CN220307717U - 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置 - Google Patents

颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN220307717U
CN220307717U CN202321567199.7U CN202321567199U CN220307717U CN 220307717 U CN220307717 U CN 220307717U CN 202321567199 U CN202321567199 U CN 202321567199U CN 220307717 U CN220307717 U CN 220307717U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light blocking
region
layer
color filter
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321567199.7U
Other languages
English (en)
Inventor
文盛载
白承洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220307717U publication Critical patent/CN220307717U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/70OLEDs integrated with inorganic light-emitting elements, e.g. with inorganic electroluminescent elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置。所述颜色转换基底包括:显示区域和外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,设置在显示区域中;以及光阻挡构件,设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是颜色转换基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的两个光阻挡层中的每个包括定位在第一区域中的开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的另一个光阻挡层覆盖第一区域中的开口。颜色转换基底和显示装置可以降低由于外部光导致的对准键的可见性。

Description

颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置
技术领域
公开涉及一种颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置。
背景技术
平板显示装置由于诸如重量轻和形状薄的特性而被用作代替阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示器的代表性示例包括液晶显示器和有机发光显示器。
最近,为了改善显示质量,已经提出了一种包括显示基底和颜色转换基底的显示装置,该显示基底包括多个像素,该颜色转换基底包括滤色器和颜色转换部。
因此,当将显示基底和颜色转换基底接合时,需要确定显示基底与颜色转换基底之间是否存在对准误差。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了提供一种能够降低由于外部光导致的对准键的可见性的颜色转换基底。
本实用新型的目的是为了提供一种能够降低由于外部光导致的对准键的可见性的显示装置。
根据实施例的颜色转换基底包括:显示区域和外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,设置在显示区域中;以及光阻挡构件,设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是颜色转换基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的两个光阻挡层中的每个可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口中的至少一个开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器。第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
在实施例中,开口可以包括:第一子开口,设置在第一光阻挡层至第三光阻挡层中的包括开口的一个光阻挡层中;以及第二子开口,设置在第一光阻挡层至第三光阻挡层中的包括开口的另一光阻挡层中。
在实施例中,在剖视图中,第一子开口在与第一方向垂直的第二方向上的宽度可以小于第二子开口在第二方向上的宽度。
根据实施例的颜色转换基底包括:显示区域和外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,设置在显示区域中;以及光阻挡构件,设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是颜色转换基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的一个光阻挡层可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器。第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
根据实施例的显示装置包括:显示基底,包括第一基体基底和设置在第一基体基底上的像素;以及颜色转换基底,面向显示基底。颜色转换基底可以包括:第二基体基底,包括显示区域和外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,在第二基体基底下方设置在显示区域中;以及光阻挡构件,在第二基体基底下方设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是第二基体基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少一个光阻挡层可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器。第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
在实施例中,显示基底还可以包括对准键,对准键设置在第一基体基底上并且在第一方向上与开口叠置。
在实施例中,在剖视图中,开口在与第一方向垂直的第二方向上的宽度可以小于对准键在第二方向上的宽度。
根据实施例的颜色转换基底可以包括:基体基底,包括显示区域以及外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,在基体基底下方设置在显示区域中;以及光阻挡构件,在基体基底下方设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是基体基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的两个光阻挡层中的每个可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
