CN220121780U - 一种铝酸镧半导体衬底清洗装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，包括：传动装置，所述传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底移动；上水洗装置；刷洗装置，所述安装框的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊；试剂清洗装置，所述试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱和第二清洗液箱，所述推板可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及下水洗装置，所述下水洗装置设置在传动装置的下方，所述下水洗装置包括下水管，所述下水管的顶部连通设置有多个下喷淋头。本实用新型提供了铝酸镧半导体衬底清洗装置，能够对半导体衬底进行双面清洁，且内置有多种清洗组件，可以独立开启，进而根据不同的清洗需要灵活开启清洗组件和配比清洗液，使用效果较好。

Description

一种铝酸镧半导体衬底清洗装置

技术领域

本实用新型涉及铝酸镧半导体加工技术领域，具体为一种铝酸镧半导体衬底清洗装置。

背景技术

铝酸镧，熔点2080℃，密度6.52克/立方厘米，莫氏硬度6.5，是一种重要的衬底材料，与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁薄膜极好的衬底材料，结点性能适合于低温损耗微波及介电共振方面的应用。铝酸镧半导体衬底在半导体领域中不仅起着电气性能的作用，而且也起着机械支撑的作用，铝酸镧半导体衬底在生产制造过程中需要经过多道清洗工序，需经过化学试剂浸泡、超声洗涤振荡及去离子水等冲洗步骤，进而对衬底表面残留的杂质进行去除。

现有技术中，公开号为“CN213529815U”的一种半导体衬底清洗装置，涉及清洗装置技术领域，半导体衬底清洗装置，包括上箱体、下箱体、电磁阀以及夹具，下箱体固定连接在上箱体正下方，且电磁阀位于上箱体右侧，夹具位于上箱体内部中间，上箱体呈中空状，且上箱体内部底面中间开有滑槽，滑槽朝前延伸至上箱体前侧，且上箱体左右内壁螺纹连接有至少十个对称排布的雾化喷头，雾化喷头表面均匀分布有若干个喷孔，且上箱体内部底面开有若干个通孔，该半导体衬底清洗装置的有益效果在于：通过滑槽移动夹具便于衬底的拆卸和安装，通过雾化喷头使得衬底清洗彻底且避免损坏，使用脚踏开关控制电磁阀使得操作简单，出液量方便人为控制。

但是，其在使用过程中，仍然存在较为明显的缺陷：1、上述装置在对半导体衬底的清洗过程中，需要通过夹具对半导体衬底进行夹持，由此会导致被夹持部位难以得到有效的清洗，清洗不够彻底；2、对于不同使用环境的半导体衬底，其在清洗时所需要使用到的清洗用水和清洗试剂是不同的，但是上述装置只能使用固定预设的液体进行清洗，适用范围较为单一。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，包括：

传动装置，所述传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底移动；

上水洗装置，所述上水洗装置设置在传动装置的上方，所述上水洗装置包括上水管，所述上水管的底部连通设置有多个上喷淋头；

刷洗装置，所述刷洗装置包括外罩壳，所述外罩壳内部设置有可升降的安装框，所述安装框的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊；

试剂清洗装置，所述试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱和第二清洗液箱，所述第一清洗液箱和第二清洗液箱的底部均连通设置有出液管，所述出液管中设置有泄压阀，所述上水管的底部连通设置有出水管，两个所述出液管均连通于出水管，所述出水管的底部连通设置有冲洗板，所述冲洗板的底部连通设置有冲洗加压管，所述第一清洗液箱和第二清洗液箱的内部均活动设置有活动板，所述活动板上固定设置有推杆，所述推杆远离活动板的一端固定设置在推板上，所述推板和对应的第一清洗液箱、第二清洗液箱外壁之间连接设置有压缩弹簧，所述推板可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及

下水洗装置，所述下水洗装置设置在传动装置的下方，所述下水洗装置包括下水管，所述下水管的顶部连通设置有多个下喷淋头。

优选的，所述传动装置包括多个间隔设置的传动辊轴，所述传动辊轴的侧面固定有传动轮，且传动轮之间通过传动带进行传动。

优选的，所述外罩壳的内部固定设置有气缸，所述气缸的活塞端固定设置有横板，所述横板的底部固定设置有延长杆，所述延长杆的底部固定设置有安装框。

优选的，所述安装框的内壁上固定设置有第一旋转电机，所述第一旋转电机的输出端固定设置有中心轴，所述中心轴远离第一旋转电机的一端铰接设置在轴承座中，所述轴承座内嵌设置在安装框中，所述中心轴的外部固定套设有清洁辊。

