CN219778885U - 一种大电流高压二极管封装结构 - Google Patents
一种大电流高压二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219778885U CN219778885U CN202322380865.2U CN202322380865U CN219778885U CN 219778885 U CN219778885 U CN 219778885U CN 202322380865 U CN202322380865 U CN 202322380865U CN 219778885 U CN219778885 U CN 219778885U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- diode chip
- diode
- thickened
- voltage diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种大电流高压二极管封装结构,包括二极管芯片、阳极端部引线和阴极端部引线,所述阳极端部引线连接于所述二极管芯片的阳极端部,所述阴极端部引线连接于所述二极管芯片的阴极端部,有益效果:本申请的装置结构简单,增加与空气或者变压器油接触的面积,缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果,相当于架设了快速通道。
Description
技术领域
本实用新型涉及高压二极管封装技术领域,具体来说,涉及一种大电流高压二极管封装结构。
背景技术
二极管是用半导体材料制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通,当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止;因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开,二极管具有单向导电性能,导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极,二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
现有的普通二极管散热主要是靠塑封的管体和引线,管体只占散热量的四分之一或三分之一,导热系数低。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
针对相关技术中的问题,本实用新型提出一种大电流高压二极管封装结构,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种大电流高压二极管封装结构,包括二极管芯片,
阳极端部引线,连接于所述二极管芯片的阳极端部;
阴极端部引线,连接于所述二极管芯片的阴极端部;
加粗引线,连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间。
优选的,所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。
优选的,所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。
优选的,一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,还包括:
塑封外壳,覆盖于所述二极管芯片的外侧,且为柱状结构。
优选的,所述加粗引线为铜质柱状结构。
优选的,所述加粗引线的直径小于所述塑封外壳的直径。
优选的,所述加粗引线的一端位于所述塑封外壳内部,另一端位于所述塑封外壳的外部。
优选的,所述加粗引线的直径等于所述塑封外壳的直径。
优选的,所述加粗引线位于所述塑封外壳端部的外侧。
本实用新型提供了一种大电流高压二极管封装结构,有益效果如下:
通过在二极管芯片的两端设有阳极端部引线和阴极端部引线,且加粗引线连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间,增加与环境的接触面积,主要增加跟空气或者变压器油接触,而且贴近管芯,与管芯距离近,散热效果好,加粗引线的热阻非常低,从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果,本申请的装置结构简单,增加与空气或者变压器油接触的面积,缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果,相当于架设了快速通道。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例的一种大电流高压二极管封装结构的主视图;
图2是根据本实用新型实施例的一种大电流高压二极管封装结构的结构示意图;
图3是根据本实用新型实施例的一种大电流高压二极管封装结构中加粗引线直径小于塑封外壳直径的结构示意图。
图4是根据本实用新型实施例的一种大电流高压二极管封装结构中加粗引线直径等与塑封外壳直径的结构示意图。
图中:
1、二极管芯片;2、阳极端部引线;3、阴极端部引线;4、加粗引线;5、焊接点;6、弧形倒角;7、塑封外壳。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
请参阅图1-4,根据本实用新型实施例的一种大电流高压二极管封装结构,包括二极管芯片1,
阳极端部引线2,连接于所述二极管芯片1的阳极端部;
阴极端部引线3,连接于所述二极管芯片1的阴极端部;
加粗引线4,连接于所述阳极端部引线2与所述二极管芯片1之间、和/或所述阴极端部引线3与所述二极管芯片1的之间,增加与环境的接触面积,主要增加跟空气或者变压器油接触,而且贴近管芯,与管芯距离近,散热效果好,加粗引线4的热阻非常低,从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果。
在一实施例中,请参阅说明书附图1和2所示,所述阳极端部引线2与所述二极管芯片1之间、和/或所述阴极端部引线3与所述二极管芯片1的之间通过焊接点5连接,所述焊接点5的焊接面上具有弧形倒角6。设置的弧形倒角6使电场分布比较均匀。
在一实施例中,请参阅说明书附图1-4所示,一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,还包括:
塑封外壳7,覆盖于所述二极管芯片1的外侧,且为柱状结构,所述加粗引线4为铜质柱状结构,增加了散热的效果。
在一实施例中,请参阅说明书附图3所示,所述加粗引线4的直径小于所述塑封外壳7的直径,所述加粗引线4的一端位于所述塑封外壳7内部,另一端位于所述塑封外壳7的外部。
在一实施例中,请参阅说明书附图4所示,所述加粗引线4的直径等于所述塑封外壳7的直径,所述加粗引线4位于所述塑封外壳7端部的外侧。
在实际应用时,在二极管芯片1的两端设有阳极端部引线2和阴极端部引线3,加粗引线4连接于所述阳极端部引线2与二极管芯片1之间、和/或阴极端部引线3与二极管芯片1的之间,增加与环境的接触面积,主要增加跟空气或者变压器油接触,而且贴近管芯,与管芯距离近,散热效果好,加粗引线4的热阻非常低,从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果,本申请的装置结构简单,增加与空气或者变压器油接触的面积,缩短了芯片到电路板上铜箔的距离,进而提升散热效果,相当于架设了快速通道。
虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (9)
1.一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,包括:
二极管芯片,
阳极端部引线,连接于所述二极管芯片的阳极端部;
阴极端部引线,连接于所述二极管芯片的阴极端部;
加粗引线,连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间。
2.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。
3.根据权利要求2所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。
4.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,还包括:
塑封外壳,覆盖于所述二极管芯片的外侧,且为柱状结构。
5.根据权利要求4所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述加粗引线为铜质柱状结构。
6.根据权利要求5所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述加粗引线的直径小于所述塑封外壳的直径。
7.根据权利要求6所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述加粗引线的一端位于所述塑封外壳内部,另一端位于所述塑封外壳的外部。
8.根据权利要求5所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述加粗引线的直径等于所述塑封外壳的直径。
9.根据权利要求8所述的一种大电流高压二极管封装结构,其特征在于,所述加粗引线位于所述塑封外壳端部的外侧。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322380865.2U CN219778885U (zh) | 2023-09-04 | 2023-09-04 | 一种大电流高压二极管封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322380865.2U CN219778885U (zh) | 2023-09-04 | 2023-09-04 | 一种大电流高压二极管封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219778885U true CN219778885U (zh) | 2023-09-29 |
Family
ID=88137181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322380865.2U Active CN219778885U (zh) | 2023-09-04 | 2023-09-04 | 一种大电流高压二极管封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219778885U (zh) |
-
2023
- 2023-09-04 CN CN202322380865.2U patent/CN219778885U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10943845B2 (en) | Three-dimensional packaging structure and packaging method of power devices | |
CN111916438B (zh) | 一种碳化硅维也纳整流器半桥模块的封装结构 | |
CN101819970B (zh) | 一种基于焊接型igbt与压接型二极管的串联结构模块 | |
CN219778885U (zh) | 一种大电流高压二极管封装结构 | |
CN113517244A (zh) | 一种功率半导体模块的新型封装结构 | |
CN210093116U (zh) | 智能功率模块、电路板和电器设备 | |
CN106449585B (zh) | 一种大电流场效应管的封装结构 | |
CN113380738B (zh) | 一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构 | |
CN208045491U (zh) | 一种用于车载电子设备的瞬态抑制二极管器件 | |
CN210157480U (zh) | 一种悬空焊接结构及其电源电路 | |
CN205900535U (zh) | 一种大电流场效应管的封装结构 | |
CN202259441U (zh) | 一种新型led芯片 | |
CN205984897U (zh) | 一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管 | |
CN206806325U (zh) | 一种结构改良的串联式二极管 | |
CN218123405U (zh) | 一种mos管并联封装模块 | |
CN219778869U (zh) | 一种二极管 | |
CN204946897U (zh) | 一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构 | |
CN207217509U (zh) | 一种贴片式二极管的散热结构 | |
CN219998206U (zh) | 一种均匀散热的新型二极管 | |
CN218788373U (zh) | 一种抗高压二极管封装结构 | |
CN214773548U (zh) | 应用于注塑机的压接型绝缘栅极双极晶体管装置 | |
CN204792453U (zh) | 铝电解电容器 | |
CN212810285U (zh) | 高压晶闸管器件 | |
CN216252662U (zh) | 光伏旁路模块及光伏电池 | |
CN215578525U (zh) | 一种功率半导体模块的新型封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |