泵启动抽取气体通过喷气嘴向单晶片表面吹气，将单晶片上的酸液吹出单晶片，当单晶片表面上的酸液结晶并积累对喷气嘴造成堵塞时，第一气缸带动其中一个喷气嘴上升，此时启用另一个喷气嘴进行酸液清理，并在此时第二气缸带动收液盒移动到其中一个喷气嘴的下方，此时水泵向喷气嘴的内部输入清洗液，将堵塞的喷气嘴清理，清理的废水流入废水箱内，通过设置两个喷气嘴实现交替使用，其中一个喷气嘴堵塞使用另一个喷气嘴，并同步清理其中一个喷气嘴，从而不需要在清理喷气嘴时停止刻蚀操作，大大提高了单晶片的生产速度；
二、通过限位杆与限位孔的内部插设，可以对喷气嘴起到限位作用，使得喷气嘴上下移动时更加稳定，通过排液管可以将喷气嘴从单晶片吹下的酸液收集入集液箱的内部，便于二次利用，通过导流板可以使得酸液更快速的进入排液管内。
附图说明
图1为实施例的立体图。
图2为实施例的爆炸立体图。
图3为实施例的废水箱立体图。
图4为实施例的限位杆立体图。
图5为实施例的活动口立体图。
图中：1、刻蚀槽主体；2、第一气缸；3、喷气嘴；4、气泵；5、水泵；6、储药箱；7、第一耐酸泵；8、喷头；9、废水箱；10、软管；11、活动口；12、收液盒；13、延伸箱；14、第二气缸；15、排液管；16、集液箱；17、限位孔；18、限位杆；19、阀门；20、PH传感器；21、第二耐酸泵；22、导流板。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的较佳实施例作详细说明。
如图1-图5所示，一种湿法刻蚀槽，包括刻蚀槽主体1，刻蚀槽主体1为已有结构在此不作赘述，刻蚀槽主体1的顶面固定有两个第一气缸2，第一气缸2为已有结构在此不作赘述，第一气缸2伸缩杆的一端贯穿刻蚀槽主体1的顶面，并延伸至刻蚀槽主体1的内部，第一气缸2伸缩杆的一端固定有喷气嘴3，喷气嘴3为已有结构在此不作赘述，刻蚀槽主体1的上方设置有两个气泵4，气泵4为已有结构在此不作赘述，气泵4输气管的一端贯穿刻蚀槽主体1的顶面，并延伸至刻蚀槽主体1的内部，气泵4输气管的一端与喷气嘴3的顶面固定，气泵4输气管与喷气嘴3的内部相连通，刻蚀槽主体1的一侧设置有两个水泵5，水泵5为已有结构在此不作赘述，水泵5输水管的一端与气泵4输气管的外圆壁面固定，水泵5输水管与气泵4输气管的内部相连通，刻蚀槽主体1的一侧设置有储药箱6，储药箱6的上方设置有第一耐酸泵7，第一耐酸泵7为已有结构在此不作赘述，第一耐酸泵7抽料管的一端贯穿储药箱6的顶面，并延伸至储药箱6的内部，第一耐酸泵7输料管的一端贯穿刻蚀槽主体1的顶面，并延伸至刻蚀槽主体1的内部，第一耐酸泵7输料管的一端固定有喷头8，喷头8为已有结构在此不作赘述，刻蚀槽主体1的一侧设置有废水箱9，废水箱9的顶面固定有软管10，软管10与废水箱9的内部相连通，刻蚀槽主体1的一侧开设有活动口11，刻蚀槽主体1的一侧固定有延伸箱13，软管10的一端分别贯穿延伸箱13与活动口11，并延伸至刻蚀槽主体1的内部，软管10的一端固定有收液盒12，软管10与收液盒12的内部相连通，延伸箱13的一侧固定有第二气缸14，第二气缸14为已有结构在此不作赘述，第二气缸14伸缩杆的一端分别贯穿延伸箱13的一侧与活动口11，并延伸至刻蚀槽主体1的内部与收液盒12的一侧固定。
在使用中，将单晶片置于玻璃基座上，然后置入到刻蚀槽主体1的内部，通过刻蚀槽主体1的驱动机构带动玻璃基座与单晶片移动到喷头8的底面，此时启动第一耐酸泵7抽取储药箱6内部的酸液并通过喷头8喷洒在单晶片上，完成刻蚀，随后单晶片继续传动到喷气嘴3的底面，此时其中一个气泵4启动抽取气体通过喷气嘴3向单晶片表面吹气，将单晶片上的酸液吹出单晶片，当单晶片表面上的酸液结晶并积累对喷气嘴3造成堵塞时，第一气缸2带动其中一个喷气嘴3上升，此时启用另一个喷气嘴3进行酸液清理，并在此时第二气缸14带动收液盒12移动到其中一个喷气嘴3的下方，此时水泵5向喷气嘴3的内部输入清洗液，将堵塞的喷气嘴3清理，清理的废水流入废水箱9内，通过设置两个喷气嘴3实现交替使用，其中一个喷气嘴3堵塞使用另一个喷气嘴3，并同步清理其中一个喷气嘴3，从而不需要在清理喷气嘴3时停止刻蚀操作，大大提高了单晶片的生产速度。
如图2-图5所示，刻蚀槽主体1的顶面开设有两个限位孔17，限位孔17的内部插设有限位杆18，两个限位杆18的一端分别与两个喷气嘴3的顶面固定，刻蚀槽主体1的底面固定有排液管15，排液管15的一端固定有集液箱16，排液管15与集液箱16的内部相连通，刻蚀槽主体1的内部底面固定有导流板22，集液箱16的一侧固定有阀门19，阀门19为已有结构在此不作赘述，阀门19的一侧固定有PH传感器20，PH传感器20为已有结构在此不作赘述，PH传感器20检测端贯穿集液箱16的一侧，并延伸至集液箱16的内部，集液箱16与储药箱6之间设置有第二耐酸泵21，第二耐酸泵21为已有结构在此不作赘述，第二耐酸泵21输液管的一端与储药箱6的一侧固定，第二耐酸泵21输液管与储药箱6的内部相连通，第二耐酸泵21抽液管的一端与集液箱16的一侧固定，第二耐酸泵21抽液管与集液箱16的内部相连通。
