CN220246253U - 一种沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种沉积设备包括：腔室、承载组件、真空组件和特气机构，特气机构包括喷气组件和设置在腔室的顶壁中部的进气管，喷气组件包括相连通的一阶喷气单元和二阶喷气单元；一阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路，两个一阶管路的中点相重合，两个一阶管路的交叉处与进气管相连通，每个一阶管路的端部下方连接一个二阶喷气单元；每个二阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路，两个二阶管路的中点相重合，且交叉处与一阶管路的端部相连通，每个二阶管路的端部下方连接喷嘴，每个喷嘴均沿高度方向布置，且相邻两个喷嘴的喷射范围相接。本申请的沉积设备进气均匀，使得晶体硅太阳能电池表面减反射膜附着均匀。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏制造技术领域，具体涉及一种沉积设备。
背景技术
在晶体硅太阳能电池的生产过程中，需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜，可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率，晶体硅太阳能电池生产中通常采用沉积设备制作减反射膜，在制作减反射膜的过程中，工艺气体均采用自沉积设备的沉积腔一端进气，另一端抽气的输送方式，使得沉积设备在进气的过程中大都不均匀，导致镀膜的均匀性不好，不良片产生的几率较大。
为了解决上述问题，现有技术中，通常通过在沉积腔内设置一个具有多个喷口的进气管路，工艺气体自进气管路的一端进入，并从沉积腔的底部抽气，通过将该进气管路设置为于沉积腔内往复移动，以使多个喷口在电池表面往复喷出工艺气体，以在电池表面形成减反射膜。
但是，由于工艺气体于进气管路的一端进入，导致不同位置的喷口喷出的气体时间不一致，仍旧存在进气不均匀的问题，同时由于进气管路往复移动，使得电池表面附着的减反射膜的厚度不均匀，影响晶体硅太阳能电池的转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种沉积设备，以解决现有技术中沉积设备进气不均匀、晶体硅太阳能电池表面减反射膜附着不均匀的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
一种沉积设备，包括：
腔室，用于提供真空环境；
承载组件，用于承载目标硅片，所述承载组件水平设置在所述腔室内；
真空组件，与所述腔室相连通，用于对所述腔室抽真空；以及
特气机构，包括设置在所述腔室内的喷气组件和设置在所述腔室的顶壁中部的进气管，所述喷气组件通过所述进气管与外部的供气系统相连通，所述喷气组件包括一个一阶喷气单元和分别与所述一阶喷气单元连通的四个二阶喷气单元，四个二阶喷气单元呈2乘2矩阵水平排列；
所述一阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路，两个所述一阶管路的中点相重合，两个所述一阶管路的交叉处与所述进气管相连通，每个所述一阶管路的端部下方连接一个二阶喷气单元；
每个所述二阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路，相互垂直交叉的两个所述二阶管路的中点相重合，两个所述二阶管路的交叉处与对应所述一阶管路的端部相连通，每个所述二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，每个所述喷嘴均沿高度方向布置，且相邻两个所述喷嘴的喷射范围相接且不重合。
进一步地，所述二阶管路的数量为8个，8个所述二阶管路的轴线位于同一水平面内，2个所述一阶管路的轴线位于同一水平面内。
进一步地，所述一阶管路的径向尺寸大于所述二阶管路的径向尺寸。
进一步地，所述喷嘴的数量为16个，16个所述喷嘴呈4乘4矩阵水平排列，且16个所述喷嘴的轴线相平行。
进一步地，所述喷嘴的顶壁呈弧形结构，所述弧形结构沿所述喷嘴的轴线朝向所述特气机构凸起。
进一步地，所述喷嘴的喷口呈矩形。
进一步地，所述真空组件包括设置在所述腔室的底壁上的抽气口和通过所述抽气口与所述腔室相连通的真空装置，所述真空装置设置在所述腔室外。
进一步地，所述抽气口设置在所述腔室底壁的中部。
进一步地，所述承载组件包括水平设置在所述腔室内的支承板和设置在所述支承板上方的石墨舟，所述支承板与所述腔室的底壁间隔设置。
进一步地，所述腔室的下方设置有支撑座。
由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
(1)本申请在腔室内设置有一阶喷气单元和四个二阶喷气单元，并在腔室的顶壁中部设置有进气管，一阶喷气单元的两个一阶管路的交叉处与进气管相连通，二阶喷气单元的两个二阶管路的交叉处与对应一阶管路的端部相连通，每个二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，使得工艺气体进入每个喷嘴的时间相同，使得多个喷嘴可以同时向目标硅片喷出工艺气体，进气均匀；
(2)相邻两个喷嘴的喷射范围相接，使得多个喷嘴的喷射范围合并呈一个完整的附着区域，使得目标硅片表面附着的减反射膜的厚度均匀，以提高晶体硅太阳能电池的转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的一种沉积设备的剖视结构示意图；
图2为图1所示的特气机构的俯视结构示意图。
附图标记说明：
1-腔室；2-承载组件；21-支承板；22-石墨舟；3-真空组件；31-抽气口；32-真空装置；4-特气机构；41-进气管；42-一阶喷气单元；421-一阶管路；43-二阶喷气单元；431-二阶管路；44-喷嘴；5-支撑座。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本申请中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本实用新型及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本实用新型中的具体含义。
此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”、“套接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参见图1和图2，本实用新型一实施例提供一种沉积设备，该沉积设备包括腔室1、承载组件2、真空组件3和特气机构4。其中，腔室1用于提供真空环境。真空组件3与腔室1相连通，用于对腔室1抽真空。承载组件2水平设置在腔室1内，用于承载目标硅片(未图示)。需要说明的是，水平方向如图1中箭头a所示。
真空组件3包括设置在腔室1的底壁上的抽气口31和通过抽气口31与腔室1相连通的真空装置32，真空装置32设置在腔室1外。为了保证抽真空效果，本实施例中，抽气口31设置在腔室1底壁的中部。真空装置32可以通过发生器以气动方式产生，或者采用泵或鼓风机以电动方式产生。为现有技术，在此不做赘述。
承载组件2包括水平设置在腔室1内的支承板21和设置在支承板21上方的石墨舟22，支承板21与腔室1的底壁间隔设置。为了便于真空装置32与抽气口31的连接，本实施例中，腔室1的下方设置有支撑座5。
特气机构4包括设置在腔室1内的喷气组件和设置在腔室1的顶壁中部的进气管41，喷气组件通过进气管41与外部的供气系统(未图示)相连通，喷气组件包括一个一阶喷气单元42和分别与一阶喷气单元42连通的四个二阶喷气单元43，四个二阶喷气单元43呈2乘2矩阵水平排列。供气系统主要包括特气柜、气瓶架、分配柜等设备，为现有技术，在此不做赘述。
具体的，一阶喷气单元42包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路421，两个一阶管路421的中点相重合，两个一阶管路421的交叉处与进气管41相连通，每个一阶管路421的端部下方连接一个二阶喷气单元43。
每个二阶喷气单元43包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路431，相互垂直交叉的两个二阶管路431的中点相重合，两个二阶管路431的交叉处与对应一阶管路421的端部相连通，每个二阶管路431的端部下方连接一个喷嘴44，每个喷嘴44均沿高度方向布置，且相邻两个喷嘴44的喷射范围相接且不重合。需要说明的是，高度方向如图1中箭头b所示。
为了保证减反射膜附着的均匀性，本实施例中，二阶管路431的数量为8个，8个二阶管路431的轴线位于同一水平面内，2个一阶管路421的轴线位于同一水平面内。以使每个喷嘴44喷出的工艺气体到达目标硅件的时间相同。
喷嘴44的数量为16个，16个喷嘴44呈4乘4矩阵水平排列，且16个喷嘴44的轴线相平行。为了保证16个喷嘴44的喷射范围可以相接且无重合，本实施例中，喷嘴44的喷口(未标号)呈矩形。以使喷嘴44的喷射范围也呈矩形。诚然，在其他实施例中，喷嘴44的喷口还可以设置为正多边形，在此不做限定。