在实施例中,第一光阻挡层和第三光阻挡层中的每个光阻挡层可以包括开口,并且第二光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,第二光阻挡层和第三光阻挡层中的每个光阻挡层可以包括开口,并且第一光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,第一光阻挡层和第二光阻挡层中的每个光阻挡层可以包括开口,并且第三光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,开口可以包括:第一子开口,设置在第一光阻挡层至第三光阻挡层中的包括开口的一个光阻挡层中;以及第二子开口,设置在第一光阻挡层至第三光阻挡层中的包括开口的另一光阻挡层中。
在实施例中,在剖视图中,第一子开口在与第一方向垂直的第二方向上的宽度可以小于第二子开口在第二方向上的宽度。
在实施例中,颜色转换基底还可以包括:折射层,覆盖滤色器层和光阻挡构件;第一盖层,设置在折射层的下表面上;以及第二盖层,在外围区域中设置在第一盖层的下表面上。
根据另一实施例的颜色转换基底可以包括:基体基底,包括显示区域以及外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,在基体基底下方设置在显示区域中;以及光阻挡构件,在基体基底下方设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是基体基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的一个光阻挡层可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
在实施例中,第一光阻挡层可以包括开口,并且第二光阻挡层和第三光阻挡层可以在第一区域中在第一方向上彼此叠置,并且可以覆盖开口。
在实施例中,第二光阻挡层可以包括开口,并且第一光阻挡层和第三光阻挡层可以在第一区域中在第一方向上彼此叠置,并且可以覆盖开口。
在实施例中,第三光阻挡层可以包括开口,并且第一光阻挡层和第二光阻挡层可以在第一区域中在第一方向上彼此叠置,并且可以覆盖开口。
根据实施例的显示装置可以包括:显示基底,包括第一基体基底和设置在第一基体基底上的像素;颜色转换基底,面向显示基底;以及密封构件,将显示基底和颜色转换基底接合。颜色转换基底可以包括:第二基体基底,包括显示区域和外围区域,外围区域设置为与显示区域相邻且包括第一区域和围绕第一区域的第二区域;滤色器层,在第二基体基底下方设置在显示区域中;以及光阻挡构件,在第二基体基底下方设置在外围区域中,并且包括在第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,第一方向是第二基体基底的厚度方向。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少一个光阻挡层可以在第一区域中包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层可以覆盖第一区域中的开口。
在实施例中,滤色器层可以包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,第一光阻挡层和蓝色滤色器可以包括相同的材料,第二光阻挡层和红色滤色器可以包括相同的材料,并且第三光阻挡层和绿色滤色器可以包括相同的材料。
在实施例中,显示基底还可以包括对准键,对准键设置在第一基体基底上并且在第一方向上与开口叠置。
在实施例中,在剖视图中,开口在与第一方向垂直的第二方向上的宽度可以小于对准键在第二方向上的宽度。
在实施例中,在平面图中,开口和对准键可以与密封构件间隔开。
在实施例中,对准键可以包括金属。
在实施例中,显示装置还可以包括填充层,填充层设置在显示基底与颜色转换基底之间。
根据实施例的显示装置可以包括显示基底和颜色转换基底。颜色转换基底可以包括设置在外围区域中且包括第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层的光阻挡构件。第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少一个可以包括开口,并且第一光阻挡层至第三光阻挡层中的至少另一个可以覆盖开口。因此,可以降低由于通过开口的外部光而导致的对准键的可见性。因此,在将显示基底和颜色转换基底接合之后,能够防止通过开口识别对准键。因此,可以改善显示装置的质量。
然而,公开的实施例不限于这里阐述的实施例。通过参照下面给出的公开的详细描述,上述和其他实施例对于公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图。
图3是示出根据实施例的图1的显示装置的示意性剖视图。
图4是示出图3的区域‘A’的放大视图。
图5至图8是示出制造包括在图3的显示装置中的颜色转换基底的方法的示意性剖视图。
图9和图10是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图11和图12是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图13和图14是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图15和图16是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图17和图18是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述公开,在附图中示出了各种实施例。然而,实施例可以以许多不同的形式实施,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。同样的附图标记始终指同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,当元件被称为与另一元件“接触”或“接触到”另一元件等时,所述元件可以与所述另一元件“电接触”或“物理接触”;或与所述另一元件“间接接触”或“直接接触”。
如这里所使用的,术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值,并且意为:考虑到正在讨论的测量以及与具体量的测量相关的误差(例如,测量系统的局限性),在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如,“约(大约)”可以意为在一个或更多个标准偏差内,或在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%内。
除非这里另有定义或暗示,否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于形式化的意义来解释,除非在说明书中明确地定义。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图1和图2,显示装置1000可以包括第一基底100、第二基底200、密封构件300和填充层350。第二基底200可以面向第一基底100并且定位在第一方向D1上,第一方向D1是显示装置1000的相对于第一基底100的向前方向。
第一基底100可以包括多个像素PX并且可以被称为显示基底。第二基底200可以包括颜色转换部,并且可以被称为颜色转换基底。颜色转换部可以设置在显示区域DA中,并且可以转换从第一基底100的发光器件产生的光的波长。第二基底200还可以包括透射特定颜色的光的滤色器层。
