CN220383487U - 一种Micro OLED器件黑矩阵结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于Micro OLED技术领域的Micro OLED器件黑矩阵结构。包括OC层(1)，OC层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，在解决黑矩阵在高像素密度产品生产过程中易发生材料剥离问题同时，使该技术应用在Micro OLED生产工艺中能够有效降低光串扰风险现象，提高产品性能。
Description
技术领域
本实用新型属于Micro OLED技术领域，更具体地说，是涉及一种Micro OLED器件黑矩阵结构。
背景技术
Micro OLED器件结构中，发光单元为下部白光OLED发光器件，负责色彩呈现的RGB像素为Side by Side排列。下部OLED发出点光源，通过RGB子像素后，分别显示Red/Green/Blue三色光。Micro OLED器件结构中，像素排列易发生相邻像素间光串扰的问题。现有技术中的显示领域，一般采用黑色光阻材料，通过涂布曝光显影的方式制备黑矩阵的图案，再在其上通过涂布曝光显影的方式制备RGB子像素，以防止RGB子像素发生光串扰现象。因为Micro OLED显示器件要求像素密度更高，RGB子像素尺寸更低(5μm及更小，黑矩阵的线宽要求为1μm以下，线宽高则影响了RGB子像素显示区域。而小的黑矩阵线宽则会降低黑矩阵材料与下层结构的附着力，极易发生光阻剥离的情况，制程失效风险高。现有器件一般不制备黑矩阵图形。因此，像素光串扰现象和光阻剥离的情况是矛盾的，现有技术不能同时解决。
现有技术中有名称为“OLED显示面板”、公开号为“CN114023903A”的技术，该技术提供一种OLED显示面板，该OLED显示面板包括阵列基板、位于阵列基板之上的发光器件层、位于发光器件层之上的封装层、以及位于封装层之上的触控层以及位于触控层之上的偏光层；其中，偏光层包括与发光器件层对位设置的彩色滤光层、以及位于彩色滤光层之间的黑色矩阵；触控层具有微透镜结构的凹槽，彩色滤光层填充于凹槽以形成有蓝色滤光层；本发明的显示面板的蓝色滤光层底部形成微透镜结构，达到将向侧方出射的光汇聚到正面的目的，降低蓝光的发光器件功耗，采用彩色滤光层和黑色矩阵替代聚乙烯醇材质的偏光片，减薄偏光片，即减薄显示面板的总厚度，提升弯曲性能和显示色彩纯度。然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，在解决黑矩阵在高像素密度产品生产过程中易发生材料剥离问题同时，使该技术应用在Micro OLED生产工艺中能够有效降低光串扰风险现象，提高产品性能的Micro OLED器件黑矩阵结构。
要解决以上所述的技术问题，本实用新型采取的技术方案为：
本实用新型为一种Micro OLED器件黑矩阵结构，包括OC层，OC层采用涂胶/曝光/显影的方式制备，OC层上设置横向沟槽和纵向沟槽，横向沟槽和纵向沟槽光刻胶部顶部宽度大于横向沟槽及纵向沟槽宽度。
所述的OC层每个侧边位置分别设置光刻胶部。
多道横向沟槽设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽3设置为平行布置的结构，横向沟槽和纵向沟槽垂直布置。
所述的光刻胶部包括光刻胶部上部和光刻胶部下部，光刻胶部上部和光刻胶部下部呈T型结构。
所述的横向沟槽内的光刻胶部的光刻胶部上部宽度大于横向沟槽宽度，纵向沟槽内的光刻胶部的光刻胶部上部宽度大于纵向沟槽宽度。
所述的OC层制备在TFE-CVD层上部。
所述的OC层上表面设置RED层、GREEN层、BLUE层。
所述的光刻胶部上部设置RED层、GREEN层、BLUE层，且RED层、GREEN层、BLUE层边缘部覆盖于光刻胶上部。
所述的OLED发光器件设置在CMOS层上部；所述的TFE-CVD层设置在OLED发光器件上部。
采用本实用新型的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，结构设置时，OC层上表面按间隙设置多道横向沟槽和多道纵向沟槽，需要形成光刻胶部，利用旋涂设备在OC层上表面涂布一层黑色光刻胶，光刻胶具有流动性，光刻胶流动进入预先开好的各道沟槽(横向沟槽和纵向沟槽)，形成多道纵横布置的光刻胶部，利用曝光机进行曝光，再进行显影处理，最终形成黑矩阵图案。而光刻胶部形成黑矩阵图案后，在OLED发光器件发光时，每个OLED发光器件的光路受到限定，而每个OLED发光器件的光路边线从对应的光刻胶部内侧位置向上射出，对光路进行限定，使得相邻像素间的光路不会发生交叉，有效避免光串扰的问题。光刻胶部部分位于沟槽内，对光刻胶部实现限位，在产品制备后，不会发生光阻剥离的情况，有效减低制程失效风险。
