CN109474265B - 一种基于mos管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，包括输入电压整流电路、输出电压控制电路、控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路，所述输入电压整流电路的输入端接外接电压，输入电压整流电路的输出端连接输出电压控制电路的输入端，依据本发明基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，完成后端上电操作，后端微控制器上电后，可快速完成空置状态保持电路的开启，导通开关控制电路完成操作即可解除开关的导通接触，后端微控制芯片通过控制状态检测电路检测，完成微控制芯片上电启动过程。本发明通过导通开关的导通信号完成后端微控制芯片完成快速启动上电。

Description

一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路
技术领域
本发明涉及上电控制电路领域，具体是一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路。
背景技术
在工业生产中，设备或者控制电路都设置有芯片，都需要对于芯片的上电电路以提供必要的电源电压。
传统的上电能控制电路如图2所示，外部电源电压直接将电源接入输入电压，在开机或者上电瞬间会有一个过冲电压。
过冲电压对于后端芯片直接产生影响，而且断电之后，输出端还有输出，挂在稳压电路芯片后面的芯片在几毫秒时间内要承受极限电压2倍以上的高压冲击，对后端芯片设备的造成不良影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，包括输入电压整流电路、输出电压控制电路、控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路，所述输入电压整流电路的输入端接外接电压，输入电压整流电路的输出端连接输出电压控制电路的输入端，所述输出电压控制电路的输出端接后端微控制芯片，输入电压整流电路和输出电压控制电路之间接有控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路。
作为本发明的进一步技术方案：所述输入电压整流电路包括第一二极管D1和第二电阻R2，输出电压控制电路为输出MOS管U1、导通开关控制电路包括第一轻触开关SW和第二电容E2、控制状态检测电路包括第一三极管Q1和第一电阻R1，控制状态保持电路包括第二三极管Q2和电容C1，所述第一二极管D1正极接入第一电压源P1，负极接入第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和输出MOS管U1的源极S、所述输出MOS管U1的栅极G接入第四电阻R4、第三二极管D3的正极、第五二极管的负极D5和第二三极管Q2的集电极，所述输出MOS管U1的漏极D接第一电容E1。
作为本发明的进一步技术方案：所述第一轻触开关SW一端连接第二二极管D2的负极、第四二极管D4的负极、第二电容E2和第三电容E3，另一端接地。
作为本发明的进一步技术方案：所述第二三极管Q2的集电极接第三二极管D3的正极、第五二极管D5的负极、第四电阻R4和输出MOS管U1的栅极G，第二三极管Q2的基极接电容C1、第五电阻R5和第六电阻R6，第二三极管Q2的发射极接第一轻触开关SW、第二电容E2、第三电容E3、第五二极管D5正极、电容C1、第五电阻R5并接地。
作为本发明的进一步技术方案：所述第一三极管Q1的栅极通过第一电阻R1连接第三二极管D3的阴极，第一三极管Q1的源级连接第一电压源P1，第一三极管Q1的漏极接地。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：依据本发明基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，完成后端上电操作，后端微控制器上电后，可快速完成空置状态保持电路的开启，导通开关控制电路完成操作即可解除开关的导通接触，后端微控制芯片通过控制状态检测电路检测，完成微控制芯片上电启动过程。本发明通过导通开关的导通信号完成后端微控制芯片完成快速启动上电。
附图说明
图1为上电能控制电路；
图2为上电能控制电路的模块图；
图3为P沟道MOS管原理图；
图4为具体实施电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4，实施例1，一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，包括输入电压整流电路、输出电压控制电路、控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路。输入电压整流电路的输入端接外接电压，整流后传输到输出电压控制电路的输入端，输出电压控制电路的输出端接后端微控制芯片进行上电，导通开关控制电路通过对于开关的导通接触对于输出电压控制电路的控制端进行控制，得到上电信号后，完成后端上电操作，后端微控制器上电后，可快速完成控制状态保持电路的开启，导通开关控制电路完成操作即可解除开关的导通接触，后端微控制芯片通过控制状态检测电路检测，完成微控制芯片上电启动过程。输入电压整流电路，当输入正确方向电压值时，电路需要对电流方向进行导向隔离，使用的方法就是加入了二极管，二极管接到输出电压控制电路的源极，即作为输入电压，导通开关控制电路，通过轻触开关使电路地端与输入电压整流电路的输入相互连接，以轻触开关的导通截止实现对于输出电压控制电路的栅极电平的控制，其中对于电平的稳定需要使用电容，对于电路方向的控制需要使用二极管，输出电压控制电路，当输入正确源极电压后，通过导通开关控制电路控制栅极电平信号低电平后，输出漏极正确输出电压，给后端微控制器正确上电，控制状态保持电路，当后端微控制器上电正常使用后，可通过控制保持引脚保持电平信号反馈到空置状态保持电路，通过电阻连接到三级管控制基极，实现三极管集电极和发射极的导通，保持电路上电，电平稳定需要使用电容，控制状态检测电路反馈检测上电控制电路的电平信号。
实施例2：在实施例1的基础上，本申请提供了具体的电路实施例，如图4所示，输入电压整流电路的输入端接外接电压，通过D1整流后传输到输出电压控制电路的输入端输出MOS管的源极S，输出电压控制电路的输出端接输出MOS管的漏极D后端微控制芯片P2进行上电，导通开关控制电路通过对于第一轻触开关SW的导通接触对于输出电压控制电路的控制端进行控制，使第一轻触开关SW按下导通，使输出MOS管的栅极G电压小于源极S电压，此时输出MOS管导通，后端漏极D得到上电信号后，完成后端上电操作，后端微控制器上电后，可快速完成控制状态保持电路的开启，P5对于第二三极管使基极与发射极的电压大于开启电压，三极管处于导通状态，开关控制电路完成操作即可解除开关的导通接触，后端微控制芯片通过控制状态检测电路检测，至此，完成微控制芯片上电启动过程。本发明通过导通开关的导通信号完成后端微控制芯片完成快速启动上电。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (1)

1.一种基于MOS管的对于后端微控制芯片上电进行控制的电路，包括输入电压整流电路、输出电压控制电路、控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路，其特征在于，所述输入电压整流电路的输入端接外接电压，输入电压整流电路的输出端连接输出电压控制电路的输入端，所述输出电压控制电路的输出端接后端微控制芯片，输入电压整流电路和输出电压控制电路之间接有控制状态检测电路、导通开关控制电路和控制状态保持电路；
所述输入电压整流电路包括第一二极管D1和第二电阻R2，输出电压控制电路为输出MOS管U1、导通开关控制电路包括第一轻触开关SW和第二电容E2、控制状态检测电路包括第一三极管Q1和第一电阻R1，控制状态保持电路包括第二三极管Q2和电容C1，所述第一二极管D1正极接入第一电压源P1，负极接入第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和输出MOS管U1的源极S、所述输出MOS管U1的栅极G接入第四电阻R4、第三二极管D3的正极、第五二极管D5的负极和第二三极管Q2的集电极，所述输出MOS管U1的漏极D接第一电容E1；
所述第一轻触开关SW一端连接第二二极管D2的负极、第四二极管D4的负极、第二电容E2和第三电容E3，另一端接地；
所述第二三极管Q2的集电极接第三二极管D3的正极、第五二极管D5的负极、第四电阻R4和输出MOS管U1的栅极G，第二三极管Q2的基极接电容C1、第五电阻R5和第六电阻R6，第二三极管Q2的发射极接第一轻触开关SW、第二电容E2、第三电容E3、第五二极管D5正极、电容C1、第五电阻R5并接地；
所述第一三极管Q1的栅极通过第一电阻R1连接第三二极管D3的阴极，第一三极管Q1的源级连接第一电压源P1，第一三极管Q1的漏极接地。
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