CN220342753U - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN220342753U
CN220342753U CN202321574157.6U CN202321574157U CN220342753U CN 220342753 U CN220342753 U CN 220342753U CN 202321574157 U CN202321574157 U CN 202321574157U CN 220342753 U CN220342753 U CN 220342753U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
display device
pixel circuit
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321574157.6U
Other languages
English (en)
Inventor
裵俊佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220342753U publication Critical patent/CN220342753U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本实用新型为了提供解决像素电路的不良的显示装置，提供一种显示装置，包括：第一基板，具有第一面；第一像素电路，配置于所述第一基板的所述第一面上；第二基板，配置于所述第一像素电路上，并具有与所述第一面相对的第二面以及与所述第二面相对的第三面；第一焊盘电极，配置于所述第一基板的所述第一面和所述第二基板的所述第二面之间；第二像素电路，配置于所述第二基板的所述第三面上，并与所述第一像素电路重叠；第一贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第二像素电路电连接；以及第二焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第二面上，并与所述第一贯通电极电连接且与所述第一焊盘电极接触。

Description

显示装置
技术领域
本实用新型涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置是视觉上显示数据的装置。显示装置既使用为移动电话等之类小型产品的显示器，也使用为电视等之类大型产品的显示器。
这种显示装置包括划分为显示区域和非显示区域的基板，栅极线和数据线相互绝缘而形成在显示区域中。在显示区域中界定多个像素区域，分别配置于多个像素区域的像素为了向外部显示图像而从彼此交叉的栅极线以及数据线接收电信号而发光。在各像素区域(each pixel region or each of pixel regions(像素区域的每一个))中设置有薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，在所述像素区域中共同地设置有对电极。在非显示区域中可以设置有将电信号传输到显示区域内的像素的各种布线、栅极驱动部以及数据驱动部和能够连接控制部的焊盘等。
近来显示装置其用途变得多样。另外，趋势是显示装置的厚度变薄、重量变轻，从而其使用的范围变得广泛。随着显示装置多样地应用，设计显示装置的形式可以有各种方法，另外能够嫁接或联系于显示装置的功能正在增加。
实用新型内容
本实用新型用于解决各种问题，目的是提供一种解决像素电路的不良的显示装置。但是这样的技术问题是示例性的，本实用新型的范围不受此限定。
根据本实用新型的一观点，提供一种显示装置，包括：第一基板，具有第一面；第一像素电路，配置于所述第一基板的所述第一面上；第二基板，配置于所述第一像素电路上，并具有与所述第一面相对的第二面以及与所述第二面相对的第三面；第一焊盘电极，配置于所述第一基板的所述第一面和所述第二基板的所述第二面之间；第二像素电路，配置于所述第二基板的所述第三面上，并与所述第一像素电路重叠；第一贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第二像素电路电连接；以及第二焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第二面上，并与所述第一贯通电极电连接且与所述第一焊盘电极接触。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第三像素电路，配置于所述第一基板的所述第一面上；第一显示要件，电连接于所述第三像素电路；以及第二显示要件，电连接于所述第二像素电路。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第一连接电极，将所述第一显示要件连接于所述第三像素电路；以及第二连接电极，将所述第二显示要件连接于所述第二像素电路，沿着所述第一基板的厚度方向的所述第一连接电极的第一长度大于沿着所述第一基板的厚度方向的所述第二连接电极的第二长度。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第三焊盘电极，与所述第三像素电路电连接；以及绝缘层，覆盖所述第三焊盘电极的上面和侧面、所述第一焊盘电极的侧面以及所述第二焊盘电极的侧面。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第一导电线，沿着第一方向延伸，并与所述第一焊盘电极电连接。
根据一例，可以是，所述第一导电线和所述第一焊盘电极配置于相同的层，并是一体。
根据一例，可以是，所述第一焊盘电极配置于所述第一导电线上。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第三焊盘电极，配置于所述第一基板的所述第一面和所述第二基板的所述第二面之间；第二贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第二像素电路电连接；第四焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第二面上，并与所述第二贯通电极电连接且与所述第三焊盘电极接触；以及第二导电线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并与所述第三焊盘电极电连接。
根据一例，可以是，所述第二像素电路包括：驱动晶体管；扫描晶体管，响应于扫描信号而将数据电压传输到所述驱动晶体管；以及存储电容器，具有连接于所述驱动晶体管的栅极的第一电极以及被施加驱动电压的第二电极，所述第一导电线将所述数据电压以及所述驱动电压中的一个传输到所述第一焊盘电极，所述第二导电线将所述扫描信号传输到所述第三焊盘电极。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第五焊盘电极，配置于所述第一基板的所述第一面和所述第二基板的所述第二面之间；第三贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第二像素电路电连接；第六焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第二面上，并与所述第三贯通电极电连接且与所述第五焊盘电极接触；以及第三导电线，沿着所述第一方向延伸，并将所述数据电压以及所述驱动电压中的另一个传输到所述第五焊盘电极。
根据一例，可以是，所述第二像素电路包括：半导体层；栅极电极，配置于所述半导体层上，并与所述半导体层至少局部重叠；以及桥接电极，配置于所述栅极电极上，并电连接于所述半导体层，所述第一贯通电极与所述桥接电极直接接触。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：栅极线，配置于所述第二基板的所述第三面上，所述第二像素电路包括半导体层，所述栅极线在所述半导体层上与所述半导体层至少局部重叠，所述第一贯通电极与所述栅极线直接接触。
根据一例，可以是，所述第一基板的平面上面积大于所述第二基板的平面上面积。
根据一例，可以是，所述第一像素电路电连接于所述第一焊盘电极。
根据一例，可以是，所述第一像素电路与所述第一焊盘电极电绝缘。
