CN209397262U - 等离子体增强化学气相沉积用电极装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其包括气盒机构及电极机构,气盒机构包括呈中空结构的气盒体,中空结构形成气腔,气盒体呈矩形结构,气盒体的顶面中心处开设有与气腔连通的进气口,气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板,相邻两隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与气腔连通的呈条状的出气口,出气口之间呈平行的等间距设置,相邻两隔板之间形成电离腔,电极机构包括承载体,承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条,电极条对应悬置于电离腔中;工作时,隔板与电极条分别接通不同的电极,从而二者之间形成电离气体的电场,进而使得在基板上形成一层均匀的沉积层,结构简单且易于制造和使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种等离子体增强化学气相沉积用装置,尤其涉及一种对气体进行电离的等离子体增强化学气相沉积用电极装置。
背景技术
随着经济建设的快速发展,微电子技术得到了迅猛的发展,等离子体增强化学气相沉积(英文全称:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;简称:PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电,产生等离子体化学沉积的设备,由于等离子体的存在,从而降低沉积温度。目前,PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成,通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体,这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。
目前,等离子体增强化学气相沉积设备中的电极装置在对气体的电离过程中,由于电离之前的气体及电极之间的不均匀接触,使得电离所产生的等离子呈现不均匀分布的技术缺陷,其难以控制处理操作的均匀性,从而在基板的表面上形成过厚或者过薄的沉积层,即在基板上呈现不均匀厚度的沉积层。
因此,亟需一种能有效提高沉积层均匀性的等离子体增强化学气相沉积用电极装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能有效提高沉积层均匀性的等离子体增强化学气相沉积用电极装置。
为了实现上有目的,本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其包括气盒机构及电极机构,所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体,所述中空结构形成气腔,所述气盒体呈矩形结构,所述气盒体的顶面中心处开设有与所述气腔连通的进气口,所述气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板,相邻两所述隔板之间的所述气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔连通的呈条状的出气口,所述出气口之间呈平行的等间距设置,相邻两所述隔板之间形成电离腔,所述电极机构包括承载体,所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条,所述电极条对应悬置于所述电离腔中。
较佳地,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置中悬置于所述电离腔中的所述电极条位于所述出气口的正下方。
较佳地,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置中的气盒机构还包括安装板,所述安装板呈相对的固定于所述气盒体的相对两侧上,且位于最外侧的两所述隔板与两所述安装板围成一矩形结构,所述电极条可拆卸的水平插设于所述安装板上。
较佳地,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置中的安装板上对应开设有供所述电极条可拆卸的插入的插口,所述电极条插设于所述插口中使所述电极条悬置于所述电离腔中。
较佳地,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置中的进气口还连接一进气管。
与现有技术相比,本实用新型由于气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板,且相邻两隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与气腔连通的呈条状的出气口,该出气口之间呈平行的等间距设置,相邻两隔板之间形成电离腔借由出气口与气腔连通,电极条对应悬置于电离腔中;工作时,隔板与电极条分别接通不同的电极,从而使隔板与电极条之间形成电场,由于电离腔借由呈条状的出气口与气腔连通,形成电离腔的隔板及出气口又呈等间距的分布,因此从气腔内进入电离腔内的气体呈均匀的分散在电离腔中,均匀分散于电离腔的气体在在隔板及电极条所形成的立体电场中发生等效的电离,由于气体得到均匀的电离,从而使得在基板上形成一层均匀的沉积层,有效提高了沉积层均匀性;结构简单且易于制造和使用。
附图说明
图1是本实用新型等离子体增强化学气相沉积用电极装置的结构示意图。
图2是图1翻转一定角度后的结构示意图。
图3是图1的分解结构示意图。
图4是沿图1中A-A线的剖视结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
如图1-图4所示,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置100,包括气盒机构及电极机构,气盒机构包括呈中空结构的气盒体1,该气盒体1的中空结构形成气腔11,气盒体1呈矩形结构,气盒体1的顶面中心处开设有与气腔11连通的进气口12,使用时外界提供需要电离的气体的供气装置与该进气口12连通,气盒体1的底面呈平行的等间距设置有导电结构的隔板13,相邻两隔板13之间的气盒体1的底面贯穿开设有与气腔11连通的呈条状的出气口14,出气口14之间呈平行的等间距设置,相邻两隔板13之间形成电离腔15,上述电极机构2包括承载体21,所述承载体21上呈平行且等间距的延伸出与电离腔15对应的电极条22,电极条22对应悬置于电离腔15中;使用时,隔板13接通电源的负极,电极条22接通电源的正极,从而使得隔板13和电极条22之间形成电场,从而对通过进气口12进入气腔11后再通过出气口14而进入电离腔15内的气体在电场的作用下发生电离,这些电离的电离气体将均匀的沉积在电离腔15下方的基板(图中未示)上,从而在基板上形成一层均匀的沉积层。
如图4所示,为了使得从出气口14中进入到电离腔15中的气体能均匀且有效的被电场作用而发生电离,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置100中悬置于电离腔15中的电极条22位于出气口14的正下方;将电极条22设置于出气口14的正下方,使得从出气口14进入到电离腔15的气体能最大化处于电极条22和隔板13所产生的电场中,进而使得气体电离更为充分,进一步的确保了基板上形成的沉积层的均匀性。
如图1-图4所示,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置100中的气盒机构还包括安装板16,安装板16呈相对的固定于气盒体1的相对两侧上,且位于最外侧的两隔板13与两安装板16围成一矩形结构,电极条22可拆卸的水平插设于安装板16上;借由安装板16实现对电极条22的承载,使得电极条22呈悬置于电离腔15中,结构简单且实用;具体地,安装板16上对应开设有供电极条22可拆卸的插入的插口17,电极条22一一对应的插设于插口17中,从而使得电极条22悬置于电离腔15中。
如图1、图3及图4所示,本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用电极装置100中的进气口12还连接一进气管18,借由该进气管18可方便快捷的与外界提供需要电离的气体的供气装置连通。
结合图1-图4所示,本实用新型由于气盒体1的底面呈平行的等间距设置有隔板13,且相邻两隔板13之间的气盒体1的底面贯穿开设有与气腔11连通的呈条状的出气口14,该出气口14之间呈平行的等间距设置,相邻两隔板之间形成电离腔15借由出气口14与气腔11连通,电极条22对应悬置于电离腔15中;工作时,隔板13与电极条22分别接通不同的电极,从而使隔板13与电极条22之间形成电场,由于电离腔15借由呈条状的出气口14与气腔11连通,形成电离腔15的隔板及出气口14又呈等间距的分布,因此从气腔11内进入电离腔15内的气体呈均匀的分散在电离腔15中,均匀分散于电离腔15的气体在在隔板13及电极条22所形成的立体电场中发生等效的电离,由于气体得到均匀的电离,从而使得在基板上形成一层均匀的沉积层,有效提高了沉积层均匀性;结构简单且易于制造和使用。
另,本实用新型所涉及的气体在电场作用下发生电离的原理,均为本领域普通技术人员所熟知的,在此不再作详细的说明。
以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (5)
1.一种等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其特征在于,包括气盒机构及电极机构,所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体,所述中空结构形成气腔,所述气盒体呈矩形结构,所述气盒体的顶面中心处开设有与所述气腔连通的进气口,所述气盒体的底面呈平行的等间距设置有隔板,相邻两所述隔板之间的所述气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔连通的呈条状的出气口,所述出气口之间呈平行的等间距设置,相邻两所述隔板之间形成电离腔,所述电极机构包括承载体,所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条,所述电极条对应悬置于所述电离腔中。
2.如权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其特征在于,悬置于所述电离腔中的所述电极条位于所述出气口的正下方。
3.如权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其特征在于,所述气盒机构还包括安装板,所述安装板呈相对的固定于所述气盒体的相对两侧上,且位于最外侧的两所述隔板与两所述安装板围成一矩形结构,所述电极条可拆卸的水平插设于所述安装板上。
4.如权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其特征在于,所述安装板上对应开设有供所述电极条可拆卸的插入的插口,所述电极条插设于所述插口中使所述电极条悬置于所述电离腔中。
5.如权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积用电极装置,其特征在于,所述进气口还连接一进气管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201822142976.9U CN209397262U (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 等离子体增强化学气相沉积用电极装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201822142976.9U CN209397262U (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 等离子体增强化学气相沉积用电极装置 |
Publications (1)
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CN209397262U true CN209397262U (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=67895452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201822142976.9U Active CN209397262U (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 等离子体增强化学气相沉积用电极装置 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112831772A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-05-25 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
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CN112831772A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-05-25 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
CN112831772B (zh) * | 2021-03-02 | 2023-02-14 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
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