CN219678420U - 一种Doherty结构EVM补偿电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种Doherty结构EVM补偿电路，包括：驱动级供电模块、偏置供电模块和主功率放大模块，驱动级供电模块的输入端接入电源VDD，驱动级供电模块输出端连接偏置供电模块的输入端，偏置供电模块的输出端连接主功率放大模块。实施本实用新型的Doherty结构EVM补偿电路，具有以下有益效果：驱动级供电模块100提供的带有瞬时拉升功能的电压源或者电流源，可以使偏置供电模块200在工作时，PVT曲线在上升沿阶段产生加速作用，提升上升沿上升速度和幅度，弥补主功率放大模块300在大功率工作时导致的上升沿下降的问题，从而使主功率放大模块300能够处于正常稳定的工作状态，使得主功率放大模块300EVM恶化问题得以解决。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频放大器领域，更具体地说，涉及一种Doherty结构EVM补偿电路。
背景技术
随着通信技术的发展，5G时代对于通信的功率和效率的需求，使得现有小基站类通信产品普遍采用Doherty(多尔蒂)结构电路实现产品功能。但小基站类通信产品的通信协议，对于通信信号线性度的要求同样相对以前有所提升，尤其是DEVM(动态误差向量幅度)等相关线性度指标要求严苛。可是Doherty结构的电路在PVT(Powervs time，功率发射与时间关系)指标上本身存有问题，在PVT开启的上升沿处于大功率工作模式的时候，容易出现上升台阶，导致信号传输帧头位置的EVM(误差向量幅度)恶化非常严重。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种Doherty结构EVM补偿电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种Doherty结构EVM补偿电路，包括：驱动级供电模块、偏置供电模块和主功率放大模块，所述驱动级供电模块的输入端接入电源VDD，所述驱动级供电模块输出端连接所述偏置供电模块的输入端，所述偏置供电模块的输出端连接所述主功率放大模块；
所述驱动级供电模块输出一个带瞬时拉升功能的电压源或者电流源，使所述偏置供电模块上升沿的工作时段上升速度和幅度快速提升。
在一些实施例中，所述驱动级供电模块包括：可调电容Cs1、可调电阻Rs1、可调电阻Rs2、开关管Q1、开关管Q2、电阻R1、电阻R2和误差放大器EA1；
所述可调电容Cs1的第一端接入使能信号，所述可调电容Cs1的第二端连接所述可调电阻Rs1的第一端和所述开关管Q2的第一端，所述可调电阻Rs1的第二端接地，所述开关管Q2的第二端串联所述可调电阻Rs2后接地，所述开关管Q2的第三端连接所述误差放大器EA1的正输入端，所述开关管Q2的第三端还连接所述电阻R1的第二端和所述电阻R2的第一端；
所述误差放大器EA1的负输入端接入基准电压Vref，所述误差放大器EA1的输出端连接所述开关管Q1的第一端，所述开关管Q1的第二端连接所述电源VDD，所述开关管Q1的第三端连接所述电阻R1的第一端和所述偏置供电模块的输入端，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端接地。
在一些实施例中，所述偏置供电模块包括：电阻R3、电阻R4、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5；
所述电阻R3的第一端连接所述开关管Q1的第三端和所述电阻R1的第一端，所述电阻R3的第二端连接所述三极管Q3的第一端和第三端，所述电阻R3的第二端还连接所述三极管Q5的第一端，所述三极管Q3的第二端连接所述三极管Q4的第一端和第三端，所述三极管Q4的第二端接地，所述三极管Q5的第三端连接电源VCC和所述主功率放大模块，所述三极管Q5的第二端连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端连接所述主功率放大模块。
在一些实施例中，所述主功率放大模块包括：三极管Q6；
所述三极管Q6的第一端连接输入信号RFIN和所述电阻R4的第二端，所述所述三极管Q6的第三端连接所述电源VCC和所述三极管Q5的第三端，所述所述三极管Q6的第二端接地。
实施本实用新型的Doherty结构EVM补偿电路，具有以下有益效果：驱动级供电模块100提供的带有瞬时拉升功能的电压源或者电流源，可以使偏置供电模块200在工作时，PVT曲线在上升沿阶段产生加速作用，提升上升沿上升速度和幅度，弥补主功率放大模块300在大功率工作时导致的上升沿下降的问题，从而使主功率放大模块300能够处于正常稳定的工作状态，使得主功率放大模块300EVM恶化问题得以解决。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是本实用新型的Doherty结构EVM补偿电路的原理图；
图2是本实用新型的Doherty结构EVM补偿电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，提出一种Doherty结构EVM补偿电路，包括：驱动级供电模块100、偏置供电模块200和主功率放大模块300，驱动级供电模块100的输入端接入电源VDD，驱动级供电模块100输出端连接偏置供电模块200的输入端，偏置供电模块200的输出端连接主功率放大模块300；驱动级供电模块100输出一个带瞬时拉升功能的电压源或者电流源，使偏置供电模块200在上升沿的工作时段上升速度和幅度快速提升。
具体地，驱动级供电模块100是采用CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺或者SOI工艺设计，驱动级供电模块100提供的带有瞬时拉升功能的电压源或者电流源，可以使偏置供电模块200在工作时，PVT曲线在上升沿阶段产生加速作用，提升上升沿上升速度和幅度，弥补主功率放大模块300在大功率工作时导致的上升沿下降的问题，从而使主功率放大模块300能够处于正常稳定的工作状态，使得主功率放大模块300EVM恶化问题得以解决。
进一步地，在一些实施例中，驱动级供电模块100包括：可调电容Cs1、可调电阻Rs1、可调电阻Rs2、开关管Q1、开关管Q2、电阻R1、电阻R2和误差放大器EA1。
具体地，如图2所示，可调电容Cs1的第一端接入使能信号，可调电容Cs1的第二端连接可调电阻Rs1的第一端和开关管Q2的第一端，可调电阻Rs1的第二端接地，开关管Q2的第二端串联可调电阻Rs2后接地，开关管Q2的第三端连接误差放大器EA1的正输入端，开关管Q2的第三端还连接电阻R1的第二端和电阻R2的第一端；误差放大器EA1的负输入端接入基准电压Vref，误差放大器EA1的输出端连接开关管Q1的第一端，开关管Q1的第二端连接电源VDD，开关管Q1的第三端连接电阻R1的第一端和偏置供电模块200的输入端，电阻R1的第二端连接电阻R2的第一端，电阻R2的第二端接地。
其中，开关管Q1为NMOS管，开关管Q2为PMOS管，开关管Q1、开关管Q2的第一端、第二端和第三端分别为MOS管的栅极、源极和漏极。
当使能信号EN由低变高时，可调电容Cs1导通，输出高电平控制信号给开关管Q2，开关管Q2导通，可调电阻Rs2从节点A抽取电流，使节点A的电压VA瞬间下降。节点A的电压VA为误差放大器EA1的输出反馈电压，VA减小，即误差放大器EA1的输入端电压降低，误差放大器EA1的输出电压相应变小，开关管Q1的栅极电压变小，则开关管Q1的栅源电压差增加，开关管Q1的漏极电流增加，相应的开关管Q1的漏极电压被拉高，即驱动级供电模块100提供给偏置供电模块200的电压被拉高。
由于可调电容Cs1的充放电是一个瞬时的过程，所以开关管Q2瞬间导通后马上就截止，即驱动级供电模块100的输出电压在瞬时拉升后会马上恢复到一个稳定值。
在一些实施例中，偏置供电模块200包括：电阻R3、电阻R4、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5。电阻R3的第一端连接开关管Q1的第三端和电阻R1的第一端，电阻R3的第二端连接三极管Q3的第一端和第三端，电阻R3的第二端还连接三极管Q5的第一端，三极管Q3的第二端连接三极管Q4的第一端和第三端，三极管Q4的第二端接地，三极管Q5的第三端连接电源VCC和主功率放大模块300，三极管Q5的第二端连接电阻R4的第一端，电阻R4的第二端连接主功率放大模块300。
其中，三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5为PNP型三极管，三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5的第一端、第二端和第三端分别对应三极管的基极、发射极和集电极。三极管Q3和三极管Q4为基极和集电极短路连接，三极管Q3和三极管Q4相当于二极管，当驱动级供电模块100的输出高电压时，三极管Q5截止，反之，则三极管Q5导通。
在一些实施例中，主功率放大模块300包括：三极管Q6；三极管Q6的第一端连接输入信号RFIN和电阻R4的第二端，三极管Q6的第三端连接电源VCC和三极管Q5的第三端，三极管Q6的第二端接地。
三极管Q6为PNP型三极管，三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5的第一端、第二端和第三端分别对应三极管的基极、发射极和集电极。
当驱动级供电模块100输出高电压时，三极管Q5截止，此时，三极管Q6的导通或者截止受输入信号RFIN控制，当输入信号RFIN为高时，三极管Q6截止，当输入信号RFIN为低时，三极管Q6导通。驱动级供电模块100提供一个瞬时拉升的电压源，三极管Q5的基极电压瞬时增高，三极管Q5的集电极电压瞬时增高，提升上升沿的上升速度和幅度，从而使主功率模块300的三极管Q6的集电极电压被拉升，弥补主功率模块300在大功率工作时本身导致的上升有所下降的问题，使主功率模块300能够处于正常稳定的工作状态，解决EVM恶化的问题。
当驱动级供电模块100输出低电压时，三极管Q5导通，三极管Q6的基极电压为高，此时，无论输入信号RFIN为高或为低，三极管Q6均截止。
实施本实用新型的Doherty结构EVM补偿电路，具有以下有益效果：驱动级供电模块100提供的带有瞬时拉升功能的电压源或者电流源，可以使偏置供电模块200在工作时，PVT曲线在上升沿阶段产生加速作用，提升上升沿上升速度和幅度，弥补主功率放大模块300在大功率工作时导致的上升沿下降的问题，从而使主功率放大模块300能够处于正常稳定的工作状态，使得主功率放大模块300EVM恶化问题得以解决。
以上实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据此实施，并不能限制本实用新型的保护范围。凡跟本实用新型权利要求范围所做的均等变化与修饰，均应属于本实用新型权利要求的涵盖范围。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (4)
1.一种Doherty结构EVM补偿电路，其特征在于，包括：驱动级供电模块、偏置供电模块和主功率放大模块，所述驱动级供电模块的输入端接入电源VDD，所述驱动级供电模块输出端连接所述偏置供电模块的输入端，所述偏置供电模块的输出端连接所述主功率放大模块；
所述驱动级供电模块输出一个带瞬时拉升功能的电压源或者电流源，使所述偏置供电模块上升沿的工作时段上升速度和幅度快速提升。
2.根据权利要求1所述的Doherty结构EVM补偿电路，其特征在于，所述驱动级供电模块包括：可调电容Cs1、可调电阻Rs1、可调电阻Rs2、开关管Q1、开关管Q2、电阻R1、电阻R2和误差放大器EA1；
所述可调电容Cs1的第一端接入使能信号，所述可调电容Cs1的第二端连接所述可调电阻Rs1的第一端和所述开关管Q2的第一端，所述可调电阻Rs1的第二端接地，所述开关管Q2的第二端串联所述可调电阻Rs2后接地，所述开关管Q2的第三端连接所述误差放大器EA1的正输入端，所述开关管Q2的第三端还连接所述电阻R1的第二端和所述电阻R2的第一端；
所述误差放大器EA1的负输入端接入基准电压Vref，所述误差放大器EA1的输出端连接所述开关管Q1的第一端，所述开关管Q1的第二端连接所述电源VDD，所述开关管Q1的第三端连接所述电阻R1的第一端和所述偏置供电模块的输入端，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端接地。
3.根据权利要求2所述的Doherty结构EVM补偿电路，其特征在于，所述偏置供电模块包括：电阻R3、电阻R4、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5；
所述电阻R3的第一端连接所述开关管Q1的第三端和所述电阻R1的第一端，所述电阻R3的第二端连接所述三极管Q3的第一端和第三端，所述电阻R3的第二端还连接所述三极管Q5的第一端，所述三极管Q3的第二端连接所述三极管Q4的第一端和第三端，所述三极管Q4的第二端接地，所述三极管Q5的第三端连接电源VCC和所述主功率放大模块，所述三极管Q5的第二端连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端连接所述主功率放大模块。
4.根据权利要求3所述的Doherty结构EVM补偿电路，其特征在于，所述主功率放大模块包括：三极管Q6；
所述三极管Q6的第一端连接输入信号RFIN和所述电阻R4的第二端，所述三极管Q6的第三端连接所述电源VCC和所述三极管Q5的第三端，所述三极管Q6的第二端接地。
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