CN219760849U - 一种供电控制电路及llc电路 - Google Patents

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昝国骥
邓卫华
董雷
高腾
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黄文章
程航
潘懋舜
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Abstract

本实用新型具体为一种供电控制电路及LLC电路,其包括:信号发生单元、光耦M4、稳压二极管VD2、第一二极管VD1、第一分压电阻R11、NPN型三极管Q1、P型MOS管Q8以及电源U21。本实用新型可通过光耦M4、稳压二极管VD2、NPN型三极管Q1以及PNP型三极管Q8的状态变化来实现LLC电路的安全开启与关闭。

Description

一种供电控制电路及LLC电路
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域,具体为一种供电控制电路及LLC电路。
背景技术
在现有的LLC控制电路中,当DSP指令关机后,辅助电源供电电压从12V降低至0V,该过程会导致LLC的开关MOS管在Vgs门限值附近无法完全导通,进一步导致开关MOS管损坏,无法实现LLC电路的安全开启与关闭。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术或相关技术中存在的技术问题,其可以通过可通过光耦M4、稳压二极管VD2、NPN型三极管Q1以及PNP型三极管Q8的状态变化来实现LLC电路的安全开启与关闭,避免元件损坏。
为此,本实用新型所采用的技术方案为:
一方面,提供了一种供电控制电路,其包括:信号发生单元、光耦M4、稳压二极管VD2、第一二极管VD1、第一分压电阻R11、NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q8以及电源;
所述信号发生单元用于产生供电/断电信号,且连接所述光耦M4;
所述第一分压电阻R11的第1端与第一二极管VD1的阳极并联后分别连接所述光耦M4、稳压二极管VD2的阴极;所述稳压二极管VD2的阳极连接所述NPN型三极管Q1的基极,阴极连接光耦M4;所述第一分压电阻R11的第2端与第一二极管VD1的阴极并联后分别连接LLC芯片以及PNP型三极管Q8的集电极、发射极;
所述NPN型三极管Q1的集电极连接所述PNP型三极管Q8的基极、发射极接地;
所述PNP型三极管Q8的集电极连接LLC芯片。
优选的,所述供电控制电路还包括:电源控制开关,其连接所述电源,用于停止电源的供电。
优选的,所述电源控制开关包括空开。
优选的,所述供电控制电路还包括:第二二极管VD20,其阴极分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极以及电源,阳极连接LLC芯片。
优选的,所述供电控制电路还包括:第二分压电阻R5,其第1端分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极、第二二极管VD20的阴极以及电源U21。
优选的,所述供电控制电路还包括:第三分压电阻R12,其第1端分别连接所述第二分压电阻R5的第2端以及PNP型三极管Q8的发射极,第2端分别连接所述NPN型三极管Q1的集电极以及PNP型三极管Q8的基极。
优选的,所述供电控制电路还包括:第四分压电阻R13,其第1端接地,第2端连接稳压二极管VD2的阳极。
优选的,所述供电控制电路还包括:第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6,其均与光耦M4并联,且第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6的一端均连接稳压二极管VD2的阴极,另一端均接地。
优选的,所述信号发生单元100包括DSP,其用于产生低电平信号,以作为供电信号,以及产生高电平信号,以作为断电信号。
另一方面,还提供了一种LLC电路,其包括:LLC芯片以及上述供电控制电路,且所述LLC芯片与所述供电控制电路连接。
本实用新型具有如下有益技术效果:
本实用新型可通过光耦M4、稳压二极管VD2、NPN型三极管Q1以及PNP型三极管Q8的状态变化来实现LLC电路的安全开启与关闭。
附图说明
图1为本实用新型中供电控制电路的电路图;
图2为本实用新型中LLC电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面结合具体实施方式并参照附图,对本实用新型进一步详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例1:
结合图1-2所示,本实用新型提供了一种供电控制电路,其用于为LLC芯片供电,具体的,所述供电电路包括:信号发生单元、光耦M4、稳压二极管VD2、第一二极管VD1、第一分压电阻R11、NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q8以及电源;
其中,所述信号发生单元用于产生供电/断电信号,且连接所述光耦M4;
所述第一分压电阻R11的第1端与第一二极管VD1的阳极并联后分别连接所述光耦M4、稳压二极管VD2的阴极;所述稳压二极管VD2的阳极连接所述NPN型三极管Q1的基极,阴极连接光耦M4;所述第一分压电阻R11的第2端与第一二极管VD1的阴极并联后分别连接LLC芯片以及PNP型三极管Q8的集电极、发射极;
所述NPN型三极管Q1的集电极连接所述PNP型三极管Q8的基极、发射极接地;
所述PNP型三极管Q8的集电极连接LLC芯片;
所述电源通过网络SEC_12V提供12V电压;
当所述信号发生单元产生供电信号时,光耦M4不导通,则电源(如12V电源)通过第一分压电阻R11、稳压二极管VD2使得NPN型三极管Q1的基级电压高于0.7V,从而使得NPN型三极管Q1导通,NPN型三极管Q1导通后拉低PNP型三极管Q8的基级电平,使得PNP型三极管Q8导通,PNP型三极管Q8导通后,网络LLC_12V处提供电压,由此为LLC芯片供电;
当所述信号发生单元产生断电信号时,光耦M4导通,则稳压二极管VD2阴极电压被拉低至0V,使得NPN型三极管Q1的基级电压低于0.7V,从而不再导通,NPN型三极管Q1截止后拉低PNP型三极管Q8的基级电平,使得PNP型三极管Q8由导通变成截止,PNP型三极管Q8截止后,网络LLC-12V处电压为0V,LLC芯片断电。
实施例2:
本实施例与实施例1的不同之处仅在于,所述供电控制电路还包括:电源控制开关(例如空开),其连接所述电源,用于停止电源的供电;
具体的,当控制开关断开时,电源的供电停止,其输出电压逐步下降至0V,如从12V下降至0V,该过程中,当电源的输出电压降低至9.8V时,第一二极管VD2的阴极电压低于8.7V,则NPN型三极管Q1由导通变成截止,进一步使得PNP型三极管Q8由导通变成截止,PNP型三极管Q8截止后,网络LLC-12V处电压同样为0V,LLC芯片断电。
由此,本实施例中可通过设置控制开关对LLC芯片进行辅助断电控制,以实现对突发紧急状况的应急处理,避免事故发生。
实施例3:
本实施例与实施例1或2的不同之处仅在于,所述供电控制电路还包括:第二二极管VD20,其阴极分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极以及电源,阳极连接LLC芯片;
第二分压电阻R5,其第1端分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极、第二二极管VD20的阴极以及电源;
第三分压电阻R12,其第1端分别连接所述第二分压电阻R5的第2端以及PNP型三极管Q8的发射极,第2端分别连接所述NPN型三极管Q1的集电极以及PNP型三极管Q8的基极;
第四分压电阻R13,其第1端接地,第2端连接稳压二极管VD2的阳极。
实施例4:
本实施例与实施例1-3任一项的不同之处仅在于,所述供电控制电路还包括:第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6,其均与光耦M4并联,且第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6的一端均连接稳压二极管VD2的阴极,另一端均接地。
实施例5:
本实施例与实施例1-4任一项的不同之处仅在于,所述信号发生单元100包括DSP(digital singnal processor),其用于产生低电平信号DRV-OFF,以作为供电信号,以及产生高电平信号DRV-OFF,以作为断电信号。
实施例6:
本实施例提供了一种LLC电路,如图2所示,其包括LLC芯片100以及与所述LLC芯片100以及实施例1-5任一项所述的供电控制电路200,且所述LLC芯片100与所述供电控制电路200连接。
综上所述,本申请可通过光耦M4、稳压二极管VD2、NPN型三极管Q1以及PNP型三极管Q8的状态变化来实现LLC芯片的供电/断电,由此可避免LLC的开关MOS管在Vgs门限值附近无法完全导通,进一步导致开关MOS管损坏的问题,可以实现LLC电路的安全开启与关闭。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解,在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种供电控制电路,其特征在于,包括:信号发生单元、光耦M4、稳压二极管VD2、第一二极管VD1、第一分压电阻R11、NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q8以及电源;
所述信号发生单元用于产生供电/断电信号,且连接所述光耦M4;
所述第一分压电阻R11的第1端与第一二极管VD1的阳极并联后分别连接所述光耦M4、稳压二极管VD2的阴极;所述稳压二极管VD2的阳极连接所述NPN型三极管Q1的基极,阴极连接光耦M4;所述第一分压电阻R11的第2端与第一二极管VD1的阴极并联后分别连接LLC芯片以及PNP型三极管Q8的集电极、发射极;
所述NPN型三极管Q1的集电极连接所述PNP型三极管Q8的基极、发射极接地;
所述PNP型三极管Q8的集电极连接LLC芯片。
2.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:电源控制开关,其连接所述电源,用于停止电源的供电。
3.如权利要求2所述的供电控制电路,其特征在于,所述电源控制开关包括空开。
4.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:第二二极管VD20,其阴极分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极以及电源,阳极连接LLC芯片。
5.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:第二分压电阻R5,其第1端分别连接所述第一分压电阻R11的第2端、第一二极管VD1的阴极、第二二极管VD20的阴极以及电源U21。
6.如权利要求5所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:第三分压电阻R12,其第1端分别连接所述第二分压电阻R5的第2端以及PNP型三极管Q8的发射极,第2端分别连接所述NPN型三极管Q1的集电极以及PNP型三极管Q8的基极。
7.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:第四分压电阻R13,其第1端接地,第2端连接稳压二极管VD2的阳极。
8.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述供电控制电路还包括:第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6,其均与光耦M4并联,且第一电容C5、第二电容C3以及第三电容C6的一端均连接稳压二极管VD2的阴极,另一端均接地。
9.如权利要求1所述的供电控制电路,其特征在于,所述信号发生单元包括DSP,其用于产生低电平信号,以作为供电信号,以及产生高电平信号,以作为断电信号。
10.一种LLC电路,其特征在于,包括:LLC芯片以及权利要求1-9任一项所述的供电控制电路,且所述LLC芯片与所述供电控制电路连接。
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