CN220306221U - 制冷载盘装置及半导体设备 - Google Patents
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Abstract
一种制冷载盘装置及半导体设备，制冷载盘装置包括：载盘主体，载盘主体包括用于承载晶圆的第一面、以及与第一面相背的第二面；终端冷台，位于载盘主体下方且朝向第二面，用于向载盘主体提供冷源；电加热装置，位于载盘主体和终端冷台之间，电加热装置用于产生热负载，以部分抵消终端冷台的制冷量输出。本实用新型的电加热装置，用于产生热负载，以部分抵消终端冷台的制冷量输出，相应使得终端冷台的温度和载盘主体的温度之间具有差值，从而调节载盘主体的温度；而且通过设置电加热装置，能够通过控制电信号的方式来调节电加热装置的热负载大小，从而调节对终端冷台的制冷量输出的抵消程度，故而能够获得更大的温度调节范围。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制冷载盘装置及半导体设备。
背景技术
载盘装置被广泛运用于半导体制造领域中。在半导体制程中，载盘装置用于在晶圆的加工(例如离子注入工艺)时承载晶圆，从而将晶圆固定于机台中，并提供了工艺操作平台。
随着半导体制造技术的不断发展，对制造工艺也提出了更高的要求。在一些工艺制程中，需要借助制冷载盘装置对晶圆进行冷却。
然而，在现有技术中，利用制冷载盘装置对晶圆进行冷却时，可调节的温度范围较小。
实用新型内容
本实用新型实施例解决的问题是提供一种制冷载盘装置及半导体处理设备，以增大制冷载盘装置对晶圆进行冷却时的温度调节范围。
为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种制冷载盘装置，包括：载盘主体，所述载盘主体包括用于承载晶圆的第一面、以及与所述第一面相背的第二面；终端冷台，位于所述载盘主体下方且朝向所述第二面，用于向所述载盘主体提供冷源；电加热装置，位于所述载盘主体和终端冷台之间，所述电加热装置用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台的制冷量输出。
可选的，所述电加热装置包括电阻丝。
可选的，所述电加热装置还包括用于承载所述电阻丝的基板，所述基板包括铝板、铝合金板或铜板。
可选的，所述终端冷台在水平面上的尺寸，大于所述电加热装置在水平面上的尺寸。
可选的，所述制冷载盘装置还包括：第一导热层，位于所述电加热装置和载盘主体之间；第二导热层，位于所述电加热装置和终端冷台之间。
可选的，所述第一导热层包括铝层、铟层、玻纤布层和导热硅脂层中的一种或多种；所述第二导热层包括铝层、铟层、玻纤布层和导热硅脂层中的一种或多种。
可选的，所述制冷载盘装置还包括：热阻层，位于所述电加热装置和终端冷台之间。
可选的，所述热阻层包括石英层和陶瓷层中的一种或两种。
可选的，沿所述热阻层顶面的法线方向，所述热阻层的厚度为1毫米至10毫米。
可选的，所述制冷载盘装置还包括：第二导热层，所述第二导热层包括位于所述热阻层和电加热装置之间的第一子导热层、以及所述终端冷台和热阻层之间的第二子导热层。
相应的，本实用新型实施例还提供一种半导体设备，包括：本实用新型实施例提供的制冷载盘装置。
可选的，所述半导体设备还包括：制冷腔室；冷阱，位于所述制冷腔室的入口位置处；其中，所述制冷载盘装置设置于所述制冷腔室内。
可选的，所述半导体设备包括刻蚀设备、沉积设备或离子注入设备。
与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下优点：
本实用新型实施例提供的制冷载盘装置包括位于所述载盘主体下方且朝向所述第二面的终端冷台，终端冷台用于向所述载盘主体提供冷源，还包括位于所述载盘主体和终端冷台之间的电加热装置，所述电加热装置用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台的制冷量输出，相应使得所述终端冷台的温度和载盘主体的温度之间具有差值，从而调节载盘主体的温度；而且通过设置电加热装置，能够通过控制电信号的方式来调节所述电加热装置的热负载大小，从而调节对所述终端冷台的制冷量输出的抵消程度；且与通入不同流量的气体来调节载盘主体的温度的方案相比，电加热装置的热负载不受气体比热容的影响，故而能够获得更大的温度调节范围，综上，本实用新型增大了制冷载盘装置对晶圆进行冷却时的温度调节范围。
附图说明
图1是本实用新型制冷载盘装置一实施例的结构示意图；
