CN220189638U - 一种低内阻高导电率的整流器组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低内阻高导电率的整流器组件，包括：芯片与壳体组件；芯片具有钼片、硅片、银片、硅橡胶环以及无氧铜底座，硅片与银片设置于钼片与无氧铜底座之间，硅橡胶环设置于银片与无氧铜底座边缘，由正极向负极依次为钼片、硅片、银片以及无氧铜底座。本实用新型的阳极设置钼片，阴极设置无氧铜底座，无氧铜底座与整流器组件的底板贴靠，底板与散热器板贴靠，从而起到快速散热的作用；钼片的阳极面蒸镀金膜，硅片的阴极面蒸镀金膜，硅片的阴极面设置银片，金、银的导电率都高于铜，从而可以提升导电率与使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型属于电子元器件技术领域，具体地说，涉及一种低内阻高导电率的整流器组件。
背景技术
整流器组件接入电器电路中将方向、大小时时在变的交流电，变为方向不变、大小在变的单向脉动电，再经过滤波电路、稳压电路将脉动电变为用电器能用的直流电，整流器组件内部具有芯片，芯片为整流二极管，其内部就有硅片，硅片两侧为导电座，电流流过芯片会使其温度升高，内阻越大，导电率越弱，温度就会越高，为了提升芯片的导电率提供了一种低内阻高导电率的整流器组件。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供了一种低内阻高导电率的整流器组件，解决了现有技术中芯片工作时温度高使用寿命短的问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型公开了一种低内阻高导电率的整流器组件，包括：芯片与壳体组件；芯片具有钼片、硅片、银片、硅橡胶环以及无氧铜底座，硅片与银片设置于钼片与无氧铜底座之间，硅橡胶环设置于银片与无氧铜底座边缘，由正极向负极依次为钼片、硅片、银片以及无氧铜底座。
进一步地，其上述钼片的阳极面蒸镀金膜。
进一步地，其上述硅片的阴极面蒸镀金膜。
进一步地，其上述无氧铜底座边缘设有环形卡槽。
进一步地，其上述环形卡槽具有第一卡槽与第二卡槽。
进一步地，其上述硅橡胶环具有第一凸环部、第二凸环部以及第三凸环部。
与现有技术相比，本申请可以获得包括以下技术效果：
本实用新型的阳极设置钼片，阴极设置无氧铜底座，无氧铜底座与整流器组件的底板贴靠，底板与散热器板贴靠，从而起到快速散热的作用；钼片的阳极面蒸镀金膜，硅片的阴极面蒸镀金膜，硅片的阴极面设置银片，金、银的导电率都高于铜，从而可以提升导电率与使用寿命。
当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是本实用新型的实施例的芯片的截面示意图；
图2是图1中A处的放大示意图。
钼片1，硅片2，银片3，硅橡胶环4，无氧铜底座5，金膜6，第一卡槽7，第二卡槽8，第一凸环部9，第二凸环部10，第三凸环部11。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
请参考图1与图2，图1是本实用新型的实施例的芯片的截面示意图；图2是图1中A处的放大示意图。一种低内阻高导电率的整流器组件，包括：芯片与壳体组件；芯片具有钼片1、硅片2、银片3、硅橡胶环4以及无氧铜底座5，硅片2与银片3设置于钼片1与无氧铜底座5之间，硅橡胶环4设置于银片3与无氧铜底座5边缘，由正极向负极依次为钼片1、硅片2、银片3以及无氧铜底座5。
钼片1的阳极面蒸镀金膜6；硅片2的阴极面蒸镀金膜6；无氧铜底座5边缘设有环形卡槽，环形卡槽具有第一卡槽7与第二卡槽8，硅橡胶环4具有第一凸环部9、第二凸环部10以及第三凸环部11；钼片1、硅片2、银片3以及无氧铜底座5呈圆形状，钼片1、硅片2以及无氧铜底座5的直径相同，银片3的直径小于硅片2的直径，硅橡胶环4是在芯片封装阶段由打胶机将液态胶涂于其边缘固化形成，第一凸环部9与第一卡槽7配合，第二凸环部10与第二卡槽8配合，第三凸环部11的厚度与银片3的厚度相等且位于银片3边缘，硅橡胶环4的作用是填充、连接、密封硅片2与无氧铜底座5之间的间隙。
本实用新型的阳极设置钼片1，阴极设置无氧铜底座5，无氧铜底座5与整流器组件的底板贴靠，底板与散热器板贴靠，从而起到快速散热的作用；钼片1的阳极面蒸镀金膜6，硅片2的阴极面蒸镀金膜6，硅片2的阴极面设置银片3，金、银的导电率都高于铜，从而可以提升导电率与使用寿命。
上述说明示出并描述了本实用新型的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述实用新型构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
Claims (6)
1.一种低内阻高导电率的整流器组件，包括：芯片与壳体组件；
其特征在于，所述芯片具有钼片、硅片、银片、硅橡胶环以及无氧铜底座，硅片与银片设置于钼片与无氧铜底座之间，硅橡胶环设置于银片与无氧铜底座边缘，由正极向负极依次为钼片、硅片、银片以及无氧铜底座。
2.如权利要求1所述的低内阻高导电率的整流器组件，其特征在于，所述钼片的阳极面蒸镀金膜。
3.如权利要求1所述的低内阻高导电率的整流器组件，其特征在于，所述硅片的阴极面蒸镀金膜。
4.如权利要求1所述的低内阻高导电率的整流器组件，其特征在于，所述无氧铜底座边缘设有环形卡槽。
5.如权利要求4所述的低内阻高导电率的整流器组件，其特征在于，所述环形卡槽具有第一卡槽与第二卡槽。
6.如权利要求1所述的低内阻高导电率的整流器组件，其特征在于，所述硅橡胶环具有第一凸环部、第二凸环部以及第三凸环部。
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