CN219917160U - 半蚀刻引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种半蚀刻引线框架，该引线框架包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。本实用新型的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。

Description

半蚀刻引线框架

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特指一种半蚀刻引线框架。

背景技术

在半导体封装技术领域，由于半导体IC产品外形和功能的需要，其生产所使用的引线框架的底部不是平面设计，同时该引线框架的厚度较薄，约在100um左右，从而使得引线框架的底部支撑强度较低。在进行DB(贴片)和WB(焊线)工艺时，引线框架会发生不可控的跳动，从而造成虚焊，球脱或上片中心偏移等异常现象，影响了产品的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种半蚀刻引线框架，解决现有的引线框架底部支撑强度较低引发不可控的跳动造成虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象发生，进而影响了产品的良率的问题。

实现上述目的的技术方案是：

本实用新型提供了一种半蚀刻引线框架，包括：

基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；

设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及

填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。

本实用新型的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第二连筋的正面与所述第一部分的正面相平齐。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述引脚的数量有两个，两个引脚之间形成有间隙；

所述封装层还填充于两个引脚之间的间隙内。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚的凹入部形成在两个引脚上靠近间隙的一侧。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚上远离间隙的一侧设有第一引脚连筋。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，两个引脚的下侧设有第二引脚连筋。

本实用新型半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛和所述引脚外露在所述封装层外的部分设有镀锡层。

附图说明

图1为本实用新型半蚀刻引线框架的结构示意图。

图2为本实用新型半蚀刻引线框架中省去镂空部的结构示意图。

图3为本实用新型半蚀刻引线框架中基岛和引脚的结构示意图。

图4为本实用新型半蚀刻引线框架中基岛和引脚的剖视图。

图5为本实用新型半蚀刻引线框架的剖视图。

图6至图9为本实用新型半蚀刻引线框架的封装过程中各工艺对应的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

参阅图1，本实用新型提供了一种半蚀刻引线框架，用于解决现有的半蚀刻引线框架设计在DB和WB工序时，会产生不可控的跳动，造成虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象的发生。本实用新型的半蚀刻引线框架在基岛和引脚的背面设置有封装层，利用封装层将基岛背面的凹陷部以及引脚背面的凹入部填满，使得引线框架的背面是平面结构，提高引线框架的支撑强度，避免引线框架在DB和WB工序时发生不可控的跳动，也就避免了虚焊、球脱或者上片中心偏移等异常现象的发生，提高了产品键合品质和可靠性。下面结合附图对本实用新型半蚀刻引线框架进行说明。

参阅图1，显示了本实用新型半蚀刻引线框架的结构示意图。参阅图3，显示了本实用新型半蚀刻引线框架中基岛和引脚的结构示意图。参阅图5，显示了本实用新型半蚀刻引线框架的剖视图。下面结合图1、至图3和图5，对本实用新型半蚀刻引线框架的结构进行说明。

如图1、图3和图5所示，本实用新型的半蚀刻引线框架20包括基岛21、引脚22以及封装层25，结合图4所示，基岛21的背面设有凹陷部21a，引脚22的背面设有凹入部22a，该引脚22设于基岛21的下侧，封装层25填充于凹陷部21a、凹入部22a以及基岛21和引脚22之间的间隙23内，该封装层25的下表面与基岛21及引脚22的背面相平齐。

本实用新型的半蚀刻引线框架的基岛和引脚的背面设有凹陷部与凹入部，使其达成所需的外形和功能需求，该引线框架的背面设有封装层，利用封装层的设置让引线框架的背面为平面结构，提高引线框架的支撑强度，避免发生不可控的跳动。且先在引线框架上形成封装层，能够预先释放封装层与引线框架之间的应力，使得产品在使用过程中更好的适应高低温变化，消除半蚀刻引线框架在一次性注塑封装时由于温度变化在膨胀和收缩时不一致造成的分层。

在本实用新型的一种具体实施方式中，如图5所示，位于基岛21和引脚22之间的封装层25的上表面与基岛21及引脚22的正面相平齐。

在本实用新型的一种具体实施方式中，如图1至图4所示，基岛21包括与凹陷部21a相对应的第一部分211以及与该第一部分211连接的第二部分212，该第二部分212的厚度大于第一部分211的厚度，且第一部分211的正面与第二部分212的正面相平齐。

基岛21上的凹陷部21a通过选择性蚀刻形成，该选择性蚀刻的深度在0.05mm至0.07mm之间，约为基岛21整体厚度的一半。

在选择性蚀刻时，对基岛21背面的下半部分进行蚀刻以形成凹陷部21a。

在本实用新型的一种具体实施方式中，如图1至图3所示，基岛21的上侧设有与第二部分212连接的第一连筋213，该第一连筋213的厚度与第一部分211的厚度相一致，且该第一连筋213的正面与基岛21的正面相平齐。

进一步地，基岛21的左右两侧设有与第一部分211连接的第二连筋214，该第二连筋214的厚度与第一部分211的厚度相一致，且第二连筋214的正面与第一部分211的正面相平齐。

引线框架21包括多个框条，框条横纵向交错设置，形成多个方框，在每一个方框内均设置有基岛21及引脚22，基岛21通过其上设置的第一连筋213和第二连筋214与对应的框条连接，每一个方框内的基岛21及引脚22用于形成一个产品，第一连筋213和第二连筋214的设置起到支撑基岛21的作用。在封装完成后，切断第一连筋213和第二连筋214即可将产品从引线框架21上取下。

在本实用新型的一种具体实施方式中，如图1至图3所示，引脚22的数量有两个，两个引脚22之间形成有间隙24；

封装层25还填充于两个引脚22之间的间隙24内。

进一步地，两个引脚22的凹入部22a形成在两个引脚22上靠近间隙24的一侧。

再进一步地，两个引脚22上远离间隙24的一侧设有第一引脚连筋221。

又进一步地，两个引脚22的下侧设有第二引脚连筋222。

第一引脚连筋221和第二引脚连筋222用于连接引线框架21上的框条，对引脚22起到支撑作用，在封装完成后，切断第一引脚连筋221和第二引脚连筋222即可将产品从引线框架21上取下。

在本实用新型的一种具体实施方式中，基岛21和引脚22外露在封装层25外的部分设有镀锡层。通过设置镀锡层，以便于产品进行上PCB板和SMT工艺。

在本实用新型的一种具体实施方式中，如图1所示，引线框架20上的框条与基岛21通过第一连筋213和第二连筋214连接，该框条与引脚22通过第一引脚连筋221和第二引脚连接222连接，从而基岛21的外轮廓、引脚22的外轮廓与框条之间就形成了多个镂空部20a。

轮廓线11为产品的外轮廓线，该产品为方形，封装层25的外轮廓与产品的外轮廓相一致。

图1中基岛21和引脚22上带有剖面线的区域为选择性蚀刻区域，也即对应的凹陷部21a和凹入部22a。

下面结合图5至图9所示，对本实用新型的半蚀刻引线框架的封装过程进行说明。

如图6和图7所示，进行固晶，在基岛21的正面设置导电胶31，再在导电胶31上设置芯片32，该芯片32通过导电胶31粘结在基岛21上，由于基岛21的背面设有封装层，使得该基岛21的背面为平面结构，在固晶作业时不存在引线框架不可控的跳动的问题。

如图8所示，进行焊线键合，在固晶后，对引线框架进行Plasma清洁，利用惰性气体在高压放电时，电离产生正负离子，吸附框架和芯片表面的异物或者氧化物，然后进行焊线的键合，在芯片之间、芯片与引脚之间通过压焊打线实现电性连接，具体地，在芯片32和引脚22之间形成焊接线33。由于引线框架背面为平面结构，使得真空吸附引线框架的背面的稳定性更好，能够保证产品键合品质和可靠性。

如图9所示，在完成键合后，在产品的背面进行贴膜，选用型号为Innox PS1030-05D的保护膜，目的是防止注塑时的溢料对背面需要电镀的区域产生影响，然后进行塑封，在引线框架20的正面形成塑封层34，该塑封层34包裹导电胶31、芯片32以及焊接线33，塑封后进入烤箱按照预设温度进行PMC烘烤，以充分释放框架、芯片及塑封层之间的内应力。

然后进行电镀和切割，将塑封后的产品的背面的贴膜撕除，进行镀锡形成镀锡层，镀锡完成后切割分离，得到需要的产品。

由于引线框架预先将底部的半蚀刻区域利用塑封料包封，使得引线框架作业过程中的平整度大大提升，在DB和WB不存在真空吸附不牢，不规则跳动等作业难题，解决了虚焊、球脱或上片中心偏移等异常。

下面对本实用新型的半蚀刻引线框架的制作方法进行说明。

本实用新型的半蚀刻引线框架的制作方法，包括如下步骤：

提供引线框架，所提供的引线框架上设有基岛以及位于基岛下侧的引脚；

对基岛及引脚的背面进行选择性蚀刻以在基岛的背面形成凹陷部，在引脚的背面形成凹入部；以及

于注塑模具内对引线框架的底部进行注塑以形成填充于凹陷部、凹入部以及基岛和引脚之间的封装层。

进一步地，在对引线框架的底部进行注塑之前，于引线框架的正面贴保护膜。利用保护膜对引线框架的正面进行保护，防止注塑使用的塑封料溢入到引线框架的正面。在引线框架的正面贴的保护膜较佳采用型号为InnoxPS1030-05D的膜。

再进一步地，在注塑形成封装层之后，将引线框架放入到烤箱中进行烘烤，再对封装层的下表面进行研磨。烘烤的作用是释放引线框架和塑封料之间的应力，研磨是将引线框架背面的多余塑封料去除干净，将基岛与引脚的外露区域的铜显现出来，以便于后续的镀锡操作，然后将正面贴的保护膜撕除。

较佳地，选择性蚀刻的深度为0.05mm至0.07mm之间。

具体地，如图1所示，引线框架20包括多个框条，框条沿横纵向交错设置，形成多个方框，每一方框内设置有一个基岛21和对称的两个引脚22，引线框架21的基岛21和引脚22的正面的打线位置设置镀银层。在引线框架20的背面进行选择性蚀刻后，对晶圆进行研磨减薄，降低总体塑封厚度，减少焊线露出塑封体外的风险。

以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：

基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；

设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及

填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。

2.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。

3.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。

4.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。

5.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第二连筋的正面与所述第一部分的正面相平齐。

6.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述引脚的数量有两个，两个引脚之间形成有间隙；

所述封装层还填充于两个引脚之间的间隙内。

7.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚的凹入部形成在两个引脚上靠近间隙的一侧。

8.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚上远离间隙的一侧设有第一引脚连筋。

9.如权利要求6所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，两个引脚的下侧设有第二引脚连筋。

10.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛和所述引脚外露在所述封装层外的部分设有镀锡层。