CN203741411U - 一种pecvd进气结构 - Google Patents

一种pecvd进气结构 Download PDF

Info

Publication number
CN203741411U
CN203741411U CN201320839740.5U CN201320839740U CN203741411U CN 203741411 U CN203741411 U CN 203741411U CN 201320839740 U CN201320839740 U CN 201320839740U CN 203741411 U CN203741411 U CN 203741411U
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction chamber
gas inlet
pecvd
inlet pipe
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320839740.5U
Other languages
English (en)
Inventor
刘正志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENZHEN S C NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd
Original Assignee
SHENZHEN S C NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN S C NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd filed Critical SHENZHEN S C NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd
Priority to CN201320839740.5U priority Critical patent/CN203741411U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203741411U publication Critical patent/CN203741411U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y型进气管,所述Y型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,所述三通管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。本实用新型可以使反应室内的工艺气体散布均匀,使电池片的镀膜更加均匀,从而提高电能转换效率。

Description

一种PECVD进气结构
技术领域
本实用新型涉及反应室的均匀进气方式,尤其涉及一种管式PECVD的喷淋进气方式。 
背景技术
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是等离子体增强化学气相沉积法,它的工作原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,形成等离子体,这些等离子体与基片表面发生化学反应,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD设备则是这个过程中的关键设备。PECVD设备镀膜的均匀性,对太阳能电池的转换效率有着严重的影响。如图1所示,目前PECVD设备的进气结构是:一根直管A1从前过渡法兰A2底部,直接进入反应室。采用这种结构的进气方式是将工艺气体先混合,再通过这根直管进入反应室底部,由于只通过一个入口进入反应室,使得气体过于集中。并且,工作时,反应室处于真空状态,工艺气体从底部直接进入,使得气体沉积于反应室底部,使得反应室底部的气体密度高于顶部,导致气体分布不均匀,生产出来的太阳能电池转换效率不高。 
发明内容
本实用新型为了解决上述现有技术中存在的技术问题,提出了一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y型进气管,所述Y型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,所述Y型进气管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。 
优选的,在Y型进气管的两个进气口之间设有固定板,所述固定板上设有通孔,所述Y型进气管通过旋紧螺丝固定在前过渡法兰上。 
本实用新型采用了喷淋进气方式,使工艺气体均匀的分布到整个反应室,提高了镀膜的均匀稳定性。并且采用本实用新型进行PECVD镀膜的生产试验,通过多次反复检测,得出采用此种进气方式后,电池片的镀膜更均匀稳定,生产出的太阳能电池片的转换率提高了大约2.39%,也极大的提高了太阳能电池片单位面积上的发电产能。 
附图说明
图1是现有技术的结构示意图; 
图2是本实用新型的结构示意图;
图3是本实用新型进气管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。 
如图2至图3所示,本实用新型一实施例提出的PECVD进气结构,采用Y型进气管B1来进气,该Y型进气管设于反应室内,包括两个进气口C1和一个出气口C3,两个进气口之间通过一固定板C2相连接,固定片上设有通孔,一旋紧螺丝B3穿过该通孔,将Y型进气管固定在反应室底部的前过渡法兰B2上。该Y型进气管的两个进气口C1穿过前过渡法兰B2,分别与反应室外的两根工艺管道B4连接,Y 型进气管B1的出气口上再设置一喷淋进气嘴C4,并且喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。 
进气时,工艺气体通过工艺管道从前过渡法兰进入,再通过Y 型进气管B1汇合,最后通过喷淋进气嘴C4,以风帘的方式喷向反应室的顶部,由于反应室为圆形,通过反应室圆形的顶部,可以将工艺气体以发散的方式反射回来,通过反复的反射,形成一道致密的喷淋网,使得工艺气体可以均匀扩散至整个反应室,极大的提高了太阳能电池片镀膜的均匀性,也提高了太阳能电池片的转换率。 
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。 

Claims (2)

1.一种PECVD进气结构,包括设于反应室内的一Y 型进气管,所述Y 型进气管的两个进气口穿过反应室底部的前过渡法兰,分别与反应室外的两根工艺管道连接,其特征在于:所述Y 型进气管的出气口上设有一喷淋进气嘴,所述喷淋进气嘴的开口朝向反应室的顶部设置。
2.根据权利要求1所述的PECVD进气结构,其特征在于:所述Y型进气管的两个进气口之间设有固定板,所述固定板上设有通孔,所述Y型进气管通过旋紧螺丝固定在前过渡法兰上。
CN201320839740.5U 2013-12-19 2013-12-19 一种pecvd进气结构 Expired - Lifetime CN203741411U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320839740.5U CN203741411U (zh) 2013-12-19 2013-12-19 一种pecvd进气结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320839740.5U CN203741411U (zh) 2013-12-19 2013-12-19 一种pecvd进气结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203741411U true CN203741411U (zh) 2014-07-30

Family

ID=51341235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320839740.5U Expired - Lifetime CN203741411U (zh) 2013-12-19 2013-12-19 一种pecvd进气结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203741411U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106350866A (zh) * 2016-08-25 2017-01-25 常州大学 一种超薄黑硅硅片的制作设备及方法
WO2018201717A1 (zh) * 2017-05-03 2018-11-08 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种pecvd设备炉口进气结构
CN109423623A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106350866A (zh) * 2016-08-25 2017-01-25 常州大学 一种超薄黑硅硅片的制作设备及方法
WO2018201717A1 (zh) * 2017-05-03 2018-11-08 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种pecvd设备炉口进气结构
CN109423623A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉
CN109423623B (zh) * 2017-08-31 2020-12-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102677022B (zh) 一种原子层沉积装置
CN203741411U (zh) 一种pecvd进气结构
CN204490990U (zh) 一种pecvd设备的炉门结构
CN202799362U (zh) 大气压介质阻挡长射流冷等离子体发生装置
CN103560171A (zh) 一种太阳能电池片石墨舟饱和的方法
CN112921302A (zh) 光伏电池双向进气钝化沉积装置
CN210163522U (zh) 一种炉管及lpcvd设备
CN102021537A (zh) 薄膜沉积设备
CN103730393A (zh) 一种等离子体刻蚀设备进气装置
CN101318166A (zh) 制备大面积透明导电膜专用超声喷雾发生器
CN206188883U (zh) 一种管式pecvd特气炉
CN102943251B (zh) 一种用于提升pecvd镀膜均匀性的装置
CN201326014Y (zh) 一种等离子体化学气相沉积进气装置
CN210560740U (zh) 一种pecvd特气管路
CN102978589B (zh) 一种pecvd喷淋电极
CN109267037A (zh) 常压等离子体增强化学气相沉积方法及采用该方法的设备
CN105289214A (zh) 一种氨气和硅烷混合废气综合处理装置
CN109023301A (zh) 氧化铝膜制备装置
CN102277562B (zh) 薄膜太阳能电池多级pecvd沉积设备
CN103904158A (zh) 一种改善管式pecvd系统镀膜均匀性的方法
CN204231738U (zh) 常压低温等离子体接枝聚合流水式粉体材料改性装置
CN209873096U (zh) 一种用于管式pecvd的进气装置
CN104419909A (zh) 一种镀膜炉管
CN202705463U (zh) 太阳能电池板非晶硅膜均匀沉积专用装置
TWM480758U (zh) Pecvd進氣結構

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140730