为了提高工艺气体的喷射速度，提高生产效率，本实施例中，一阶管路421的径向尺寸大于二阶管路431的径向尺寸。以使一阶管路421内的工艺气体进入二阶管路431内时，因流通面积减小，流通速度加快。诚然，在其他实施例中，一阶管路421与二阶管路431的径向尺寸也可设置为相同尺寸，可结合设计需求进行调整。
为了进一步提高工艺气体的喷射速度，并使于二阶管路431内水平流动的工艺气体转换至沿高度方向流动，喷嘴44的顶端呈弧形结构，弧形结构沿喷嘴44的轴线朝向特气机构4凸起。以使喷嘴44的顶壁对自二阶管路431流出的工艺气体起导向作用，以将水平流动的工艺气流导向至垂直流动，并从喷嘴44喷出。诚然，在其他实施例中，喷嘴44的顶壁也可设置为棱锥结构，且棱锥结构沿喷嘴44的轴线朝向特气机构4凸起。需要说明的是，喷嘴44的轴线如图1中箭头c所示。
由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
(1)本申请在腔室内设置有一阶喷气单元和四个二阶喷气单元，并在腔室的顶壁中部设置有进气管，一阶喷气单元的两个一阶管路的交叉处与进气管相连通，二阶喷气单元的两个二阶管路的交叉处与对应一阶管路的端部相连通，每个二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，使得工艺气体进入每个喷嘴的时间相同，使得多个喷嘴可以同时向目标硅片喷出工艺气体，进气均匀；
(2)相邻两个喷嘴的喷射范围相接，使得多个喷嘴的喷射范围合并呈一个完整的附着区域，使得目标硅片表面附着的减反射膜的厚度均匀，以提高晶体硅太阳能电池的转换效率。
最后应说明的是，以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种沉积设备，其特征在于，包括：
腔室，用于提供真空环境；
承载组件，用于承载目标硅片，所述承载组件水平设置在所述腔室内；
真空组件，与所述腔室相连通，用于对所述腔室抽真空；以及
特气机构，包括设置在所述腔室内的喷气组件和设置在所述腔室的顶壁中部的进气管，所述喷气组件通过所述进气管与外部的供气系统相连通，所述喷气组件包括一个一阶喷气单元和分别与所述一阶喷气单元连通的四个二阶喷气单元，四个二阶喷气单元呈2乘2矩阵水平排列；
所述一阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路，两个所述一阶管路的中点相重合，两个所述一阶管路的交叉处与所述进气管相连通，每个所述一阶管路的端部下方连接一个二阶喷气单元；
每个所述二阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路，相互垂直交叉的两个所述二阶管路的中点相重合，两个所述二阶管路的交叉处与对应所述一阶管路的端部相连通，每个所述二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，每个所述喷嘴均沿高度方向布置，且相邻两个所述喷嘴的喷射范围相接且不重合。
2.如权利要求1所述的一种沉积设备，其特征在于，所述二阶管路的数量为8个，8个所述二阶管路的轴线位于同一水平面内，2个所述一阶管路的轴线位于同一水平面内。
3.如权利要求2所述的一种沉积设备，其特征在于，所述一阶管路的径向尺寸大于所述二阶管路的径向尺寸。
4.如权利要求1所述的一种沉积设备，其特征在于，所述喷嘴的数量为16个，16个所述喷嘴呈4乘4矩阵水平排列，且16个所述喷嘴的轴线相平行。
5.如权利要求4所述的一种沉积设备，其特征在于，所述喷嘴的顶壁呈弧形结构，所述弧形结构沿所述喷嘴的轴线朝向所述特气机构凸起。
6.如权利要求5所述的一种沉积设备，其特征在于，所述喷嘴的喷口呈矩形。
7.如权利要求1所述的一种沉积设备，其特征在于，所述真空组件包括设置在所述腔室的底壁上的抽气口和通过所述抽气口与所述腔室相连通的真空装置，所述真空装置设置在所述腔室外。
8.如权利要求7所述的一种沉积设备，其特征在于，所述抽气口设置在所述腔室底壁的中部。
9.如权利要求7所述的一种沉积设备，其特征在于，所述承载组件包括水平设置在所述腔室内的支承板和设置在所述支承板上方的石墨舟，所述支承板与所述腔室的底壁间隔设置。
10.如权利要求1所述的一种沉积设备，其特征在于，所述腔室的下方设置有支撑座。
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