根据本实用新型的另一观点，提供一种显示装置，包括：第一基板，界定有显示区域以及所述显示区域的外围的周边区域；第一导电线，配置于所述显示区域上，并沿着第一方向延伸；多个第一焊盘电极，在所述显示区域上沿着所述第一方向排列，并电连接于所述第一导电线；第二导电线，配置于所述显示区域上，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个第二焊盘电极，在所述显示区域上沿着所述第二方向排列，并电连接于所述第二导电线，所述第一导电线和所述多个第一焊盘电极配置于相同的层，所述第二导电线和所述多个第二焊盘电极配置于彼此不同的层。
根据一例，可以是，所述第一导电线和所述多个第一焊盘电极是一体，所述多个第二焊盘电极配置于所述第二导电线上。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：像素电路，作为电连接于所述第一导电线和所述第二导电线的所述像素电路，包括：驱动晶体管；扫描晶体管，响应于扫描信号而将数据电压传输到所述驱动晶体管；以及存储电容器，具有连接于所述驱动晶体管的栅极的第一电极和被施加驱动电压的第二电极，所述第一导电线将所述数据电压以及所述驱动电压中的一个传输到所述像素电路，所述第二导电线将所述扫描信号传输到所述像素电路。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第二基板，配置于所述多个第一焊盘电极以及所述多个第二焊盘电极上，并具有与所述第一基板相对的第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一像素电路，配置于所述第二基板的所述第二面上；第一贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第一像素电路电连接；第三焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第一面上，并与所述第一贯通电极电连接且与所述多个第一焊盘电极中的一个接触；第二贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第一像素电路电连接；以及第四焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第一面上，并与所述第二贯通电极电连接且与所述多个第二焊盘电极中的一个接触。
根据一例，可以是，所述显示装置还包括：第二像素电路，配置于所述第一基板和所述第二基板之间，并与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，所述第一像素电路和所述第二像素电路在所述第一基板的厚度方向上彼此重叠，所述第一基板的平面上面积大于所述第二基板的平面上面积。
前述内容之外的其它方面、特征、优点将从以下具体实施方式、权利要求书以及附图变得明确。
这种一般且具体的方面可以使用系统、方法、计算机程序或者任意系统、方法、计算机程序的组合来实施。
根据如上所述构成的本实用新型的一实施例，可以实现解决像素电路的不良的显示装置。当然本实用新型的范围不受这样的效果限定。
附图说明
图1是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图2是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图3是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的平面图。
图4是简要示出根据本实用新型的一实施例的能够适用于显示装置的像素的等效电路图。
图5是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图。
图6是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图7是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图8是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图9是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图10是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图11是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图。
(附图标记说明)
1：显示装置
100、200：第一以及第二基板
PC1、PCa：第一像素电路
PC2、PCb：第二像素电路
TE：贯通电极
PE1、PEa：第一焊盘电极
PE2、PEb：第二焊盘电极
具体实施方式
本实用新型可以施加各种变换，并可以具有多种实施例，将特定实施例例示于附图并在详细的说明中进行详细说明。若参照与附图一起详细后述的实施例，则本实用新型的效果及特征以及实现它们的方法将变得明确。但是，本实用新型不限于以下公开的实施例，可以以各种形式实现。
以下，将参照所附的附图详细地说明本实用新型的实施例，当参照附图进行说明时，相同或对应的构成要件将赋予相同的附图标记，并省略对此的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等术语不是限定性的含义，而是以将一个构成要件与其它构成要件区分开的目的进行使用。
在以下的实施例中，除非上下文明确表示为不同，否则单数表达包括复数表达。
在以下的实施例中，包括或具有等术语意指存在说明书中记载的特征或构成要件，不预先排除附加一个以上的其它特征或构成要件的可能性。
在以下的实施例中，当说到膜、区域、构成要件等部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，也包括其中间介有其它膜、区域、构成要件等的情况。
在附图中，为了便于说明，可以放大或缩小构成要件其尺寸。例如，由于附图中示出的各构成要件的尺寸以及厚度为了便于说明而任意示出，因此本实用新型不必限于此。
在任一实施例能够不同地实现的情况下，特定的工艺顺序也可以与说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两各工艺也可以实质上同时执行，可以以与说明的顺序相反的顺序进行。
在本说明书中，“A及/或B”表示A、或B、或A和B的情况。另外，“A以及B中的至少一个”表示A、或B、或A和B的情况。
在以下的实施例中，当说到膜、区域、构成要件等连接时，包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，及/或还包括在膜、区域、构成要件中间介有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等电连接时，表示膜、区域、构成要件直接电连接的情况，及/或在其中间介有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以解释为包括此的广泛含义。例如，x轴、y轴以及z轴也可以彼此正交，但是也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
图1是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
参照图1，显示装置1可以包括第一基板100、第二基板200、第一像素电路PC1、第二像素电路PC2、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、贯通电极TE、第一焊盘电极PE1以及第二焊盘电极PE2。
第一基板100可以具有第一面100a。第二基板200可以配置于第一基板100的第一面100a上。第二基板200可以具有与第一基板100的第一面100a相对的第二面200a以及与第二面200a相对的第三面200b。第一基板100以及第二基板200可以由玻璃、石英、高分子树脂等绝缘物质构成。第一基板100以及第二基板200可以是刚性(rigid)基板或者是能够弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
在一实施例中，第一基板100的平面上面积可以大于第二基板200的平面上面积。
在第一基板100的第一面100a上可以配置第一像素电路PC1。第一像素电路PC1可以配置于第一基板100的第一面100a和第二基板200的第二面200a之间。在第二基板200的第三面200b上可以配置第二像素电路PC2。第二像素电路PC2可以与第一像素电路PC1重叠。第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2可以如后述的图4所示那样包括至少一个晶体管以及存储电容器。
在第一像素电路PC1上可以配置第一绝缘层IL1。在第二像素电路PC2上可以配置第二绝缘层IL2。第一绝缘层IL1以及第二绝缘层IL2可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)等。作为另一例，第一绝缘层IL1以及第二绝缘层IL2可以包含有机物质。例如，也可以包含BCB(苯并环丁烯，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酰基类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的共混物等。
在图1中示出第一绝缘层IL1配置于第一像素电路PC1上，第二绝缘层IL2配置于第二像素电路PC2上，但是作为另一实施例，也可以是，第一绝缘层IL1配置于第一像素电路PC1内，第二绝缘层IL2配置于第二像素电路PC2内。
贯通电极TE可以贯通第二基板200而与第二像素电路PC2电连接。贯通电极TE可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，贯通电极TE可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
第一焊盘电极PE1可以配置于第一基板100的第一面100a和第二基板200的第二面200a之间。第二焊盘电极PE2可以配置于第二基板200的第二面200a上。第二焊盘电极PE2可以与第一焊盘电极PE1(直接)接触。第二焊盘电极PE2可以与贯通电极TE电连接。第二焊盘电极PE2可以通过贯通电极TE与第二像素电路PC2连接。第一焊盘电极PE1以及第二焊盘电极PE2可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第一焊盘电极PE1以及第二焊盘电极PE2可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
贯通电极TE和第二焊盘电极PE2可以是一体。第二焊盘电极PE2的至少一部分可以埋入形成于第二基板200的孔，埋入所述孔的第二焊盘电极PE2的至少一部分可以称为贯通电极TE。
在一实施例中，第一像素电路PC1可以电连接于第一焊盘电极PE1。
在另一实施例中，第一像素电路PC1可以与第一焊盘电极PE1电绝缘。
另一方面，第一像素电路PC1可以不良。第二像素电路PC2可以是当第一像素电路PC1不良时代替第一像素电路PC1驱动显示要件的电路。可以在不良的第一像素电路PC1上配置(或移植)第二像素电路PC2。通过此，可以防止由于第一像素电路PC1的不良降低显示装置1的收率。
图2是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。在图2中，与图1相同的附图标记称为相同部件，省略关于它们的重复说明。
参照图2，显示装置1可以包括第三像素电路PC3、第三焊盘电极PE3、第一显示要件DE1、第二显示要件DE2、第一连接电极CNE1以及第二连接电极CNE2。
第三像素电路PC3可以配置于第一基板100的第一面100a上。第三像素电路PC3可以配置于与第一像素电路PC1相同的层。第三像素电路PC3可以如后述的图4所示那样包括至少一个晶体管以及存储电容器。
第三焊盘电极PE3可以配置于第一基板100的第一面100a和第二基板200的第二面200a之间。第三焊盘电极PE3可以配置于与第一焊盘电极PE1相同的层。第三焊盘电极PE3可以电连接于第三像素电路PC3。第三焊盘电极PE3可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第三焊盘电极PE3可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
第一绝缘层IL1可以覆盖第一焊盘电极PE1的侧面、第二焊盘电极PE2的侧面以及第三焊盘电极PE3的上面和侧面。
可以是，第一显示要件DE1电连接于第三像素电路PC3，第二显示要件DE2电连接于第二像素电路PC2。第一显示要件DE1以及第二显示要件DE2的每一个可以包括发光层，所述发光层可以包含有机物。第一显示要件DE1以及第二显示要件DE2可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。
第一连接电极CNE1可以将第一显示要件DE1连接于第三像素电路PC3。第一连接电极CNE1可以贯通第一绝缘层IL1以及第二绝缘层IL2。第二连接电极CNE2可以将第二显示要件DE2连接于第二像素电路PC2。第二连接电极CNE2可以贯通第二绝缘层IL2。第一连接电极CNE1以及第二连接电极CNE2可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第一连接电极CNE1以及第二连接电极CNE2可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。第一连接电极CNE1以及第二连接电极CNE2可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射层和形成于反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自于包括铟锡氧化物(ITO；Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO；Indium Zinc Oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)以及铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)的组中的一种以上。
在一实施例中，沿着第一基板100的厚度方向的第一连接电极CNE1的第一长度l1可以大于沿着第一基板100的厚度方向的第二连接电极CNE2的第二长度l2。
图3是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的平面图。
参照图3，显示装置1包括显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的至少一部分的周边区域PA。显示装置1可以利用从显示区域DA发出的光向外部提供图像。当然显示装置1包括第一基板100，因此也可以说第一基板100具有那样的显示区域DA以及周边区域PA。换句话说，也可以说在第一基板100界定那样的显示区域DA以及周边区域PA。
第一基板100可以由玻璃、金属或塑料等各种材料构成。根据一实施例，第一基板100可以包含柔性材料。在此，柔性材料是指能够容易弯曲、弯折、折叠或卷曲的材料。这样的柔性材料的第一基板100可以由超薄型玻璃、金属或塑料构成。
如图3所示，显示区域DA可以设置为矩形形状。作为另一实施例，显示区域DA可以设置为三角形、五边形、六边形等多边形形状或圆形形状、椭圆形形状、非定形形状等。
在第一基板100的显示区域DA可以配置具备有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)之类各种显示要件(display element)的像素PX。可以是，像素PX构成为多个，多个像素PX以条纹排列、Pentile排列、马赛克排列等各种形式配置而实现图像。以下在本说明书中，可以是，各像素PX意指分别发出彼此不同颜色的光的子像素(Sub-Pixel)，各像素PX是例如红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素中的一个。
作为根据本实用新型的一实施例的显示装置，以有机发光显示装置(OrganicLight Emitting Display)为例进行说明，但本实用新型的显示装置不限于此。作为另一实施例，本实用新型的显示装置可以是无机发光显示装置(Inorganic Light EmittingDisplay或无机EL显示装置)或者量子点发光显示装置(Quantum Dot Light EmittingDisplay)之类显示装置。例如，也可以是，设置于显示装置的显示要件的发光层包含有机物、或者包含无机物、或者包含量子点(Quantum Dot)、或者包含有机物和量子点、或者包含无机物和量子点、或者包含有机物、无机物和量子点。
第一基板100的周边区域PA是配置于显示区域DA周边的区域，可以是不显示图像的区域。在周边区域PA可以设置传输将施加于显示区域DA的电信号的各种布线、附着有印刷电路基板或驱动器IC芯片的焊盘。
图4是简要示出根据本实用新型的一实施例的能够适用于显示装置的像素的等效电路图。
参照图4，像素PX可以包括连接于扫描线SL以及数据线DL的像素电路PC以及连接于像素电路PC的显示要件DE。显示要件DE的阴极可以是被施加第二驱动电压ELVSS的公共电极。可以是，图4的像素电路PC与图1以及图2的第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3对应，图4的显示要件DE与图2的第一以及第二显示要件DE1、DE2对应。
像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2以及存储电容器Cst。
可以是，第一晶体管T1是根据栅极-源极电压确定漏极电流的大小的驱动晶体管，第二晶体管T2是根据栅极-源极电压、实质上栅极电压导通/截止的开关晶体管。第一晶体管T1以及第二晶体管T2可以由薄膜晶体管形成。
可以是，第一晶体管T1称为驱动晶体管，第二晶体管T2称为扫描晶体管。
存储电容器Cst连接于电源线PL和驱动晶体管T1的栅极之间。存储电容器Cst可以具有连接于电源线PL的第二电极CE2以及连接于驱动晶体管T1的栅极的第一电极CE1。存储电容器Cst可以存储与从扫描晶体管T2接收的电压和供应到电源线PL的第一驱动电压ELVDD之差相应的电压。
驱动晶体管T1可以根据栅极-源极电压控制从电源线PL流向显示要件DE的驱动电流Id的大小。显示要件DE可以通过驱动电流Id发出具有预定亮度的光。驱动晶体管T1可以具有连接于存储电容器Cst的第一电极CE1的栅极、连接于电源线PL的源极、连接于显示要件DE的漏极。
扫描晶体管T2可以响应于扫描信号Sn而将数据电压Dm传输到驱动晶体管T1的栅极。扫描晶体管T2可以具有连接于扫描线SL的栅极、连接于数据线DL的源极以及连接于驱动晶体管T1的栅极的漏极。
在图4中说明了像素电路PC包括两个晶体管以及一个存储电容器的情况，但本实用新型不限于此。例如，像素电路PC可以包括三个以上的晶体管及/或两个以上的存储电容器。作为一实施例，像素电路PC可以包括七个晶体管以及一个存储电容器。
另外，在图4中示出第一晶体管T1以及第二晶体管T2是p型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，但是作为另一实施例，第一晶体管T1以及第二晶体管T2中的至少一个也可以是n型MOSFET。例如，第一晶体管T1以及第二晶体管T2可以是n型MOSFET。
图5是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图。
参照图5，在显示装置1(参照图3)的显示区域DA可以配置第一像素电路PCa、第一导电线CLa、第二导电线CLb、第三导电线CLc、第一焊盘电极PEa、第二焊盘电极PEb、第三焊盘电极PEc、至少一个第二像素电路PCb、至少一个第四焊盘电极PEd、至少一个第五焊盘电极PEe以及至少一个第六焊盘电极PEf。
可以是，第一像素电路PCa沿着第一方向(例如，±y方向)以及第二方向(例如，±x方向)排列。如前述图4所示，第一像素电路PCa可以包括至少一个晶体管以及存储电容器。
第一导电线CLa可以沿着第二方向(例如，±x方向)排列。第一导电线CLa的每一个可以沿着第一方向(例如，±y方向)延伸而将电信号传输到配置在相同列的第一像素电路PCa。例如，第一导电线CLa可以将前述的图4的数据电压Dm传输到配置在相同列的第一像素电路PCa。第一导电线CLa可以与前述的图4的数据线DL对应。
第二导电线CLb可以沿着第一方向(例如，±y方向)排列。第二导电线CLb的每一个可以沿着第二方向(例如，±x方向)延伸而将电信号传输到配置在相同行的第一像素电路PCa。例如，第二导电线CLb可以将前述的图4的扫描信号Sn传输到配置在相同行的第一像素电路PCa。第二导电线CLb可以与前述的图4的扫描线SL对应。
第三导电线CLc可以沿着第二方向(例如，±x方向)排列。第三导电线CLc的每一个可以沿着第一方向(例如，±y方向)延伸而将电信号传输到配置在相同列的第一像素电路PCa。例如，第三导电线CLc可以将前述的图4的第一驱动电压ELVDD传输到配置在相同列的第一像素电路PCa。第三导电线CLc可以与前述的图4的电源线PL对应。
在一实施例中，第一导电线CLa以及第三导电线CLc可以沿着第二方向(例如，±x方向)彼此交替配置。
第一焊盘电极PEa可以沿着第一方向(例如，±y方向)排列而电连接于第一导电线CLa。第二焊盘电极PEb可以沿着第二方向(例如，±x方向)排列而电连接于第二导电线CLb。第三焊盘电极PEc可以沿着第一方向(例如，±y方向)排列而电连接于第三导电线CLc。
在一实施例中，如后述的图6所示，第一导电线CLa和第一焊盘电极PEa可以配置于相同的层。第一导电线CLa和第一焊盘电极PEa可以是一体。第三导电线CLc和第三焊盘电极PEc可以配置于相同的层。第三导电线CLc和第三焊盘电极PEc可以是一体。
在一实施例中，如后述的图7所示，第二导电线CLb和第二焊盘电极PEb可以配置于彼此不同的层。例如，第二焊盘电极PEb可以配置于第二导电线CLb上。
至少一个第二像素电路PCb可以电连接于第四焊盘电极PEd、第五焊盘电极PEe以及第六焊盘电极PEf。可以是，第四焊盘电极PEd与第一焊盘电极PEa中的一个接触，第五焊盘电极PEe与第二焊盘电极PEb中的一个接触，第六焊盘电极PEf与第三焊盘电极PEc中的一个接触。例如，如图5所示，第四焊盘电极PEd、第五焊盘电极PEe以及第六焊盘电极PEf可以分别与配置于A区域的第一焊盘电极PEa、第二焊盘电极PEb以及第三焊盘电极PEc接触。第二像素电路PCb可以通过第一焊盘电极PEa以及第四焊盘电极PEd连接于第一导电线CLa，并可以从第一导电线CLa接收数据电压Dm。第二像素电路PCb可以通过第二焊盘电极PEb以及第五焊盘电极PEe连接于第二导电线CLb，并可以从第二导电线CLb接收扫描信号Sn。第二像素电路PCb可以通过第三焊盘电极PEc以及第六焊盘电极PEf连接于第三导电线CLc，并可以从第三导电线CLc接收第一驱动电压ELVDD。
在图5中为了表示第二像素电路PCb通过焊盘电极连接于导电线，示出为第二像素电路PCb与配置于A区域的第一像素电路PCa隔开配置，但是第二像素电路PCb可以与配置于A区域的第一像素电路PCa重叠。例如，如后述的图6所示，第二像素电路PCb可以配置在配置于A区域的第一像素电路PCa上，并可以重叠。
另一方面，配置于A区域的第一像素电路PCa可以不良。第二像素电路PCb可以是代替不良的第一像素电路PCa来驱动显示要件的电路。第二像素电路PCb可以配置(或移植)于不良的第一像素电路PCa上。通过此，可以防止由于第一像素电路PCa中的至少一个的不良导致的显示装置1的收率降低。
在图5中示出为配置于A区域的第一像素电路PCa电连接于第一导电线CLa、第二导电线CLb以及第三导电线CLc而电连接于第一焊盘电极PEa、第二焊盘电极PEb以及第三焊盘电极PEc，但是作为另一实施例，配置于A区域的第一像素电路PCa可以与第一焊盘电极PEa、第二焊盘电极PEb以及第三焊盘电极PEc电绝缘。配置于A区域的第一像素电路PCa可以与第一导电线CLa、第二导电线CLb以及第三导电线CLc电绝缘。
图6是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。具体地，图6是简要示出图5的A区域的截面图。
参照图6，在第一基板100的第一面100a上可以配置第一像素电路PCa。第一像素电路PCa可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2以及存储电容器Cst。第一晶体管T1可以包括第一半导体层Act1以及与第一半导体层Act1至少局部重叠的第一栅极电极GE1。第二晶体管T2可以包括第二半导体层Act2以及与第二半导体层Act2至少局部重叠的第二栅极电极GE2。存储电容器Cst可以包括第一电极CE1以及第二电极CE2。第一晶体管T1的第一栅极电极GE1可以通过第一桥接电极BE1连接于第二晶体管T2的第二半导体层Act2。关于第一像素电路PCa的说明可以同样地适用于后述的第二像素电路PCb。