密封构件300可以将第一基底100和第二基底200结合。密封构件300可以在第一基底100与第二基底200之间设置在外围区域PA中。例如,密封构件300可以在第一基底100与第二基底200之间设置在外围区域PA中,并且在平面图中围绕显示区域DA。在实施例中,密封构件300可以在平面图中具有中空矩形形状。然而,公开不必限于此,并且密封构件300可以根据第一基底100或第二基底200的平面形状而具有各种平面形状。例如,在第一基底100或第二基底200在平面图中具有诸如三角形、菱形、多边形、圆形或椭圆形的形状的情况下,密封构件300可以在平面图中具有诸如中空三角形、中空菱形、中空多边形、中空圆形或中空椭圆形的形状。在其他实施例中,可以根据需要而省略密封构件300。
在实施例中,填充层350可以设置在第一基底100与第二基底200之间。例如,填充层350可以用作抵抗施加到显示装置1000的外部压力的缓冲器。例如,填充层350可以保持第一基底100与第二基底200之间的间隙。在另一实施例中,可以省略填充层350。
显示装置1000(例如,第一基底100和第二基底200中的每个)可以包括显示区域DA和外围区域PA。在实施例中,显示区域DA可以显示图像,外围区域PA可以定位为与显示区域DA相邻。例如,在平面图中,外围区域PA可以围绕显示区域DA。在实施例中,外围区域PA可以包括第一区域AA和第二区域BA。
由第二基底200的光阻挡层限定的开口可以设置在第一区域AA中。此外,第一区域AA可以在第一方向D1上与第一基底100的对准键叠置。因此,可以根据第一区域AA确定第一基底100与第二基底200之间是否存在对准误差。第一区域AA可以被称为对准区域。
第二区域BA可以定位为与第一区域AA相邻。例如,第二区域BA可以围绕第一区域AA。在第二区域BA中,第二基底200的第一光阻挡层至第三光阻挡层可以在第一方向D1上彼此叠置。因此,可以有效地阻挡在第一方向D1上行进的光。第二区域BA可以被称为光阻挡区域。
在实施例中,第一区域AA可以设置在显示装置1000的四个角处。尽管图1示出了第一区域AA设置在显示装置1000的四个角中的每个处,但是公开不必限于此。在另一实施例中,第一区域AA可以设置在各种位置中并且以各种数量设置,只要它在外围区域PA内即可。例如,第一区域AA可以彼此对角地设置在显示装置1000的两个角处,或者设置在显示装置1000的同一侧。
多个像素PX可以设置在显示区域DA中。像素PX中的每个可以包括驱动器件和发光器件。当像素PX发光时,显示区域DA可以显示图像。
像素PX中的每个可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。子像素SPX1、SPX2和SPX3中的每个可以包括驱动器件和发光器件。驱动器件可以包括至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。发光器件可以根据驱动信号生成光。例如,发光器件可以是无机发光二极管或有机发光二极管。
在实施例中,第一子像素SPX1可以是发射红光的红色子像素,第二子像素SPX2可以是发射绿光的绿色子像素,第三子像素SPX3可以是发射蓝光的蓝色子像素。然而,从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3发射的光的颜色不限于此。此外,虽然像素PX中的每个被示出为包括三个子像素,但是不必限于此。例如,像素PX中的每个还可以包括发射白光的第四子像素。
显示装置1000可以包括设置在外围区域PA中的驱动器。例如,驱动器可以包括栅极驱动器和数据驱动器。驱动器可以电连接到像素PX。驱动器可以提供用于从像素PX发射光的信号和电压。
图3是示出根据实施例的图1的显示装置的示意性剖视图。
参照图1至图3,第一基底100可以包括第一基体基底110、缓冲层120、下金属图案BML、有源图案ACT、栅极绝缘层130、栅电极GAT、第一层间绝缘层140、连接电极CE、第二层间绝缘层150、对准键AK、像素电极ADE、像素限定层160、发光层EL、共电极CTE和封装层170。
第一基体基底110可以包括透明材料或不透明材料。在实施例中,可以用作第一基体基底110的材料的示例可以包括玻璃、石英或塑料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第一基体基底110可以形成为单层或形成为多层。
下金属图案BML可以在第一基体基底110上设置在显示区域DA中。在实施例中,下金属图案BML可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。可以用作下金属图案BML的材料的示例可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。此外,下金属图案BML可以形成为单层或形成为多层。
缓冲层120可以设置在第一基体基底110上,并覆盖下金属图案BML。缓冲层120可以防止诸如氧和湿气的杂质通过第一基体基底110扩散到第一基体基底110上的层中。缓冲层120可以包括诸如硅化合物或金属氧化物的无机绝缘材料。无机绝缘材料的示例可以包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)、碳氮化硅(SiCN)、氧化铝(AlO)和氮化铝(AlN)、氧化钽(TaO)、氧化铪(HfO)、氧化锆(ZrO)或氧化钛(TiO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。缓冲层120可以具有单层结构或包括多个绝缘层的多层结构。
有源图案ACT可以设置在缓冲层120上。在实施例中,有源图案ACT可以由硅半导体材料或氧化物半导体材料形成。可以用作有源图案ACT的硅半导体材料的示例可以包括非晶硅和多晶硅。可以用作有源图案ACT的氧化物半导体材料的示例可以包括IGZO(InGaZnO)和ITZO(InSnZnO)。氧化物半导体材料还可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
栅极绝缘层130可以设置在有源图案ACT上。在实施例中,栅极绝缘层130可以由绝缘材料形成。可以用作栅极绝缘层130的绝缘材料的示例可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。在实施例中,如图3中所示,栅极绝缘层130可以以图案形式设置在有源图案ACT上。然而,公开不必限于此,并且在另一实施例中,栅极绝缘层130可以整个地形成在缓冲层120上以覆盖有源图案ACT。
栅电极GAT可以设置在栅极绝缘层130上。在实施例中,栅电极GAT可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。可以用作栅电极GAT的材料的示例可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一层间绝缘层140可以设置在缓冲层120和栅极绝缘层130上。第一层间绝缘层140可以覆盖栅电极GAT。接触孔可以限定在第一层间绝缘层140中。接触孔可以暴露有源图案ACT的一部分。在实施例中,第一层间绝缘层140可以由无机绝缘材料形成。可以用作第一层间绝缘层140的无机绝缘材料的示例可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
连接电极CE可以设置在第一层间绝缘层140上。连接电极CE可以通过接触孔接触有源图案ACT。在实施例中,连接电极CE可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。可以用作连接电极CE的材料的示例可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第二层间绝缘层150可以设置在第一层间绝缘层140上。第二层间绝缘层150可以覆盖连接电极CE。在实施例中,如图3中所示,第二层间绝缘层150可以是单层。然而,公开不必限于此,并且在另一实施例中,第二层间绝缘层150可以包括多个层。例如,第二层间绝缘层150可以包括设置在第一层间绝缘层140上的钝化层和设置在钝化层上的过孔绝缘层。
对准键AK可以在第一基体基底110上设置在外围区域PA中。例如,对准键AK可以在第一方向D1上与第二基底200的开口AO叠置。对准键AK可以设置为当将第一基底100和第二基底200接合时确定第一基底100与第二基底200之间的对准误差。
在实施例中,下金属图案BML、栅电极GAT和连接电极CE中的一个和对准键AK可以包括相同的材料。例如,对准键AK可以包括金属。可以用作对准键AK的材料的示例可以包括银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
例如,对准键AK可以与下金属图案BML、栅电极GAT或连接电极CE一起形成。换句话说,下金属图案BML、栅电极GAT和连接电极CE中的一个和对准键AK可以形成在同一层。例如,如图3中所示,在对准键AK与栅电极GAT一起形成的情况下,对准键AK可以以图案形式设置在设置于缓冲层120上的栅极绝缘层130上,并且被第一层间绝缘层140覆盖。在实施例中,对准键AK和在第一基体基底110上设置在外围区域PA中的栅极绝缘层130可以在平面图中具有相同的图案。换句话说,对准键AK和在第一基体基底110上设置在外围区域PA中的栅极绝缘层130的形状可以在平面图中基本上相同。然而,公开不必限于此。在另一实施例中,对准键AK可以设置在栅极绝缘层130上,并且栅极绝缘层130可以设置在缓冲层120的整个区域上并在外围区域PA中被第一层间绝缘层140覆盖。在另一实施例中,在对准键AK与下金属图案BML一起形成的情况下,对准键AK可以设置在第一基体基底110上并被缓冲层120覆盖。在另一实施例中,在对准键AK与连接电极CE一起形成的情况下,对准键AK可以设置在第一层间绝缘层140上并被第二层间绝缘层150覆盖。
在实施例中,对准键AK可以在平面图中具有十字形形状。然而,公开不必限于此,并且对准键AK可以具有用于在将第一基底100和第二基底200接合时确定第一基底100与第二基底200之间的对准误差的各种平面形状。例如,对准键AK可以在平面图中具有诸如多边形、圆形、椭圆形、‘T’形或‘L’形的形状。
在实施例中,在平面图中,对准键AK可以与密封构件300间隔开。例如,对准键AK可以设置在外围区域PA中,并且可以不在第一方向D1上与密封构件300叠置。换句话说,在平面图中,对准键AK可以设置在密封构件300与显示区域DA之间。然而,公开不必限于此,并且在另一实施例中,对准键AK可以在第一方向D1上与密封构件300叠置。
像素电极ADE可以在第二层间绝缘层150上设置在显示区域DA中。像素电极ADE可以通过形成在第二层间绝缘层150中的接触孔接触连接电极CE。像素电极ADE可以包括诸如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料的导电材料。像素电极ADE可以具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。
像素限定层160可以设置在第二层间绝缘层150上。像素限定层160可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的示例可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。像素限定层160可以暴露像素电极ADE的至少一部分。
发光层EL可以设置在由像素限定层160暴露的像素电极ADE上。在实施例中,发光层EL可以在显示区域DA中遍及像素连续地延伸。例如,发光层EL可以设置在像素电极ADE和像素限定层160上。在另一实施例中,子像素SPX1、SPX2或SPX3的发光层EL可以与相邻的子像素的发光层分离。
在实施例中,发光层EL可以具有其中多个层彼此堆叠的多层结构。例如,在发光层EL产生蓝光的情况下,发光层EL可以具有其中多个蓝色有机发光层彼此堆叠的结构。在另一实施例中,发光层EL可以具有其中发射不同颜色的光的多个层彼此堆叠的多层结构。例如,在发光层EL产生蓝光的情况下,发光层EL可以具有其中多个蓝色有机发光层和发射除了蓝色之外的颜色的光的有机发光层彼此堆叠的结构。例如,发光层EL可以具有其中三个蓝色有机发光层和一个绿色有机发光层彼此堆叠的结构。
共电极CTE可以设置在发光层EL上。共电极CTE可以包括诸如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料的导电材料。共电极CTE可以具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。在实施例中,共电极CTE可以在显示区域DA中遍及像素PX连续地延伸。发光层EL可以基于像素电极ADE与共电极CTE之间的电压差而发光。
因此,包括像素电极ADE、发光层EL和共电极CTE的发光器件LED可以设置在第一基体基底110上。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以包括发光器件LED。
尽管未示出,但是在另一实施例中,空穴控制层可以设置在像素电极ADE与发光层EL之间。空穴控制层可以包括空穴传输层,并且还可以包括空穴注入层。在另一实施例中,电子控制层可以设置在发光层EL与共电极CTE之间。电子控制层可以包括电子传输层,并且还可以包括电子注入层。
封装层170可以设置在共电极CTE上。封装层170可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中,封装层170可以包括设置在共电极CTE上的第一无机封装层171、设置在第一无机封装层171上的有机封装层172以及设置在有机封装层172上的第二无机封装层173。
第二基底200可以在第一方向D1上设置在封装层170上。在下文中,第一方向D1可以被称为向前方向或厚度方向。
在实施例中,第二基底200可以包括第二基体基底210、滤色器层220、光阻挡构件230、折射层240、第一盖层250、分隔壁结构260、第一颜色转换部272、第二颜色转换部274、透光部276和第二盖层280。
第二基体基底210可以包括透明材料或不透明材料。在实施例中,可以用作第二基体基底210的材料的示例可以包括玻璃、石英或塑料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第二基体基底210可以形成为单层或多层。第二基体基底210可以包括上述显示区域DA和包含第一区域AA和第二区域BA的外围区域PA。
滤色器层220可以在第二基体基底210下方设置在显示区域DA中。在实施例中,滤色器层220可以包括红色滤色器220R、绿色滤色器220G和蓝色滤色器220B。红色滤色器220R可以透射红光,并且阻挡具有与红光不同的颜色的光。绿色滤色器220G可以透射绿光,并且阻挡具有与绿光不同颜色的光。蓝色滤色器220B可以透射蓝光,并且阻挡具有与蓝光不同颜色的光。
在实施例中,在第一方向D1上,红色滤色器220R可以与第一颜色转换部272部分地叠置,绿色滤色器220G可以与第二颜色转换部274部分地叠置,蓝色滤色器220B可以与透光部276部分地叠置。
在实施例中,红色滤色器220R的部分、绿色滤色器220G的部分和蓝色滤色器220B的部分可以在第一方向D1上彼此叠置。因此,可以防止相邻的子像素SPX1、SPX2和SPX3之间的颜色混合。
