CN219658737U - 一种高反射率的芯片结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种高反射率的芯片结构,属于MiniLed背光领域。本实用新型的一种高反射率的芯片结构包括芯片层,所述芯片层的正面贴设有耐高温的正面膜,反面设有油墨层和背面膜,所述芯片层包括晶圆,油墨层采用感光油墨。本实用新型通过在芯片层背面设置具有高反射率的感光油墨,使得整个芯片结构具有高反射率。

Description

一种高反射率的芯片结构
技术领域
本实用新型涉及MiniLed背光领域,尤其涉及一种高反射率的芯片结构。
背景技术
随着电子技术的进步和发展,对各种电器印制电路板和显示器背光源板的使用条件和使用寿命有更好的要求,为了有效利用光源,需大幅提升可见光反射率。在专利CN209070272U中公开了一种提高光反射率的背光组件及背光模组,包括:FPC、设于所述FPC上的若干焊盘、焊接于所述焊盘上的LED、以及设于所述FPC上的覆盖膜,覆盖膜包括:白色油墨层、设于所述白色油墨层上表面的PI膜、以及设于所述白色油墨层下表面的接着剂,所述接着剂与FPC设置LED的一面粘贴,所述白色油墨层内刷有感光白色油墨,所述感光白色油墨通过UV光固化,该专利的确可以提高整体光的反射率,但是在光线通过上述覆盖膜时,还是有部分光会穿过覆盖膜反射回来,如附图2所示,这部分光如果回到FPC上的焊盘上的芯片上时,因为芯片本身是黑色,会导致反射率偏低;且该专利对芯片外围设计要求较高,为提高整体反射率,需要额外配置背光组件,提高了生产成本。
发明内容
技术目的:针对现有技术中芯片本身反射率较低的缺陷,本实用新型公开了一种高反射率的芯片结构,通过在芯片层背面设置具有高反射率的感光油墨,使得整个芯片结构具有高反射率。
技术方案:为实现上述技术目的,本实用新型采用以下技术方案。
一种高反射率的芯片结构,包括芯片层,所述芯片层的正面贴设有耐高温的正面膜,反面设有油墨层和背面膜,所述背面膜用于保护芯片层;所述芯片层包括晶圆,油墨层采用具有高反射率的感光油墨。
更进一步地,所述油墨层厚度为25-30um。
更进一步地,所述感光油墨采用液态感光阻焊油墨。
更进一步地,感光油墨用于通过烘烤的方式固定,烘烤条件为温度150℃,时长30分钟。
更进一步地,所述芯片层和油墨层之间还均匀贴有背胶,背胶采用白色背胶。
更进一步地,所述芯片结构从上至下依次为正面膜、芯片层、背胶、油墨层和背面膜。
有益效果:本实用新型通过在芯片层背面设置具有高反射率的感光油墨,使得整个芯片结构具有高反射率,此外,芯片层和油墨层之间还均匀贴有白色背胶,使得芯片结构的反射率更加的均匀,不会出现区域内反射率差别过大的情况。本实用新型通过直接在芯片结构上设置感光油墨,直接大幅度提高芯片的反射率,无需额外配置附加组件,降低生产成本。
附图说明
图1为本实用新型的爆炸图;
图2为现有技术的结构示意图;
其中,1为正面膜,2为芯片层,3为背胶,4为油墨层,5为正面膜。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型的一种高反射率的芯片结构做进一步的说明和解释。
如附图1所示,一种高反射率的芯片结构,包括芯片层2,所述芯片层2的正面贴设有耐高温的正面膜1,反面设有油墨层4和背面膜5,所述背面膜5用于保护芯片层2;所述芯片层2包括晶圆,油墨层4采用具有高反射率的感光油墨,其厚度为25-30um;感光油墨采用液态感光阻焊油墨,感光油墨用于通过烘烤的方式固定,烘烤条件为温度150℃,时长30分钟。通过在芯片层2的背面设有感光油墨使得整个芯片结构具有高反射率。
所述芯片层2和油墨层4之间还均匀贴有背胶3,背胶3采用白色背胶,使得芯片结构的反射率更加的均匀,不会出现区域内反射率差别过大的情况。通过设置的油墨层4、正面膜1和背胶3,本实用新型的芯片结构芯片具有高反射性、耐高温、均匀性等特点,且反射LED所发出的光,达到节能、提高亮度的作用。本实用新型通过直接在芯片结构上设置感光油墨,直接大幅度提高芯片的反射率,无需额外配置附加组件,降低生产成本。此外,本实用新型的芯片结构可以焊接于电路板、背光源板上,共同增加光的反射能力。
实施例
本实施例中的一种高反射率的芯片结构从上之下依次设有耐高温的正面膜1、芯片层2、背胶3、油墨层4和背面膜5,其中,芯片层2正面设置正面膜1,反面设置背胶3、油墨层4和背面膜5;其中背胶紧贴芯片层;所述芯片层包括晶圆,本实施例中晶圆为DRIVER IC芯片驱动芯片,芯片采用CX5820;本实用新型的一种高反射率的芯片结构制作过程如下:首先进行晶圆进料,接着来料质量控制,根据工厂的标准决定是否合格,不合格重新进料。DRIVER IC芯片正面覆盖上一层耐高温的正面膜,进行晶圆研磨步骤,DRIVER IC芯片背面先贴上白色背胶,在刷上25~30um厚度的感光油墨进行烘烤,烘烤条件为温度150℃,时间是30min。烘烤结束贴上背面膜,揭开之前步骤中的正面膜,注意揭完正面膜后,晶圆正面不能有残胶出现,接着进行晶圆切割成若干个die,将每一个die分离出来,根据所需要的打包规格,封装成一个个芯片,如此封装完成的芯片,经过测试后,满足了反射率高、反射率均匀的特点。
本实施例中感光油墨采用液态感光阻焊油墨,主要成分为60%-70%的环氧丙希酸树脂、8%-15%的二丙二醇甲醚、4%-10%的硫酸钡。
为了测试其刷上白色油墨后的反射率,我司使用了上述符合要求的油墨A做实验,在刷完感光白油步骤后,于晶圆上选取20mm*20mm部分,进入回流焊机器,过两次炉测其反射率变化,看是否达到高反射率的要求。在其上面选择9个点作为观察点,先测得第一次过炉前9个点的反射率,如表格1所示:
表格 1 第一次过炉前各观察点的反射率
将9个点反射率记录后,将晶圆放入回流焊机器,时间设定为5分钟,记录第一次过炉后的反射率,如表格2所示:
表格 2 第一次过炉后各观察点的反射率
记录完成后,可以发现过炉一次后的芯片结构的反射率会略微下降,再次设定时间为5分钟,记录第二次过炉后的反射率,如表格3所示:
表格 3 第二次过炉后各观察点的反射率
回流焊温度条件为:145℃->150℃->170℃->180℃->205℃->225℃->250℃->265℃,等分8个区段,根据以上数据,发现我司使用的工艺,经过两次过炉操作后,反射率最大下降0.16%,最小下降0.06%,该工艺反射率下降幅度很小,结果表现都在90%以上,实现本实用新型中芯片结构的高反射率,此外,本实施例中各个观察点的反射率误差不超过0.1%,说明本实用新型的芯片结构反射率均匀,未出现区域内反射率差别过大的情况。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (1)

1.一种高反射率的芯片结构,其特征在于:包括芯片层(2),所述芯片层(2)的正面贴设有耐高温的正面膜(1),反面设有油墨层(4)和背面膜(5),所述背面膜(5)用于保护芯片层(2);所述芯片层(2)包括晶圆,油墨层(4)采用具有高反射率的感光油墨;所述油墨层(4)厚度为25-30um,所述感光油墨采用液态感光阻焊油墨,所述芯片层(2)和油墨层(4)之间还均匀贴有背胶(3),背胶(3)采用白色背胶,所述芯片结构从上至下依次为正面膜(1)、芯片层(2)、背胶(3)、油墨层(4)和背面膜(5)。
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