在第一像素电路PCa上可以配置辅助面板20。辅助面板20可以包括第二像素电路PCb、第四焊盘电极PEd、第六焊盘电极PEf、第一贯通电极TEa、第三贯通电极TEc、第二桥接电极BE2以及第三桥接电极BE3。第四焊盘电极PEd以及第六焊盘电极PEf可以配置于第二基板200的第二面200a上。第二像素电路PCb、第二桥接电极BE2以及第三桥接电极BE3可以配置于第二基板200的第三面200b上。第二桥接电极BE2以及第三桥接电极BE3可以连接于第二像素电路PCb。第二桥接电极BE2可以通过贯通第二基板200的第一贯通电极TEa连接于第四焊盘电极PEd。第一贯通电极TEa可以与第二桥接电极BE2直接接触。第三桥接电极BE3可以通过贯通第二基板200的第三贯通电极TEc连接于第六焊盘电极PEf。第三贯通电极TEc可以与第三桥接电极BE3直接接触。
在一实施例中，第一贯通电极TEa和第四焊盘电极PEd可以是一体。第四焊盘电极PEd的至少一部分可以埋入形成于第二基板200的孔，埋入所述孔的第四焊盘电极PEd的至少一部分可以称为第一贯通电极TEa。虽然以第一贯通电极TEa和第四焊盘电极PEd为基准进行了说明，但是第三贯通电极TEc和第六焊盘电极PEf也可以同样地适用。
在第一基板100的第一面100a和辅助面板20之间可以配置第一导电线CLa、第三导电线CLc、第一焊盘电极PEa以及第三焊盘电极PEc。第一导电线CLa以及第三导电线CLc可以连接于第一像素电路PCa。可以是，第一导电线CLa和第一焊盘电极PEa是一体，第三导电线CLc和第三焊盘电极PEc是一体。可以是，第一焊盘电极PEa与辅助面板20的第四焊盘电极PEd直接接触，第三焊盘电极PEc与辅助面板20的第六焊盘电极PEf直接接触。
在一实施例中，第一基板100的平面上面积可以大于辅助面板20的第二基板200的平面上面积。
以下，将参照图6根据层叠结构更具体地说明包括在显示装置1(参照图3)中的结构。
第一基板100可以包含玻璃或高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或醋酸纤维素丙酸酯(cellulose acetatepropionate)等。包含高分子树脂的第一基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。第一基板100可以是包括包含前述高分子树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。关于第一基板100的说明可以同样地适用于后述的第二基板200。
第一缓冲层110可以减少或阻止异物、湿气或外部气体从第一基板100的下方渗透，并可以在第一基板100上提供平坦面。第一缓冲层110可以包含氧化物或氮化物之类无机物、有机物或者有机无机复合物，并可以构成为无机物和有机物的单层或多层结构。关于第一缓冲层110的说明可以同样地适用于后述的第二缓冲层210。
在第一基板100和第一缓冲层110之间可以还包括阻挡层(未图示)。阻挡层可以起到防止或最小化来自第一基板100等的杂质渗透到第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2的作用。阻挡层可以包含氧化物或氮化物之类无机物、有机物或者有机无机复合物，并可以构成为无机物和有机物的单层或多层结构。
在第一缓冲层110上可以配置第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2。第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2可以包含非晶硅或者包含多晶硅。作为另一实施例，第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2可以包含选自于包括铟(In)、镓(Ga)、锶(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)以及锌(Zn)的组中的一种以上物质的氧化物。
第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2的每一个可以包括沟道区域和配置于所述沟道区域的两侧的源极区域以及漏极区域。第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2可以构成为单层或多层。
在第一基板100上可以层叠配置第一栅极绝缘层111以及第二栅极绝缘层113以覆盖第一半导体层Act1以及第二半导体层Act2。第一栅极绝缘层111以及第二栅极绝缘层113可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)等。关于第一栅极绝缘层111以及第二栅极绝缘层113的说明可以同样地适用于后述的第三栅极绝缘层211以及第四栅极绝缘层213。
可以是，在第一栅极绝缘层111上配置第一栅极电极GE1以与第一半导体层Act1至少局部重叠，并配置第二栅极电极GE2以与第二半导体层Act2至少局部重叠。第一栅极电极GE1以及第二栅极电极GE2可以包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等且构成为单层或多层。作为一例，第一栅极电极GE1以及第二栅极电极GE2可以是Mo的单层。
在图6中示出第一栅极电极GE1以及第二栅极电极GE2配置于第一栅极绝缘层111上面，但是作为另一实施例，第一栅极电极GE1以及第二栅极电极GE2可以配置于第二栅极绝缘层113上面。
在一实施例中，存储电容器Cst可以由第一电极CE1以及第二电极CE2设置，并如图6所示那样与第一晶体管T1重叠。例如，第一晶体管T1的第一栅极电极GE1可以执行存储电容器Cst的第一电极CE1的功能。与此不同地，存储电容器Cst也可以不与第一晶体管T1重叠，并单独存在。
存储电容器Cst的第二电极CE2隔着第二栅极绝缘层113与第一电极CE1重叠，并形成电容。在此情况下，第二栅极绝缘层113可以起到存储电容器Cst的介电层的功能。
在第二栅极绝缘层113上可以配置存储电容器Cst的第二电极CE2。存储电容器Cst的第二电极CE2可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。
在第二栅极绝缘层113上可以设置第一层间绝缘层115以覆盖存储电容器Cst的第二电极CE2。第一层间绝缘层115可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)等。关于第一层间绝缘层115的说明可以同样地适用于后述的第二层间绝缘层215。
在第一层间绝缘层115上方可以配置第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第一桥接电极BE1、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc。第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第一桥接电极BE1、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第一桥接电极BE1、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
第一导电线CLa可以通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第二半导体层Act2。第一桥接电极BE1可以通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第二半导体层Act2，并通过形成于第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第一栅极电极GE1。第三导电线CLc可以通过形成于第一层间绝缘层115的接触孔接通于第二电极CE2，并通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第一半导体层Act1。