光阻挡构件230可以在第二基体基底210下方设置在外围区域PA中。光阻挡构件230可以防止从显示装置1000的外部观察到设置在第一基底100的外围区域PA中的电路结构(诸如线和驱动电路)。光阻挡构件230可以通过穿过第二基体基底210的外围区域PA来防止从电路结构反射的光或从显示区域DA发射的光在向前方向(例如,第一方向D1)上发射。
光阻挡构件230可以包括多个光阻挡层。例如,光阻挡构件230可以包括第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236。在第二基体基底210下方在第二区域BA中,第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236可以在第二方向D2上延伸,并且在第一方向D1上彼此叠置。因此,光阻挡构件230可以有效地阻挡在第一方向D1上行进的光。
在实施例中,第一光阻挡层232可以设置在第二基体基底210的下表面上,第二光阻挡层234可以设置在第一光阻挡层232的下表面上,第三光阻挡层236可以设置在第二光阻挡层234的下表面上。换句话说,在第二区域BA中,第三光阻挡层236可以设置在光阻挡构件230的最下部分上。然而,公开不必限于此。在另一实施例中,在第二区域BA中,第一光阻挡层232可以设置在光阻挡构件230的最下部分上。在又一实施例中,第二光阻挡层234可以设置在光阻挡构件230的最下部分上。
在实施例中,第一光阻挡层232和蓝色滤色器220B可以包括相同的材料,第二光阻挡层234和红色滤色器220R可以包括相同的材料,第三光阻挡层236和绿色滤色器220G可以包括相同的材料。例如,第一光阻挡层232可以与蓝色滤色器220B一起形成,第二光阻挡层234可以与红色滤色器220R一起形成,第三光阻挡层236可以与绿色滤色器220G一起形成。例如,第一光阻挡层232可以为蓝光阻挡层,第二光阻挡层234可以为红光阻挡层,第三光阻挡层236可以为绿光阻挡层。
图4是示出图3的区域‘A’的放大视图。
参照图1至图4,第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236中的两个可以限定(或包括)定位在第一区域AA中的开口AO,并且另一个可以覆盖第一区域AA中的开口AO中的至少一个。
例如,如图3和图4中所示,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第一光阻挡层232和第三光阻挡层236可以限定开口AO,并且第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO,且在第二方向D2上延伸以在第一方向D1上与第一光阻挡层232和第三光阻挡层236叠置。
在平面图中,开口AO可以与第一基底100的对准键AK叠置。因此,当将第一基底100和第二基底200接合时,可以通过使用开口AO和对准键AK来确定是否存在对准误差。例如,开口AO可以是用于确定第一基底100与第二基底200之间的对准误差的对准开口。
在实施例中,开口AO可以包括由限定开口AO的光阻挡层中的一个限定的第一子开口AO1和由限定开口AO的光阻挡层中的另一个限定的第二子开口AO2。
例如,如图3和图4中所示,开口AO可以包括由第一光阻挡层232限定的第一子开口AO1和由第三光阻挡层236限定的第二子开口AO2。例如,第一子开口AO1可以穿过第一光阻挡层232,并暴露第二基体基底210的一部分,第二子开口AO2可以穿过第三光阻挡层236,并暴露第二光阻挡层234的一部分。
在实施例中,在剖视图中,第一子开口AO1在第二方向D2上的宽度可以小于第二子开口AO2在第二方向D2上的宽度。例如,开口AO的内表面可以具有台阶。
此外,在剖视图中,第一子开口AO1在第二方向D2上的宽度和第二子开口AO2在第二方向D2上的宽度可以小于对准键AK在第二方向D2上的宽度。换句话说,开口AO在第二方向D2上的宽度可以小于对准键AK在第二方向D2上的宽度。因此,当将第一基底100和第二基底200接合时,可以更准确地确定第一基底100与第二基底200之间的对准误差。
根据实施例,开口AO可以被第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236中的一个覆盖。例如,如图3和图4中所示,第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO。因此,可以降低由于外部光导致的对准键AK的可见性。因此,在将第一基底100和第二基底200接合之后,能够防止通过开口AO识别对准键AK。因此,可以改善显示装置1000的质量。
尽管在图3和图4中示出了第一光阻挡层232和第三光阻挡层236限定开口AO且第二光阻挡层234覆盖开口AO,但公开不必限于此。例如,可以以各种组合来确定限定开口AO的光阻挡层和覆盖开口AO的光阻挡层。这将在下面参照图9至图18详细描述。
折射层240可以设置在滤色器层220和光阻挡构件230下方。例如,折射层240可以设置在显示区域DA和外围区域PA的整个区域中。例如,折射层240可以覆盖显示区域DA中的滤色器层220和外围区域PA中的光阻挡构件230。折射层240可以控制从下部发射的光的路径。例如,折射层240可以将倾斜入射的光的路径改变为向前方向(例如,改变为第一方向D1)。因此,折射层240可以提高显示装置1000的发光效率。
在实施例中,折射层240可以包括中空颗粒。中空颗粒可以分散在树脂基质中。中空颗粒可以包括无机材料。例如,中空颗粒可以包括二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)或氧化铁(Fe3O4)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。树脂基质可以包括丙烯酸树脂、硅氧烷树脂、氨基甲酸乙酯树脂或酰亚胺树脂等,并且可以考虑折射率和工艺效率来选择。
第一盖层250可以设置在折射层240下方。例如,第一盖层250可以设置在显示区域DA和外围区域PA的整个区域中。例如,第一盖层250可以覆盖折射层240。在实施例中,第一盖层250可以包括无机绝缘材料。
分隔壁结构260可以在第一盖层250下方设置在显示区域DA中。分隔壁结构260可以在形成第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276的工艺中形成能够容纳墨组合物的空间。例如,分隔壁结构260可以在平面图中具有网格形状或矩阵形状。
在实施例中,分隔壁结构260可以包括有机材料。在实施例中,分隔壁结构260可以包括光阻挡材料。例如,分隔壁结构260的至少一部分可以包括诸如黑色颜料、染料或炭黑的光阻挡材料。
第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276可以在第一盖层250下方设置在显示区域DA中。例如,第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276可以分别设置在由分隔壁结构260限定的空间内。第一颜色转换部272可以设置在第一子像素SPX1中,第二颜色转换部274可以设置在第二子像素SPX2中,透光部276可以设置在第三子像素SPX3中。
第一颜色转换部272可以将从发光器件LED发射的入射光L1B(例如,蓝光)转换为具有第一颜色的第一透射光L2R。例如,第一颜色转换部272可以将蓝色的入射光L1B进行转换以发射红色的第一透射光L2R。未被第一颜色转换部272转换的蓝光可以被红色滤色器220R阻挡。在实施例中,第一颜色转换部272可以包括树脂部272a、散射体272b和波长转换颗粒272c。