附图说明
下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
图1为本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构的OC层的俯视结构示意图；
图2为本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构的OC层的剖视结构示意图；
图3为本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构的剖视结构示意图；
附图中标记分别为：1、OC层(光电隔离器，optoelectronic isolator)；2、横向沟槽；3、纵向沟槽；4、光刻胶部；5、光刻胶部上部；6、光刻胶部下部；7、TEF-CVD层(Thin FilmEncapsulation-Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积法制备的薄膜封装层)；8、RED层；9、GREEN层；10、BIUE层；11、OLED发光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode，有机电激光显示、有机发光半导体)；12、CMOS层(互补金属氧化物半导体，Complementary MetalOxide Semiconductor)；13、发光线边线。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
如附图1-附图3所示，本实用新型为一种Micro OLED器件黑矩阵结构，包括OC层1，OC层1采用涂胶/曝光/显影的方式制备，OC层1上设置横向沟槽2和纵向沟槽3，横向沟槽2和纵向沟槽3光刻胶部4顶部宽度大于横向沟槽2及纵向沟槽3宽度。上述结构，针对现有技术中的不足，提出改进的技术方案。结构设置时，OC层1上表面按间隙设置多道横向沟槽2和多道纵向沟槽3，而后，需要形成光刻胶部4，利用旋涂设备在OC层1上表面涂布一层黑色的光刻胶部4，光刻胶部具有流动性，光刻胶流动进入预先开好的各道沟槽(横向沟槽2和纵向沟槽3)，从而形成多道纵横布置的光刻胶部4，利用曝光机进行曝光，再进行显影处理，最终形成黑矩阵图案。而光刻胶部4形成黑矩阵图案后，在OLED发光器件11发光时，每个OLED发光器件11的光路受到限定，每个OLED发光器件11的光路边线从对应的光刻胶部内侧位置向上射出，对光路进行限定，使得相邻像素间的光线不会发生交叉，有效避免光串扰的问题。与此同时，本申请的光刻胶部部分位于沟槽内，对光刻胶部实现限位，在产品制备后，不会发生光阻剥离的情况，有效减低制程失效风险。本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，结构简单，在解决黑矩阵在高像素密度产品生产过程中易发生材料剥离问题同时，使该技术应用在Micro OLED生产工艺中能够有效降低光串扰风险现象，提高产品性能。
所述的OC层1每个侧边位置分别设置光刻胶部4。上述结构，多道横向沟槽2设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽3设置为平行布置的结构，横向沟槽2和纵向沟槽3垂直布置。所述的光刻胶部4包括光刻胶部上部5和光刻胶部下部6，光刻胶部上部5和光刻胶部下部6呈T型结构。上述结构，光刻胶部上部5为曝光区域，曝光区域较沟槽尺寸大0.2μm(单边0.1μm)以上，确保光刻胶部上部5上部可靠位于OC层1上表面，而光刻胶部下部6则位于沟槽内，则可靠实现对光刻胶部4的限位。本实用新型的结构中，附图是局部结构展示，展示的沟槽数量仅作示意用，不限制沟槽数量。事实上在一个1英寸左右的显示器件中，每个方向沟槽数量可能为数千个以上。
多道横向沟槽2设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽3设置为平行布置的结构，横向沟槽2和纵向沟槽3垂直布置。上述结构，对横向沟槽2和纵向沟槽3的布置进行限定，形成结构符合要求的产品。
所述的光刻胶部4包括光刻胶部上部5和光刻胶部下部6，光刻胶部上部5和光刻胶部下部6呈T型结构。上述结构，附图中的光刻胶部4部分显示为完整显示，部分为局部显示，其完整的结构呈T字形结构。光刻胶部4数量根据产品实际结构选择，不做具体数量限定。
所述的横向沟槽2内的光刻胶部4的光刻胶部上部5宽度大于横向沟槽2宽度，纵向沟槽3内的光刻胶部4的光刻胶部上部5宽度大于纵向沟槽3宽度。上述结构，光刻胶部形成后，部位位于沟槽上部，部分位于沟槽内，一方面，确保光刻胶部上部5位于上部，便于后续进行曝光，光刻胶部下部6位于沟槽内，实现光刻胶部限位。在结构设置时，横向沟槽和纵向沟槽宽度相同，在0.2μm-0.5μm范围内。
所述的OC层1制备在TFE-CVD层7上部。上述结构，产品制备时，先制备TFE-CVD7，再制备OC层1，两者之间有先后顺序。
所述的OC层1上表面设置RED层8、GREEN层9、BLUE层10。所述的光刻胶部4上部设置RED层8、GREEN层9、BLUE层10，且RED层8、GREEN层9、BLUE层10边缘部覆盖于光刻胶4上部。所述的OLED发光器件11设置在CMOS层12上部；所述的TFE-CVD层7设置在OLED发光器件11上部。上述结构，形成性能可靠的产品。
本实用新型所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，结构设置(制备)时，OC层1上表面按间隙设置多道横向沟槽2和多道纵向沟槽3，而后，需要形成光刻胶部4，利用旋涂设备在OC层1上表面涂布一层黑色的光刻胶部4，光刻胶部具有流动性，光刻胶流动进入预先开好的各道沟槽(横向沟槽2和纵向沟槽3)，从而形成多道纵横布置的光刻胶部4，利用曝光机进行曝光，再进行显影处理，最终形成黑矩阵图案。而光刻胶部4形成黑矩阵图案后，在OLED发光器件11发光时，每个OLED发光器件11的光路受到限定，每个OLED发光器件11的光路边线从对应的光刻胶部内侧位置向上射出，对光路进行限定，使得相邻像素间的光线不会发生交叉，有效避免光串扰的问题。与此同时，本申请的光刻胶部部分位于沟槽内，对光刻胶部实现限位，在产品制备后，不会发生光阻剥离的情况，有效减低制程失效风险。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本实用新型的保护范围内。
Claims (9)
1.一种Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：包括OC层(1)，OC层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。
2.根据权利要求1所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)每个侧边位置分别设置光刻胶部(4)。
3.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：多道横向沟槽(2)设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽(3)设置为平行布置的结构，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)垂直布置。
4.根据权利要求3所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)包括光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)，光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)呈T型结构。
5.根据权利要求4所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的横向沟槽(2)内的光刻胶部(4)的光刻胶部上部(5)宽度大于横向沟槽(2)宽度，纵向沟槽(3)内的光刻胶部(4)的光刻胶部上部(5)宽度大于纵向沟槽(3)宽度。
6.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)制备在TFE-CVD层(7)上部。
7.根据权利要求6所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)上表面设置RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)。
8.根据权利要求7所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)上部设置RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)，且RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)边缘部覆盖于光刻胶部(4)上部。
9.根据权利要求8所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：OLED发光器件(11)设置在CMOS层(12)上部；TFE-CVD层(7)设置在OLED发光器件(11)上部。
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