图2是本实用新型制冷载盘装置一实施例的爆炸图；
图3是本实用新型制冷载盘装置的电加热装置一实施例的结构示意图；
图4是本实用新型半导体设备一实施例的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前利用制冷载盘装置对晶圆进行冷却时，可调节的温度范围仍有待拓宽。
具体地，目前利用制冷载盘装置对晶圆进行冷却时，通常采用在冷源和制冷载盘装置之间通入不同流量的气体的方式来调节载盘主体的温度。然而，这种方式因受通入气体的比热容限制，而导致温度调节范围较小。
为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种制冷载盘装置，包括：载盘主体，所述载盘主体包括用于承载晶圆的第一面、以及与所述第一面相背的第二面；终端冷台，位于所述载盘主体下方且朝向所述第二面，用于向所述载盘主体提供冷源；电加热装置，位于所述载盘主体和终端冷台之间，所述电加热装置用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台的制冷量输出。
本实用新型实施例提供的制冷载盘装置包括位于所述载盘主体下方且朝向所述第二面的终端冷台，终端冷台用于向所述载盘主体提供冷源，还包括位于所述载盘主体和终端冷台之间的电加热装置，所述电加热装置用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台的制冷量输出，相应使得所述终端冷台的温度和载盘主体的温度之间具有差值，从而调节载盘主体的温度；而且通过设置电加热装置，能够通过控制电信号的方式来调节所述电加热装置的热负载大小，从而调节对所述终端冷台的制冷量输出的抵消程度；且与通入不同流量的气体来调节载盘主体的温度的方案相比，电加热装置的热负载不受气体比热容的影响，故而能够获得更大的温度调节范围，综上，本实用新型增大了制冷载盘装置对晶圆进行冷却时的温度调节范围。
为了使本实用新型实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例做详细的说明。
图1是本实用新型制冷载盘装置一实施例的结构示意图；图2是本实用新型制冷载盘装置一实施例的爆炸图；图3是本实用新型制冷载盘装置的电加热装置一实施例的结构示意图。
参考图1至图3，本实施例中，制冷载盘装置10包括：载盘主体100，所述载盘主体100包括用于承载晶圆50的第一面101、以及与所述第一面101相背的第二面102；终端冷台120，位于所述载盘主体100下方且朝向所述第二面102，用于向所述载盘主体100提供冷源；电加热装置110，位于所述载盘主体100和终端冷台120之间，所述电加热装置110用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台120的制冷量输出。
所述载盘主体100用于承载晶圆50，从而对晶圆50起到支撑和固定的作用，进而为一些工艺制程(例如离子注入、沉积或刻蚀等)中的冷却处理提供工艺操作平台。
作为一种示例，所述载盘主体100为静电吸附盘，当晶圆50位于所述载盘主体100的第一面101上，载盘主体100与晶圆50之间通过静电作用实现固定。
本实施例中，所述载盘主体100的第一面101用于承载晶圆50，所述载盘主体100的第二面102用于朝向电加热装置110，以使电加热装置110产生的热负载能够部分抵消所述终端冷台120的制冷量输出，从而调节载盘主体100的温度。
本实施例中，所述载盘主体100的材料包括铝合金。
铝合金具有良好的导热性能，易使得晶圆50冷却至工艺需求的温度。在其他实施例中，所述载盘主体的材料也可以是其他具有良好导热性能的材料，例如铝或铜等。
本实施例中，所述载盘主体100包括测温模块105，位于所述载盘主体100的侧壁上。
所述测温模块105用于检测载盘主体100的温度，从而根据所检测的温度，调节所述电加热装置110的热负载大小。
具体地，所述测温模块105包括热电偶。
热电偶具有结构简单、较稳定、测量精度高、可测量的温度范围比较大等特点。所述测温模块105包括热电偶，有利于提高调节所述电加热装置110的热负载精度。在其他实施例中，测温模块还可以是其他温度传感器，例如热电阻等。
终端冷台120通电时能够制冷，用于向所述载盘主体100提供冷源，从而实现对承载于所述载盘主体100上的晶圆50进行冷却的效果。
本实施例中，所述终端冷台120的材料包括铝合金。
