CN220306237U - 一种晶圆背面吸附装置 - Google Patents
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- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本实用新型涉及晶圆检测辅助技术领域，具体为一种晶圆背面吸附装置，包括无刷电机，所述无刷电机的驱动端设置有连接板，所述连接板的底部通过螺栓连接有吸盘安装框，吸盘设置于所述吸盘安装框上，所述吸盘的中心处开设有可直接检测晶圆背面的检测口，所述吸盘的表面设置有真空柱，所述真空柱的一端设置有真空接头，所述真空柱的内部开设有真空通道。该晶圆背面吸附装置，通过吸盘上检测口的设置，可以在检测时，不会遮挡晶圆背面，还可以在晶圆背面进行打光检测，辅助检测设备对晶圆进行两面检测，提高了检测效率，通过吸嘴的设置，可以使该装置兼容晶圆3mm以内的翘曲度变形，还不会影响晶圆的吸附稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶圆检测辅助技术领域，具体为一种晶圆背面吸附装置。
背景技术
晶圆是指在半导体工艺中使用的圆形硅片或衬底，也称为硅片或衬片。它是制造集成电路的基础材料，晶圆一般由单晶硅材料制成，表面非常平整，制造晶圆的过程称为晶圆制造或半导体制造，涉及多个工艺步骤，如晶圆生长、切割、抛光和清洁，在晶圆上，可以通过光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散和金属沉积等工艺步骤来制造集成电路的各个组件和层次，一颗晶圆上可以制造多个芯片，通过切割和封装，将每个芯片作为独立的IC产品使用，晶圆制造是半导体工业中至关重要的一步，影响着集成电路的质量、效率和成本，而当晶圆制造完成后，需要对晶圆进行检测。
而传统的晶圆检测方式，通常在晶圆正面检测后，通过翻转机构对晶圆翻转，再对晶圆反面检测，不仅导致晶圆检测效率降低，还会在翻转时晶圆增加损坏的风险，同时晶圆在制作时，会存在一些翘曲度变形，导致传统晶圆正面吸附时稳定性较差，容易掉落，所以需要一种可以辅助检测同时避免这些问题的晶圆背面吸附装置。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种晶圆背面吸附装置，解决了上述背景技术中提出的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种晶圆背面吸附装置，包括无刷电机，所述无刷电机的驱动端设置有连接板，所述连接板的底部通过螺栓连接有吸盘安装框，吸盘设置于所述吸盘安装框上，所述吸盘的中心处开设有可直接检测晶圆背面的检测口，所述吸盘的表面设置有真空柱，所述真空柱的一端设置有真空接头，所述真空柱的内部开设有真空通道。
可选的，所述真空柱的数量为四个，四个所述真空柱呈环形阵列的形式分布在所述吸盘上。
可选的，所述真空柱另一端的顶部设置有吸嘴，所述吸嘴的表面套接有密封圈。
可选的，所述吸盘安装框的一侧开设有用于方便放置晶圆的放置口。
可选的，所述真空接头的数量与所述真空柱的数量相适配。
可选的，所述真空柱设置所述吸嘴的一端凸出所述吸盘的检测口。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种晶圆背面吸附装置，具备以下有益效果：
该晶圆背面吸附装置，通过吸盘上检测口的设置，可以在检测时，不会遮挡晶圆背面，还可以在晶圆背面进行打光检测，辅助检测设备对晶圆进行两面检测，提高了检测效率，通过吸嘴的设置，可以使该装置兼容晶圆3mm以内的翘曲度变形，还不会影响晶圆的吸附稳定性，同时吸嘴处密封圈的设置，可以最大限度的对晶圆翘曲度的变形进行兼容，同时保证吸附变形的晶圆时，真空区密封性的完整，通过吸盘与真空柱一体式的设置，可以方便该装置更换吸盘，来兼容不同尺寸的晶圆产品。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型吸盘结构示意图；
图3为本实用新型吸盘剖面结构示意图。
图中：1、无刷电机；2、连接板；3、吸盘安装框；4、吸盘；5、检测口；6、真空柱；7、真空接头；8、真空通道；9、吸嘴；10、密封圈；11、放置口。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：一种晶圆背面吸附装置，包括无刷电机1，无刷电机1的驱动端设置有连接板2，连接板2的底部通过螺栓连接有吸盘安装框3，吸盘安装框3的一侧开设有用于方便放置晶圆的放置口11，吸盘4设置于吸盘安装框3上，吸盘4的中心处开设有可直接检测晶圆背面的检测口5，通过吸盘4上检测口5的设置，可以在检测时，不会遮挡晶圆背面，还可以在晶圆背面进行打光检测，辅助检测设备对晶圆进行两面检测，提高了检测效率；
吸盘4的表面设置有真空柱6，真空柱6的数量为四个，四个真空柱6呈环形阵列的形式分布在吸盘4上，通过吸盘4与真空柱6一体式的设置，可以方便该装置更换吸盘，来兼容不同尺寸的晶圆产品，真空柱6的一端设置有真空接头7，真空接头7的数量与真空柱6的数量相适配，真空柱6另一端的顶部设置有吸嘴9，真空柱6设置吸嘴9的一端凸出吸盘4的检测口5，可以使该装置尽可能地少遮挡晶圆背面，通过吸嘴9的设置，可以使该装置兼容晶圆3mm以内的翘曲度变形，还不会影响晶圆的吸附稳定性，吸嘴9的表面套接有密封圈10，同时吸嘴9处密封圈10的设置，可以最大限度的对晶圆翘曲度的变形进行兼容，同时保证吸附变形的晶圆时，真空区密封性的完整，真空柱6的内部开设有真空通道8。
本实用新型中，该装置的工作步骤如下：
通过取料装置将晶圆放置在吸盘4中心处，通过真空接头7连接真空发生器，来抽取真空，使吸嘴吸附住晶圆背面，然后通过无刷电机1驱动吸盘安装框3旋转，使放置口11对准检测装置，使检测装置对放置的晶圆进行双面检测，而检测时，可以通过检测口对晶圆背面进行打光，提高检测效果。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种晶圆背面吸附装置，包括无刷电机(1)，其特征在于：所述无刷电机(1)的驱动端设置有连接板(2)，所述连接板(2)的底部通过螺栓连接有吸盘安装框(3)，吸盘(4)设置于所述吸盘安装框(3)上，所述吸盘(4)的中心处开设有可直接检测晶圆背面的检测口(5)，所述吸盘(4)的表面设置有真空柱(6)，所述真空柱(6)的一端设置有真空接头(7)，所述真空柱(6)的内部开设有真空通道(8)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面吸附装置，其特征在于：所述真空柱(6)的数量为四个，四个所述真空柱(6)呈环形阵列的形式分布在所述吸盘(4)上。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆背面吸附装置，其特征在于：所述真空柱(6)另一端的顶部设置有吸嘴(9)，所述吸嘴(9)的表面套接有密封圈(10)。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面吸附装置，其特征在于：所述吸盘安装框(3)的一侧开设有用于方便放置晶圆的放置口(11)。
5.根据权利要求2所述的一种晶圆背面吸附装置，其特征在于：所述真空接头(7)的数量与所述真空柱(6)的数量相适配。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆背面吸附装置，其特征在于：所述真空柱(6)设置所述吸嘴(9)的一端凸出所述吸盘(4)的检测口(5)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321975649.6U CN220306237U (zh) | 2023-07-25 | 2023-07-25 | 一种晶圆背面吸附装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321975649.6U CN220306237U (zh) | 2023-07-25 | 2023-07-25 | 一种晶圆背面吸附装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220306237U true CN220306237U (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=89374827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321975649.6U Active CN220306237U (zh) | 2023-07-25 | 2023-07-25 | 一种晶圆背面吸附装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220306237U (zh) |
-
2023
- 2023-07-25 CN CN202321975649.6U patent/CN220306237U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |