CN220253228U - 一种无铅塑封高压二极管 - Google Patents
一种无铅塑封高压二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220253228U CN220253228U CN202323174612.6U CN202323174612U CN220253228U CN 220253228 U CN220253228 U CN 220253228U CN 202323174612 U CN202323174612 U CN 202323174612U CN 220253228 U CN220253228 U CN 220253228U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- tube core
- die
- plastic package
- voltage diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 7
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种无铅塑封高压二极管，包括管芯、第一引线和第二引线，所述管芯由多层硅片和多个铝箔片层组成，所述铝箔片层和所述硅片之间相互烧结为一体，所述管芯的两端通过无铅焊料分别连接所述第一引线和所述第二引线，所述管芯的外侧设置有保护层，所述管芯的外侧设有塑封管体，所述第一引线和所述第二引线一体化贯穿出所述塑封管体。本实用新型具有如下的有益效果：管芯由多层硅片通过铝箔片烧结在一起,使相邻的两层硅片之间形成铝箔片层，管芯两端部利用无铅焊料锡银铜将铜引线焊接在管芯两端，设计的二极管符合市场出口的要求，并且在管芯的外侧设置保护层，保证二极管具有很良好的绝缘高稳定性和高可靠性，提高增加产品机械性能。
Description
技术领域
本实用新型是一种无铅塑封高压二极管，属于二极管领域。
背景技术
高压二极管主要应用于电视机、负离子发生器、激光电源、感应加热器、高压发生器等行业，原来使用的高压二极管都是将硅片用铅焊接构成。传统的高压二极管最少要20支二极管串联在一起，用环氧树脂浇注成型，体积较大，且在传统的高压二极管表面并不很好的绝缘保护性能，因此大大降低其二极管的使用效果，因此本申请提出一种具有保护效果的无铅塑封高压二极管。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种无铅塑封高压二极管。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：
一种无铅塑封高压二极管，包括管芯、第一引线和第二引线，所述管芯由多层硅片和多个铝箔片层组成，所述铝箔片层和所述硅片之间相互烧结为一体，所述管芯的两端通过无铅焊料分别连接所述第一引线和所述第二引线，所述管芯的外侧设置有保护层，所述管芯的外侧设有塑封管体，所述第一引线和所述第二引线一体化贯穿出所述塑封管体。
进一步的，所述第一引线和所述第二引线外侧面上均具有凸台，所述凸台连接在所述管芯的两端，所述塑封管体的外侧均匀安装有散热片，所述散热片的材质为石墨烯。
进一步的，所述保护层包括由内到外设置在所述管芯上的SIPOS膜层、玻璃钝化膜层、氧化硅膜层和绝缘涂层。
进一步的，所述塑封管体和所述管芯之间形成空腔，所述空腔内部设置有热熔胶，所述热熔胶内部填充设有若干个导热柱，所述导热柱一端与所述管芯外表面连接，所述导热柱的另一端贯穿所述塑封管体与所述散热片连接。
进一步的，所述导热柱内部和所述散热片内部均为中空状，所述导热柱的另一端贯穿进所述散热片内，且所述散热片内壁固定连接，所述导热柱呈环形布置，且每条环线上的所述导热柱并排设置为个，所述散热片内部填充设有冰晶混合物。
本实用新型的有益效果：
本申请的管芯由多层硅片通过铝箔片烧结在-起,使相邻的两层硅片之间形成铝箔片层，管芯两端部利用无铅焊料锡银铜将铜引线焊接在管芯两端，设计的二极管符合市场出口的要求，实现了环保、保证了人们的身体健康。
并且在管芯的外侧设置保护层，保证二极管具有很良好的绝缘、高稳定性和高可靠性，以提高增加产品机械性能。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型一种无铅塑封高压二极管的主视图；
图2为本实用新型一种无铅塑封高压二极管的保护层示意图；
图3为本实用新型一种无铅塑封高压二极管的导热柱分布示意图；
图4为本实用新型一种无铅塑封高压二极管的散热片示意图。
