CN219610428U - 发光基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种发光基板及显示面板。包括：衬底；转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。将本申请发光基板的转移单元转移之后，可以通过导电结构与驱动基板之间的键合电阻，有效反应发光单元与驱动基板之间的键合电阻。此时，可以对键合电阻进行有效测试，进而可以对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。此外，第一测试单元可以同发光单元共同形成在衬底表面，使得工艺过程更加简单。

Description

发光基板及显示面板

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光基板及显示面板。

背景技术

在传统技术中，通常将发光单元通过沉积凸点下金属层(under ball mental，UBM)工艺与驱动基板进行键合。二者的键合效果会影响整个显示面板的良率以及显示效果。

因此，如何对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述传统技术的不足，本申请的目的在于提供发光基板及显示面板，旨在解决对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。

一种发光基板，包括：

衬底；

转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。

将上述发光基板的转移单元转移之后，可以通过导电结构与驱动基板之间的键合电阻，有效反应发光单元与驱动基板之间的键合电阻。此时，可以对键合电阻进行有效测试，进而可以对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。此外，第一测试单元可以同发光单元共同形成在衬底表面，使得工艺过程更加简单。

可选地，所述第一测试单元还包括：

第一键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第一引脚区；

第二键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第二引脚区。

可选地，所述发光单元包括半导体层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层，

所述导电结构与所述半导体层均位于所述衬底表面。

可选地，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；

所述发光单元的电极层包括间隔设置的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；

所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构，所述导电结构用作键合引脚。

基于同样的实用新型构思，本申请还提供一种显示面板，包括：

驱动基板，具有显示区与测试区；

发光单元，至少位于所述显示区的驱动基板上；

测试结构，包括：

第二测试单元，位于所述测试区的驱动基板上，且所述第二测试单元包括间隔设置的第一测试电极以及第二测试电极；

第一测试单元，与所述第二测试单元对应连接，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨域所述第一引脚区与第二引脚区，且连接所述第二测试单元的所述第一测试电极以及所述第二测试电极。

上述显示面板中，将第一测试单元与第二测试单元进行连接形成测试结构，测试结构可以检测发光单元与驱动基板间的接触电阻，根据该接触电阻可以判断发光单元与驱动基板间的连接情况。

可选地，所述第一测试单元还包括：

第一键合引脚，位于所述第一引脚区，连接所述导电结构与所述第一测试电极；

第二键合引脚，位于所述第二引脚区，连接所述导电结构与所述第二测试电极。

可选地，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；

所述发光单元的电极层包括间隔设置且与所述驱动基板键合的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；

所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构，所述导电结构同时与对应的所述第二测试单元的第一测试电极与第二测试电极键合。

可选地，所述发光单元包括红光发光单元、绿光发光单元以及蓝光发光单元。

可选地，所述测试结构均匀分布在所述测试区。

附图说明

图1为一实施例中提供的发光基板的截面结构示意图；

图2为又一实施例中提供的发光基板的截面结构示意图；

图3为一实施例中提供的显示面板的截面结构示意图；

图4为又一实施例中提供的显示面板的截面结构示意图；

图5为一实施例中提供的测试结构的截面结构示意图；

图6为一实施例中提供的测试结构的俯视结构示意图；

图7为一实施例中提供的测试结构的电路示意图；

图8为一实施例中提供的发光基板的俯视结构示意图；

图9为一实施例中提供的显示面板的俯视结构示意图。

附图标记说明：

100-衬底；200-测试结构；210-第一测试单元；211-导电结构；212a-第一引脚区；212b-第二引脚区；213a-第一键合引脚；213b-第二键合引脚；220-第二测试单元；221-第一测试电极；222-第二测试电极；300-发光单元；400-驱动基板；410-介质层；420-基板层；510-红光发光单元；520-绿光发光单元；530-蓝光发光单元；600-转移单元。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

在一个实施例中，请参阅图1，提供一种发光基板，包括衬底100以及转移单元600。

衬底100可以为单层结构，也可以为多层结构。例如，衬底100可以包括诸如硅(Si)衬底、硅锗(SiGe)衬底、硅锗碳(SiGeC)衬底、碳化硅(SiC)衬底、砷化镓(GaAs)衬底、砷化铟(InAs)衬底、磷化铟(InP)衬底或其它的III/V半导体衬底或II/VI半导体衬底。或者，还例如，衬底100可以包括诸如Si/SiGe、Si/SiC、绝缘体上硅(SOI)或绝缘体上硅锗等半导体衬底。因此衬底100的类型不应限制本申请的保护范围。

衬底100上可以设置多个转移单元600，多个转移单元600可以阵列排布于衬底100表面。

请参阅图8，转移单元600包括发光单元300与第一测试单元210。在转移单元600阵列中，第一测试单元210的数量以及位置并不做限定。作为示例，第一测试单元210可以均匀分布在转移单元600阵列中。

发光单元300包括半导体层以及电极层。

半导体层可以包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层等。N型半导体层可以设置在靠近衬底100的一侧，P型半导体层可以设置在远离衬底100的一侧，并不以此为限。发光层可以设置有量子阱等。此外，半导体层还可以包括其他功能膜层。例如可以在N型半导体层与衬底100之间设有缓冲层。

电极层可以包括第一电极引脚与第二电极引脚。第一电极引脚与第二电极引脚可以与驱动基板400键合，从而为发光单元300供电。

第一测试单元210具有第一引脚区212a以及第二引脚区212b，这两个区域相互间隔，互不接触。第一引脚区212a与第二引脚区212b可以用于与驱动基板400上的不同的测试电极键合连接。

同时，第一测试单元210还包括导电结构211，导电结构211跨越第一引脚区212a以及第二引脚区212b。导电结构211的材料可以包括但是不限于为金属材料。

在本实施例中，在衬底100上同时设置发光单元300与第一测试单元210。第一测试单元210的导电结构211跨越第一引脚区212a与第二引脚区212b。因此，导电结构211可以与驱动基板400上的不同的测试电极键合连接。之后可以对驱动基板400上的测试电极施加电压，从而形成测试回路。因此，将本实施例发光基板的转移单元600转移之后，可以通过导电结构211与驱动基板400之间的键合电阻，有效反应发光单元300与驱动基板400之间的键合电阻。此时，可以对键合电阻进行有效测试，进而可以对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。此外，第一测试单元210可以同发光单元300共同形成在衬底100表面，使得工艺过程更加简单。

在一个实施例中，请参阅图2，第一测试单元210还包括第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b。

第一键合引脚213a位于导电结构211的远离衬底100的表面，且位于第一测试单元210的第一引脚区212a处。第二键合引脚213b位于导电结构211的远离衬底100的表面，且位于第一测试单元210的第二引脚区212b处。

作为示例，可以先在衬底100表面形成导电结构211，然后在导电结构211的一端形成第一键合引脚213a，在导电结构211的另一端形成第二键合引脚213b。第一键合引脚213a和/或第二键合引脚213b的材料可以包括但是不限于为金属材料。

第一键合引脚213a与第二键合引脚213b均与导电结构211相互接触，且通过导电结构211相互连接。

在本实施例中，通过设置第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b，进而可以通过第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b与驱动基板400上的测试电极键合连接。此时，类似与发光单元300通过第一电极引脚与第二电极引脚与驱动基板400键合的方式，从而使得键合电阻的测试更加可靠有效。

在一个实施例中，发光单元300包括半导体层，半导体层可以包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。导电结构211与半导体层均位于衬底100表面。

作为示例，可以首先在衬底100表面形成半导体层。半导体层可以包括依次形成的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。然后，再刻蚀去除部分区域的半导体层。之后，再于刻蚀区域的衬底100表面形成导电结构211。同时，可以在剩余区域的半导体层上继续进行加工，从而形成多个发光单元300。

当然，发光单元300与导电结构211的形式方式并不限于此。

在本实施例中，发光单元300的半导体层与第一测试单元210的导电结构211同时位于衬底100表面。此时，若在导电结构211上形成第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b，则第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b与发光单元300的第一电极引脚与第二电极引脚结构更加相近，进而使得第一测试单元210与发光单元300的结构更加相近，从而可以使得测试结果更加可靠。

在一个实施例中，发光单元300与第一测试单元210均包括半导体层以及电极层，半导体层包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。

发光单元300的电极层包括间隔设置的第一电极引脚与第二电极引脚，第一电极引脚连接N型半导体层，第二电极引脚连接P型半导体层。

第一测试单元210的电极层包括导电结构211，导电结构211用作键合引脚。

导电结构211可以与第一电极引脚与第二电极引脚同时形成。

作为示例，可以形成半导体层之后，在半导体层上形成钝化层。然后在钝化层内形成分别贯穿至N型半导体层与P型半导体层的第一通孔与第二通孔。同时，在钝化层内形成凹槽。之后填充第一通孔、第二通孔以及凹槽，从而形成第一电极引脚、第二电极引脚以及导电结构211。

在本实施例中，将导电结构211用作键合引脚，从而使得第一测试单元210与发光单元300同时形成，从而简化工艺制作过程。

在一个实施例中，请参阅图3以及图9，提供一种显示面板，包括驱动基板400、发光单元300以及测试结构200。

驱动基板400具有显示区与测试区。发光单元300可以位于驱动基板400的显示区内。其中，测试区位于非显示区。

作为示例，发光单元300可以包括红光发光单元510、绿光发光单元520以及蓝光发光单元530。红光发光单元510、绿光发光单元520以及蓝光发光单元530分别从不同的发光基板转移而来。

作为示例，为了便于从发光基板上向驱动基板400上转移转移单元600，可以将发光单元300与第一测试单元210同时转移。发光单元300还可以位于驱动基板400的测试区内，可以理解的是，测试区的发光单元300只是便于同步转移，提高转移均一性，并不参与发光。

测试结构200可以位于驱动基板400的测试区内。具体地，测试结构200的第二测试单元220位于驱动基板400的测试区内。

测试结构200包括第二测试单元220以及第一测试单元210。第二测试单元220位于测试区的驱动基板400上。第二测试单元220包括第一测试电极221以及第二测试电极222，二者相互间隔，互不接触。

作为示例，驱动基板400可以包括基板层420以及介质层410。介质层410可以位于基板层420上，其材料可以选择氧化硅。具体地，可以基于基板层420形成驱动电路(例如薄膜晶体管)，介质层410可以为单层或者多层结构，其可以包括形成于驱动电路上并覆盖驱动电路的钝化膜层，也可以包括驱动电路内起到隔离作用的多个膜层。

第一测试电极221以及第二测试电极222可以置于介质层410上。

第一测试单元210具有第一引脚区212a以及第二引脚区212b，这两个区域相互间隔，互不接触。同时，第一测试单元210还包括导电结构211，导电结构211跨越第一引脚区212a以及第二引脚区212b。导电结构211的材料可以包括但是不限于为金属材料。

第一测试单元210与第二测试单元220对应连接，第一测试单元210的导电结构211与第二测试单元220的第一测试电极221以及第二测试电极222相连接。第一测试电极221与第二测试电极222分别与导电结构211的两端相连接。

作为示例，将第一测试单元210与第二测试单元220相连接时，可以采用沉积凸点下金属层(under ball mental，UBM)工艺，具体地，在预设条件下，应用UBM作为过渡层，将导电结构211与第一测试电极221以及第二测试电极222进行压接，使导电结构211与第一测试电极221以及第二测试电极222相粘附，进而使得第一测试单元210与第二测试单元220相键合。

同时，将发光单元300与驱动基板400进行连接时，也可以采用沉积凸点下金属层(under ball mental，UBM)工艺，具体地，在预设条件下，应用UBM作为过渡层，将发光单元300的引脚(第一电极引脚与第二电极引脚)与驱动基板400上与之相应的引脚压接，使二者相粘附，从而使得发光单元300与驱动基板400相键合。

作为示例，在显示面板的测试区内，可以设置有多个测试电极，其中每两个测试电极构成一个第二测试单元220。第二测试单元220可以同第一测试单元210一一对应键合，从而形成多个测试结构200。多个测试结构200均可以用于键合电阻的测试，从而使得键合电阻的测试更为准确。例如，当测试区内设置有24个测试电极时，可以构成12个第二测试单元220。12个第二测试单元220分别与第一测试单元210键合，可以形成12个测试结构200。

测试结构200工作时，将第二测试单元220的第一测试电极221以及第二测试电极222作为两端，在该两端间施加电压，同时检测测试结构200的电流，用电压值比上电流值即为发光单元300转移键合后的接触电阻值。将该电阻值与预设电阻进行比较，进而判断发光单元300与驱动基板400间的键合情况。

在本实施例中，将第一测试单元210与第二测试单元220进行连接形成测试结构200，测试结构200可以检测发光单元300与驱动基板400间的接触电阻，根据该接触电阻可以判断发光单元300与驱动基板400间的连接键合情况。

在一个实施例中，请参阅图4至图7，第一测试单元210还包括第一键合引脚213a以及第二键合引脚213b。

第一键合引脚213a位于第一测试单元210的第一引脚区212a，其将导电结构211与第一测试电极221相连接。

第二键合引脚213b位于第一测试单元210的第二引脚区212b，其将导电结构211与第二测试电极222相连接。

在一个实施例中，发光单元300与第一测试单元210均包括半导体层以及电极层，半导体层包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。

发光单元300的电极层包括第一电极引脚与第二电极引脚，二者相互间隔，互不接触。同时，第一电极引脚和第二电极引脚均与驱动基板400相键合。第一电极引脚连接N型半导体层，第二电极引脚连接P型半导体层。

第一测试单元210的电极层包括导电结构211，导电结构211与第二测试单元220的第一测试电极221以及第二测试电极222相键合。

在一个实施例中，测试结构200可以均匀的分布在驱动基板400的测试区内。

测试区可以包括第一边缘区以及第一中央区，显示区可以包括第二边缘区以及第二中央区。

作为示例，测试区的第一边缘区以及第一中央区内均可以设置有一个或多个测试结构200。当第一边缘区包括多个测试结构200时，通过该多个测试结构200获取多个键合电阻并求均值，并用此均值表示第一边缘区的键合电阻。当第一中央区包括多个测试结构200时，通过该多个测试结构200获取多个键合电阻并求均值，并用此均值表示第一中央区的键合电阻。

当第一边缘区的键合电阻与第一中央区的键合电阻之差在预设范围内时，可以将基于测试区内的所有测试结构200获取的所有键合电阻求均值，以表征显示区的发光单元300与驱动基板400间的键合电阻。

当第一边缘区的键合电阻与第一中央区的键合电阻之差超出预设范围时，可以基于测试区的第一边缘区内的测试结构200获取的键合电阻，表征位于显示区的第二边缘区内的发光单元300与驱动基板400间的键合电阻。基于测试区的第一中央区内的测试结构200获取的键合电阻，表征位于显示区的第二中央区内的发光单元300与驱动基板400间的键合电阻。

将测试结构200均匀的设置在测试区内，可以完成整个显示区的发光单元300的键合电阻的监控。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：

衬底；

转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。

2.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一测试单元还包括：

第一键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第一引脚区；

第二键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第二引脚区。

3.如权利要求1或2所述的发光基板，其特征在于，

所述发光单元包括半导体层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层，

所述导电结构与所述半导体层均位于所述衬底表面。

4.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；

所述发光单元的电极层包括间隔设置的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；

所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构。

5.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一测试单元均匀分布在所述转移单元阵列中。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：

驱动基板，具有显示区与测试区；

发光单元，至少位于所述显示区的驱动基板上；

测试结构，包括：

第二测试单元，位于所述测试区的驱动基板上，且所述第二测试单元包括间隔设置的第一测试电极以及第二测试电极；

第一测试单元，与所述第二测试单元对应连接，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨域所述第一引脚区与第二引脚区，且连接所述第二测试单元的所述第一测试电极以及所述第二测试电极。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一测试单元还包括：

第一键合引脚，位于所述第一引脚区，连接所述导电结构与所述第一测试电极；

第二键合引脚，位于所述第二引脚区，连接所述导电结构与所述第二测试电极。

8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；

所述发光单元的电极层包括间隔设置且与所述驱动基板键合的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；

所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构，所述导电结构同时与对应的所述第二测试单元的第一测试电极与第二测试电极键合。

9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括红光发光单元、绿光发光单元以及蓝光发光单元。

10.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述测试结构均匀分布在所述测试区。