散射体272b可以通过将入射光L1B进行散射来增加光路,而基本上不改变入射到第一颜色转换部272的入射光L1B的波长。散射体272b可以包括金属氧化物或有机材料。在另一实施例中,可以省略散射体272b。
在实施例中,波长转换颗粒272c可以包括量子点。量子点可以定义为具有纳米晶体的半导体材料。量子点可以根据其组分和尺寸而具有特定的带隙。因此,量子点可以吸收入射光并发射具有与入射光的波长不同的波长的光。例如,量子点可以具有小于或等于约100nm的直径。例如,量子点可以具有在约1nm至约20nm的范围内的直径。例如,第一颜色转换部272的波长转换颗粒272c可以包括吸收蓝光并发射红光的量子点。
散射体272b和波长转换颗粒272c可以设置在树脂部272a中。例如,树脂部272a可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、苯酚类树脂、三聚氰胺类树脂、卡多(cardo)类树脂或酰亚胺类树脂等。
第二颜色转换部274可以将从发光器件LED发射的入射光L1B转换为具有第二颜色的第二透射光L2G。例如,第二颜色转换部274可以将蓝色的入射光L1B进行转换以发射绿色的第二透射光L2G。未被第二颜色转换部274转换的蓝光可以被绿色滤色器220G阻挡。在实施例中,第二颜色转换部274可以包括树脂部274a、散射体274b和波长转换颗粒274c。
第二颜色转换部274的树脂部274a和散射体274b可以与第一颜色转换部272的树脂部272a和散射体272b基本上相同或相似。例如,第二颜色转换部274的波长转换颗粒274c可以包括吸收蓝光并发射绿光的量子点。
透光部276可以透射从发光器件LED发射的入射光L1B。例如,透光部276可以发射具有与蓝色的入射光L1B的波长基本上相同的波长的第三透射光L2B。在实施例中,透光部276可以包括树脂部276a和散射体276b。透光部276的树脂部276a和散射体276b可以与第一颜色转换部272的树脂部272a和散射体272b基本上相同或相似。
第二盖层280可以设置在第一盖层250、分隔壁结构260、第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276下方。例如,第二盖层280可以设置在显示区域DA和外围区域PA的整个区域中。例如,第二盖层280可以覆盖显示区域DA中的分隔壁结构260、第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276,并且覆盖外围区域PA中的第一盖层250。在实施例中,第二盖层280可以包括硅化合物。
图5至图8是示出制造包括在图3的显示装置中的颜色转换基底的方法的示意性剖视图。
在下文中,将参照图5至图8简要地描述包括在图3的显示装置1000中的第二基底200的制造方法。
参照图5,可以在第二基体基底210上在显示区域DA中形成蓝色滤色器220B,并且可以在外围区域PA中在第二基体基底210上形成第一光阻挡层232。在平面图中,第一光阻挡层232可以形成为在外围区域PA中围绕显示区域DA。在实施例中,蓝色滤色器220B和第一光阻挡层232可以基本上同时形成。例如,蓝色滤色器220B和第一光阻挡层232可以包括相同的材料。第一光阻挡层232可以是蓝光阻挡层。
在实施例中,第一光阻挡层232可以限定第一子开口AO1。在实施例中,可以通过在形成第一光阻挡层232的工艺中调整曝光掩模的透射区域和非透射区域来将第一光阻挡层232的一部分图案化而形成第一子开口AO1。
参照图6,可以在第二基体基底210上在显示区域DA中形成红色滤色器220R,并且可以在外围区域PA中在第二基体基底210上形成第二光阻挡层234。在平面图中,第二光阻挡层234可以形成为在外围区域PA中围绕显示区域DA。在实施例中,红色滤色器220R和第二光阻挡层234可以基本上同时形成。例如,红色滤色器220R和第二光阻挡层234可以包括相同的材料。第二光阻挡层234可以是红光阻挡层。第二光阻挡层234可以填充第一子开口AO1。例如,第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的第一子开口AO1,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第一光阻挡层232叠置。
参照图7,可以在第二基体基底210上在显示区域DA中形成绿色滤色器220G,并且可以在外围区域PA中在第二基体基底210上形成第三光阻挡层236。在平面图中,第三光阻挡层236可以形成为在外围区域PA中围绕显示区域DA。在实施例中,绿色滤色器220G和第三光阻挡层236可以基本上同时形成。例如,绿色滤色器220G和第三光阻挡层236可以包括相同的材料。第三光阻挡层236可以是绿光阻挡层。
在实施例中,第三光阻挡层236可以限定第二子开口AO2。在实施例中,可以通过在形成第三光阻挡层236的工艺中调整曝光掩模的透射区域和非透射区域来将第三光阻挡层236的一部分图案化而形成第二子开口AO2。第一子开口AO1和第二子开口AO2可以构成开口AO。
第二子开口AO2可以在第一方向D1上与第二光阻挡层234的在第一区域AA中的一部分叠置。因此,第二子开口AO2可以被第二光阻挡层234覆盖。例如,第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的第二子开口AO2,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第一光阻挡层232和第三光阻挡层236叠置。
因此,第一光阻挡层232和第三光阻挡层236可以形成为限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO。
参照图8,可以在第二基体基底210上在显示区域DA和外围区域PA中形成折射层240。折射层240可以形成为覆盖滤色器层220和光阻挡构件230。可以在第二基体基底210上在显示区域DA和外围区域PA中形成第一盖层250。第一盖层250可以形成为覆盖折射层240。可以在第一盖层250上在显示区域DA中形成分隔壁结构260。可以由分隔壁结构260形成用于形成第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276的空间。可以在由分隔壁结构260限定的空间中分别形成第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276。可以在分隔壁结构260、第一颜色转换部272、第二颜色转换部274和透光部276上在显示区域DA中形成第二盖层280,并且在第一盖层250上在外围区域PA中形成第二盖层280。第二盖层280可以形成为覆盖分隔壁结构260、第一颜色转换部272、第二颜色转换部274、透光部276和第一盖层250。
图9至图18是示出根据其他实施例的显示装置的示意性剖视图。
例如,图9、图11、图13、图15和图17可以与图3的剖视图对应。图10可以是示出图9的区域‘B’的放大视图。图12可以是示出图11的区域‘C’的放大视图。图14可以是示出图13的区域‘D’的放大视图。图16可以是示出图15的区域‘E’的放大视图。图18可以是示出图17的区域‘F’的放大视图。在以下描述中,将描述与参照图3和图4描述的显示装置1000的差异,并且将省略或简化重复的描述。
参照图9和图10,在实施例中,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第二光阻挡层234和第三光阻挡层236可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第一光阻挡层232可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第一光阻挡层232可以覆盖第一区域AA中的开口AO,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第二光阻挡层234和第三光阻挡层236叠置。
