CN203741411U - 一种pecvd进气结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y型进气管,所述Y型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,所述三通管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。本实用新型可以使反应室内的工艺气体散布均匀,使电池片的镀膜更加均匀,从而提高电能转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及反应室的均匀进气方式,尤其涉及一种管式PECVD的喷淋进气方式。
背景技术
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是等离子体增强化学气相沉积法,它的工作原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,形成等离子体,这些等离子体与基片表面发生化学反应,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD设备则是这个过程中的关键设备。PECVD设备镀膜的均匀性,对太阳能电池的转换效率有着严重的影响。如图1所示,目前PECVD设备的进气结构是:一根直管A1从前过渡法兰A2底部,直接进入反应室。采用这种结构的进气方式是将工艺气体先混合,再通过这根直管进入反应室底部,由于只通过一个入口进入反应室,使得气体过于集中。并且,工作时,反应室处于真空状态,工艺气体从底部直接进入,使得气体沉积于反应室底部,使得反应室底部的气体密度高于顶部,导致气体分布不均匀,生产出来的太阳能电池转换效率不高。
发明内容
本实用新型为了解决上述现有技术中存在的技术问题,提出了一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y型进气管,所述Y型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,所述Y型进气管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。
优选的,在Y型进气管的两个进气口之间设有固定板,所述固定板上设有通孔,所述Y型进气管通过旋紧螺丝固定在前过渡法兰上。
本实用新型采用了喷淋进气方式,使工艺气体均匀的分布到整个反应室,提高了镀膜的均匀稳定性。并且采用本实用新型进行PECVD镀膜的生产试验,通过多次反复检测,得出采用此种进气方式后,电池片的镀膜更均匀稳定,生产出的太阳能电池片的转换率提高了大约2.39%,也极大的提高了太阳能电池片单位面积上的发电产能。
附图说明
图1是现有技术的结构示意图;
图2是本实用新型的结构示意图;
图3是本实用新型进气管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
如图2至图3所示,本实用新型一实施例提出的PECVD进气结构,采用Y型进气管B1来进气,该Y型进气管设于反应室内,包括两个进气口C1和一个出气口C3,两个进气口之间通过一固定板C2相连接,固定片上设有通孔,一旋紧螺丝B3穿过该通孔,将Y型进气管固定在反应室底部的前过渡法兰B2上。该Y型进气管的两个进气口C1穿过前过渡法兰B2,分别与反应室外的两根工艺管道B4连接,Y 型进气管B1的出气口上再设置一喷淋进气嘴C4,并且喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。
进气时,工艺气体通过工艺管道从前过渡法兰进入,再通过Y 型进气管B1汇合,最后通过喷淋进气嘴C4,以风帘的方式喷向反应室的顶部,由于反应室为圆形,通过反应室圆形的顶部,可以将工艺气体以发散的方式反射回来,通过反复的反射,形成一道致密的喷淋网,使得工艺气体可以均匀扩散至整个反应室,极大的提高了太阳能电池片镀膜的均匀性,也提高了太阳能电池片的转换率。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y 型进气管,所述Y 型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,其特征在于:所述Y 型进气管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。
2.根据权利要求1所述的PECVD进气结构,其特征在于:所述Y型进气管的两个进气口之间设有固定板,所述固定板上设有通孔,所述Y型进气管通过旋紧螺丝固定在前过渡法兰上。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106350866A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 常州大学 | 一种超薄黑硅硅片的制作设备及方法 |
WO2018201717A1 (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种pecvd设备炉口进气结构 |
CN109423623A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉 |
CN109423623B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-12-22 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉 |
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