优选的，所述第一清洗液箱和第二清洗液箱的顶部均设置有添加口。

优选的，所述推进装置包括第二旋转电机，所述第二旋转电机固定设置在立柱上，所述第二旋转电机的输出端固定设置有丝杠，所述丝杠上螺纹设置有螺母，所述螺母上固定设置有安装杆，所述安装杆上固定设置有平板，且所述平板在移动时能够推动推板。

优选的，所述丝杠远离第二旋转电机的一端固定设置有限位块。

优选的，所述下水管设置在废液箱中，所述废液箱的侧面设置有蓄水箱，所述下水管延伸至蓄水箱中，且所述下水管上设置有水泵。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型利用传动装置带动铝酸镧半导体衬底移动，使得半导体衬底无需被夹持阻挡，并在运动的过程中通过上水洗装置、刷洗装置、试剂清洗装置和下水洗装置的配合实现有效的双面清洗，清洁更加彻底；

2、本实用新型包括上水洗装置、刷洗装置、试剂清洗装置和下水洗装置多种清洗组件，根据不同的清洗要求，可以部分开启或者全部开启，而且试剂清洗装置包括第一清洗液箱和第二清洗液箱，其内部可以放置不同的化学试剂，并在清洗的过程中任意改变二者的配比，操作简单，使用更加灵活。

本实用新型提供了铝酸镧半导体衬底清洗装置，能够对半导体衬底进行双面清洁，且内置有多种清洗组件，可以独立开启，进而根据不同的清洗需要灵活开启清洗组件和配比清洗液，使用效果较好。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构的主视剖面示意图；

图2为本实用新型的清洁辊的安装结构示意图；

图3为本实用新型的试剂清洗装置的结构示意图。

图中：1传动辊轴、2传动带、3上水管、4上喷淋头、5外罩壳、6气缸、7横板、8延长杆、9安装框、10第一旋转电机、11中心轴、12轴承座、13清洁辊、141第一清洗液箱、142第二清洗液箱、15添加口、16出液管、17泄压阀、18出水管、19冲洗板、20冲洗加压管、21活动板、22推杆、23推板、24压缩弹簧、25第二旋转电机、26立柱、27丝杠、28限位块、29螺母、30安装杆、31平板、32下水管、33废液箱、34蓄水箱、35水泵、36下喷淋头、37铝酸镧半导体衬底。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：

实施例一：

一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，包括：

传动装置，传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底37移动，在移动的过程中，铝酸镧半导体衬底37的正面和背面都可以得到清洗，而且不存在传统的夹持装置的遮挡干扰，使得清洗更加彻底；

上水洗装置，上水洗装置设置在传动装置的上方，上水洗装置包括上水管3，上水管3的底部连通设置有多个上喷淋头4，上喷淋头4朝向传动装置设置，用于对铝酸镧半导体衬底37的正面进行喷淋清洗；

刷洗装置，刷洗装置包括外罩壳5，外罩壳5内部设置有可升降的安装框9，安装框9的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊13，在实际使用时，若不需要使用清洁辊13，则可以将其向上升起，若需要使用清洁辊13，则可以降低至和铝酸镧半导体衬底37的上表面相接触的位置，用于刷洗清洗，提高清洁力度；

试剂清洗装置，试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱141和第二清洗液箱142，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部可以存放有不同的化学清洗试剂，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的底部均连通设置有出液管16，出液管16中设置有泄压阀17，泄压阀17在感受到水压超过预定值时会自动打开，在压力下降时又会自动关闭，上水管3的底部连通设置有出水管18，两个出液管16均连通于出水管18，由此，两个出液管16中可以分别导入不同种类、不同份量的化学试剂，在出水管18中进行混合配比，实现针对式清洗，出水管18的底部连通设置有冲洗板19，冲洗板19的底部连通设置有冲洗加压管20，冲洗加压管20中会喷出混合配比后的化学清洗试剂，对铝酸镧半导体衬底37进行清洗，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部均活动设置有活动板21，活动板21能够贴合着第一清洗液箱141、第二清洗液箱142的内壁移动，进而挤出内部的试剂，活动板21上固定设置有推杆22，推杆22远离活动板21的一端固定设置在推板23上，推板23和对应的第一清洗液箱141、第二清洗液箱142外壁之间连接设置有压缩弹簧24，推板23可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及

下水洗装置，下水洗装置设置在传动装置的下方，下水洗装置包括下水管32，下水管32的顶部连通设置有多个下喷淋头36，多个下喷淋头36中也能够喷出清洗液，进而对铝酸镧半导体衬底37的背面进行冲洗，整体上实现双面清洁。

实施例二：

一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，包括：

传动装置，传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底37移动，在移动的过程中，铝酸镧半导体衬底37的正面和背面都可以得到清洗，而且不存在传统的夹持装置的遮挡干扰，使得清洗更加彻底；

上水洗装置，上水洗装置设置在传动装置的上方，上水洗装置包括上水管3，上水管3的底部连通设置有多个上喷淋头4，上喷淋头4朝向传动装置设置，用于对铝酸镧半导体衬底37的正面进行喷淋清洗；

刷洗装置，刷洗装置包括外罩壳5，外罩壳5内部设置有可升降的安装框9，外罩壳5的内部固定设置有气缸6，气缸6的活塞端固定设置有横板7，气缸6在启动时，可以带动横板7升降，横板7的底部固定设置有延长杆8，延长杆8的底部固定设置有安装框9，由此，横板7又通过延长杆8带动安装框9升降，以此实现对安装框9的高度调节，安装框9的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊13，在实际使用时，若不需要使用清洁辊13，则可以将其向上升起，若需要使用清洁辊13，则可以降低至和铝酸镧半导体衬底37的上表面相接触的位置，用于刷洗清洗，提高清洁力度，安装框9的内壁上固定设置有第一旋转电机10，第一旋转电机10的输出端固定设置有中心轴11，中心轴11远离第一旋转电机10的一端铰接设置在轴承座12中，轴承座12内嵌设置在安装框9中，中心轴11的外部固定套设有清洁辊13，在使用时，启动第一旋转电机10，第一旋转电机10会通过中心轴11带动清洁辊13旋转，轴承座12的设置则使得中心轴11的旋转可以更加顺畅，起到了活动支撑的作用；

试剂清洗装置，试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱141和第二清洗液箱142，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部可以存放有不同的化学清洗试剂，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的底部均连通设置有出液管16，出液管16中设置有泄压阀17，泄压阀17在感受到水压超过预定值时会自动打开，在压力下降时又会自动关闭，上水管3的底部连通设置有出水管18，两个出液管16均连通于出水管18，由此，两个出液管16中可以分别导入不同种类、不同份量的化学试剂，在出水管18中进行混合配比，实现针对式清洗，出水管18的底部连通设置有冲洗板19，冲洗板19的底部连通设置有冲洗加压管20，冲洗加压管20中会喷出混合配比后的化学清洗试剂，对铝酸镧半导体衬底37进行清洗，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部均活动设置有活动板21，活动板21能够贴合着第一清洗液箱141、第二清洗液箱142的内壁移动，进而挤出内部的试剂，活动板21上固定设置有推杆22，推杆22远离活动板21的一端固定设置在推板23上，推板23和对应的第一清洗液箱141、第二清洗液箱142外壁之间连接设置有压缩弹簧24，推板23可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及

下水洗装置，下水洗装置设置在传动装置的下方，下水洗装置包括下水管32，下水管32的顶部连通设置有多个下喷淋头36，多个下喷淋头36中也能够喷出清洗液，进而对铝酸镧半导体衬底37的背面进行冲洗，整体上实现双面清洁。

实施例三：

一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，包括：

传动装置，传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底37移动，在移动的过程中，铝酸镧半导体衬底37的正面和背面都可以得到清洗，而且不存在传统的夹持装置的遮挡干扰，使得清洗更加彻底；

上水洗装置，上水洗装置设置在传动装置的上方，上水洗装置包括上水管3，上水管3的底部连通设置有多个上喷淋头4，上喷淋头4朝向传动装置设置，用于对铝酸镧半导体衬底37的正面进行喷淋清洗；

刷洗装置，刷洗装置包括外罩壳5，外罩壳5内部设置有可升降的安装框9，安装框9的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊13，在实际使用时，若不需要使用清洁辊13，则可以将其向上升起，若需要使用清洁辊13，则可以降低至和铝酸镧半导体衬底37的上表面相接触的位置，用于刷洗清洗，提高清洁力度；

试剂清洗装置，试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱141和第二清洗液箱142，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部可以存放有不同的化学清洗试剂，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的顶部均设置有添加口15，在使用完清洗液后，可以分别通过添加口15进行补充，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的底部均连通设置有出液管16，出液管16中设置有泄压阀17，泄压阀17在感受到水压超过预定值时会自动打开，在压力下降时又会自动关闭，上水管3的底部连通设置有出水管18，两个出液管16均连通于出水管18，由此，两个出液管16中可以分别导入不同种类、不同份量的化学试剂，在出水管18中进行混合配比，实现针对式清洗，出水管18的底部连通设置有冲洗板19，冲洗板19的底部连通设置有冲洗加压管20，冲洗加压管20中会喷出混合配比后的化学清洗试剂，对铝酸镧半导体衬底37进行清洗，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部均活动设置有活动板21，活动板21能够贴合着第一清洗液箱141、第二清洗液箱142的内壁移动，进而挤出内部的试剂，活动板21上固定设置有推杆22，推杆22远离活动板21的一端固定设置在推板23上，推板23和对应的第一清洗液箱141、第二清洗液箱142外壁之间连接设置有压缩弹簧24，推板23可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及

下水洗装置，下水洗装置设置在传动装置的下方，下水洗装置包括下水管32，下水管32设置在废液箱33中，废液箱33用于储存使用后的清洗液，废液箱33的侧面设置有蓄水箱34，下水管32延伸至蓄水箱34中，且下水管32上设置有水泵35，水泵35则用于将蓄水箱34中的液体泵至下水管32的内部，下水管32的顶部连通设置有多个下喷淋头36，多个下喷淋头36中也能够喷出清洗液，进而对铝酸镧半导体衬底37的背面进行冲洗，整体上实现双面清洁。

实施例四：

本实施例在上述实施例一、实施例二或实施例三的基础上，进行了进一步的限定和公开，具体地：传动装置包括多个间隔设置的传动辊轴1，间隔设置的形式使得铝酸镧半导体衬底37的背面可以暴露出来，便于下喷淋头36的直接喷淋清洗，传动辊轴1的侧面固定有传动轮，且传动轮之间通过传动带2进行传动，由此，可以实现多个传动辊轴1的同步联动。

实施例五：

本实施例在上述实施例一、实施例二或实施例三的基础上，对推进装置的具体结构进行了进一步的限定和公开，具体地：推进装置包括第二旋转电机25，第二旋转电机25固定设置在立柱26上，立柱26固定设置在上水管3的表面，第二旋转电机25的输出端固定设置有丝杠27，丝杠27远离第二旋转电机25的一端固定设置有限位块28，限位块28的设置可以避免螺母29在移动时脱离丝杠27，丝杠27上螺纹设置有螺母29，当第二旋转电机25带动丝杠27旋转时，螺母29会沿着丝杠27发生移动，螺母29上固定设置有安装杆30，安装杆30上固定设置有平板31，且平板31在移动时能够推动推板23，进而挤压出化学清洗试剂。

工作原理：

在使用时，首先将铝酸镧半导体衬底37放置在传动装置的传动辊轴1上，多个传动辊轴1会同步发生旋转，进而带动铝酸镧半导体衬底37持续移动，在此过程中，本装置能够对铝酸镧半导体衬底37的正面和背面同时进行清洗，使得清洁更加彻底。

本装置中设置有上水洗装置、刷洗装置、试剂清洗装置和下水洗装置多种清洗组件，根据不同的清洗要求，可以部分开启或者全部开启，具体地：

若要使用上水洗装置，则上水管3内部的水会源源不断地从多个上喷淋头4中喷出，进而对铝酸镧半导体衬底37的正面进行冲洗；

若铝酸镧半导体衬底37的表面存在附着杂物，则可以启用刷洗装置，气缸6启动后带动横板7下降，横板7又通过延长杆8带动安装框9下降，直至清洁辊13接触铝酸镧半导体衬底37的正面，接着，启动第一旋转电机10，第一旋转电机10通过中心轴11带动清洁辊13发生持续旋转，进而对铝酸镧半导体衬底37的正面进行更好地刷洗清洁；

若铝酸镧半导体衬底37的表面只使用清水清洗不能达到预期效果的话，则可以再启用试剂清洗装置，试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱141和第二清洗液箱142，第一清洗液箱141和第二清洗液箱142的内部可以存放有不同的化学清洗试剂，使用时，分别启动两个第二旋转电机25，第二旋转电机25带动丝杠27旋转，使得螺母29沿着丝杠27移动，螺母29又通过安装杆30带动平板31移动，平板31则逐步推动推板23，推板23又通过推杆22推动活动板21，进而将第一清洗液箱141和第二清洗液箱142中的化学试剂挤出，可以独立添加，灵活配比份量，挤出的化学试剂进入到出水管18的内部，在此混合后，进入到冲洗板19的内部，最后从冲洗加压管20中喷出，对铝酸镧半导体衬底37的正面进行化学清洗；

若需要对铝酸镧半导体衬底37进行双面清洗，则开启水泵35，水泵35将蓄水箱34中的液体泵至下水管32，最终从下喷淋头36中喷出，对铝酸镧半导体衬底37的背面进行清洗；

上述的清洗组件能够根据实际情况灵活选用，既能够单独使用，也可以全部开启，可以进行针对化的清洁，调节操作简单，适用范围更广。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于，包括：

传动装置，所述传动装置用于带动铝酸镧半导体衬底(37)移动；

上水洗装置，所述上水洗装置设置在传动装置的上方，所述上水洗装置包括上水管(3)，所述上水管(3)的底部连通设置有多个上喷淋头(4)；

刷洗装置，所述刷洗装置包括外罩壳(5)，所述外罩壳(5)内部设置有可升降的安装框(9)，所述安装框(9)的内部设置有可被驱动旋转的清洁辊(13)；

试剂清洗装置，所述试剂清洗装置包括相对设置的第一清洗液箱(141)和第二清洗液箱(142)，所述第一清洗液箱(141)和第二清洗液箱(142)的底部均连通设置有出液管(16)，所述出液管(16)中设置有泄压阀(17)，所述上水管(3)的底部连通设置有出水管(18)，两个所述出液管(16)均连通于出水管(18)，所述出水管(18)的底部连通设置有冲洗板(19)，所述冲洗板(19)的底部连通设置有冲洗加压管(20)，所述第一清洗液箱(141)和第二清洗液箱(142)的内部均活动设置有活动板(21)，所述活动板(21)上固定设置有推杆(22)，所述推杆(22)远离活动板(21)的一端固定设置在推板(23)上，所述推板(23)和对应的第一清洗液箱(141)、第二清洗液箱(142)外壁之间连接设置有压缩弹簧(24)，所述推板(23)可被推进装置推动以实现试剂的添加；以及

下水洗装置，所述下水洗装置设置在传动装置的下方，所述下水洗装置包括下水管(32)，所述下水管(32)的顶部连通设置有多个下喷淋头(36)。

2.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述传动装置包括多个间隔设置的传动辊轴(1)，所述传动辊轴(1)的侧面固定有传动轮，且传动轮之间通过传动带(2)进行传动。

3.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述外罩壳(5)的内部固定设置有气缸(6)，所述气缸(6)的活塞端固定设置有横板(7)，所述横板(7)的底部固定设置有延长杆(8)，所述延长杆(8)的底部固定设置有安装框(9)。

4.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述安装框(9)的内壁上固定设置有第一旋转电机(10)，所述第一旋转电机(10)的输出端固定设置有中心轴(11)，所述中心轴(11)远离第一旋转电机(10)的一端铰接设置在轴承座(12)中，所述轴承座(12)内嵌设置在安装框(9)中，所述中心轴(11)的外部固定套设有清洁辊(13)。

5.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述第一清洗液箱(141)和第二清洗液箱(142)的顶部均设置有添加口(15)。

6.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述推进装置包括第二旋转电机(25)，所述第二旋转电机(25)固定设置在立柱(26)上，所述第二旋转电机(25)的输出端固定设置有丝杠(27)，所述丝杠(27)上螺纹设置有螺母(29)，所述螺母(29)上固定设置有安装杆(30)，所述安装杆(30)上固定设置有平板(31)，且所述平板(31)在移动时能够推动推板(23)。

7.根据权利要求6所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述丝杠(27)远离第二旋转电机(25)的一端固定设置有限位块(28)。

8.根据权利要求1所述的一种铝酸镧半导体衬底清洗装置，其特征在于：所述下水管(32)设置在废液箱(33)中，所述废液箱(33)的侧面设置有蓄水箱(34)，所述下水管(32)延伸至蓄水箱(34)中，且所述下水管(32)上设置有水泵(35)。