图中：1、管芯；2、第一引线；3、第二引线；4、硅片；5、铝箔片层；6、保护层；7、塑封管体；8、凸台；9、散热片；10、SIPOS膜层；11、玻璃钝化膜层；12、氧化硅膜层；13、绝缘涂层；14、热熔胶；15、导热柱；16、冰晶混合物。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种无铅塑封高压二极管，包括管芯1、第一引线2和第二引线3，所述管芯1由多层硅片4和多个铝箔片层5组成，所述铝箔片层5和所述硅片4之间相互烧结为一体，所述管芯1的两端通过无铅焊料分别连接所述第一引线2和所述第二引线3，所述管芯1的外侧设置有保护层6，所述管芯1的外侧设有塑封管体7，所述第一引线2和所述第二引线3一体化贯穿出所述塑封管体7，管芯由多层硅片通过铝箔片烧结在一起,使相邻的两层硅片之间形成铝箔片层，管芯两端部利用无铅焊料锡银铜将铜引线焊接在管芯两端，设计的二极管符合市场出口的要求，在管芯1的外侧设置保护层6，保证二极管具有很良好的绝缘、高稳定性和高可靠性，以提高增加产品机械性能。
参阅图1，所述第一引线2和所述第二引线3外侧面上均具有凸台8，所述凸台8连接在所述管芯1的两端，所述塑封管体7的外侧均匀安装有散热片9，所述散热片9的材质为石墨烯。
引线的上具有凸台8，凸台8表面积大于管芯1接触表面，因此凸台8与管芯1侧端连接的面积较大，保证管芯1与引线之间连接更加的稳定，而在管芯1使用过程中产生的热量可传递在石墨烯材质的散热片9上，使用时，通过在外壳上设置了多组石墨烯的散热片，以便将二极管体产生的热量快速导出，散热效果好，可以有效的防止热量积攒，延长了二极管体的使用寿命。
参阅图2，所述保护层6包括由内到外设置在所述管芯1上的SIPOS膜层10、玻璃钝化膜层11、氧化硅膜层12和绝缘涂层13。
管芯1上依次包覆有SIPOS膜层、玻璃钝化膜层、氧化硅膜层和绝缘涂层，其中，通过第一层的SIPOS膜层能够钝化可动离子，同时补偿或消除其它界面电荷，对绝缘层表面的离子沾污和电荷积累具有自动调节、补偿和屏蔽作用，能彻底消除击穿电压蠕变现象，并提高PN结的反向击穿电压一般可提升击穿电压200V以上，通过第二层的玻璃钝化膜层能够与氧化硅膜层结合得更加紧密，通过第三层的氧化硅膜层能够阻止焊料流至玻璃上，避免导致组装电性不良，提高了合格率，降低了产品组装工艺难度和生产成本；且由于氧化硅膜层本身是一层绝缘层覆盖在玻璃，还增加了玻璃钝化膜层的绝缘效果，第四层的绝缘涂层能够确保整个二极管堆叠和引线在高压下的绝缘良好。
参阅图3-4，所述塑封管体7和所述管芯1之间形成空腔，所述空腔内部设置有热熔胶14，所述热熔胶14内部填充设有若干个导热柱15，所述导热柱15一端与所述管芯1外表面连接，所述导热柱15的另一端贯穿所述塑封管体7与所述散热片9连接，所述散热片9内部均为中空状，所述导热柱15的另一端贯穿进所述散热片9内，且所述散热片9内壁固定连接，所述导热柱15呈环形布置，且每条环线上的所述导热柱15并排设置为个，所述散热片9内部填充设有冰晶混合物16。
具体的二极管在进行使用过程中，产生的热量可通过导热柱15可有效的传递在散热片9内部，并且在散热片9内部也填充有冰晶混合物，散热片9内融化的冰晶混合物不断向外传递，充分传热，管芯1包裹在热熔胶内，使其不收损害。
具体工作时，本申请的管芯由多层硅片通过铝箔片烧结在-起,使相邻的两层硅片之间形成铝箔片层，管芯两端部利用无铅焊料锡银铜将铜引线焊接在管芯两端，设计的二极管符合市场出口的要求，实现了环保、保证了人们的身体健康。
并且在管芯1的外侧设置保护层6，保证二极管具有很良好的绝缘、高稳定性和高可靠性，以提高增加产品机械性能。
虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种无铅塑封高压二极管，其特征在于：包括管芯（1）、第一引线（2）和第二引线（3），所述管芯（1）由多层硅片（4）和多个铝箔片层（5）组成，所述铝箔片层（5）和所述硅片（4）之间相互烧结为一体，所述管芯（1）的两端通过无铅焊料分别连接所述第一引线（2）和所述第二引线（3），所述管芯（1）的外侧设置有保护层（6），所述管芯（1）的外侧设有塑封管体（7），所述第一引线（2）和所述第二引线（3）一体化贯穿出所述塑封管体（7）。
2.根据权利要求1所述的一种无铅塑封高压二极管，其特征在于：所述第一引线（2）和所述第二引线（3）外侧面上均具有凸台（8），所述凸台（8）连接在所述管芯（1）的两端，所述塑封管体（7）的外侧均匀安装有散热片（9），所述散热片（9）的材质为石墨烯。
3.根据权利要求2所述的一种无铅塑封高压二极管，其特征在于：所述保护层（6）包括由内到外设置在所述管芯（1）上的SIPOS膜层（10）、玻璃钝化膜层（11）、氧化硅膜层（12）和绝缘涂层（13）。
4.根据权利要求3所述的一种无铅塑封高压二极管，其特征在于：所述塑封管体（7）和所述管芯（1）之间形成空腔，所述空腔内部设置有热熔胶（14），所述热熔胶（14）内部填充设有若干个导热柱（15），所述导热柱（15）一端与所述管芯（1）外表面连接，所述导热柱（15）的另一端贯穿所述塑封管体（7）与所述散热片（9）连接。
