TWM480758U - Pecvd進氣結構 - Google Patents
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- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
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Description
本創作是有關於反應室的均勻進氣方式，特別是有關於一種管式PECVD的噴淋進氣方式。
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是等離子體增強化學氣相沉積法，它的工作原理是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，形成等離子體，這些等離子體與基片表面發生化學反應，藉以在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD設備則是這個過程中的關鍵設備。PECVD設備鍍膜的均勻性，對太陽能電池的轉換效率有著嚴重的影響。如第1圖所示，目前PECVD設備的進氣結構是：一根直管A1從前過渡法蘭A2底部，直接進入反應室。採用這種結構的進氣方式是將製程氣體先混合，再藉由這根直管進入反應室底部，由於只藉由一個入口進入反應室，使得氣體過於集中。並且，工作時，反應室處於真空狀態，製程氣體從底部直接進入，使得氣體沉積於反應室底部，使得反應室底部的氣體密度高於頂部，導致氣體分布不均勻，生產出來的太陽能電池轉換效率不高。
本創作為了解決上述習知技術中存在的技術問題，提出了一種PECVD進氣結構，包括設於反應室內的Y型進氣管，Y型進氣管的兩個進氣口穿過反應室底部的前過渡法蘭，分別與反應室外的兩根製程管道連接，Y型進氣管的出氣口上設有噴淋進氣嘴，噴淋進氣嘴的開口朝向反應室的頂部設置。
較佳地，在Y型進氣嘴的兩個進氣口之間設有固定板，固定板上設有通孔，Y型進氣嘴藉由旋緊螺絲固定在前過渡法蘭上。
本創作採用了噴淋進氣方式，使製程氣體均勻的分佈到整個反應室，提高了鍍膜的均勻穩定性。並且採用本創作進行PECVD鍍膜的生產試驗，經由多次反復檢測，得出採用此種進氣方式後，電池片的鍍膜更均勻穩定，生產出的太陽能電池片的轉換率提高了大約2.39％，也極大的提高了太陽能電池片單位面積上的發電產能。
A1‧‧‧直管
A2、B2‧‧‧前過渡法蘭
B1、C3‧‧‧Y型進氣嘴
B3‧‧‧旋緊螺絲
B4‧‧‧製程管道
C1‧‧‧進氣管
C2‧‧‧固定板
C4‧‧‧噴淋進氣嘴
A2、B2‧‧‧前過渡法蘭
B1、C3‧‧‧Y型進氣嘴
B3‧‧‧旋緊螺絲
B4‧‧‧製程管道
C1‧‧‧進氣管
C2‧‧‧固定板
C4‧‧‧噴淋進氣嘴
第1圖係習知技術的結構示意圖。
第2圖係本創作的結構示意圖。
第3圖戲本創作進氣管的結構示意圖。
第2圖係本創作的結構示意圖。
第3圖戲本創作進氣管的結構示意圖。
下面結合圖式及實施例對本創作作進一步說明。
如第2圖至第3圖所示，本創作一實施例提出的PECVD進氣結構，採用Y型進氣嘴B1來進氣，該Y型進氣嘴設於反應室內，包括兩個進氣管C1和一個出氣管，兩個進氣口之間藉由一固定板C2相連接，固定片上設有通孔，一旋緊螺絲B3穿過該通孔，將Y型進氣嘴固定在反應室底部的前過渡法蘭B2上。該Y型進氣嘴的兩個進氣口C1穿過前過渡法蘭B2，分別與反應室外的兩根製程管道B4連接，Y型進氣管C3的出氣口上再設置一噴淋進氣嘴C4，並且噴淋進氣嘴的開口朝向反應室的頂部設置。
進氣時，製程氣體藉由製程管道從前過渡法蘭進入，再藉由Y型進氣管C3匯合，最後藉由噴淋進氣嘴C4，以風簾的方式噴向反應室的頂部，由於反應室為圓形，藉由反應室圓形的頂部，可以將製程氣體以發散的方式反射回來，藉由反復的反射，形成一道緻密的噴淋網，使得製程氣體可以均勻擴散至整個反應室，極大的提高了太陽能電池片鍍膜的均勻性，也提高了太陽能電池片的轉換率。
以上所述僅為本創作的較佳實施例而已，並不用以限制本創作，凡在本創作的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本創作的保護範圍之內。
B1‧‧‧Y型進氣嘴
B2‧‧‧前過渡法蘭
B3‧‧‧旋緊螺絲
B4‧‧‧製程管道
Claims (2)
- 【第1項】一種PECVD進氣結構，包括設於反應室內的Y型進氣管，該Y型進氣管的兩個進氣口穿過反應室底部的前過渡法蘭，分別與反應室外的兩根製程管道連接，其中該Y型進氣管的出氣口上設有噴淋進氣嘴，該噴淋進氣嘴的開口朝向反應室的頂部設置。
- 【第2項】如申請專利範圍第1項所述之PECVD進氣結構，其中該Y型進氣管的兩個進氣口之間設有固定板，該固定板上設有通孔，該Y型進氣管藉由旋緊螺絲固定在前過渡法蘭上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102223962U TWM480758U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Pecvd進氣結構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102223962U TWM480758U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Pecvd進氣結構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM480758U true TWM480758U (zh) | 2014-06-21 |
Family
ID=51396023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102223962U TWM480758U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Pecvd進氣結構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM480758U (zh) |
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2013
- 2013-12-19 TW TW102223962U patent/TWM480758U/zh not_active IP Right Cessation
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