CN219824435U - 一种扩散炉 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种硅晶片加工用扩散炉，包括：炉管，其用于放置待扩散件；进气管，包括进气口和出气口，所述进气口位于所述炉管外，所述出气口伸入所述炉管内，用于向炉管通入携源气体；多个加热件，设置于所述炉管的外侧表面，且所述多个加热件绕所述炉管周向依次设置围成一圈，用于加热所述待扩散气体。本申请的技术方案能够实现携源气体在炉管内部的均匀扩散及石英舟的均匀受热，能有效提升扩散工艺中硅晶片的片间和片内均匀性。

Description

一种扩散炉

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池加工过程中使用的扩散炉。

背景技术

近年来，太阳能电池作为一种清洁可再生能源，已经获得了越来越广泛的应用。在晶体硅太阳能电池的生产过程中，扩散工艺是一道重要的工序。目前晶体硅电池的扩散工序有垂直式扩散和水平式扩散两种方法。垂直式扩散中，待扩散件例如硅晶片垂直安置于炉体中，水平式扩散中，待扩散件平行于炉体水平面安置。其中，采用垂直式扩散方式，晶片间均匀性较好，片内均匀性较差；用水平式扩散方式，晶片内均匀性较好，片间均匀性较差。均匀性差会导致产品不良率升高，降低生产效率。

目前，如何进一步提高扩散时的片间和片内均匀性，实现质量、产量的提高成为扩散炉这几年研究的重点方向。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种经过改良的扩散炉，通过对扩散炉中的加热件改进，提高硅晶片扩散工序均匀性以及产能提升。

本申请具体技术方案如下：

一种扩散炉，其包括：

炉管，用于放置待扩散件；

进气管，包括进气口和出气口，所述进气口位于所述炉管外，所述出气口伸入所述炉管内，用于向所述炉管内通入待扩散气体；

多个加热件，设置于所述炉管的外侧表面，且所述多个加热件绕所述炉管周向依次设置围成一圈，用于加热所述待扩散气体。

进一步的，所述多个加热件中的每个加热件均沿所述炉管的长度方向延伸。

进一步的，所述多个加热件为加热丝，且所述加热丝为波浪形或折线形。

进一步的，所述多个加热件通过卡扣或胶固定于所述炉管外侧表面。

进一步的，所述多个加热件中一对加热件沿所述炉管的径向相对设置，其它加热件两两相对于所述径向对称设置。

进一步的，沿所述径向相对设置的两个所述加热件的加热温度相同；

和/或，以及沿所述径向对称设置的所述其他加热件中，每组对称设置的两个所述加热件的加热温度相同。

进一步的，所述扩散炉包括四个加热件，四个所述加热件沿所述炉管周向所占的比例为1:1:1:1～3:1:3:1。

进一步的，所述扩散炉还包括温控仪，所述温控仪与所述加热件连接，用于调节每个所述加热件的加热温度。

进一步的，所述温控仪包括多个温控单元，每个所述温控单元连接一个所述加热件，并通过所述加热件调节其加热温度；或，沿所述径向相对设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接，沿所述径向对称设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接。

进一步的，所述扩散炉还包括设置在所述炉管内，且与所述炉管间隙配合的匀流部，所述匀流部位于所述进气管的出气口位置处，所述匀流部包括多个匀流孔，所述匀流部用于使从所述进气管的出气口流出的气体经过所述匀流部后，均匀扩散到所述炉管内。

进一步的，所述匀流孔直径为1mm～50mm。

进一步的，所述匀流部直径与所述炉管直径的比值为90％～95％。

进一步的，所述匀流部包括匀流板和中空的匀流筒，其中，所述匀流板设置于所述匀流筒内，所述匀流孔位于所述匀流板上。

进一步的，所述进气管的出气口包括沿所述进气管周向分布的多个出气孔。

进一步的，所述出气孔的直径为1mm～10mm。

进一步的，所述出气口与所述匀流部的距离为10cm～30cm。

本申请的技术方案，通过对扩散炉的炉管内部、进气管及加热组件等结构进行改进，可以实现对硅晶片加工工艺中均匀性的提升。首先，将常用的整体加热组件改进为多个独立的加热件，可实现对炉管内不同区域的温度进行单独调控，使整个石英舟受热更为均匀，提升加工工艺的稳定性。进一步，将进气管的直通式出口设置为带孔洞的出气口，可使直通进气变为喷淋式进气，同时在出气口下游设置匀流部，使携源气体实现在炉管内部更加均匀地分布，使扩散到硅晶片的掺杂物浓度相同。采用本申请的技术方案，相比于现有技术，可以使水平式扩散工艺中硅晶片的片间均匀性由8.78％提高至5.77％(数值越小，均匀性越好)，整个炉管产品方阻分布提高3％，使整个产品在工艺加工过程中效率波动减小，更加稳定。本申请的技术方案也可应用于垂直式扩散工艺中，提升其加工均匀性。

附图说明

图1为本申请中扩散炉的主要结构图。

图2为本申请实施例1中的加热件的示意图。

图3为本申请中进气管的结构图。

图4为本申请中一种匀流部的结构图。

图5为本申请实验1中测试取片示意图。

图6为本申请中波浪形加热丝示意图。

图7为本申请中一种加热件设置方式示意图。

图中，1、炉管；2、进气管；3、加热件；4、匀流部；5、石英舟；6、匀流板；21、进气口；22、出气口；23、出气孔；31、加热件一；32、加热件二；33、加热件三；34、加热件四；35、加热件五；36、加热件六；61、匀流孔。

具体实施方式

下面将结合实施例和附图对本申请加以详细说明。虽然显示了本申请的具体实施例，然而应当理解，所描述的实施例只是本申请的一部分实施例，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员，而并非对本申请加以限制。

需要说明的是，在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可以理解，技术人员可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名词的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”或“包括”为开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“中心”、“垂直”等所指示的方位或位置关系仅用于解释在某一特定状态下各部件之间的位置关系，不能理解为对本申请的限制。术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示其相对重要性。

本申请提供了一种扩散炉，参考图1和图2所示，其包括：炉管1，用于放置待扩散件；进气管2，包括进气口21和出气口22，所述进气口21位于所述炉管1外，所述出气口22伸入所述炉管1内，用于向所述炉管1内通入待扩散气体；多个加热件(图2中示出加热件一31、加热件二32、加热件三33、加热件四34)，设置于所述炉管1的外侧表面，且所述多个加热件绕所述炉管1周向依次设置围成一圈，用于加热所述待扩散气体。

在本申请中，对所述炉管1的形状和尺寸不做限制，例如，可以采用本领域现有技术中用于硅晶片加工的扩散炉的常规形状和尺寸，也可由本领域技术人员可根据技术常识及具体的生产工艺条件进行选择。

在本申请一个具体的实施方式中，所述待扩散件放置于炉管1中的多个石英舟内进行携源气体扩散。具体的，所述待扩散件为硅晶片，所述石英舟可以为本领域现有技术中用于放置硅晶片的各种类型及尺寸的石英舟。进一步的，对于所述石英舟的具体数量不作限制，可根据所述扩散炉和石英舟的实际尺寸进行布置。图2中示出的石英舟5为八个相同的石英舟之一。进一步的，所述石英舟上具有多个用于放置硅晶片凹槽。

在本申请，所述待扩散气体为携源气体。在本申请一个具体的实施方式中，携源气体为携有磷源(例如POCl₃)的氩气或氮气，用于在硅晶片制备工艺中将磷元素扩散至硅片内。在本申请另一个具体的实施方式中，携源气体为携有硼源(例如BCl₃)的氮气，用于在硅片制备工艺中将硼元素扩散至硅片内。

在一个具体的实施方式中，所述多个加热件中的每个加热件均沿所述炉管1的长度方向延伸。

在一个具体的实施方式中，所述每个加热件均沿所述炉管1的一端(炉头)延伸至另一端(炉尾)。

本申请中所述多个加热件为具有加热功能的构件，在一些可选的实施方式中，可以为加热丝、加热板等。

在其中一个具体的实施方式中，所述多个加热件为加热丝。在一些可选的实施方式中，所述加热丝为波浪形或折线形。图6示出了一种波浪形加热丝的加热件3。

在一个具体的实施方式中，所述多个加热件通过卡扣或胶固定于所述炉管1外侧表面。

在一个具体的实施方式中，所述多个加热件中的一对加热件沿所述炉管1的径向相对设置，其它加热件两两相对于所述径向对称设置。图7中示出了一种加热件的设置方式。其中，加热件一31和加热件二32沿所述炉管1的径向相对设置。加热件三33和加热件五35沿所述径向对称设置，加热件四34和加热件六36两两相对于所述径向对称设置。

在一个具体的实施方式中，沿所述径向相对设置的两个所述加热件的加热温度相同；和/或，以及沿所述径向设置的其他所述加热件中，每组对称设置的两个所述加热件的加热温度相同。

在本申请一个具体的实施方式中，所述扩散炉包括四个加热件，四个所述加热件沿所述炉管1周向所占的比例为1:1:1:1～3:1:3:1。参考图2所示，所述扩散炉沿所述炉管1外侧表面设置的四个加热件分别为加热件一31、加热件二32、加热件三33、加热件四34。其中，加热件一31和加热件二32沿炉管径向对称地位于炉管1的上方和下方，加热件三33和加热件四34沿炉管径向对称地位于炉管1的左右两侧。

在一个可选的实施方式中，所述加热件一31距离炉管1内的待扩散件的上部区域最近，所述加热件二32距离所述待扩散件的下部区域最近、所述加热件三33和所述加热件四34分别距离所述待扩散件的左右两侧区域最近。

在一个具体的实施方中，所述扩散炉还包括温控仪，所述温控仪与所述加热件连接，可以调节各加热件的温度。

进一步的，所述温控仪可以包括多个温控单元。

在一些可选的实施方式中，每个所述温控单元连接一个所述加热件，并通过所述加热件调节其加热温度；在另一些可选的实施方式中，沿所述径向相对设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接，沿所述径向对称设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接。

在一个具体的实施方式中，所述温控仪可以通过对各加热件的电流或功率进行调节，从而达到调节温度的目的。

参考图2中石英舟5在炉管1中的设置，其上部和下部距离炉管壁更近，左右两侧距离炉管壁较远。在现有工艺过程中，加热部件多为整体结构，各部分加热温度相同，因此更靠近的炉管壁的石英舟上部和下部温度将更高，掺杂物将更容易从上下方进入硅片内，导致上下方阻较小，左右方阻较大。石英舟内的硅晶片水平放置，整舟的片间均匀性较差。而在本申请中，针对扩散炉及石英舟的结构特点，通过设置多个独立的加热场，以不同温度对不同区域加热，可以在工艺过程中使石英舟各部分实际受热均匀，进一步使位于石英舟内各处的硅晶片均匀掺杂。例如，可通过温控仪将加热件一31和加热件二32的加热温度降低，或将加热件三33和加热件四34的加热温度升高，以实现石英舟表面各处的温度平衡，有利于提升整舟的片间均匀性。

在一个可选的实施方式中，可通过温控仪将加热件一31和加热件二32为加热温度调节为540～560℃，将加热件三33和加热件四34的加热温度调节为550～570℃。

进一步的，参考图1所示，所述炉管1水平设置，所述进气管2设置于所述炉管1左侧并与所述炉管1连通，所述进气管2的部分管体位于所述炉管1内部。携源气体由位于炉管1外部的进气口21进入进气管2，并经由位于炉管1内部的出气口22进入炉管1中。其中，所述出气口22包括沿所述进气管2周向分布的多个出气孔23，携源气体由所述出气孔23进入炉管1中。

在一个具体的实施方式中，参考图1所示，所述进气管2沿炉管1的中心轴线方向水平设置，以使携源气体可以水平通至炉管1的中部区域。

具体来说，进气管在炉管的中心轴线方向上水平设置，可以使携源气体在炉内的扩散更为均衡。

在本申请中，对进气管2的形状和尺寸不做限制，本领域技术人员可根据技术常识及具体的生产工艺条件确定。在一个具体的实施方式中，所述进气管2为圆柱形中空管道，其直径与所述炉管直径的比值为4％～6％，进一步可选为4.5％～5.5％

具体来说，进气管管径过小，进气量过低，会降低生产效率；管径过大，会造成一定成本及产能的浪费，因此其管径与炉管内径的比值在4％～6％是综合衡量的较优尺寸。

在一个具体的实施方式中，出气口22上设置有两个出气孔23，可选的，设置有四个出气孔23。进一步可选的，每个所述出气孔23孔洞大小相同，其直径为1mm～10mm。

在本申请中，携源气体自出气口22上的出气孔23通入炉管1中，相比于直通进气的结构，这种分散喷淋式进气的方式可以使携源气体进入炉管后处于均匀分散状态，避免气流直吹距离出气口最近的石英舟5的中部，而是使携源气体可达到石英舟5的顶部和底部，改善待扩散件的方阻片间均匀性。

在一个具体的实施方式中，所述扩散炉还包括设置在所述炉管1内，且与所述炉管1间隙配合的匀流部4，所述匀流部4位于所述进气管2的出气口22位置处。进一步的，所述匀流部4包括多个匀流孔61。在本申请中，所述匀流部4用于使从所述进气管2的出气口22流出的气体经过所述匀流部4后，均匀扩散到所述炉管1内。

在一个具体的实施方式中，所述匀流部4与炉管1轴向垂直。

在一个具体的实施方式中，所述匀流部4直径与所述炉管1直径的比值为90％～95％。

在一个具体的实施方式中，所述匀流孔61为均匀排布且大小相同的孔洞。进一步的，所述匀流孔61的排布方式可以为行列式排布或发散式排布，或其他使间距均匀的排布方式。其中，图4中示出的为行列式排布。

在一个具体的实施方式中，所述匀流孔61直径为1mm～50mm，进一步可选的，为5mm～15mm。

在一个具体的实施方式中，所述匀流部4包括垂直于气体流动方向的匀流板6和中空的匀流筒。

在本申请另一个具体的实施方式中，所述匀流板6设置于所述匀流筒内部，所述匀流孔61位于所述匀流板6上。

进一步的，所述匀流板6可以与匀流筒共同构成所述匀流部4。在一个具体的实施方式中，所述匀流板6可以与匀流筒一体成型加工而成，也可将匀流板6焊接或粘贴于匀流筒内壁，或插接于匀流筒内部。本申请对其连接方式并不作限制。

在另一些实施方式中，所述匀流部4中可以包括两个或更多个并列设置的匀流板6。进一步的，各匀流板6上匀流孔61的数量和大小可以相同，也可以不相同；匀流孔61的排布方式可以一致，也可以不一致。本领域技术人员可根据技术常识及具体的生产工艺条件确定。

在本申请中，所述匀流部4可以为可拆卸构件。其中，在扩散炉工作过程中，所述匀流部4可固定于炉管1的内部。例如，可以通过设置在炉管1内侧壁的支撑部件(例如支架、挂钩或卡扣等)将所述匀流部4固定；也可以通过在所述匀流部4与炉管1内壁间设置密封圈或其他填充物使所述匀流部4固定嵌套于炉管1内部。本申请对匀流部4的固定方式并不作限定，任何可使其在工作过程中保持稳定的方式均可采用。

本申请在进气管的下游设置匀流部，可以使携源气体进一步被均匀分散，避免气流直接吹向下游待扩散硅晶片，使扩散到下游硅片上的掺杂物浓度趋近相同，进一步改善上中下硅晶片方阻的片间差异。

进一步的，所述出气口22与所述匀流部4之间的距离可以根据实际加工中携源气体的进气量大小和强度进行调整。在一个具体的实施方式中，所述匀流部4设置在与所述出气口22距离10cm～30cm处。

进一步的，在所述匀流部4的气体下游处放置所述石英舟5，石英舟5上载有待扩散件(硅晶片)。经出气口22上的出气孔23通入炉管1内部的气体，将通过匀流部4后再吹至所述待扩散硅晶片上。

在一个可选的实施方式中，所述匀流部4与石英舟5的轴线位置保持一致，以使得通过匀流部4的携源气体可以更为均匀地扩散至待扩散件。

本申请所提供的扩散炉，还可以进一步包括炉门、支撑部件、排气管、隔热层等为满足实际生产工艺条件所需要的任何部件，本申请并不作任何限制，本领域技术人员可根据其技术常识或生产需要进行设置。

本申请的扩散炉中，各组成部件的材质均可采用本领域现有技术中的常规材质。示例的，炉体、进气管、匀流板、石英舟主要材质为石英二氧化硅；加热件主要材质为铁铬铝合金、镍铬合金。

本申请所提供的扩散炉，可以实现硅晶片扩散工序的均匀性及产能的提升。在一些可选的实施方式中，其可应用于水平式扩散工艺中，提高所加工硅晶片的片间和片内均匀性。在另一些可选的实施方式中，也可应用于垂直式扩散工艺中，提高硅晶片的片内均匀性。

实施例

实施例1

本实施例提供了一种根据本申请的技术方案得到的扩散炉，所述扩散炉的结构示意图参照图1和图2所示，包括：炉管1，其用于承载在硅晶片加工中放置硅晶片的石英舟；进气管2，其用于向炉管1通入携源气体；设置于炉管1外侧表面的四个独立的加热件：加热件一31、加热件二32、加热件三33、加热件四34；匀流部4，其设置在炉管1内部；其中，所述进气管2包括远离所述炉管1的进气口21和插入至炉管1内部的出气口22，所述出气口22上均匀布置有多个出气孔23。

在本实施例中，所述扩散炉水平放置，且携源气体沿水平方向上通入。所述炉管1为圆柱形，圆柱的高(即水平放置时的长度)为3136mm，管体内径为404mm。所述进气管2为中空的圆柱形，管径为20mm，其与炉管1左侧壁中心位置连通。进气管2左端为进气口21，右端为出气口22，出气口22位于炉管1内部。进气管位于炉管1外部的长度为250mm，位于炉管1内部的长度为100mm。

所述进气管2的出气口22上具有4个均匀排布且大小相同的出气孔23，其直径为3mm，携源气体由出气孔23进入炉管1内部。

出气口22右侧固定有匀流部4。在本实施例中，所述匀流部4由一中空匀流筒及嵌套于其中的匀流板6构成。匀流筒外径为390～395mm，匀流板6垂直于气体流动方向。所述匀流板6上以行列式均匀设置了147个大小相同的匀流孔61。出气口22与匀流板6之间的距离为150mm。

匀流部4的右侧沿气流方向设置有8个相同的石英舟，距匀流部4最近的第一个石英舟5与匀流板6之间的距离为200mm。每个石英舟中背靠背放置200片硅晶片。

在本实施例中，所述多个加热件由四个彼此独立的加热件，即加热件一31、加热件二32、加热件三33、加热件四34组成。如图2的炉管1截面图所示，加热件一31位于炉管1的上方，加热件二32位于炉管1的下方，加热件三33和加热件四34分别位于炉管1的左右两侧，四个加热件分别对应截面60°，60°，120°，120°的四个区域。四个加热件均为盘绕的加热丝构成，可通过温控仪分别控制、调节每个加热件的温度。

实施例2

实施例2为本申请提供的一种扩散炉。其包括：炉管1，其用于承载在硅晶片加工中放置硅晶片的石英舟5；进气管2，其用于向炉管1通入携源气体；设置于炉管1外侧表面的四个独立的加热件：加热件一31、加热件二32、加热件三33、加热件四34；其中，所述进气管2包括远离所述炉管1的进气口21和插入至炉管1内部的出气口22，所述出气口22上均匀布置有多个出气孔23。出气口22与距其最近的石英舟5(炉尾小舟)的距离为200mm。其与实施例1的技术方案相比，减少了匀流部4，由出气口22通入炉管1的携源气体将直接扩散至石英舟。

对比例1

对比例1与实施例1的不同在于：出气口22上不具有出气孔23，而是直通开放的管口；不设置匀流部4；加热组件为一个整体加热场，通过卡扣固定于炉管1外侧表面，不能实现各区域温度的单独调控。

对比例2

对比例2与实施例2的不同在于：出气口22上不设置出气孔23，而是直通开放的管口。

实验1：分别采用实施例1和对比例1的扩散炉进行硅晶片方阻测试实验，考察其片间及片内均匀性。具体实验方法为：每个炉管的8个小石英舟均背靠背放片200片(第8小舟最靠近炉尾，其余小舟按序号依次远离炉尾)，通入携源气体三氯氧磷。实施例1中设置加热件一～加热件四的加热温度分别为840℃、840℃、845℃、845℃，对比例1中设置加热温度为845℃。反应时间均为20.5min。结束后取样进行方阻测量。其中，每个小舟在5个位置各取一片子，分别为：1位置(最上，石英舟第1槽)，2位置(上中，石英舟第25槽)，3位置(中，石英舟第51槽)，4位置(下中，石英舟第77槽)，5位置(最下，石英舟第102槽)。取片位置示意如图5所示。在每一片上取5个点进行测量。每个小舟的均匀性计算公式为：(最大测量值-最小测量值)/平均值。数值越小，表明均匀性越好。表1和表2为实验结果数据。其中，其中，方阻测量使用4点探针仪(单位：Ω)。

表1实施例1的方阻实验结果

表2对比例1的方阻实验结果

从实验1的结果可以看出，采用本申请实施例1的扩散炉，通过设置具有出气孔的出气口、匀流部及可分别调节温度的多个独立加热件，使硅晶片的片内均匀性和片间均匀性均有较大程度的提升。

实验2：分别采用实施例2和对比例2的扩散炉进行硅晶片方阻测试实验，考察炉尾小舟的均匀性。具体实验方法为：每个炉管的8个小石英舟均背靠背放片200片，通入携源气体三氯氧磷，设置温度均为845℃，反应时间为20.5min。结束后从最各自靠近炉尾的第8舟取5处片子进行方阻测量。取片方式、测量点位及均匀性计算方法均与实施例1相同。表3为实验结果数据。

表3实验2的方阻测试实验结果

从实验2的结果看出，与对比例2采用的直通进气相比，实施例2中的出气口上设置出气孔，可以在很大程度上改善炉尾小舟的扩散均匀性。

本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (14)

1.一种扩散炉，其特征在于，包括：

炉管，用于放置待扩散件；

进气管，包括进气口和出气口，所述进气口位于所述炉管外，所述出气口伸入所述炉管内，用于向所述炉管内通入待扩散气体；

多个加热件，设置于所述炉管的外侧表面，且所述多个加热件绕所述炉管周向依次设置围成一圈，用于加热所述待扩散气体。

2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述多个加热件中的每个加热件均沿所述炉管的长度方向延伸，其中，所述多个加热件均为加热丝，且所述加热丝为波浪形或折线形。

3.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述多个加热件通过卡扣或胶固定于所述炉管外侧表面。

4.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述多个加热件中一对加热件沿所述炉管的径向相对设置，其它加热件两两相对于所述径向对称设置。

5.根据权利要求4所述的扩散炉，其特征在于，

沿所述径向相对设置的两个所述加热件的加热温度相同；

和/或，以及沿所述径向对称设置的所述其它加热件中，每组对称设置的两个所述加热件的加热温度相同。

6.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述扩散炉包括四个加热件，四个所述加热件沿所述炉管周向所占的比例为1:1:1:1～3:1:3:1。

7.根据权利要求4所述的扩散炉，其特征在于，

所述扩散炉还包括温控仪，所述温控仪与所述加热件连接，用于调节每个所述加热件的加热温度。

8.根据权利要求7所述的扩散炉，其特征在于，所述温控仪包括多个温控单元；

每个所述温控单元连接一个所述加热件，并通过所述加热件调节其加热温度；或，沿所述径向相对设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接，沿所述径向对称设置的两个所述加热件与同一所述温控单元连接。

9.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述扩散炉还包括设置在所述炉管内，且与所述炉管间隙配合的匀流部，所述匀流部位于所述进气管的出气口位置处，所述匀流部包括多个匀流孔，所述匀流部用于使从所述进气管的出气口流出的气体经过所述匀流部后，均匀扩散到所述炉管内。

10.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述匀流孔直径为1mm～50mm。

11.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述匀流部包括匀流板和中空的匀流筒；其中，所述匀流板设置于所述匀流筒内，所述匀流孔位于所述匀流板上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的扩散炉，其特征在于，

所述进气管的出气口包括沿所述进气管周向分布的多个出气孔。

13.根据权利要求12所述的扩散炉，其特征在于，所述出气孔的直径为1mm～10mm。

14.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述出气口与所述匀流部的距离为10cm～30cm。