CN219497767U - 一种用于超低负载加热的sgt-mos器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种用于超低负载加热的SGT‑MOS器件,包括:MOS器件本体,设置于MOS器件本体外部的防护壳,以及设置于防护壳下侧的引脚保护套;引脚保护套的上表面固定设置有连接板,防护壳套装于连接板的外部,防护壳的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽和半圆限位槽,连接板靠近椭圆活动槽的一侧设置有连接机构;连接机构包括:固定设置于连接板外表面的横杆,以及套装于连接板外部的活动套筒。防护壳与引脚保护套的设置,可以对MOS器件本体及其引脚进行保护,避免因误碰造成损伤,设置的连接机构,方便对引脚保护套的安装与拆卸,操作简单,相对于现有技术,解决了对引脚保护套安装和拆卸时,操作较为繁琐,费时费力的问题。

Description

一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件
技术领域
本实用新型涉及SGT-MOS器件技术领域,尤其涉及一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件。
背景技术
SGT MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点,同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。SGT MOSFET会被用到具备超低负载加热功能设备的电路系统中,SGT MOSFET在焊接于电路板上的过程中,其若受外界碰撞后,引脚容易受到损坏。
现有技术CN218351448U公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件,包括器件本体,所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板,且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片,可以对MOSFET器件和引脚进行保护,避免受到外界因素而发生破损,同时还可以对其进行散热处理,并提高其的使用寿命,解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热,且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。
但上述现有技术存在以下问题:
(1)在将防护壳与连接板之间进行固定时,限位球需要时刻用手指挤压,而手指的位置会阻碍限位球进入防护壳内部,并且在拆卸时,还需要借助到细杆或其它辅助工具才能按压到限位球,人员操作费时费力,比较繁琐。
(2)防护壳与MOS器件之间使用多个螺栓进行固定,固定和拆卸都需多次操作,比较费时费力,并且螺栓较小,容易掉落,影响工作进程。
因此,有必要提供一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,以解决上述技术问题。
发明内容
本实用新型克服了现有技术的不足,提供一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,包括:MOS器件本体,设置于所述MOS器件本体外部的防护壳,以及设置于所述防护壳下侧的引脚保护套;
所述引脚保护套的上表面固定设置有连接板,所述防护壳套装于所述连接板的外部,所述防护壳的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽和半圆限位槽,所述连接板靠近所述椭圆活动槽的一侧设置有连接机构;
所述连接机构包括:固定设置于所述连接板外表面的横杆,以及套装于所述连接板外部的活动套筒;所述活动套筒靠近所述连接板的一侧设置有弹簧套筒,所述弹簧套筒的外表面设置有定位板,所述定位板的下表面与所述半圆限位槽的内底面抵接。
本实用新型一个较佳实施例中,所述连接板的外表面设置有第一压缩弹簧,所述第一压缩弹簧的另一端为自由端,且与活动套筒的外表面抵接。
本实用新型一个较佳实施例中,所述第一压缩弹簧套装于所述横杆的外部,且活动设置于所述弹簧套筒的内侧。
本实用新型一个较佳实施例中,所述活动套筒的内侧壁开设有限位槽,所述横杆的外端固定设置有限位板,所述限位板的外表面与所述限位槽的内侧壁滑动连接。
本实用新型一个较佳实施例中,所述椭圆活动槽贯穿所述防护壳的侧壁,所述活动套筒设置于所述椭圆活动槽的内部,且沿所述椭圆活动槽的长度方向活动,所述活动套筒的外端固定设置有转动部。
本实用新型一个较佳实施例中,所述半圆限位槽设置于所述椭圆活动槽的内侧,所述半圆限位槽从所述防护壳的内侧壁往外延伸,且不贯穿所述防护壳的侧壁,所述活动套筒转动设置于所述半圆限位槽内部。
本实用新型一个较佳实施例中,所述防护壳的两侧面均开设有方槽,所述方槽的内部设置有固定机构。
本实用新型一个较佳实施例中,所述固定机构包括:安装板,以及活动设置于所述方槽内部的拉杆;所述安装板固定在所述方槽的外侧,所述安装板的外表面开设有通孔,所述拉杆插接于所述通孔的内部,所述拉杆的外端设置有拉拽部。
本实用新型一个较佳实施例中,所述MOS器件本体靠近所述方槽的一侧开设有固定槽,所述拉杆的一端固定设置有固定板,所述固定板卡接于所述固定槽的内部。
本实用新型一个较佳实施例中,所述安装板的一侧固定设置有第二压缩弹簧,所述第二压缩弹簧的另一端与所述固定板的外表面固定连接。
本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷,本实用新型具备以下有益效果:
(1)防护壳与引脚保护套的设置,可以对MOS器件本体及其引脚进行保护,避免因误碰造成损伤,设置的连接机构,方便对引脚保护套的安装与拆卸,操作简单,相对于现有技术,解决了对引脚保护套进行安装和拆卸的时候,操作较为繁琐,费时费力的问题。
(2)固定机构的设置,将防护壳与MOS器件本体之间的固定操作得到了简化,防护壳的安装和拆卸更加的方便,操作更加容易,省时省力,工作进程得到了加快。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;
图1是本实用新型的优选实施例的立体结构图;
图2是本实用新型的优选实施例的MOS器件本体立体结构图;
图3是本实用新型的优选实施例的正式剖面结构图;
图4是本实用新型的优选实施例的定位板与半圆限位槽连接结构图;
图5是本实用新型的优选实施例的局部A放大结构图;
图6是本实用新型的优选实施例的局部B放大结构图。
图中:1、MOS器件本体;11、固定槽;2、防护壳;21、椭圆活动槽;22、半圆限位槽;23、方槽;3、引脚保护套;31、连接板;4、连接机构;41、横杆;42、活动套筒;43、限位槽;44、限位板;45、弹簧套筒;46、第一压缩弹簧;47、定位板;48、转动部;5、固定机构;51、安装板;52、拉杆;53、固定板;54、第二压缩弹簧;55、拉拽部。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明,这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
实施例1
如图1和图2所示,一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,包括:MOS器件本体1,设置于MOS器件本体1外部的防护壳2,以及设置于防护壳2下侧的引脚保护套3;
本实施例中的防护壳2及引脚保护套3分别用于保护MOS器件本体1和其引脚。
如图3所示,引脚保护套3的上表面固定设置有连接板31,防护壳2套装于连接板31的外部,防护壳2的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽21和半圆限位槽22,连接板31靠近椭圆活动槽21的一侧设置有连接机构4。
连接板31用于将引脚保护套3与防护壳的下侧之间连接起来,椭圆活动槽21的下侧为开口式,用于连接机构4随着连接板31向上装配。
如图4和图5所示,连接机构4包括:固定设置于连接板31外表面的横杆41,以及套装于连接板31外部的活动套筒42;活动套筒42靠近连接板31的一侧设置有弹簧套筒45,弹簧套筒45的外表面设置有定位板47,定位板47的下表面与半圆限位槽22的内底面抵接。椭圆活动槽21贯穿防护壳2的侧壁,活动套筒42设置于椭圆活动槽21的内部,且沿椭圆活动槽21的长度方向活动,活动套筒42的外端固定设置有转动部48。半圆限位槽22设置于椭圆活动槽21的内侧,半圆限位槽22从防护壳2的内侧壁往外延伸,且不贯穿防护壳2的侧壁,活动套筒42转动设置于半圆限位槽22内部。
活动套筒42相对于横杆41可转动,弹簧套筒45随着活动套筒42转动在横杆41的外部,定位板47对称分布于弹簧套筒45的外表面,可以蓬在半圆限位槽22内,保持连接板31的位置不下移,将防护壳2与连接板31连接起来,方便对引脚保护套3的安装与拆卸,操作简单。
如图5所示,连接板31的外表面设置有第一压缩弹簧46,第一压缩弹簧46的另一端为自由端,且与活动套筒42的外表面抵接。第一压缩弹簧46套装于横杆41的外部,且活动设置于弹簧套筒45的内侧。
第一压缩弹簧46的一端为自由端,此设置为方便活动套筒42进行转动,使用第一压缩弹簧46给活动套筒42提供向外的弹力,进而挤压活动套筒42向外,进而使得定位板47远离连接板31的一侧与半圆限位槽22的侧壁抵接,使其位置固定,不上下移动。
如图5所示,活动套筒42的内侧壁开设有限位槽43,横杆41的外端固定设置有限位板44,限位板44的外表面与限位槽43的内侧壁滑动连接。
限位槽43与限位板44之间的配合设置,意在限制活动套筒42的在横杆41长度方向上的移动范围,防止活动套筒42脱离横杆41。
本实用新型使用时,首先将定位板47旋转到沿垂直方向,然后将连接板31从防护壳2的下侧,由下往上的插进防护壳2内,两侧的活动套筒42从椭圆活动槽21内向上移动到半圆限位槽22内,在移动到半圆限位槽22内之前,向内按压转动部48,转动部48挤压活动套筒42,活动套筒42挤压第一压缩弹簧46,使定位板47进入半圆限位槽22内,然后旋转转动部48,转动部48带动活动套筒42及弹簧套筒45,进而使得定位板47旋转到水平位置,与半圆限位槽22的底面平齐,然后卸去按压转动部48的力,在第一压缩弹簧46的弹力作用下,定位板47的侧面抵接到半圆限位槽22的侧壁,将防护壳2与引脚保护套3之间连接起来。
实施例2
如图2所示,一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,防护壳2的两侧面均开设有方槽23,方槽23的内部设置有固定机构5。固定机构5包括:安装板51,以及活动设置于方槽23内部的拉杆52;安装板51固定在方槽23的外侧,安装板51的外表面开设有通孔,拉杆52插接于通孔的内部,拉杆52的外端设置有拉拽部55。
拉杆52的数量可以为一个或者两个,若是为两个拉杆52,拉拽部55就将两个拉杆52连接起来,方便对固定机构5的控制,节省操作步骤。
如图3和图6所示,MOS器件本体1靠近方槽23的一侧开设有固定槽11,拉杆52的一端固定设置有固定板53,固定板53卡接于固定槽11的内部。
固定槽11形状限定为内侧小,外侧大的梯形或球形,固定板53形状与固定槽11相匹配,且固定板53的外沿设置有倒角,方便在实际的使用中,固定板53可以更好,更快速的与固定槽11之间对位,加快固定速度,省时省力,加快工作进程。
本实施例中的安装板51的一侧固定设置有第二压缩弹簧54,第二压缩弹簧54的另一端与固定板53的外表面固定连接。
第二压缩弹簧54套在拉杆52的外部,其在固定板53与固定槽11之间对位完成之后,对固定板53提供一个弹力,使固定板53牢牢的卡在固定槽11内,保证固定效果。
本实用新型使用时,首先将两侧的拉拽部55向外拉,第二压缩弹簧54处于压缩状态,然后将MOS器件本体1从上往下放进防护壳2内,待MOS器件本体1的位置合适之后,固定板53与固定槽11对位完成之后,松开拉拽部55,在第二压缩弹簧54的弹力作用下,固定板53卡在固定槽11内,至此,防护壳2与MOS器件本体1之间的固定操作就完成了。
以上依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。

Claims (10)

1.一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,包括:MOS器件本体(1),设置于所述MOS器件本体(1)外部的防护壳(2),以及设置于所述防护壳(2)下侧的引脚保护套(3),其特征在于:
所述引脚保护套(3)的上表面固定设置有连接板(31),所述防护壳(2)套装于所述连接板(31)的外部,所述防护壳(2)的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽(21)和半圆限位槽(22),所述连接板(31)靠近所述椭圆活动槽(21)的一侧设置有连接机构(4);
所述连接机构(4)包括:固定设置于所述连接板(31)外表面的横杆(41),以及套装于所述连接板(31)外部的活动套筒(42);所述活动套筒(42)靠近所述连接板(31)的一侧设置有弹簧套筒(45),所述弹簧套筒(45)的外表面设置有定位板(47),所述定位板(47)的下表面与所述半圆限位槽(22)的底面抵接。
2.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述连接板(31)的外表面设置有第一压缩弹簧(46),所述第一压缩弹簧(46)的另一端为自由端,且与活动套筒(42)的外表面抵接。
3.根据权利要求2所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述第一压缩弹簧(46)套装于所述横杆(41)的外部,且活动设置于所述弹簧套筒(45)的内侧。
4.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述活动套筒(42)的内侧壁开设有限位槽(43),所述横杆(41)的外端固定设置有限位板(44),所述限位板(44)的外表面与所述限位槽(43)的内侧壁滑动连接。
5.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述椭圆活动槽(21)贯穿所述防护壳(2)的侧壁,所述活动套筒(42)设置于所述椭圆活动槽(21)的内部,且沿所述椭圆活动槽(21)的长度方向活动,所述活动套筒(42)的外端固定设置有转动部(48)。
6.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述半圆限位槽(22)设置于所述椭圆活动槽(21)的内侧,所述半圆限位槽(22)从所述防护壳(2)的内侧壁往外延伸,且不贯穿所述防护壳(2)的侧壁,所述活动套筒(42)转动设置于所述半圆限位槽(22)内部。
7.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述防护壳(2)的两侧面均开设有方槽(23),所述方槽(23)的内部设置有固定机构(5)。
8.根据权利要求7所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述固定机构(5)包括:安装板(51),以及活动设置于所述方槽(23)内部的拉杆(52);所述安装板(51)固定在所述方槽(23)的外侧,所述安装板(51)的外表面开设有通孔,所述拉杆(52)插接于所述通孔的内部,所述拉杆(52)的外端设置有拉拽部(55)。
9.根据权利要求8所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述MOS器件本体(1)靠近所述方槽(23)的一侧开设有固定槽(11),所述拉杆(52)的一端固定设置有固定板(53),所述固定板(53)卡接于所述固定槽(11)的内部。
10.根据权利要求9所述的一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件,其特征在于:所述安装板(51)的一侧固定设置有第二压缩弹簧(54),所述第二压缩弹簧(54)的另一端与所述固定板(53)的外表面固定连接。
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