铝合金具有良好的导热性能，有利于所述终端冷台120向所述载盘主体100提供冷源。在其他实施例中，所述终端冷台的材料也可以是其他具有良好导热性能的材料，例如铝或铜等。
本实施例中，所述终端冷台120在水平面上的尺寸，大于所述电加热装置110在水平面上的尺寸。
所述终端冷台120在水平面上的尺寸，大于所述电加热装置110在水平面上的尺寸，即所述终端冷台120的水平面上的尺寸较大，易使得利用载盘主体100对晶圆50进行冷却时，晶圆50各位置处的表面温度均一性较佳，也易使得电加热装置110可以较均匀地部分抵消所述终端冷台120的制冷量输出，从而可以较均匀地调节载盘主体100的温度，相应提高载盘主体100的温度均一性，进而提高对晶圆50进行冷却时的温度均一性。
所述电加热装置110位于所述载盘主体100和终端冷台120之间，用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台120的制冷量输出，相应使得所述终端冷台120的温度和载盘主体100的温度之间具有差值，从而调节载盘主体100的温度；而且通过设置电加热装置110，能够通过控制电信号(例如，通过控制不同电流或不同电压)的方式来调节所述电加热装置110的热负载大小，从而调节对所述终端冷台120的制冷量输出的抵消程度；且与通入不同流量的气体来调节载盘主体的温度的方案相比，电加热装置110的热负载不受气体比热容的影响，故而能够获得更大的温度调节范围，增大了制冷载盘装置10对晶圆50进行冷却时的温度调节范围。
在一个具体的实施例中，所述制冷载盘装置10适用于离子注入设备中(例如，超低温离子注入机)。
在一些离子注入工艺中，需要先对晶圆50进行冷却处理，以将晶圆50冷却至预设温度，再进行离子注入。例如，在形成超浅PN结时，通过采用超低温注入的方式，有助于获得更好的非晶层厚度。
需要说明的是，根据不同的工艺需求，载盘主体100的目标温度不同。作为一种示例，载盘主体100的目标温度为-20℃至-150℃。
而且，通过设置电加热装置110以增大制冷载盘装置10对晶圆50进行冷却时的温度调节范围，对终端冷台120的设计改变较小，有利于与现有的工艺设备相结合，节省工艺成本。例如，无需通过改变制冷机的部件(例如，压缩机)来使终端冷台120提供不同温度的冷源，也即终端冷台120可以提供固定温度的冷源。
此外，将电加热装置110的位置设置在所述载盘主体100和终端冷台120之间，也即利用终端冷台120上方的空间，也有利于减小对终端冷台120的设计改动。
本实施例中，所述电加热装置110包括电阻丝111。
电热丝111具有耐高温、升温快、使用寿命长、电阻稳定、功率偏差小等特点，易使得电加热装置110部分抵消终端冷台120的制冷量输出效果和效率均较佳。在其他实施例中，所述电加热装置还可以包括具有加热功能的元件。
具体地，所述电加热装置110还包括用于承载所述电阻丝111的基板112，所述基板112包括铝板、铝合金板或铜板。
所述基板112用于承载电阻丝111，有利于降低形成电加热装置110的难度。而且铝、铝合金和铜具有良好的导热性能，所述基板112包括铝板、铝合金板或铜板，使得电加热装置110具备较好的热传导效率。
更具体地，所述电阻丝111均匀分布在所述基板112上。
在所述电加热装置110中，所述电阻丝111均匀分布在所述基板112上，易使得所述基板112受热均匀，相应易使得载盘主体100上的各个位置的温度均一性较佳，从而使得晶圆50的各个位置的温度均一性较佳。
参考图3，作为一种示例，电阻丝111均匀盘绕在所述基板112上，电阻丝111包括位于所述电阻丝111两端的电信号加载端113。在其他实施例中，所述电阻丝也可以采用并排的方式均匀分布在所述基板上。
在一个具体的实施例中，所述电阻丝111的材料为镍铬合金、铁铬铝合金、钨或钼电热合金中的一种。在其他实施例中，所述电阻丝的材料还可以为其他适宜的材料。
本实施例中，所述制冷载盘装置10还包括：热阻层130，位于所述电加热装置110和终端冷台120之间。
所述热阻层130位于所述电加热装置110和终端冷台120之间，有利于限制终端冷台120和电加热装置110之间的热传导效率，从而使得在终端冷台120和电加热装置110之间形成温度梯度，进而易于提高载盘主体100的温度的可控性，也即易于将晶圆50冷却到工艺需求的温度。
可以理解的是，所述热阻层130的导热系数低于所述电加热装置110的导热系数，且低于所述载盘主体100的导热系数，易使得在所述终端冷台120和电加热装置110之间形成温度梯度。
