CN219930243U - 多腔体薄膜沉积装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，公开了多腔体薄膜沉积装置，包括：反应腔体和射频机构，反应腔体设置有多个，射频机构上设有多个射频电源，多个射频电源与多个反应腔体对应设置，多个射频电源与多个反应腔体经连接线对应连接设置，射频机构内还设有控制器，控制器与多个射频电源电连接，通过控制器来控制相应的射频电源。本实用新型通过将射频机构与反应腔体分开设置，设置多个反应腔体和多个射频电源，使得每个反应腔体内都能够对一个晶圆进行薄膜沉积，即设置多个反应腔体和多个射频电源可以同时对多个晶圆进行薄膜沉积，提高晶圆的薄膜沉积效率，同时，可以保证同一批进行薄膜沉积的晶圆质量参数一致。

Description

多腔体薄膜沉积装置

技术领域

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，具体涉及多腔体薄膜沉积装置。

背景技术

薄膜沉积是晶圆加工制造中重要的一环，其通过薄膜沉积设备在晶圆表面形成薄膜。化学气相薄膜沉积设备是其中的一种，其通过将晶圆放置在反应腔室内，将反应气体通过气体分配盘进入反应腔，并使用射频装置将反应气体等离子化，反应腔内的加热盘提供晶圆反应所需的温度，使晶圆上沉积薄膜。

现有技术中，薄膜沉积装置设有射频电源和反应腔体，反应腔体内顶部设有上电极，反应腔体内底部设有下电极，上电极与下电极在射频电源的作用下形成电场，反应腔体内的反应气体在电场的作用下形成等离子体，利用等离子体在高温高压下的化学反应，将气态物质沉积在基底表面形成薄膜。但是，薄膜沉积装置中通常设置一个反应腔体和对应设置一个射频电源，在薄膜沉积的过程中只能对单个晶圆进行薄膜沉积，导致薄膜沉积装置效率低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种多腔体薄膜沉积装置，以解决薄膜沉积装置效率低的问题。

本实用新型提供了多腔体薄膜沉积装置，包括：

反应腔体，设有多个；

射频机构，对应所述反应腔体设有多个射频电源，多个所述射频电源与多个所述反应腔体经连接线对应连接设置，所述射频机构内还设有控制器，所述控制器与多个所述射频电源电连接。

通过将射频机构与反应腔体分开设置，设置多个反应腔体和多个射频电源，使得每个反应腔体内都能够对一个晶圆进行薄膜沉积，即设置多个反应腔体和多个射频电源可以同时对多个晶圆进行薄膜沉积，提高晶圆的薄膜沉积效率，同时，可以保证同一批进行薄膜沉积的晶圆质量参数一致。

在一种可选的实施方式中，多个所述射频电源间隔设于所述射频机构的侧壁。以便于射频电源安装在射频机构上，同时，通过间隔设置多个射频电源以便于射频电源与反应腔体对应连接。

在一种可选的实施方式中，多个所述射频电源沿所述射频机构的高度方向间隔设置。以便于射频电源与反应腔体对应连接。

在一种可选的实施方式中，所述射频机构相对的两个侧壁上对称设置所述射频电源。以便于工作人员观察射频电源的使用情况。

在一种可选的实施方式中，所述射频机构还包括显示屏和控制键盘，所述显示屏与所述控制键盘设于所述射频机构的外表面，且所述显示屏与所述控制键盘均与所述控制器电连接。

通过设置与控制器连接的显示屏和控制键盘，以便于工作人员同时控制多个射频电源。

在一种可选的实施方式中，所述射频机构上设有转轴，所述转轴与所述控制键盘连接，所述控制键盘适于绕所述转轴的轴向方向转动。可以根据使用环境来设置控制键盘的位置。

在一种可选的实施方式中，所述显示屏与所述控制键盘设于所述射频机构的一端，所述射频电源设于所述射频机构的另一端。

通过将射频电源与控制键盘分别设置在射频机构的两端，保证工作人员在工作安全。

在一种可选的实施方式中，所述反应腔体靠近所述射频机构的所述射频电源的一端设置。以便于反应腔室与射频电源连接。

在一种可选的实施方式中，所述射频机构上还设有柜门，所述柜门与所述射频电源设于所述射频机构的同一侧。

通过在射频机构上设置柜门以便于工作人员维修射频机构。

在一种可选的实施方式中，所述射频机构呈长方体状。

通过将射频机构设置呈长方体状，以便于射频机构的加工与制造。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例的一种多腔体薄膜沉积装置的平面示意图；

图2为图1中射频机构的结构示意图。

附图标记说明：

1、射频机构；101、射频电源；102、显示屏；103、控制键盘；104、柜门；2、连接线；3、反应腔体。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

相关技术中，薄膜沉积装置设有射频电源和反应腔体，反应腔体内顶部设有上电极，反应腔体内底部设有下电极，上电极与下电极在射频电源的作用下形成电场，反应腔体内的反应气体在电场的作用下形成等离子体，利用等离子体在高温高压下的化学反应，将气态物质沉积在基底表面形成薄膜。但是，薄膜沉积装置中通常设置一个反应腔体和对应设置一个射频电源，在薄膜沉积的过程中只能对单个晶圆进行薄膜沉积，导致薄膜沉积装置效率低。

下面结合图1至图2，描述本实用新型的实施例。

根据本实用新型的实施例，提供了一种多腔体薄膜沉积装置，包括：反应腔体3和射频机构1，反应腔体3设置有多个，射频机构1上设有多个射频电源101，多个射频电源101与多个反应腔体3对应设置，例如设置八个反应腔体3，则射频机构1上对应八个反应腔体3设置八个射频电源101，多个射频电源101与多个反应腔体3经连接线2对应连接设置，射频机构1内还设有控制器，控制器与多个射频电源101电连接，通过控制器来控制相应的射频电源101。

此多腔体薄膜沉积装置，通过将射频机构1与反应腔体3分开设置，设置多个反应腔体3和多个射频电源101，使得每个反应腔体3内都能够对一个晶圆进行薄膜沉积，即设置多个反应腔体3和多个射频电源101可以同时对多个晶圆进行薄膜沉积，提高晶圆的薄膜沉积效率，同时，可以保证同一批进行薄膜沉积的晶圆质量参数一致。

在一个实施例中，如图2所示，多个射频电源101间隔设置在射频机构1的侧壁，以便于射频电源101安装在射频机构1上，同时，通过间隔设置多个射频电源101以便于射频电源101与反应腔体3对应连接。

在一个实施例中，如图2所示，多个射频电源101沿射频机构1的高度方向间隔设置，以便于射频电源101与反应腔体3对应连接。

在一个实施例中，射频机构1上相对的两个侧壁上设有射频电源101，两个侧壁上的射频电源101对称设置，通过将射频电源101对称设置在射频机构1的两侧，以便于工作人员观察射频电源101的使用情况，若射频电源101出现故障，工作人员可以第一时间发现故障的射频电源101。

在一个实施例中，如图2所示，射频机构1还包括显示屏102和控制键盘103，显示屏102和控制键盘103设置在射频机构1的外表面，且显示屏102和控制键盘103均与控制器电连接，通过设置与控制器连接的显示屏102和控制键盘103，以便于工作人员同时控制多个射频电源101。

在一个实施例中，如图2所示，射频机构1上设有转轴，转轴与控制键盘103连接，控制键盘103适于绕转轴的轴向方向转动，即需要使用控制键盘103时，可以翻转控制键盘103，以便于工作人员操作；若无需使用控制键盘103时，可以将控制键盘103贴合在射频机构1上。

在一个实施例中，如图2所示，显示屏102与控制键盘103设置在射频机构1的第一端，射频电源101设置在射频机构1的第二端，第一端与第二端分别设于射频机构1的两端，通过将射频电源101与控制键盘103分别设置在射频机构1的两端，保证工作人员在工作安全。

在一个实施例中，如图1所示，反应腔体3靠近射频机构1的射频电源101的一端设置，以便于反应腔室与射频电源101连接。

在一个实施例中，如图2所示，射频机构1上还设有柜门104，柜门104与射频电源101设于射频机构1的同一侧，通过在射频机构1上设置柜门104以便于工作人员维修射频机构1。

在一个实施例中，如图2所示，射频机构1呈长方体状，通过将射频机构1设置呈长方体状，以便于射频机构1的加工与制造。

本实施例中多腔体薄膜沉积装置的工作原理是：

通过将射频机构1与反应腔体3分开设置，设置多个反应腔体3和多个射频电源101，使得每个反应腔体3内都能够对一个晶圆进行薄膜沉积，即设置多个反应腔体3和多个射频电源101可以同时对多个晶圆进行薄膜沉积，提高晶圆的薄膜沉积效率，同时，可以保证同一批进行薄膜沉积的晶圆质量参数一致。

虽然结合附图描述了本实用新型的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

反应腔体(3)，设有多个；

射频机构(1)，对应所述反应腔体(3)设有多个射频电源(101)，多个所述射频电源(101)与多个所述反应腔体(3)经连接线(2)对应连接设置，所述射频机构(1)内还设有控制器，所述控制器与多个所述射频电源(101)电连接。

2.根据权利要求1所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，多个所述射频电源(101)间隔设于所述射频机构(1)的侧壁。

3.根据权利要求2所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，多个所述射频电源(101)沿所述射频机构(1)的高度方向间隔设置。

4.根据权利要求3所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频机构(1)相对的两个侧壁上对称设置所述射频电源(101)。

5.根据权利要求4所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频机构(1)还包括显示屏(102)和控制键盘(103)，所述显示屏(102)与所述控制键盘(103)设于所述射频机构(1)的外表面，且所述显示屏(102)与所述控制键盘(103)均与所述控制器电连接。

6.根据权利要求5所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频机构(1)上设有转轴，所述转轴与所述控制键盘(103)连接，所述控制键盘(103)适于绕所述转轴的轴向方向转动。

7.根据权利要求6所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述显示屏(102)与所述控制键盘(103)设于所述射频机构(1)的一端，所述射频电源(101)设于所述射频机构(1)的另一端。

8.根据权利要求7所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述反应腔体(3)靠近所述射频机构(1)的所述射频电源(101)的一端设置。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频机构(1)上还设有柜门(104)，所述柜门(104)与所述射频电源(101)设于所述射频机构(1)的同一侧。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的多腔体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频机构(1)呈长方体状。