第一子开口AO1可以由第二光阻挡层234限定,并且第二子开口AO2可以由第三光阻挡层236限定。例如,第一子开口AO1可以穿过第二光阻挡层234并暴露第一光阻挡层232的一部分,第二子开口AO2可以穿过第三光阻挡层236并暴露第一光阻挡层232的一部分和第二光阻挡层234的一部分。
参照图11和图12,在实施例中,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第一光阻挡层232和第二光阻挡层234可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第一光阻挡层232和第二光阻挡层234叠置。
第一子开口AO1可以由第一光阻挡层232限定,并且第二子开口AO2可以由第二光阻挡层234限定。例如,第一子开口AO1可以穿过第一光阻挡层232并暴露第二基体基底210的一部分,并且第二子开口AO2可以穿过第二光阻挡层234并暴露第二基体基底210的一部分和第一光阻挡层232的一部分。
参照图13至图18,在实施例中,第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236中的一个可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且另外两个可以覆盖第一区域AA中的开口AO。
例如,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第三光阻挡层236可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第一光阻挡层232和第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第一光阻挡层232和第二光阻挡层234可以覆盖第一区域AA中的开口AO,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第三光阻挡层236叠置。开口AO可以穿过第三光阻挡层236且暴露第二光阻挡层234的一部分。
在实施例中,在剖视图中,开口AO在第二方向D2上的宽度可以小于对准键AK在第二方向D2上的宽度。因此,当将第一基底100和第二基底200接合时,可以更准确地确定第一基底100与第二基底200之间的对准误差。
尽管在图13和图14中示出了第三光阻挡层236限定定位在第一区域AA中的开口AO并且第一光阻挡层232和第二光阻挡层234覆盖开口AO,但是公开不必限于此。例如,可以以各种组合来确定限定开口AO的光阻挡层和覆盖开口AO的光阻挡层。
例如,在另一实施例中,如图15和图16中所示,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第二光阻挡层234可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第一光阻挡层232和第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第一光阻挡层232和第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第二光阻挡层234叠置。开口AO可以穿过第二光阻挡层234且暴露第一光阻挡层232的一部分。
在又一实施例中,如图17和图18中所示,在第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236之中,第一光阻挡层232可以限定定位在第一区域AA中的开口AO,并且第二光阻挡层234和第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO。例如,第二光阻挡层234和第三光阻挡层236可以覆盖第一区域AA中的开口AO,并且在第二方向D2上延伸以在第二区域BA中在第一方向D1上与第一光阻挡层232叠置。开口AO可以穿过第一光阻挡层232且暴露第二基体基底210的一部分。
根据实施例,开口AO可以被第一光阻挡层232、第二光阻挡层234和第三光阻挡层236中的两个覆盖。因此,可以进一步降低由于外部光导致的对准键AK的可见性。因此,在将第一基底100和第二基底200接合之后,能够进一步防止通过开口AO识别对准键AK。因此,可以进一步改善显示装置1000的质量。
以上描述是公开的技术特征的示例,并且公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此,上述公开的实施例可以单独地或彼此组合地实现。
因此,公开中所公开的实施例不旨在限制公开的技术精神,而是描述公开的技术精神,并且公开的技术精神的范围不受这些实施例限制。公开的保护范围应由权利要求解释,并且应解释为等同范围内的所有技术精神包括在公开的范围内。

Claims (10)

1.一种颜色转换基底,其特征在于,所述颜色转换基底包括:
显示区域和外围区域,所述外围区域设置为与所述显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;
滤色器层,设置在所述显示区域中;以及
光阻挡构件,设置在所述外围区域中,并且包括在所述第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,所述第一方向是所述颜色转换基底的厚度方向,其中,
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的两个光阻挡层中的每个在所述第一区域中包括开口,并且
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的另一个光阻挡层覆盖所述第一区域中的开口中的至少一个开口。
2.根据权利要求1所述的颜色转换基底,其特征在于,
所述滤色器层包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,
所述第一光阻挡层和所述蓝色滤色器包括相同的材料,
所述第二光阻挡层和所述红色滤色器包括相同的材料,并且
所述第三光阻挡层和所述绿色滤色器包括相同的材料。
3.根据权利要求2所述的颜色转换基底,其特征在于,开口包括:
第一子开口,设置在所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的包括开口的一个光阻挡层中;以及
第二子开口,设置在所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的包括开口的另一光阻挡层中。
4.根据权利要求3所述的颜色转换基底,其特征在于,在剖视图中,所述第一子开口在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度小于所述第二子开口在所述第二方向上的宽度。
5.一种颜色转换基底,其特征在于,所述颜色转换基底包括:
显示区域和外围区域,所述外围区域设置为与所述显示区域相邻,并且包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;
滤色器层,设置在所述显示区域中;以及
光阻挡构件,设置在所述外围区域中,并且包括在所述第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,所述第一方向是所述颜色转换基底的厚度方向,其中,
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的一个光阻挡层在所述第一区域中包括开口,并且
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层覆盖所述第一区域中的开口。
6.根据权利要求5所述的颜色转换基底,其特征在于,
所述滤色器层包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,
所述第一光阻挡层和所述蓝色滤色器包括相同的材料,
所述第二光阻挡层和所述红色滤色器包括相同的材料,并且
所述第三光阻挡层和所述绿色滤色器包括相同的材料。
7.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
显示基底,包括第一基体基底和设置在所述第一基体基底上的像素;以及
颜色转换基底,面向所述显示基底;其中,
所述颜色转换基底包括:第二基体基底,包括显示区域和外围区域,所述外围区域设置为与所述显示区域相邻且包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;滤色器层,在所述第二基体基底下方设置在所述显示区域中;以及光阻挡构件,在所述第二基体基底下方设置在所述外围区域中,并且包括在所述第二区域中在第一方向上彼此叠置的第一光阻挡层、第二光阻挡层和第三光阻挡层,所述第一方向是所述第二基体基底的厚度方向,
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的至少一个光阻挡层在所述第一区域中包括开口,并且
所述第一光阻挡层至所述第三光阻挡层中的至少另一个光阻挡层覆盖所述第一区域中的开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述滤色器层包括选择性地透射红光的红色滤色器、选择性地透射绿光的绿色滤色器和选择性地透射蓝光的蓝色滤色器,
所述第一光阻挡层和所述蓝色滤色器包括相同的材料,
所述第二光阻挡层和所述红色滤色器包括相同的材料,并且
所述第三光阻挡层和所述绿色滤色器包括相同的材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示基底还包括对准键,所述对准键设置在所述第一基体基底上并且在所述第一方向上与开口叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,在剖视图中,开口在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度小于所述对准键在所述第二方向上的宽度。
CN202321567199.7U 2022-09-07 2023-06-19 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置 Active CN220307717U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220113314A KR20240034920A (ko) 2022-09-07 2022-09-07 색 변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR10-2022-0113314 2022-09-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220307717U true CN220307717U (zh) 2024-01-05

Family

ID=89346975

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310724468.4A Pending CN117677238A (zh) 2022-09-07 2023-06-19 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置
CN202321567199.7U Active CN220307717U (zh) 2022-09-07 2023-06-19 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310724468.4A Pending CN117677238A (zh) 2022-09-07 2023-06-19 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240079535A1 (zh)
KR (1) KR20240034920A (zh)
CN (2) CN117677238A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN117677238A (zh) 2024-03-08
US20240079535A1 (en) 2024-03-07
KR20240034920A (ko) 2024-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI703720B (zh) 包含反射層之顯示裝置
KR20200086413A (ko) 광학필터 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US20210066643A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20200083879A (ko) 색변환 기판 및 표시 장치
CN112649988A (zh) 显示装置
CN220307717U (zh) 颜色转换基底和包括该颜色转换基底的显示装置
KR20220014470A (ko) 표시 장치
KR20220019198A (ko) 표시 장치
US20240099103A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240047492A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN221127823U (zh) 显示装置
CN116210365B (zh) 显示面板和显示装置
US20230163255A1 (en) Color conversion substrate and display device including the same
US20230180524A1 (en) Display device
US20230389363A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN219514545U (zh) 颜色转换基板
CN218831234U (zh) 显示设备
US20240014363A1 (en) Display device
CN214476125U (zh) 显示面板和显示装置
US20230345791A1 (en) Color conversion substrate and display device including the same
CN116782685A (zh) 显示装置
US20240142678A1 (en) Display device
US20240057435A1 (en) Display device
US20230189560A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN116096175A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant