CN107948555B - 开关控制电路及电视机 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种开关控制电路及电视机，该开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关电路单元、延时电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元；延时电路单元对开关信号输入端输入的开关信号进行延时处理，并将延时处理后的开关信号分别输出至开关电路单元和三极管控制电路单元；开关电路单元根据延时处理后的开关信号控制电源输入端的电源输出至电源输出端，以控制供电对象的供电状态；三极管控制电路单元根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至电源控制电路单元；电源控制电路单元根据反馈控制信号输出相应的电源电压至电源输入端。本发明能够降低电路的成本，同时还能够提高电路的可靠性。

Description

开关控制电路及电视机

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种开关控制电路及电视机。

背景技术

在传统的电源管理系统中，为了在待机等情况下将部分电路模块关闭，以降低不必要的损耗，通常都会使用一开关控制电路来控制电源的供电。图1为现有技术中开关控制电路一实施例的结构示意图，参照图1，该开关控制电路包括电源输入端101、电源输出端102、开关信号输入端103及开关电路单元104。其中，所述开关电路单元104包括NPN三极管Q11、第一电阻R11、第二电阻R12、第一电容C11、第二电容C12、PMOS管Q12及电解电容CE1。具体地，所述NPN三极管Q11的基极与所述开关信号输入端103连接，所述NPN三极管Q11的发射极接地，所述NPN三极管Q11的集电极经所述第一电阻R11分别与所述第二电阻R12的第一端、所述第一电容C11的第一端、所述PMOS管的栅极及所述第二电容C12的第一端连接，所述第二电阻R12的第二端、所述第一电容C11的第二端及所述PMOS管的源极均与所述电源输入端101连接，所述PMOS管的漏极及所述第二电容C12的第二端均与所述电源输出端102连接，所述电解电容CE11的正极与所述电源输出端102连接，所述电解电容CE11的负极接地。

图1所示开关控制电路的工作原理为：当需要对某个电路模块进行供电时，将此电路模块的供电端接至所述电源输出端102，将供电电压源或者电流源接至所述电源输入端101。当所述开关信号输入端103的开关信号为高电平时，所述NPN三极管Q11导通，此时所述电源输入端101输入的电源经所述第一电阻R11和所述第二电阻R12组成的分压电路对所述第一电容C11进行充电，所述第一电容C11上的电压使所述PMOS管Q12的栅极与源极之间的电压Vgs大于其导通电压阈值Vth，使得所述PMOS管Q12导通，从而使得所述电源输入端101输入的电源通过所述PMOS管Q12输出至所述电源输出端102，对相应的电路模块进行供电，使该电路模块上电工作；当待机时需要控制某个电路模块断电时，则控制所述开关信号输入端103的开关信号为低电平，使得所述NPN三极管Q11关断，从而使得所述第一电阻R11的电流为0，则所述第一电容C11对所述第二电阻R12放电，直到所述PMOS管Q12的栅极与源极之间的电压Vgs小于其导通电压阈值Vth，使得所述PMOS管Q12关断，从而切断所述电源输出端102对该电路模块的供电。

上述开关控制电路的结构简单，能满足大部分场合中电路模块的供电控制要求，但是该开关控制电路在所述PMOS管Q12的导通过程中，所述PMOS管Q12的漏极和源极之间的电压差Vds从所述电源输入端101的电源电压Vin降低到0V，所述PMOS管Q12处于线性导通的过程，而这段时间内流过所述PMOS管Q12的所有电流需将所述电解电容CE11的电压充满，根据P＝U*I，使得所述PMOS管Q12的瞬时损耗较大，其瞬时损耗为

当所述电源输入端101输入的电压Uin增加到2倍时，则所述PMOS管Q12导通时的瞬时损耗相当于增加到4倍，从而容易造成所述PMOS管Q12的损坏，使得该开关控制电路的可靠性不高；同理，所述PMOS管Q12在关断时由于负载电流的存在，所述PMOS管Q12在关断过程中由于其漏极和源极之间的电压差Vds逐渐变大，也将导致一定的瞬时损耗。因此，图1所示开关控制电路中的PMOS管Q12需要选用大功率的PMOS管以确保其导通和关闭时的瞬时损耗不会造成所述PMOS管Q12的损坏，而大功率的PMOS管的成本较高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种开关控制电路，旨在降低电路成本和提高电路的可靠性。

为了实现上述目的，本发明提供一种开关控制电路，所述开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关电路单元、延时电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元；其中：

所述延时电路单元，用于对所述开关信号输入端所输入的开关信号进行延时处理，并将延时处理后的开关信号分别输出至所述开关电路单元和所述三极管控制电路单元；

所述开关电路单元，用于根据延时处理后的开关信号控制所述电源输入端的电源输出至所述电源输出端，以控制供电对象的供电状态；

所述三极管控制电路单元，用于根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元的反馈输入端；

所述电源控制电路单元，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端。

优选地，所述电源输入端经所述开关电路单元与所述电源输出端连接，所述开关信号输入端经所述延时电路单元分别与所述开关电路单元及所述三极管控制电路单元连接，所述三极管控制电路单元还与所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述电源控制电路单元的输出端与所述电源输入端连接。

优选地，所述延时电路单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第一二极管及第二二极管；其中：

所述第一电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端及所述开关电路单元连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一二极管的阳极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一二极管的阴极与所述第一电阻的第二端连接；

所述第二电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述三极管控制电路单元连接，所述第二电容的第二端接地，所述第二二极管的阴极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二二极管的阳极与所述第二电阻的第二端连接。

优选地，所述延时电路单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容及二极管；其中：

所述第一电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端及所述开关电路单元连接，所述第一电容的第二端接地；

所述第二电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述三极管控制电路单元连接，所述第二电容的第二端接地，所述二极管的阴极与所述第二电阻的第一端连接，所述二极管的阳极与所述第二电阻的第二端连接。

优选地，所述三极管控制电路单元包括第一NPN三极管、第三电阻、第四电阻及第五电阻；其中：

所述第一NPN三极管的基极与所述延时电路单元中的所述第二电阻的第二端连接，所述第一NPN三极管的发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极经所述第三电阻分别与所述第四电阻的第一端及所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第四电阻的第二端与所述电源输入端连接，所述第五电阻的第一端与所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第五电阻的第二端接地。

优选地，所述开关电路单元包括第二NPN三极管、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容、PMOS管及电解电容；其中：

所述第二NPN三极管的基极与所述延时电路单元中的所述第一电阻的第二端连接，所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极经所述第六电阻分别与所述第七电阻的第一端、所述第三电容的第一端、所述PMOS管的栅极及所述第四电容的第一端连接，所述第七电阻的第二端、所述第三电容的第二端及所述PMOS管的源极均与所述电源输入端连接，所述PMOS管的漏极及所述第四电容的第二端均与所述电源输出端连接，所述电解电容的正极与所述电源输出端连接，所述电解电容的负极接地。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种开关控制电路，所述开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关信号延时处理模块、开关电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元；其中：

所述开关信号延时处理模块，用于通过软件方式对所述开关信号输入端输入的开关信号进行延时处理后输出第一延时开关信号至所述开关电路单元，以及输出第二延时开关信号至所述三极管控制电路单元；

所述开关电路单元，用于根据所述第一延时开关信号控制所述电源输入端的电源输出至所述电源输出端，以控制供电对象的供电状态；

所述三极管控制电路单元，用于根据所述第二延时开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元的反馈输入端；

所述电源控制电路单元，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端。

优选地，所述开关电路单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第一NPN三极管、PMOS管及电解电容；其中：

所述第一电阻的第一端为所述第一延时开关信号的输入端，所述第一电阻的第二端与所述第一NPN三极管的基极连接，所述第一NPN三极管发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极经所述第二电阻分别与所述第三电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述PMOS管的栅极及所述第二电容的第一端连接，所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第二端及所述PMOS管的源极均与所述电源输入端连接，所述PMOS管的漏极及所述第二电容的第二端均与所述电源输出端连接，所述解电容的正极与所述电源输出端连接，所述电解电容的负极接地。

优选地，所述三极管控制电路单元包括第二NPN三极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻及第七电阻；其中：

所述第四电阻的第一端为所述第二延时开关信号的输入端，所述第四电阻的第二端与所述第二NPN三极管的基极连接，所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极经所述第五电阻分别与所述第六电阻的第一端及所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第六电阻的第二端与所述电源输入端连接，所述第七电阻的第一端与所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第七电阻的第二端接地。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种电视机，所述电视机包括如上所述的开关控制电路。

本发明提供一种开关控制电路，该开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关电路单元、延时电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元；所述延时电路单元，用于对所述开关信号输入端输入的开关信号进行延时处理，并将延时处理后的开关信号分别输出至所述开关电路单元和所述三极管控制电路单元；所述开关电路单元，用于根据延时处理后的开关信号控制所述电源输入端的电源输出至所述电源输出端，以控制供电对象的供电状态；所述三极管控制电路单元，用于根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元的反馈输入端；所述电源控制电路单元，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端。本发明开关控制电路由于所述延时电路单元能够对所述开关信号输入端的开关信号进行延时处理，使得所述三极管控制电路单元能够根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元的反馈输入端，进而使得所述电源控制电路单元能够根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端(即控制所述电源输入端所输入电源的电压大小)，以实现降低所述开关电路单元导通和关闭时的瞬时损耗的目的，从而降低电路成本以及提高电路的可靠性；同时，本发明还具有结构简单及易实现的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术中开关控制电路一实施例的结构示意图；

图2为本发明开关控制电路一实施例的功能模块示意图；

图3为本发明开关控制电路第一实施例的结构示意图；

图4为本发明开关控制电路第二实施例的结构示意图；

图5为本发明开关控制电路第三实施例的结构示意图；

图6为本发明开关控制电路一实施例中所述开关信号、所述第一延时开关信号及所述第二开关延时信号的示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供一种开关控制电路，用于解决现有开关控制电路存在开关瞬时损耗大的问题，以实现降低电路成本和提高电路可靠性的目的。

参照图2，在一实施例中，该开关控制电路包括电源输入端201、电源输出端202、开关信号输入端203、开关电路单元204、延时电路单元205、三极管控制电路单元206及电源控制电路单元207。

其中，所述延时电路单元205，用于对所述开关信号输入端203输入的开关信号进行延时处理，并将延时处理后的开关信号分别输出至所述开关电路单元204和所述三极管控制电路单元206；

所述开关电路单元204，用于根据延时处理后的开关信号控制所述电源输入端201的电源输出至所述电源输出端202，以控制供电对象(图未示)的供电状态；

所述三极管控制电路单元206，用于根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元207的反馈输入端；

所述电源控制电路单元207，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端201，以控制所述电源输入端201的电源的电压大小。

本实施例中，所述电源输入端201经所述开关电路单元204与所述电源输出端202连接，所述开关信号输入端203经所述延时电路单元205分别与所述开关电路单元204及所述三极管控制电路单元206连接，所述三极管控制电路单元206还与所述电源控制电路单元207的反馈输入端连接，所述电源控制电路单元207的输出端与所述电源输入端201连接。

图3为本发明开关控制电路第一实施例的结构示意图，一并参照图2和图3，本实施例中，所述延时电路单元205包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1及第二二极管D2。具体地，所述第一电阻R1的第一端与所述开关信号输入端203连接，所述第一电阻R1的第二端分别与所述第一电容C1的第一端及所述开关电路单元204连接，所述第一电容C1的第二端接地，所述第一二极管D1的阳极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一二极管D1的阴极与所述第一电阻R1的第二端连接；所述第二电阻R2的第一端与所述开关信号输入端203连接，所述第二电阻R2的第二端分别与所述第二电容C2的第一端及所述三极管控制电路单元206连接，所述第二电容C2的第二端接地，所述第二二极管D2的阴极与所述第二电阻R2的第一端连接，所述第二二极管D2的阳极与所述第二电阻R2的第二端连接。

本实施例中，所述三极管控制电路单元206包括第一NPN三极管Q1、第三电阻R3、第四电阻R4及第五电阻R5。具体地，所述第一NPN三极管Q1的基极与所述延时电路单元205中的所述第二电阻R2的第二端连接，所述第一NPN三极管Q1的发射极接地，所述第一NPN三极管Q1的集电极经所述第三电阻R3分别与所述第四电阻R4的第一端及所述电源控制电路单元207的反馈输入端连接，所述第四电阻R4的第二端与所述电源输入端201连接，所述第五电阻R5的第一端与所述电源控制电路单元207的反馈输入端连接，所述第五电阻R5的第二端接地。

本实施例中，所述开关电路单元204包括第二NPN三极管Q2、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第四电容C4、PMOS管Q3及电解电容CE1。具体地，所述第二NPN三极管Q2的基极与所述延时电路单元205中的所述第一电阻R1的第二端连接，所述第二NPN三极管Q2的发射极接地，所述第二NPN三极管Q2的集电极经所述第六电阻R6分别与所述第七电阻R7的第一端、所述第三电容C3的第一端、所述PMOS管Q3的栅极及所述第四电容C4的第一端连接，所述第七电阻R7的第二端、所述第三电容C3的第二端及所述PMOS管Q3的源极均与所述电源输入端201连接，所述PMOS管Q3的漏极及所述第四电容C4的第二端均与所述电源输出端202连接，所述电解电容CE1的正极与所述电源输出端202连接，所述电解电容CE1的负极接地。

本实施例开关控制电路的工作原理具体描述如下：所述PMOS管Q3导通前，所述第一NPN三极管Q1和所述第二NPN三极管Q2均处于关断状态，所述电源输入端201的电压由于所述第四电阻R4和所述第五电阻R5分压，使得所述电源输入端201的电压为低电平；

所述PMOS管Q3导通时，所述开关信号输入端203的开关信号为高电平，该高电平的开关信号也成为开通信号，该开通信号通过所述第一二极管D1对所述第一电容C1快速充电，使得所述第二NPN三极管Q2导通，从而导通所述第六电阻R6和所述第七电阻R7并给所述第三电容C3充电，使得所述PMOS管Q3导通；在所述PMOS管Q3导通的同时，所述开关信号输入端203的开关信号通过所述第二电阻R2对所述第二电容C2进行延时充电，直到所述开关电路单元204中的所述PMOS管完全导通后才导通所述第一NPN三极管Q1，即本实施例中所述延时电路单元205对所述开通信号的延时时间要大于所述PMOS管Q3的导通时间。当所述第一NPN三极管Q1导通后，由于所述第五电阻R5和所述第三电阻R3并联后的分压变小，从而将所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB的电压拉低，当所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB的电压拉低时，所述电源控制电路单元207将其输出端的电压提升，即提升所述电源输入端201的电压值，直到所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB的电压达到原先的基准电压(即拉低前的电压)为止，此时所述电源输入端201的电压升高至正常的预设电压值Vin1；

所述PMOS管Q3关断前，所述第一NPN三极管Q1和所述第二NPN三极管Q2均处于导通状态，所述开关信号输入端203的开关信号为低电平，该低电平的开关信号也称为关断信号，该关断信号通过所述第二二极管D2对所述第二电容C2快速放电，使得所述第一NPN三极管Q1关断，经所述第四电阻R4和所述第五电阻R5的分压后，使得所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB的电压升高，此时所述电源控制电路单元207将其输出端的电压降低，直到所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB的电压降低到原先的基准电压(即升高前的电压值)为止，此时所述电源输入端201的电压降低到预设的待机电压Vin0。同时，当所述开关信号输入端203输入低电平的关断信号时，所述第一电容C1通过所述第一电阻R1缓慢放电，直到所述电源输入端201的电压完全降低至至待机电压Vin0后，所述第二NPN三极管Q2才关断，所述第三电容C3开始对所述第七电阻R7放电，直至所述PMOS管Q3关断，从而完成所述PMOS管Q3的关断过程。

综上所述，本实施例在所述PMOS管Q3导通前，将所述电源输入端201的电压降低，当所述开关信号输入端203输入高电平的开通信号时，所述第二NPN三极管Q2和所述PMOS管Q3均导通，由于此时所述电源输入端201的电压较低，使得所述PMOS管Q3的开通瞬时损耗也较低；在所述开关信号输入端203输入高电平的开通信号的同时，该开通信号经由所述延时电路单元205和所述三极管控制电路单元206输出至电源控制电路单元207，由于本实施例中所述延时电路单元205对所述开通信号的延时时间大于所述PMOS管Q3的导通时间，使得所述PMOS管Q3完全导通后再通过所述电源控制电路单元207将所述电源输入端201的电压提升至正常的预设电压值Vin1，此时由于所述PMOS管Q3已经处于完全导通的状态，因此其导通阻抗很小，使得所述电源输入端201的电压对所述电解电容CE1充电而造成的损耗也很小；

本实施例在所述PMOS管Q3关断前，所述电源输入端201的电压为正常的预设电压值Vin1，当所述开关信号输入端203输入低电平的关断信号时，该关断信号通过所述电源控制电路单元207将所述电源输入端201的电压降低，同时，该关断信号经过所述延时电路单元205的延时处理后再关断所述开关电路单元204中的所述第二NPN三极管Q2和所述PMOS管Q3，使得本实施例在所述电源输入端201的电压已经降低的情况下才关断所述PMOS管Q3，从而减少了所述PMOS管Q3的关断瞬时损耗。

综上所述，本实施例开关控制电路在所述PMOS管Q3的导通和关断过程中，所述电源输入端201的电压一直保持在低电压水平，从而降低了所述PMOS管Q3在导通和关闭时的瞬时损耗，使得本实施例开关控制电路中的所述PMOS管Q3不会因其导通和关闭时的瞬时损耗过大而被损坏，即本实施例开关控制电路中的所述PMOS管Q3不需要选用大功率的MOS管，从而降低了电路成本，同时也提高了电路的可靠性；并且，本实施例开关控制电路还具有结构简单及易实现的优点。

图4为本发明开关控制电路第二实施例的结构示意图，一并参照图3和图4，本实施例的电路结构与上述第一实施例的区别在于所述延时电路单元205的结构不同，本实施例中的所述延时电路单元205相对于上述第一实施例省略了所述第一二极管D1，即本实施例中的所述延时电路单元205仅包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2及二极管D2。具体地，所述第一电阻R1的第一端与所述开关信号输入端203连接，所述第一电阻R1的第二端分别与所述第一电容C1的第一端及所述开关电路单元204连接，所述第一电容C1的第二端接地；所述第二电阻R2的第一端与所述开关信号输入端203连接，所述第二电阻R2的第二端分别与所述第二电容C2的第一端及所述三极管控制电路单元206连接，所述第二电容C2的第二端接地，所述二极管D2的阴极与所述第二电阻R2的第一端连接，所述二极管D2的阳极与所述第二电阻R2的第二端连接。

本实施例中，所述开关电路单元204、所述三极管控制电路单元206的结构以及各电路单元之间的连接关系均与上述第一实施例相同，此处不再赘述。

需要说明的是，本实施例中，所述开关信号输入端203输入高电平的开通信号时，该开通信号通过所述第一电阻R1对所述第一电容C1充电，同时该开通信号也通过所述第二电阻R2对所述第二电容C2充电。需要说明的是，本实施例中，由所述第一电阻R1和所述第一电容C1所形成的延时时间至少要小于所述第二电阻R2和所述第二电容C2所形成的延时时间，即R1*C1<R2*C2，以确保所述PMOS管Q3完全导通后，所述第一NPN三极管Q1才导通，所述第一NPN三极管Q1导通后，由所述电源控制电路单元207将所述电源输入端201的电压提升至正常的预设电压值Vin1。本实施例中，所述开关信号输入端203输入关断信号时，所述电源控制电路单元207对所述电源输入端201的电压控制原理与上述第一实施例相同，此处不再赘述。

本发明还提供一种开关控制电路，参照图5，该开关控制电路包括电源输入端301、电源输出端302、开关信号输入端303、开关信号延时处理模块304、开关电路单元305、三极管控制电路单元306及电源控制电路单元307。

本实施例中，所述开关信号延时处理模块304，用于通过软件方式对所述开关信号输入端303输入的开关信号进行延时处理后输出第一延时开关信号SIG1至所述开关电路单元305，以及输出第二延时开关信号SIG2至所述三极管控制电路单元306；

所述开关电路单元305，用于根据所述第一延时开关信号SIG1控制所述电源输入端301的电源输出至所述电源输出端302，以控制供电对象(图未示)的供电状态；

所述三极管控制电路单元306，用于根据所述第二延时开关信号SIG2输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元307的反馈输入端；

所述电源控制电路单元307，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端301，以控制所述电源输入端301的电源的电压大小。

本实施例中，所述开关电路单元305包括第一电阻R31、第二电阻R32、第三电阻R33、第一电容C31、第二电容C32、第一NPN三极管Q31、PMOS管Q32及电解电容CE31。具体地，所述第一电阻R31的第一端为所述第一延时开关信号SIG1的输入端，所述第一电阻R31的第二端与所述第一NPN三极管Q31的基极连接，所述第一NPN三极管Q31发射极接地，所述第一NPN三极管Q31的集电极经所述第二电阻R32分别与所述第三电阻R33的第一端、所述第一电容C31的第一端、所述PMOS管Q32的栅极及所述第二电容C32的第一端连接，所述第三电阻R33的第二端、所述第一电容C31的第二端及所述PMOS管Q32的源极均与所述电源输入端301连接，所述PMOS管Q32的漏极及所述第二电容C32的第二端均与所述电源输出端303连接，所述解电容CE31的正极与所述电源输出端303连接，所述电解电容CE31的负极接地。

本实施例中，所述三极管控制电路单元306包括第二NPN三极管Q33、第四电阻R34、第五电阻R35、第六电阻R36及第七电阻R37。具体地，所述第四电阻R34的第一端为所述第二延时开关信号SIG2的输入端，所述第四电阻R34的第二端与所述第二NPN三极管Q33的基极连接，所述第二NPN三极管Q33的发射极接地，所述第二NPN三极管Q33的集电极经所述第五电阻R35分别与所述第六电阻R36的第一端及所述电源控制电路单元207的反馈输入端FB连接，所述第六电阻R36的第二端与所述电源输入端301连接，所述第七电阻R37的第一端与所述电源控制电路单元307的反馈输入端FB连接，所述第七电阻R37的第二端接地。

图6为本发明开关控制电路一实施例中所述开关信号、所述第一延时开关信号及所述第二开关延时信号的示意图，一并参照图5和图6，图中A为所述开关信号输入端303所输入的开关信号，SIG1为所述开关信号延时处理模块304输出至所述开关电路单元305的第一延时开关信号，SIG2为所述开关信号延时处理模块304输出至所述三极管控制电路单元306的第二延时开关信号，ΔT1为所述开关信号延时处理模块304对所述开通信号的延时时间，ΔT2为所述开关信号延时处理模块304对所述关断信号的延时时间。

一并参照图5和图6，本实施例开关控制电路的工作原理具体描述如下：所述开关信号延时处理模块304通过软件方式对所述开关信号输入端303输入的开关信号A进行延时处理后输出所述第一延时开关信号SIG1和所述第二延时开关信号SIG2。具体地，当所述开关信号输入端303输入高电平的开通信号时，所述开关信号延时处理模块304输出高电平的所述第一延时开关信号SIG1，该高电平的所述第一延时开关信号SIG1使得所述第一NPN三极管Q31和所述PMOS管Q32均导通；在所述开关信号输入端303输入高电平的开通信号的同时，所述开关信号延时处理模块304将该开通信号延时ΔT1时间后输出高电平的所述第二延时开关信号SIG2，需要说明的是，所述开关信号延时处理模块304对所述开通信号的延时时间ΔT1要大于所述PMOS管Q32的导通时间，即在所述PMOS管Q32充分导通后，所述开关信号延时处理模块304才输出高电平的所述第二延时开关信号SIG2，该高电平的所述第二延时开关信号SIG2使得所述第二NPN三极管Q33导通，所述第二NPN三极管Q33的导通使得所述电源控制电路单元307将所述电源输入端301的电压提升至正常的预设电压值Vin1；

当所述开关信号输入端303输入低电平的关断信号时(即所述开关信号A由高电平变为低电平时)，所述开关信号延时处理模块304输出低电平的所述第二延时开关信号SIG2，关断所述第二NPN三极管Q33，从而使得所述电源控制电路单元307将所述电源输入端301的电压降低，当所述电源输入端301的电压降低至预设的待机电压Vin0后，所述开关信号延时处理模块304输出延时后的低电平的所述第一延时开关信号SIG1，从而关断所述第一NPN三极管Q31和所述PMOS管Q32。需要说明的是，本实施例中，所述开关信号延时处理模块304对所述关断信号的延时时间ΔT2要大于所述开关信号延时处理模块304开始输出低电平的所述第二延时开关信号SIG2到所述电源输入端301的电压完全降低至至预设的待机电压Vin0所需的时间。

综上所述，本实施例开关控制电路在所述PMOS管Q32的导通和关断过程中，所述电源输入端301的电压一直保持在低电压水平，从而降低了所述PMOS管Q32在导通和关闭时的瞬时损耗，使得本实施例开关控制电路中的所述PMOS管Q32不会因其导通和关闭时的瞬时损耗过大而被损坏，即本实施例开关控制电路中的所述PMOS管Q32不需要选用大功率的MOS管，从而降低了电路成本，同时也提高了电路的可靠性；并且，本实施例开关控制电路还具有结构简单及易实现的优点。

本发明还提供一种电视机，该电视机包括开关控制电路，该开关控制电路的结构可参照上述实施例，在此不再赘述。理所应当地，由于本实施例的电视机采用了上述开关控制电路的技术方案，因此该电视机具有上述开关控制电路所有的有益效果。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种开关控制电路，其特征在于，所述开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关电路单元、延时电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元；其中：

所述延时电路单元，用于对所述开关信号输入端所输入的开关信号进行延时处理，并将延时处理后的开关信号分别输出至所述开关电路单元和所述三极管控制电路单元；

所述开关电路单元，用于根据延时处理后的开关信号控制所述电源输入端的电源输出至所述电源输出端，以控制供电对象的供电状态；

所述三极管控制电路单元，用于根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至所述电源控制电路单元的反馈输入端；

所述电源控制电路单元，用于根据所述反馈控制信号输出相应的电源电压至所述电源输入端；

所述延时电路单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第一二极管及第二二极管；其中：

所述第一电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端及所述开关电路单元连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一二极管的阳极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一二极管的阴极与所述第一电阻的第二端连接；

所述第二电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述三极管控制电路单元连接，所述第二电容的第二端接地，所述第二二极管的阴极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二二极管的阳极与所述第二电阻的第二端连接。

2.如权利要求1所述的开关控制电路，其特征在于，所述电源输入端经所述开关电路单元与所述电源输出端连接，所述开关信号输入端经所述延时电路单元分别与所述开关电路单元及所述三极管控制电路单元连接，所述三极管控制电路单元还与所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述电源控制电路单元的输出端与所述电源输入端连接。

3.如权利要求2所述的开关控制电路，其特征在于，所述延时电路单元替换为包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容及二极管的延时电路单元；其中：

所述第一电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端及所述开关电路单元连接，所述第一电容的第二端接地；

所述第二电阻的第一端与所述开关信号输入端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述三极管控制电路单元连接，所述第二电容的第二端接地，所述二极管的阴极与所述第二电阻的第一端连接，所述二极管的阳极与所述第二电阻的第二端连接。

4.如权利要求1或3所述的开关控制电路，其特征在于，所述三极管控制电路单元包括第一NPN三极管、第三电阻、第四电阻及第五电阻；其中：

所述第一NPN三极管的基极与所述延时电路单元中的所述第二电阻的第二端连接，所述第一NPN三极管的发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极经所述第三电阻分别与所述第四电阻的第一端及所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第四电阻的第二端与所述电源输入端连接，所述第五电阻的第一端与所述电源控制电路单元的反馈输入端连接，所述第五电阻的第二端接地。

5.如权利要求4所述的开关控制电路，其特征在于，所述开关电路单元包括第二NPN三极管、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容、PMOS管及电解电容；其中：

所述第二NPN三极管的基极与所述延时电路单元中的所述第一电阻的第二端连接，所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极经所述第六电阻分别与所述第七电阻的第一端、所述第三电容的第一端、所述PMOS管的栅极及所述第四电容的第一端连接，所述第七电阻的第二端、所述第三电容的第二端及所述PMOS管的源极均与所述电源输入端连接，所述PMOS管的漏极及所述第四电容的第二端均与所述电源输出端连接，所述电解电容的正极与所述电源输出端连接，所述电解电容的负极接地。

6.一种电视机，其特征在于，所述电视机包括权利要求1至5中任一项所述的开关控制电路。

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