在使用中，通过限位杆18与限位孔17的内部插设，可以对喷气嘴3起到限位作用，使得喷气嘴3上下移动时更加稳定，通过排液管15可以将喷气嘴3从单晶片吹下的酸液收集入集液箱16的内部，便于二次利用，通过导流板22可以使得酸液更快速的进入排液管15内，通过PH传感器20可以监测集液箱16内酸液的PH值，并通过阀门19向集液箱16内置入反应物，使得集液箱16内的酸液可以被再次使用，通过第二耐酸泵21可以将集液箱16内处理好的酸液输送进储药箱6的内部，从而将集液箱16内的酸液快速投入使用。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种湿法刻蚀槽，包括刻蚀槽主体(1)，其特征在于，所述刻蚀槽主体(1)的顶面固定有两个第一气缸(2)，所述第一气缸(2)伸缩杆的一端贯穿刻蚀槽主体(1)的顶面，并延伸至所述刻蚀槽主体(1)的内部，所述第一气缸(2)伸缩杆的一端固定有喷气嘴(3)，所述刻蚀槽主体(1)的上方设置有两个气泵(4)，所述气泵(4)输气管的一端贯穿刻蚀槽主体(1)的顶面，并延伸至刻蚀槽主体(1)的内部，所述气泵(4)输气管的一端与喷气嘴(3)的顶面固定，所述气泵(4)输气管与喷气嘴(3)的内部相连通，所述刻蚀槽主体(1)的一侧设置有两个水泵(5)，所述水泵(5)输水管的一端与气泵(4)输气管的外圆壁面固定，所述水泵(5)输水管与气泵(4)输气管的内部相连通，所述刻蚀槽主体(1)的一侧设置有储药箱(6)，所述储药箱(6)的上方设置有第一耐酸泵(7)，所述第一耐酸泵(7)抽料管的一端贯穿储药箱(6)的顶面，并延伸至所述储药箱(6)的内部，所述第一耐酸泵(7)输料管的一端贯穿刻蚀槽主体(1)的顶面，并延伸至所述刻蚀槽主体(1)的内部，所述第一耐酸泵(7)输料管的一端固定有喷头(8)，所述刻蚀槽主体(1)的一侧设置有废水箱(9)，所述废水箱(9)的顶面固定有软管(10)，所述软管(10)与废水箱(9)的内部相连通，所述刻蚀槽主体(1)的一侧开设有活动口(11)，所述刻蚀槽主体(1)的一侧固定有延伸箱(13)，所述软管(10)的一端分别贯穿延伸箱(13)与活动口(11)，并延伸至刻蚀槽主体(1)的内部，所述软管(10)的一端固定有收液盒(12)，所述软管(10)与收液盒(12)的内部相连通，所述延伸箱(13)的一侧固定有第二气缸(14)，所述第二气缸(14)伸缩杆的一端分别贯穿延伸箱(13)的一侧与活动口(11)，并延伸至刻蚀槽主体(1)的内部与收液盒(12)的一侧固定。
2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀槽，其特征在于：所述刻蚀槽主体(1)的顶面开设有两个限位孔(17)，所述限位孔(17)的内部插设有限位杆(18)，两个所述限位杆(18)的一端分别与两个喷气嘴(3)的顶面固定。
3.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀槽，其特征在于：所述刻蚀槽主体(1)的底面固定有排液管(15)，所述排液管(15)的一端固定有集液箱(16)，所述排液管(15)与集液箱(16)的内部相连通。
4.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀槽，其特征在于：所述刻蚀槽主体(1)的内部底面固定有导流板(22)。
5.根据权利要求3所述的一种湿法刻蚀槽，其特征在于：所述集液箱(16)的一侧固定有阀门(19)，所述阀门(19)的一侧固定有PH传感器(20)，所述PH传感器(20)检测端贯穿集液箱(16)的一侧，并延伸至所述集液箱(16)的内部。
6.根据权利要求3所述的一种湿法刻蚀槽，其特征在于：所述集液箱(16)与储药箱(6)之间设置有第二耐酸泵(21)，所述第二耐酸泵(21)输液管的一端与储药箱(6)的一侧固定，所述第二耐酸泵(21)输液管与储药箱(6)的内部相连通，所述第二耐酸泵(21)抽液管的一端与集液箱(16)的一侧固定，所述第二耐酸泵(21)抽液管与集液箱(16)的内部相连通。
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