具体地，所述热阻层130包括石英层和陶瓷层中的一种或两种。
石英和陶瓷具有良好的隔热性能，有利于进一步降低在所述终端冷台120和电加热装置110之间形成温度梯度的难度，也有利于使得在所述终端冷台120和电加热装置110之间形成温度梯度的效果更佳。
作为一种示例，所述陶瓷层的材料可以包括氧化铝、氮化铝、氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧化钛和氧化锆中的一种或多种。
需要说明的是，沿所述热阻层130顶面的法线方向，所述热阻层130的厚度不宜过小，不宜过大。如果所述热阻层130的厚度过小，易使得在所述终端冷台120和电加热装置110之间形成温度梯度的效果不佳；如果所述热阻层130的厚度过大，易使得利用制冷载盘装置10对晶圆50进行冷却时难以达到工艺需求的温度，而且也易使制冷载盘装置10的厚度过大。故本实施例中，沿所述热阻层130顶面的法线方向，所述热阻层130的厚度为1毫米至10毫米。
本实施例中，所述制冷载盘装置10还包括：第一导热层141，位于所述电加热装置110和载盘主体100之间；第二导热层142，位于所述电加热装置110和终端冷台120之间。
位于所述电加热装置110和载盘主体100之间的第一导热层141，可以弥补电加热装置110和载盘主体100之间的接触面平面度的局限性，减小所述电加热装置110和载盘主体100之间的间隙，从而使得载盘主体100上的各个位置的热传导的均一度较佳，进而使得晶圆50上各个位置的温度的均一性较佳；而且，还可以使得电加热装置110与载盘主体100之间的热传导更加快速，同时也减小了因电加热装置110与载盘主体100之间具有间隙而导致热量损失，从而提高了制冷载盘装置10的温度调节精度。
位于所述电加热装置110和终端冷台120之间的第二导热层142，可以弥补所述电加热装置110和终端冷台120之间的接触面平面度的局限性，减小所述电加热装置110和终端冷台120之间的间隙，从而使得所述终端冷台120和电加热装置110上的各个位置的热传导的均一度较佳，进而使得晶圆50上各个位置的温度的均一性较佳；而且，还可以使得所述终端冷台120和电加热装置110之间的热传导更加快速，同时也减小了因终端冷台120和电加热装置110之间具有间隙而导致热量损失，从而提高了制冷载盘装置10的温度调节精度。
尤其是，当所述制冷载盘装置10需要设置在真空腔室中时，物体之间主要靠直接接触连进行热传导，通过设置第一导热层141和第二导热层142，更加有利于保证所述晶圆50各个位置的温度均一性、以及热传导效率。
可以理解的是，第一导热层141和第二导热层142用于作为热传导的媒介，其本身并不产生或储存热量。第一导热层141和第二导热层142的材料均为导热材料，其导热系数均大于所述热阻层130的导热系数。
作为一种示例，所述第一导热层141包括铟层；所述第二导热层142也包括铟层。
铟具有良好的热传导性能，且铟的可塑性强，有延展性，易于压成片。如果铟层的接触面两侧有一定的压力，能够很好地把铟夹在其两侧的部件中间，那么可进一步提高铟的热传导性能。
在其他实施例中，所述第一导热层和第二导热层均还可包括其他柔性的，且导热性能良好的膜层，例如铝层、铜层、玻纤布层或导热硅脂层等。
需要说明的是，沿所述第一导热层141顶面的法线方向，所述第一导热层141的厚度不宜过小，也不宜过大。如果所述第一导热层141的厚度过小，易使得第一导热层141弥补所述电加热装置110和载盘主体100之间接触面平面度的局限性的效果不佳，使得减小所述电加热装置110和载盘主体100之间间隙的效果不佳；如果所述第一导热层141的厚度过大，易使得制冷载盘装置10的厚度过大，也不利于降低工艺成本。故本实施例中，沿所述第一导热层141顶面的法线方向，所述第一导热层141的厚度为0.01毫米至5毫米。例如，沿所述第一导热层141顶面的法线方向，所述第一导热层141的厚度为0.1毫米至0.5毫米。
还需要说明的是，沿所述第二导热层142顶面的法线方向，所述第二导热层142的厚度不宜过小，也不宜过大。所述第二导热层142的厚度不宜过小，也不宜过大的理由，与前述理由相类似，在此不再赘述。故本实施例中，沿所述第二导热层142面的法线方向，所述第二导热层142的厚度为0.01毫米至5毫米，例如为0.1毫米至0.5毫米。
本实施例中，所述第二导热层142包括位于所述热阻层130和电加热装置110之间的第一子导热层1421、以及位于所述终端冷台120和热阻层130之间的第二子导热层1422。
所述第一子导热层1421用于弥补所述热阻层130和电加热装置110之之间的接触面平面度的局限性，减小所述热阻层130和电加热装置110之间的间隙。
所述第二子导热层1422用于弥补所述热阻层130和终端冷台120之间的接触面平面度的局限性，减小所述热阻层130和终端冷台120之间的间隙。
需要说明的是，此处第二导热层142包括第一子导热层1421和第二子导热层1422指的是：位于所述热阻层130和电加热装置110之间的第二导热层142作为第一子导热层1421，位于所述终端冷台120和热阻层130之间的第二导热层142作为第二子导热层1422。相应的，第一子导热层1421的厚度为0.01毫米至5毫米，第二子导热层1422的厚度为0.01毫米至5毫米。
相应的，本实用新型还提供一种半导体设备。图4是本实用新型半导体设备一实施例的结构示意图。
参考图4，半导体设备1包括：本实用新型实施例提供的制冷载盘装置10。
结合参考图1至图3，本实用新型实施例提供的制冷载盘装置10包括位于所述载盘主体100下方且朝向所述第二面102的终端冷台120，终端冷台120用于向所述载盘主体100提供冷源，还包括位于所述载盘主体100和终端冷台120之间的电加热装置110，所述电加热装置110用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台120的制冷量输出，相应使得所述终端冷台120的温度和载盘主体100的温度之间具有差值，从而调节载盘主体100的温度；而且通过设置电加热装置110，能够通过控制电信号的方式来调节所述电加热装置110的热负载大小，从而调节对所述终端冷台120的制冷量输出的抵消程度；且与通入不同流量的气体来调节载盘主体的温度的方案相比，电加热装置110的热负载不受气体比热容的影响，故而能够获得更大的温度调节范围，增大了制冷载盘装置10对晶圆50进行冷却时的温度调节范围。
对所述制冷载盘装置10的描述，请参见前述实施例的详细介绍，在本实施例中不再赘述。
本实施例中，所述半导体设备1还包括：制冷腔室11；冷阱13，位于所述制冷腔室11的入口12位置处；其中，所述制冷载盘装置10设置于所述制冷腔室11内。
本实施例中，所述制冷腔室11为真空腔室。
冷阱13用于吸附水分；而且，冷阱13位于所述制冷腔室11的入口12位置处，有利于降低通过入口12进入制冷腔室11中的水分量，从而降低了水分在制冷腔室11内的发生结霜的概率，相应也降低了水分在晶圆50表面发生结霜的概率。
本实施例中，所述冷阱13位于所述制冷腔室11的入口12的任一个或多个侧壁上。
作为一种示例，所述冷阱13的数量为两个，分别位于所述制冷腔室11的入口12位置处的上侧和下侧，上侧和下侧相对设置。在其他实施例中，所述冷阱的数量也可以为一个或多个，当冷阱的数量为一个时，所述冷阱可以位于制冷腔室的入口位置处的上侧或者下侧；当冷阱的数量为多个时，多个所述冷阱可以并排位于制冷腔室的入口位置处的上侧或者下侧，也可以对称地位于制冷腔室的入口位置处的上下两侧。
需要说明的是，所述入口12位于靠近终端冷台120的位置处。
所述入口12靠近终端冷台120，由于终端冷台120用于提供冷源，因此使得入口12处的温度相应较低；且冷阱13还位于入口位置处，从而进一步增大了水分在冷阱13处被吸附的概率，使得降低进入制冷腔室11中的水分量的效果更佳，进而进一步降低了水分在制冷腔室11内的发生结霜的概率，也进一步降低了水分在晶圆50表面发生结霜的概率。
本实施例中，所述半导体设备1还包括：隔热支撑件14，固定在所述制冷腔室11中且位于所述终端冷台120的底部。所述终端冷台120的底部背向所述载盘主体100。
所述隔热支撑件14用于支撑所述制冷载盘装置10，并将所述制冷载盘装置固定在制冷腔室11中。
具体地，所述隔热支撑件14的材料包括陶瓷。在其他实施例中，所述隔热支撑件还可以为耐超低温的材料(例如，耐超低温的塑料材料等)。
此处，所述半导体设备1为用于半导体制程应用的设备，例如，所述半导体设备1包括刻蚀设备、沉积设备或离子注入设备等。
可以理解的是，所述半导体设备1不限于上述设备，还可以是其他具有制冷功能的半导体设备。
在一个具体的实施例中，所述半导体设备1为离子注入设备(例如，超低温离子注入机)。
在一些离子注入工艺中，需要先对晶圆50进行冷却处理，以将晶圆50冷却至预设温度，再进行离子注入。例如，在形成超浅PN结时，通过采用超低温注入的方式，有助于获得更好的非晶层厚度。
虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (13)
1.一种制冷载盘装置，其特征在于，包括：
载盘主体，所述载盘主体包括用于承载晶圆的第一面、以及与所述第一面相背的第二面；
终端冷台，位于所述载盘主体下方且朝向所述第二面，用于向所述载盘主体提供冷源；
电加热装置，位于所述载盘主体和终端冷台之间，所述电加热装置用于产生热负载，以部分抵消所述终端冷台的制冷量输出。
2.如权利要求1所述的一种制冷载盘装置，其特征在于，所述电加热装置包括电阻丝。
3.如权利要求2所述的一种制冷载盘装置，其特征在于，所述电加热装置还包括用于承载所述电阻丝的基板，所述基板包括铝板、铝合金板或铜板。
4.如权利要求1所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述终端冷台在水平面上的尺寸，大于所述电加热装置在水平面上的尺寸。
5.如权利要求1所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述制冷载盘装置还包括：
第一导热层，位于所述电加热装置和载盘主体之间；
第二导热层，位于所述电加热装置和终端冷台之间。
6.如权利要求5所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述第一导热层包括铝层、铟层、玻纤布层和导热硅脂层中的一种或多种；所述第二导热层包括铝层、铟层、玻纤布层和导热硅脂层中的一种或多种。
7.如权利要求1～6中任一项所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述制冷载盘装置还包括：热阻层，位于所述电加热装置和终端冷台之间。
8.如权利要求7所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述热阻层包括石英层和陶瓷层中的一种或两种。
9.如权利要求7所述的制冷载盘装置，其特征在于，沿所述热阻层顶面的法线方向，所述热阻层的厚度为1毫米至10毫米。
10.如权利要求7所述的制冷载盘装置，其特征在于，所述制冷载盘装置还包括：第二导热层，所述第二导热层包括位于所述热阻层和电加热装置之间的第一子导热层、以及所述终端冷台和热阻层之间的第二子导热层。
11.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1～10中任一项所述的制冷载盘装置。
12.如权利要求11所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括：制冷腔室；
冷阱，位于所述制冷腔室的入口位置处；
其中，所述制冷载盘装置设置于所述制冷腔室内。
13.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括刻蚀设备、沉积设备或离子注入设备。
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|---|---|---|---|
| CN202321910517.5U CN220306221U (zh) | 2023-07-19 | 2023-07-19 | 制冷载盘装置及半导体设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202321910517.5U CN220306221U (zh) | 2023-07-19 | 2023-07-19 | 制冷载盘装置及半导体设备 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220306221U true CN220306221U (zh) | 2024-01-05 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202321910517.5U Active CN220306221U (zh) | 2023-07-19 | 2023-07-19 | 制冷载盘装置及半导体设备 |
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2023
- 2023-07-19 CN CN202321910517.5U patent/CN220306221U/zh active Active
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