第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第一桥接电极BE1、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc可以被无机保护层(未图示)覆盖。无机保护层可以是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的单层膜或多层膜。无机保护层可以为了覆盖并保护配置于第一层间绝缘层115上的一部分布线而引入。
在第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第一桥接电极BE1、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc上可以配置辅助面板20。
辅助面板20可以包括第二基板200、第二基板200的第二面200a上的第四焊盘电极PEd和第六焊盘电极PEf、第二基板200的第三面200b上的第二缓冲层210、第二缓冲层210上的第三栅极绝缘层211、第三栅极绝缘层211上的第四栅极绝缘层213、第四栅极绝缘层213上的第二层间绝缘层215、第二层间绝缘层215上的第二桥接电极BE2和第三桥接电极BE3、第一贯通电极TEa以及第三贯通电极TEc。
第四焊盘电极PEd、第六焊盘电极PEf、第二桥接电极BE2、第三桥接电极BE3、第一贯通电极TEa以及第三贯通电极TEc可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第四焊盘电极PEd、第六焊盘电极PEf、第二桥接电极BE2、第三桥接电极BE3、第一贯通电极TEa以及第三贯通电极TEc可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
第二桥接电极BE2可以通过形成于第三栅极绝缘层211、第四栅极绝缘层213以及第二层间绝缘层215的接触孔接通于第二像素电路PCb的半导体层(例如，扫描晶体管的半导体层)。第三桥接电极BE3可以通过形成于第二层间绝缘层215的接触孔接通于第二像素电路PCb的电极(例如，存储电容器的电极)，并通过形成于第三栅极绝缘层211、第四栅极绝缘层213以及第二层间绝缘层215的接触孔接通于第二像素电路PCb的半导体层(例如，驱动晶体管的半导体层)。
第一贯通电极TEa可以贯通第二基板200、第二缓冲层210、第三栅极绝缘层211、第四栅极绝缘层213以及第二层间绝缘层215而连接第四焊盘电极PEd和第二桥接电极BE2。第三贯通电极TEc可以贯通第二基板200、第二缓冲层210、第三栅极绝缘层211、第四栅极绝缘层213以及第二层间绝缘层215而连接第六焊盘电极PEf和第三桥接电极BE3。
在辅助面板20上可以配置第一平坦化层117。第一平坦化层117可以覆盖辅助面板20。第一平坦化层117可以覆盖第一焊盘电极PEa的侧面、第三焊盘电极PEc的侧面、第四焊盘电极PEd的侧面以及第六焊盘电极PEf的侧面。第一平坦化层117可以由有机物质构成的膜形成为单层或多层，并提供平坦的上面。这样的第一平坦化层117可以包含BCB(苯并环丁烯，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酰基类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子或者它们的共混物等。
图7是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。具体地，图7是简要示出图5的A区域和A区域之外的一部分的截面图。在图7中，与图5相同的附图标记称为相同部件，省略关于它们的重复说明。
参照图7，在第一基板100的第一面100a上可以配置第一像素电路PCa。第一像素电路PCa的每一个可以包括第二半导体层Act2以及与第二半导体层Act2重叠的第二栅极电极GE2。关于第一像素电路PCa的说明可以同样地适用于后述的第二像素电路PCb。
在第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层113之间可以配置第二导电线CLb。第二导电线CLb可以与第二半导体层Act2至少局部重叠。与第二半导体层Act2重叠的第二导电线CLb的至少一部分可以指称为第二栅极电极GE2。第二导电线CLb可以包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等且构成为单层或多层。作为一例，第二导电线CLb可以是Mo的单层。
在第一层间绝缘层115上可以配置第二焊盘电极PEb。第二焊盘电极PEb可以分别电连接于第一像素电路PCa。第二焊盘电极PEb的每一个可以通过形成于第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第二导电线CLb。第二焊盘电极PEb可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第二焊盘电极PEb可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
在第三栅极绝缘层211和第四栅极绝缘层213之间可以配置栅极线GL。栅极线GL可以与第二像素电路PCb的半导体层(例如，扫描晶体管的半导体层)至少局部重叠。与第二像素电路PCb的半导体层重叠的栅极线GL的至少一部分可以指称为栅极电极(例如，扫描晶体管的栅极电极)。栅极线GL可以包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等且构成为单层或多层。作为一例，栅极线GL可以是Mo的单层。
在第二基板200的第二面200a上可以配置第五焊盘电极PEe。第五焊盘电极PEe可以与配置于A区域的第二焊盘电极PEb直接接触。第五焊盘电极PEe可以通过第二贯通电极TEb连接于栅极线GL。第二贯通电极TEb可以贯通第二基板200、第二缓冲层210以及第三栅极绝缘层211而连接第五焊盘电极PEe和栅极线GL。第二贯通电极TEb可以与栅极线GL直接接触。
在一实施例中，第二贯通电极TEb和第五焊盘电极PEe可以是一体。第五焊盘电极PEe的至少一部分可以埋入形成于第二基板200的孔，埋入所述孔的第五焊盘电极PEe的至少一部分可以称为第二贯通电极TEb。
在辅助面板20上可以配置第一平坦化层117。第一平坦化层117可以覆盖辅助面板20。第一平坦化层117可以覆盖配置于A区域的第二焊盘电极PEb的侧面、第五焊盘电极PEe的侧面以及配置于A区域之外的第二焊盘电极PEb的上面和侧面。
图8是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。图8是简要示出图5的A区域和A区域之外的一部分的截面图。在图8中，与图5相同的附图标记称为相同部件，省略关于它们的重复说明。
参照图8，在第一平坦化层117上可以配置第一显示要件300a以及第二显示要件300b。第一显示要件300a以及第二显示要件300b的每一个可以包括像素电极310、包括有机发光层的中间层320以及对电极330。
像素电极310可以是(半)透光性电极或反射电极。在一部分实施例中，像素电极310可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射层和形成于反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自于包括铟锡氧化物(ITO；Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO；Indium Zinc Oxide)、氧化锌(ZnO；zincoxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)以及铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)的组中的一种以上。在一部分实施例中，像素电极310可以设置为ITO/Ag/ITO。
在第一平坦化层117上可以配置像素界定膜119。像素界定膜119可以覆盖像素电极310的边缘，并具备暴露像素电极310的中央部的开口。像素界定膜119通过增加像素电极310的边缘和像素电极310上方的对电极330之间的距离，可以起到防止在像素电极310的边缘处产生电弧等的作用。像素界定膜119可以用选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂构成的组中的一种以上的有机绝缘物质通过旋涂等方法形成。
中间层320可以配置于通过像素界定膜119形成的开口内，并包括有机发光层。有机发光层可以包含有机物，所述有机物包括发出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光物质或磷光物质。有机发光层可以是低分子有机物或高分子有机物，在有机发光层之下以及之上可以选择性地还配置空穴传输层(HTL；hole transport layer)、空穴注入层(HIL；holeinjection layer)、电子传输层(ETL；electron transport layer)或者电子注入层(EIL；electron injection layer)等之类功能层。
对电极330可以是透光性电极或反射电极。在一部分实施例中，对电极330可以是透明或半透明电极，并可以由包含Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg以及它们的化合物或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料的功函数小的金属薄膜形成。另外，在金属薄膜之上可以还配置ITO、IZO、ZnO或In2O3等TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)膜。对电极330可以跨显示区域DA(参照图3)配置，并配置于中间层320和像素界定膜119的上方。对电极330可以在多个显示要件中形成为一体而与多个像素电极对应。
配置于A区域之外的第一显示要件300a可以电连接于第一像素电路PCa。第一显示要件300a可以通过第一连接图案CMa以及第一连接电极CNEa连接于第一像素电路PCa。第一连接图案CMa可以配置于第一层间绝缘层115上。第一连接图案CMa可以通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第一像素电路PCa。第一连接电极CNEa可以贯通第一平坦化层117而接通于第一连接图案CMa。第一显示要件300a的像素电极310和第一连接电极CNEa可以是一体。第一显示要件300a的像素电极310的至少一部分可以埋入形成于第一平坦化层117的孔，埋入所述孔的第一显示要件300a的像素电极310的至少一部分可以称为第一连接电极CNEa。
配置于A区域的第二显示要件300b可以电连接于辅助面板20的第二像素电路PCb。第二显示要件300b可以通过第二连接图案CMb以及第二连接电极CNEb连接于第二像素电路PCb。第二连接图案CMb可以配置于第二层间绝缘层215上。第二连接图案CMb可以通过形成于第三栅极绝缘层211、第四栅极绝缘层213以及第二层间绝缘层215的接触孔接通于第二像素电路PCb。第二连接电极CNEb可以贯通第一平坦化层117而接通于第二连接图案CMb。第二显示要件300b的像素电极310和第二连接电极CNEb可以是一体。第二显示要件300b的像素电极310的至少一部分可以埋入形成于第一平坦化层117的孔，埋入所述孔的第二显示要件300b的像素电极310的至少一部分可以称为第二连接电极CNEb。
在一实施例中，沿着第一基板100的厚度方向的第一连接电极CNEa的第一长度ll1可以大于沿着第一基板100的厚度方向的第二连接电极CNEb的第二长度ll2。
另一方面，配置于A区域的第一像素电路PCa可以不良。通过第二像素电路PCb代替不良的第一像素电路PCa来驱动第二显示要件300b，可以防止由于第一像素电路PCa中的至少一个的不良导致的显示装置1的收率降低。
包括有机发光层的第一显示要件300a以及第二显示要件300b可能由于来自外部的水分或氧气等容易地损坏，因此封装层(未图示)可以覆盖这样的第一显示要件300a以及第二显示要件300b以保护它们。封装层可以覆盖显示区域DA并延伸至周边区域PA(参照图3)的至少一部分。这样的封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层。
图9是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。图9是图6的变形实施例，区别在于贯通电极的结构。以下重复的内容以图6的说明代替，以区别点为主进行说明。
参照图9，第一贯通电极TEa'可以与第二像素电路PCb的第二半导体层Act2'直接接触。第一贯通电极TEa'可以贯通第二基板200以及第二缓冲层210而连接第四焊盘电极PEd和第二像素电路PCb的第二半导体层Act2'。根据第一贯通电极TEa'接通于第二像素电路PCb的第二半导体层Act2'，可以省略前述的图6的第二桥接电极BE2。
第三贯通电极TEc'可以与第二像素电路PCb的第一半导体层Act1'直接接触。第三贯通电极TEc'可以贯通第二基板200以及第二缓冲层210而连接第六焊盘电极PEf和第二像素电路PCb的第一半导体层Act1'。根据第三贯通电极TEc'接通于第二像素电路PCb的第一半导体层Act1'，可以省略前述的图6的第三桥接电极BE3的至少一部分。
图10是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。图10是图6的变形实施例，区别在于平坦化层的结构。以下重复的内容以图6的说明代替，以区别点为主进行说明。
参照图10，在第一层间绝缘层115和第一平坦化层117之间可以配置第二平坦化层116。第二平坦化层116可以由有机物质构成的膜形成为单层或多层，并提供平坦的上面。这样的第二平坦化层116可以包含BCB(苯并环丁烯，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酰基类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子或者它们的共混物等。
在第一层间绝缘层115上可以配置第一连接图案CM1、第一桥接电极BE1以及第二连接图案CM2。第一连接图案CM1、第一桥接电极BE1以及第二连接图案CM2可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含所述材料的多层或单层。作为一例，第一连接图案CM1、第一桥接电极BE1以及第二连接图案CM2可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
第一连接图案CM1可以通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第一像素电路PCa的第二半导体层Act2。第二连接图案CM2可以通过形成于第一层间绝缘层115的接触孔接通于存储电容器Cst的第二电极CE2，并通过形成于第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层115的接触孔接通于第一像素电路PCa的第一半导体层Act1。
在第二平坦化层116上可以配置第一焊盘电极PEa、第一导电线CLa、第三导电线CLc以及第三焊盘电极PEc。第一导电线CLa可以通过形成于第二平坦化层116的接触孔接通于第一连接图案CM1。第三导电线CLc可以通过形成于第二平坦化层116的接触孔接通于第二连接图案CM2。
图11是简要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图。图11是图5的变形实施例，区别在于像素电路的连接结构。以下重复的内容以图5的说明代替，以区别点为主进行说明。
参照图11，与前述的图5不同地，配置于A区域的第一像素电路PCa可以与第一导电线CLa、第二导电线CLb以及第三导电线CLc电绝缘。配置于A区域的第一像素电路PCa可以与第一焊盘电极PEa、第二焊盘电极PEb以及第三焊盘电极PEc电绝缘。在这种情况下，通过导电线的电信号可以并联施加到配置于A区域的第一像素电路PCa和第二像素电路PCb而防止布线电阻增加。
至此主要仅针对显示装置进行了说明，但本实用新型不限于此。例如，用于制造这种显示装置的显示装置的制造方法显然也属于本实用新型的范围。
本实用新型以在附图中示出的实施例为参考进行了说明，但是这仅是示例性的，在本领域中具有通常的知识的人员将会理解能够由此进行各种变形以及等同的其它实施例。因此，本实用新型的真正的技术保护范围将应由所附的权利要求书的技术构思来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板，具有第一面；
第一像素电路，配置于所述第一基板的所述第一面上；
第二基板，配置于所述第一像素电路上，并具有与所述第一面相对的第二面以及与所述第二面相对的第三面；
第一焊盘电极，配置于所述第一基板的所述第一面和所述第二基板的所述第二面之间；
第二像素电路，配置于所述第二基板的所述第三面上，并与所述第一像素电路重叠；
第一贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第二像素电路电连接；以及
第二焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第二面上，并与所述第一贯通电极电连接且与所述第一焊盘电极接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第三像素电路，配置于所述第一基板的所述第一面上；
第一显示要件，电连接于所述第三像素电路；以及
第二显示要件，电连接于所述第二像素电路。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第一连接电极，将所述第一显示要件连接于所述第三像素电路；以及
第二连接电极，将所述第二显示要件连接于所述第二像素电路，
沿着所述第一基板的厚度方向的所述第一连接电极的第一长度大于沿着所述第一基板的厚度方向的所述第二连接电极的第二长度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第三焊盘电极，与所述第三像素电路电连接；以及
绝缘层，覆盖所述第三焊盘电极的上面和侧面、所述第一焊盘电极的侧面以及所述第二焊盘电极的侧面。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一基板的平面上面积大于所述第二基板的平面上面积。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一像素电路电连接于所述第一焊盘电极。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板，界定有显示区域以及所述显示区域的外围的周边区域；
第一导电线，配置于所述显示区域上，并沿着第一方向延伸；
多个第一焊盘电极，在所述显示区域上沿着所述第一方向排列，并电连接于所述第一导电线；
第二导电线，配置于所述显示区域上，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
多个第二焊盘电极，在所述显示区域上沿着所述第二方向排列，并电连接于所述第二导电线，
所述第一导电线和所述多个第一焊盘电极配置于相同的层，
所述第二导电线和所述多个第二焊盘电极配置于彼此不同的层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电线和所述多个第一焊盘电极是一体，
所述多个第二焊盘电极配置于所述第二导电线上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第二基板，配置于所述多个第一焊盘电极以及所述多个第二焊盘电极上，并具有与所述第一基板相对的第一面以及与所述第一面相对的第二面；
第一像素电路，配置于所述第二基板的所述第二面上；
第一贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第一像素电路电连接；
第三焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第一面上，并与所述第一贯通电极电连接且与所述多个第一焊盘电极中的一个接触；
第二贯通电极，贯通所述第二基板而与所述第一像素电路电连接；以及
第四焊盘电极，配置于所述第二基板的所述第一面上，并与所述第二贯通电极电连接且与所述多个第二焊盘电极中的一个接触。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第二像素电路，配置于所述第一基板和所述第二基板之间，并与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，
所述第一像素电路和所述第二像素电路在所述第一基板的厚度方向上彼此重叠，
所述第一基板的平面上面积大于所述第二基板的平面上面积。
CN202321574157.6U 2022-09-15 2023-06-20 显示装置 Active CN220342753U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0116641 2022-09-15
KR1020220116641A KR20240038215A (ko) 2022-09-15 2022-09-15 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220342753U true CN220342753U (zh) 2024-01-12

Family

ID=89457048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321574157.6U Active CN220342753U (zh) 2022-09-15 2023-06-20 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240099082A1 (zh)
KR (1) KR20240038215A (zh)
CN (1) CN220342753U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240099082A1 (en) 2024-03-21
KR20240038215A (ko) 2024-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11600797B2 (en) Organic light-emitting display apparatus having peripheral dam containing metal-containing layer
US11069294B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
KR20200090299A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20170079993A (ko) 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 장치
US20230309354A1 (en) Display device
US20230046181A1 (en) Display apparatus
KR20210034158A (ko) 디스플레이 장치
KR20210011561A (ko) 표시 장치
CN114122072A (zh) 有机发光显示设备
CN113948548A (zh) 柔性显示装置
CN112713170A (zh) 显示装置
CN113745282A (zh) 有机发光显示设备
CN220342753U (zh) 显示装置
CN217933801U (zh) 显示面板以及具备其的显示装置
US11765953B2 (en) Display apparatus including overlapping elements
CN219843922U (zh) 显示装置
US11705546B2 (en) Display apparatus
US20230209868A1 (en) Electroluminescence Display
KR20230006740A (ko) 표시 장치
KR20240052152A (ko) 표시 장치
KR20240039988A (ko) 표시 장치
KR20240031511A (ko) 표시 장치
KR20220155519A (ko) 표시 장치
CN114843309A (zh) 显示装置
CN113871426A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant