CN220383034U - 一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片 - Google Patents

一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片 Download PDF

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谭在超
罗寅
丁国华
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Abstract

本实用新型涉及跨阻放大器技术领域，公开了一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片，高共模抑制跨阻放大器包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；第一共射极放大单元对称设置，对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；第二共射极放大单元对称设置，对两路第一电压信号进行放大，从而增大了跨阻放大器的整体增益；另外由于第一共射极放大单元和第二共射极放大单元均为全差分结构，且对称设置，从而能够提高本实用新型的共模抑制比。

Description

一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片
技术领域
本实用新型涉及跨阻放大器技术领域，具体涉及一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片。
背景技术
跨阻放大器（Transimpedance Amplifier, TIA）是光耦芯片中极其重要的组成部分，通常作为前置放大器来将微弱电流放大并转化为电压信号以方便后级电路进行处理。
现有光耦芯片中使用的跨阻放大器为共源极（Common Source, CS）跨阻放大器，其电路如图1所示。在图1中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET）管M1作为输入级，MOS管M2作为初级源极跟随器，用来驱动MOS管M3，MOS管M3用作第二级源极跟随器；另外MOS管 M1、MOS管M2和电阻Rf构成输入端并联负反馈环路，等效输入阻抗Ri≈Rf/(1+gm1*R1)，其中gm1为MOS管 M1的跨导。在实际使用时，当电流信号输入到输入级后，经过反馈电阻Rf流入恒流源，并在反馈电阻Rf上形成输入压降；输入电压经过MOS管M1放大，通过MOS管M2的跨导作用对自身漏源电流大小进行调整，使得恒流源电流值保持恒定。
在光耦芯片中，电流一般由光敏二极管产生，其电流值很小，通常在微安级，所以需要跨阻放大器有较大的增益，从而将小电流信号转换为较大的电压信号。但是对于图1所示的跨阻放大器，其为一级放大电路，增益低，不能满足光耦芯片的使用需求。此外，这种栅极输入的共源级放大器作为输入级，因为米勒电容效应，输入端存在一个经过倍乘的栅漏极间等效寄生电容，该寄生电容会限制跨阻放大器的带宽，而且共模抑制低。
实用新型内容
鉴于背景技术的不足，本实用新型是提供了一种高共模抑制跨阻放大器，所要解决的技术问题是现有光耦芯片中的使用的共源极跨阻放大器共模抑制低，不能满足某些光耦芯片的使用需求。
为解决以上技术问题，第一方面，本实用新型提供了如下技术方案：一种高共模抑制跨阻放大器，包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；所述第一共射极放大单元对称设置，包括两个第一差分输入端，被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；所述反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，两路反馈支路与所述第一共射极放大单元电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；所述第二共射极放大单元对称设置，包括两个第二差分输入端，两个第二差分输入端输入两路第一电压信号，所述第二共射极放大单元用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号。
在第一方面的某种实施方式中，所述第一共射极放大单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；所述第一电阻R1一端和第二电阻R2一端被配置于输入工作电源；所述第一电阻R1另一端分别与第一三极管Q1的集电极和第三三极管Q3的基极电连接，所述第二电阻R2另一端分别与第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的基极电连接；所述第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极分别通过所述第一电流源I1接地；所述第三三极管Q3的集电极和第四三极管Q4的集电极被配置于输入工作电源；所述第三三极管Q3的发射极通过第二电流源I2接地，所述第四三极管Q4的发射极通过第三电流源I3接地；所述第三三极管Q3的发射极和第四三极管Q3的发射极输出两路第一电压信号。
在第一方面的某种实施方式中，本实用新型还包括第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2；所述第一三极管Q1的基极与第一光敏二极管D1的正极电连接，所述第二三极管Q2的基极与第二光敏二极管D2的正极电连接；所述第一光敏二极管D1的负极和第二光敏二极管D2的负极被配置于输入工作电源。
在第一方面的某种实施方式中，所述第一电阻R1的阻值与第二电阻R2的阻值相同，所述第一三极管Q1的宽长比与第二三极管Q2的宽长比相同，所述第三三极管Q3的宽长比和第四三极管Q4的宽长比相同。
在第一方面的某种实施方式中，所述反馈支路包括反馈电容和反馈电阻；
一路反馈支路中的反馈电容一端与反馈电阻一端电连接，被配置于输入一路第一电压信号；所述一路反馈支路中的反馈电容另一端与反馈电阻另一端分别与一个第一差分输入端电连接；
另一路反馈支路中的反馈电容一端与反馈电阻一端电连接，被配置于输入另一路第一电压信号；所述另一路反馈支路中的反馈电容另一端与反馈电阻另一端分别与另一个第一差分输入端电连接。
在第一方面的某种实施方式中，两路反馈支路中的反馈电容的容值相同，两路反馈支路中的反馈电阻的阻值相同。
在第一方面的某种实施方式中，所述第二共射极放大单元包括第五电阻R5、第六电阻R6、第五三极管Q5、第六三极管Q6和第四电流源I4；所述第五电阻R5一端和第六电阻R6一端被配置于输入工作电源；所述第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，所述第六电阻R6另一端与第六三极管Q6的集电极电连接；所述第五三极管Q5的发射极和第六三极管Q6的发射极通过所述第四电流源I4接地；所述第五三极管Q5的基极与第三三极管Q3的发射极电连接，所述第六三极管Q6的基极与第四三极管Q4的发射极电连接。
在第一方面的某种实施方式中，所述第五电阻的阻值和第六电阻的阻值相同，所述第五三极管Q5的宽长比与第六三极管Q6的宽长比相同。
第二方面，本实用新型还提供了一种光耦芯片，包括上述的高共模抑制跨阻放大器。
本实用新型与现有技术相比所具有的有益效果是：首先通过设置第一共射极放大单元将输入的电流信号转换为电压信号，然后通过第二共射极放大单元对该电压信号进行放大，从而增大了跨阻放大器的整体增益；其次第一共射极放大单元和第二共射极放大单元分别对称设置，且都采用差分输入结构，实现了跨阻放大器的高共模抑制和低噪声；最后由于实际应用时还需要一个差分放大器对两路第二电压信号进行进一步放大，而通过设置差分输入结构的第二共射极放大单元方便与差分放大器级联，不需要在电路中额外增加单端-双端转换电路，易于实现单片集成。
附图说明
图1为现有共源极跨阻放大电路的电路图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为图2所示结构与两个光敏二极管的连接示意图；
图4为本实用新型的一种实施电路图；
图5为图4所示电路与两个光敏二极管的连接电路图。
图中：1、第一共射极放大单元，2、反馈单元，3、第二共射极放大单元，20、第一反馈支路，21、第二反馈支路。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图2所示，一种高共模抑制跨阻放大器，包括第一共射极放大单元1、反馈单元2和第二共射极放大单元3；
第一共射极放大单元1对称设置，包括两个第一差分输入端和两个第一差分输出端，两个第一差分输入端分别为第一差分输入端IN10和第一差分输入端IN11，两个第一差分输出端分别为第一差分输出端OUT10和第一差分输出端OUT11；第一共射极放大单元1被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；其中差分电流输入到两个第一差分输入端上，输入到第一差分输入端IN10的电流i1为灌电流，输入到第二差分输入端IN11的电流i2作为拉电流；两路第一电压信号由两个第一差分输出端输出；
反馈单元2包括两路对称设置的反馈支路20，两路反馈支路20与第一共射极放大单元1电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；
第二共射极放大单元3对称设置，包括两个第二差分输入端和两个第二输出端，两个第二差分输入端分别为第二差分输入端IN20和第二差分输入端IN21，两个第二输出端分别为第二输出端OUT20和第二输出端OUT21；两个第二差分输入端分别输入一路第一电压信号，第二共射极放大单元3用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号；其中两路第二电压信号由两个第二输出端输出。
对于本实用新型，通过设置第一共射极放大单元1将电流信号转换为第一电压信号，并通过第二共射极放大单元3将第一电压信号进行放大，增大了跨阻放大器的整体增益；而且第一共射极放大单元1和第二共射极放大单元3都采用差分输入结构，实现了跨阻放大器的低噪声；最后由于实际应用时还需要一个差分放大器对两路第二电压信号进行进一步放大，而通过设置差分输入结构的第二共射极放大单元3方便与差分放大器级联，不需要在电路中额外增加单端-双端转换电路，易于实现单片集成。
对于图3所示电路，第一差分输入端IN10与第一光敏二极管D1的正极电连接，第二差分输入端IN11与第二光敏二极管D2的正极电连接。在实际使用时，第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2中只有一个光敏二极管会被接受光照，本实施例中，让第一光敏二极管D1接受光照，第一光敏二极管D1产生输入到第一差分输入端IN10的光电流信号。
具体地，参照图4，在图4所示的电路中，第一共射极放大单元1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；
第一电阻R1一端和第二电阻R2一端被配置于输入工作电源；第一电阻R1另一端分别与第一三极管Q1的集电极和第三三极管Q3的基极电连接，第二电阻R2另一端分别与第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的基极电连接；第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极分别通过第一电流源I1接地；第三三极管Q3的集电极和第四三极管Q4的集电极被配置于输入工作电源；第三三极管Q3的发射极通过第二电流源I2接地，第四三极管Q4的发射极通过第三电流源I3接地；第三三极管Q3的发射极和第四三极管Q3的发射极输出两路第一电压信号。
对于图4中的第一共射极放大单元1，第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极为两第一差分输入端，电流i1和电流i2作为差分电流分别输入到第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极。第三三极管Q3的发射极为第一差分输出端OUT10，第四三极管Q4的发射极为第一差分输出端OUT11。
另外相对于图1所示的共源级放大电路，通过将输入级的MOS管更换为三极管，由于三极管为电流驱动器件，其输入阻抗很小，可以降低跨阻放大器的输入电阻。另外相同电流条件下，三极管比MOS管的跨导大，因此三极管的器件热噪声要低，而且三极管的载流子是在体内运动，为非表面器件，使三极管的闪烁噪声很小。
对于图4中的第一共射极放大单元1，为了降低本实用新型的共模噪声，本实用新型的第一共射极放大单元1为全差分对称结构，即第一电阻R1的阻值与第二电阻R2的阻值相同，第一三极管Q1的宽长比与第二三极管Q2的宽长比相同，第三三极管Q3的宽长比和第四三极管Q4的宽长比相同。
对于图4中的第一共射极放大单元1，第三三极管Q3和第四三极管Q4分别作为射极跟随器使用，起到电压缓冲的作用；另外第三三极管Q3的负载为第五三极管Q5、第四三极管Q4的负载为第六三极管Q6，第五三极管Q5和第六三极管Q6是拥有较大寄生电容的输出缓冲级，而射极跟随器拥有较大的电流驱动能力，因此通过设置第三三极管Q3和第四三极管Q4可以使得高速信号在大寄生电容的传输线路上的时间延迟减小；此外从频域角度来看，通过射极跟随器来驱动第二共射极放大单元3，会产生共轭极点，可以适当扩展带宽。
在图4中，两路反馈支路分别为第一反馈支路20和第二反馈支路21，两路反馈支路的电路相同，以第一反馈支路20为例，第一反馈支路20包括反馈电容C2和反馈电阻R4；第三三极管Q3的发射极分别与反馈电容C2一端、反馈电阻R4一端和第二电流源I2的正极电连接；反馈电容C2另一端和反馈电阻R4另一端分别与一个第一差分输入端电连接。
其中，为了降低本实用新型的共模噪声，本实用新型的反馈单元2为全差分对称结构，即两路反馈支路中的反馈电容的容值相同，两路反馈支路中的反馈电阻的阻值相同。
在图4中，第二共射极放大单元3包括第五电阻R5、第六电阻R6、第五三极管Q5、第六三极管Q6和第四电流源I4；第五电阻R5一端和第六电阻R6一端被配置于输入工作电源；第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，第六电阻R6另一端与第六三极管Q6的集电极电连接；第五三极管Q5的发射极和第六三极管Q6的发射极通过第四电流源I4接地；第五三极管Q5的基极与第三三极管Q3的发射极电连接，第六三极管Q6的基极与第四三极管Q4的发射极电连接。
其中，第五三极管Q5的基极和第六三极管Q6的基极为两第二输入端，以图4为例，第五三极管Q5的基极与第三三极管Q3的发射极电连接，第六三极管Q6的基极与第四三极管Q4的发射极电连接。在某种实施方式中，可以让第五三极管Q5的基极与第四三极管Q4的发射极电连接，可以让第六三极管Q6的基极与第四三极管Q4的发射极电连接。另外第五三极管Q5的集电极和第六三极管Q6的集电极为两第二输出端。
对于图4所示的第二共射极放大单元3，为了降低本实用新型的共模噪声，本实用新型的第二共射极放大单元3为全差分对称结构，即第五电阻R5的阻值和第六电阻R6的阻值相同，第五三极管Q5的宽长比与第六三极管Q6的宽长比相同。
在高速跨阻放大器中，共模噪声对电路的影响比较大。对于图4所示的本实用新型电路，由于第一共射极放大单元1、反馈单元2的放大单元和第二共射极放大单元3均为差分结构，且整个电路均为全差分结构，因此能有效降低共模噪声。另外由于第一电阻R1和第二电阻R2阻值相同、第一三极管Q1和第二三极管Q2的宽长比相同、反馈电阻R3的阻值与反馈电阻R4的阻值相同、反馈电容C1的阻值与反馈电容C2的容值相同、第三三极管Q3和第四三极管Q4的宽长比相同、第五电阻R5的阻值和第六电阻R6的阻值相同和第五三极管Q5的宽长比和第六三极管Q6的宽长比相同，因此整个电路对称设置，可以忽略不计的偶次谐波失真，具有较好的信噪比。
现在对本实用新型的带宽进行说明：由于第一共射级放大单元1的输入电阻极小，大大拓展了带宽，并且第一共射级放大单元1能提供一个虚地输入阻抗，因此对寄生电容的隔离效果更好。因此利用调整式的第一共射极放大单元作为输入级的跨阻放大器比其他结构的跨阻放大器更能减小光敏二极管寄生电容对前置放大器带宽的影响。另外电容C1、电容C2的用于隔离噪声，提高共模抑制。
图4所示电路的工作流程如下：
当流入第一三极管管Q1的基极电流和第二三极管的基极电流相同时，即电流i1和电流i2的大小和方向都相同时，第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极电压被设计为相同的直流电压，第五三极管Q5和第六三极管Q6的集电极亦输出相同的电压；
当电流i1和电流i2作为差分电流分别流入第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极时，流入第一三极管Q1的基极的灌电流为电流i1，流入第二三极管Q2的基极的拉电流为电流i2；灌电流在反馈电阻R3上形成电压降，使得第一三极管Q1的基极电压高于第二三极管Q2的基极电压，流过第一三极管Q1支路的电流将多于流过第二三极管Q2支路的电流，第一电阻R1上的压降将大于第二电阻R2上的压降，因此第一三极管Q1的集电极电压低于第二三极管Q2集电极电压，同时会降低第三三极管Q3和第四三极管Q4的基极与发射极的压差，进而使第五三极管Q5基极电压大于第六三极管Q6基极电压，这样使得流过第五三极管Q5支路的电流增大、流过第六三极管Q6支路的电流减小，使第五电阻R5上的压降将大于第六电阻R6上的压降，最后导致第五三极管Q5集电极电压减小、第六三极管Q6集电极电压增大；类似的，电流i2最终也使得第五三极管Q5集电极电压减小、第六三极管Q6集电极电压增大，利用差分结构实现了更高的增益。
另外，反馈电阻R3和反馈电阻R4组成负反馈通路，为第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极提供偏置电压；若第一三极管Q1的基极电压增大，会使得第一三极管Q1的集电极电流增加，则第一电阻R1的压降增加，使得第四三极管Q4的基极电压降低，进而使第四三极管Q4的发射极电压降低，使经反馈过电阻R3上的电压略微增大但小于第四三极管Q4的发射极电压降低的幅度，使第一三极管Q1的基极电压下降，从而使第一三极管Q1的集电极电流减小，实现了负反馈的作用，增加了电路的稳定性。
此外作为射极跟随器的第三三极管Q3和第四三极管Q4的负载是拥有较大寄生电容的输出缓冲级，而射极跟随器拥有较大的电流驱动能力，可以使得高速信号在大寄生电容的传输线路上的时间延迟减小；此外从频域角度来看，通过射极跟随器来驱动第二共射极放大单元3，会产生共轭极点，可以适当扩展带宽。
对于图5所示电路，让第一三极管Q1的基极与第一光敏二极管D1的正极电连接，让第二三极管Q2的基极与第二光敏二极管D2的正极电连接，让第一光敏二极管D1的负极和第二光敏二极管D2的负极输入工作电源VDD，另外第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2为相同的光敏二极管，通过光敏二极管可以将光信号转换为电流信号，然后再通过第一共射极放大单元1、反馈但与2和第二共射极放大单元3将电流信号转换为电压信号，其中电流信号转换为电压信号的原理部分参照前述图4电路的工作流程内容。在实际使用时，让光只照射第一光敏二极管D1，这样能产生输入到第一三极管Q1的基极的灌电流，具体地，可以使用铝层遮挡第二光敏二极管D2使第二光敏二极管D2接受不到光照。
在图5所示的电路中，由于第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2相同，当第一光敏二极管D1没有被光照射时，第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2产生相同的暗电流（在没有光照时，光敏二极管产生的电流），在第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极输入相同的暗电流时，不会对本实用新型的最终电压输出产生影响，两次两路暗电流对电路的影响会相互抵消，不会使本实用新型输出错误结果。
综上，本实用新型具有以下有益效果：
a：电路采用全差分结构，通过第一共射极放大单元1将输入的差分电流信号转换为电压信号并放大，再通过第二共射极放大单元3将此电压信号进行进一步放大，实现了高增益；
b：通过第一光敏二极管D1将光信号转换为电流信号，再通过第一共射极放大单元1将此电流信号转换为电压信号并放大，最后通过第二共射极放大单元3将此电压信号进行进一步放大，实现了光信号到电压信号的转换；利用差分结构，第二光敏二极管D2产生的暗电流会抵消第一光敏二极管D1产生的暗电流，消除了光敏二极管固有的暗电流对输出结果的影响；
c：电路采用全差分结构，固有的高共模抑制比可减小电源波动和寄生反馈通路的干扰，并且可以抑制将电路集成到衬底上时的衬底耦合噪声和温漂，实现了低噪声；另外由于实际应用时还需要一个差分放大器对两路第二电压信号进行进一步放大，而通过设置差分输入结构的第二共射极放大单元3方便与差分放大器级联，不需要在电路中额外增加单端-双端转换电路，易于实现单片集成；
d：大带宽；
e：整体电路结构简单，器件数量少，减少了功耗和芯片面积。
第二方面，本实用新型还提供了一种光耦芯片，包括上述的高共模抑制跨阻放大器。
上述依据本实用新型为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (8)

1.一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；所述第一共射极放大单元对称设置，包括两个第一差分输入端，被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；所述反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，两路反馈支路与所述第一共射极放大单元电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；所述第二共射极放大单元对称设置，包括两个第二差分输入端，两个第二差分输入端输入两路第一电压信号，所述第二共射极放大单元用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号；
所述反馈支路包括反馈电容和反馈电阻；一路反馈支路中的反馈电容一端与反馈电阻一端电连接，被配置于输入一路第一电压信号；所述一路反馈支路中的反馈电容另一端与反馈电阻另一端分别与一个第一差分输入端电连接；另一路反馈支路中的反馈电容一端与反馈电阻一端电连接，被配置于输入另一路第一电压信号；所述另一路反馈支路中的反馈电容另一端与反馈电阻另一端分别与另一个第一差分输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第一共射极放大单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；
所述第一电阻R1一端和第二电阻R2一端被配置于输入工作电源；所述第一电阻R1另一端分别与第一三极管Q1的集电极和第三三极管Q3的基极电连接，所述第二电阻R2另一端分别与第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的基极电连接；所述第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极分别通过所述第一电流源I1接地；
所述第三三极管Q3的集电极和第四三极管Q4的集电极被配置于输入工作电源；所述第三三极管Q3的发射极通过第二电流源I2接地，所述第四三极管Q4的发射极通过第三电流源I3接地；所述第三三极管Q3的发射极和第四三极管Q3的发射极输出两路第一电压信号。
3.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，还包括第一光敏二极管D1和第二光敏二极管D2；所述第一三极管Q1的基极与第一光敏二极管D1的正极电连接，所述第二三极管Q2的基极与第二光敏二极管D2的正极电连接；所述第一光敏二极管D1的负极和第二光敏二极管D2的负极被配置于输入工作电源。
4.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值与第二电阻R2的阻值相同，所述第一三极管Q1的宽长比与第二三极管Q2的宽长比相同，所述第三三极管Q3的宽长比和第四三极管Q4的宽长比相同。
5.根据权利要求1所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，两路反馈支路中的反馈电容的容值相同，两路反馈支路中的反馈电阻的阻值相同。
6.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第二共射极放大单元包括第五电阻R5、第六电阻R6、第五三极管Q5、第六三极管Q6和第四电流源I4；所述第五电阻R5一端和第六电阻R6一端被配置于输入工作电源；所述第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，所述第六电阻R6另一端与第六三极管Q6的集电极电连接；所述第五三极管Q5的发射极和第六三极管Q6的发射极通过所述第四电流源I4接地；所述第五三极管Q5的基极与第三三极管Q3的发射极电连接，所述第六三极管Q6的基极与第四三极管Q4的发射极电连接。
7.根据权利要求6所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第五电阻R5的阻值和第六电阻R6的阻值相同，所述第五三极管Q5的宽长比与第六三极管Q6的宽长比相同。
8.一种光耦芯片，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的高共模抑制跨阻放大器。
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