5.根据权利要求4所述的一种无铅塑封高压二极管，其特征在于：所述散热片（9）内部均为中空状，所述导热柱（15）的另一端贯穿进所述散热片（9）内，且所述散热片（9）内壁固定连接，所述导热柱（15）呈环形布置，且每条环线上的所述导热柱（15）并排设置为个，所述散热片（9）内部填充设有冰晶混合物（16）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323174612.6U CN220253228U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种无铅塑封高压二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323174612.6U CN220253228U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种无铅塑封高压二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220253228U true CN220253228U (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=89265754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202323174612.6U Active CN220253228U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种无铅塑封高压二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220253228U (zh) |
-
2023
- 2023-11-24 CN CN202323174612.6U patent/CN220253228U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201412704Y (zh) | 一种集成led芯片的光源 | |
| US20240203841A1 (en) | Novel packaging structure of power semiconductor module | |
| CN102693969B (zh) | 一种igbt功率模块 | |
| CN104617058A (zh) | 用于功率变换器的封装结构及其制造方法 | |
| CN104303299A (zh) | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | |
| CN104051397A (zh) | 包括非整数引线间距的封装器件及其制造方法 | |
| CN206806321U (zh) | 一种无引线框架的半导体封装结构 | |
| CN202695428U (zh) | 一种igbt功率模块 | |
| CN107452723B (zh) | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 | |
| CN113782504B (zh) | 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法 | |
| CN220253228U (zh) | 一种无铅塑封高压二极管 | |
| JP6754419B2 (ja) | 整流器用パワーデバイス | |
| CN205944072U (zh) | 半导体功率器件封装结构 | |
| CN103295920B (zh) | 非绝缘型功率模块及其封装工艺 | |
| CN103779342A (zh) | 一种功率半导体模块 | |
| CN204927275U (zh) | 一种低成本的硅基模块的封装结构 | |
| CN105374806A (zh) | 一种圆形分组布局的压接式功率器件封装 | |
| CN211297483U (zh) | 一种散热结构 | |
| CN114256172A (zh) | 功率mosfet的高可靠性封装结构及封装工艺 | |
| CN202948921U (zh) | 非绝缘型功率模块 | |
| CN209199924U (zh) | 高压功率模块封装结构 | |
| CN206806330U (zh) | 一种应用于sot23半导体封装的集成电路 | |
| CN101980386A (zh) | 一种基于散热器封装的led器件及led器件的制作工艺 | |
| CN221262365U (zh) | 基于陶瓷管壳封装的功率模块 | |
| CN219832657U (zh) | 一种叠层芯片的封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |