CN219457583U - 基于引线框架类垂直封装的sip模组 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了基于引线框架类垂直封装的SIP模组，基于引线框架类垂直封装的SIP模组，包括引线框架、IC芯片层、导线，所述IC芯片层通过胶体粘接于引线框架上形成固晶，所述引线框架与IC芯片层之间通过导线电性连接或倒装连接，所述引线框架的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、ABF塑封层，所述固晶位于环氧树脂、ABF塑封层与引线框架之间。本实用新型，垂直封装的工艺大大降低了互联以及传输的功耗应用引线框架的结构，IC芯片层直接固结在金属基板的引线框架上面形成固晶，配合金属层进一步提高散热面积，解决了大功率大电流散热的问题，采用三维垂直的方式安装导线，工艺简单，效率高，大提高芯片的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体模组封装领域，更具体地说，涉及基于引线框架类垂直封装的SIP模组。
背景技术
随着现代电子装备对微电子封装及互联密度提出了更高的要求，其对更轻、更薄、更小、更高可靠性、更低功耗的不断追求，推动微电子封装和互联朝着密度更高的三维方式发展，高密度3D互联封装能够最大限度地灵活应用各种芯片资源和封装互联技术，近年来获得迅速发展，成为实现整机系统集成的必然趋势。
现有技术是在多层加法载板上面叠加，芯片的散热全是靠着导线引脚来散热，这样带来的是器件的散热性能不足以及成本高昂，且传统的集成电路封装主要采用二维结构单片封装，然而这些传统封装内空间利用率极低且互连普遍较长，容易引发极其复杂的互连寄生效应，进而导致信号畸变，严重影响芯片的性能，故而提出了基于引线框架类垂直封装的SIP模组来解决上述问题。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供基于引线框架类垂直封装的SIP模组，以解决现有技术是在多层加法载板上面叠加，芯片的散热全是靠着导线引脚来散热，这样带来的是器件的散热性能不足以及成本高昂，且传统的集成电路封装主要采用二维结构单片封装，然而这些传统封装内空间利用率极低且互连普遍较长，容易引发极其复杂的互连寄生效应，进而导致信号畸变，严重影响芯片的性能的问题。
为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。
基于引线框架类垂直封装的SIP模组，包括引线框架、IC芯片层、导线，所述IC芯片层通过胶体粘接于引线框架上形成固晶，所述引线框架与IC芯片层之间通过导线，电性连接，所述引线框架的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、ABF塑封层，所述固晶位于环氧树脂、ABF塑封层与引线框架之间，所述导线穿插于环氧树脂、ABF塑封层的内侧，所述环氧树脂、ABF塑封层的顶部设置金属层，所述金属层的底部贯穿环氧树脂、ABF塑封层并与引线框架连接，所述金属层的顶部设置有贴封层，所述贴封层包含但不局限于二次封装固晶与贴片垂直结构。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述引线框架包含有芯片焊盘、被动元器件盘与两个外接垂直结构导通焊盘。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述外接垂直结构导通焊盘上设置有若干个外接垂直导孔引脚接头，所述引脚接头包含但不局限于输出电压、地线、信号电压、使能、反馈等。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述金属层为铜金属或镍铜双层金属。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述环氧树脂、ABF塑封层上通过垂直导孔工艺形成通孔，所述金属层的底部通过通孔与引线框架连接，任何通孔的工艺都在此发明中可以应用。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述引线框架的厚度为100-500μm。
相比于现有技术，本发明的优点在于：
本方案，采用成熟的半导体bonding封装制程，工艺灵活，增加模组端设计的多样性，同时环氧树脂、ABF塑封层(EMCmolding)注塑效率高，大幅降低模组的制作成本，垂直封装的工艺大大降低了互联以及传输的功耗。
本方案，应用引线框架的结构，IC芯片层直接固结在金属基板的引线框架上面形成固晶，芯片整个面积都是散热面，散热效率更高，配合金属层进一步提高散热面积，解决了大功率大电流散热的问题。
本方案，采用三维垂直的方式安装导线，工艺简单，效率高，大幅降低了模组类先进封装互联，导通的成本，本发明特别开发了在环氧树脂、ABF结构层中做导孔以及导孔互联的工艺，充分利用封装内空间，避免互连普遍较长，降低互连寄生效应，防止导致信号畸变，提高芯片的性能。
附图说明
图1为本发明的俯视剖视结构示意图；
图2为本发明引线框架的俯视结构示意图；
图3为本发明图1中A-A部的截面结构示意图。
图中标号说明：
1、引线框架；11、芯片焊盘；12、被动元器件盘；13、外接垂直结构导通焊盘；2、固晶；3、导线；4、环氧树脂、ABF塑封层；41、通孔；5、金属层；6、贴封层；7、其它模组类封装需要的芯片及被动元器件。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；
请参阅图1～3，本发明中，基于引线框架类垂直封装的SIP模组，包括引线框架1、IC芯片层、导线3，IC芯片层通过胶体粘接于引线框架1上形成固晶2，引线框架1与IC芯片层之间通过导线3，电性连接，引线框架1的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、ABF塑封层4，固晶2位于环氧树脂、ABF塑封层4与引线框架1之间，导线3穿插于环氧树脂、ABF塑封层4的内侧，环氧树脂、ABF塑封层4的顶部设置金属层5，金属层5的底部贯穿环氧树脂、ABF塑封层4并与引线框架1连接，金属层5的顶部设置有贴封层6，其中在IC芯片层设置有其它模组类封装需要的芯片及被动元器件7。
本发明中，采用成熟的半导体bonding封装制程，工艺灵活，增加模组端设计的多样性，同时环氧树脂、ABF塑封层4EMCmolding注塑效率高，大幅降低模组的制作成本，垂直封装的工艺大大降低了互联以及传输的功耗，应用引线框架1的结构，IC芯片层直接固结在金属基板的引线框架1上面形成固晶2，同时通过贴片或者bonding封装制程形成被动元器件盘12上的其它模组类封装需要的芯片及被动元器件7，芯片整个面积都是散热面，散热效率更高，配合金属层5进一步提高散热面积，解决了大功率大电流散热的问题，三维封装工艺，降低了封装工艺难度，工艺简单，效率高，大幅降低了模组类先进封装的成本。
请参阅图1～3，其中：引线框架1包含有芯片焊盘11、被动元器件盘12与两个外接垂直结构导通焊盘13。
本发明中，根据需求可在引线框架1设置不同的功能区域，如焊接IC芯片层与原件贴片的芯片焊盘11、IC芯片或被动元器件引脚连接的被动元器件盘12以及用于垂直互联的外接垂直结构导通焊盘13，以满足芯片使用需求，实现电子系统多功能化与高性能化。
请参阅图1与图2，其中：外接垂直结构导通焊盘13上设置有若干个外接垂直导孔引脚接头，引脚接头包含但不局限于输出电压、地线、信号电压、使能、反馈。
本发明中，通过根据芯片的使用需求设置设置符合功能的引脚接头，以满足芯片封装后的使用。
请参阅图3，其中：导线3与固晶2的连接处位于IC芯片层的顶部。
本发明中，采用传统标准的焊线bonding导线3，工艺简单，效率高，大幅降低了模组类先进封装的成本，充分利用封装内空间，提高芯片的互联性能。
请参阅图3，其中：金属层5为铜金属或镍铜双层金属。
本发明中，采用铜金属与镍铜合金作为金属层5，能够满足芯片的封装需求的同时，扩大散热面积，提高IC芯片层的整体的散热效果。
请参阅图3，其中：环氧树脂、ABF塑封层4上通过垂直导孔工艺形成通孔41，金属层5的底部通过通孔41与引线框架1连接。
本发明中，采用环氧树脂或者ABF注塑以及垂直导孔成型工艺形成环氧树脂、ABF塑封层4以及环氧树脂、ABF塑封层4上的通孔41，方便金属层5的安装以及金属层5与引线框架1的互连。
请参阅图3，其中：引线框架1的厚度为100-500μm。
本发明中，引线框实体铜柱的截面积大，连接柱厚度为100-500um，具有足够的通流能力以及优越的散热性能，进一步增加芯片的散热效果。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：包括引线框架(1)、IC芯片层、导线(3)，所述IC芯片层通过胶体粘接于引线框架(1)上形成固晶(2)，所述引线框架(1)与IC芯片层之间通过导线(3)电性连接，所述引线框架(1)的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、ABF塑封层(4)，所述固晶(2)位于环氧树脂、ABF塑封层(4)与引线框架(1)之间，所述导线(3)穿插于环氧树脂、ABF塑封层(4)的内侧，所述环氧树脂、ABF塑封层(4)的顶部设置金属层(5)，所述金属层(5)的底部贯穿环氧树脂、ABF塑封层(4)并与引线框架(1)连接，所述金属层(5)的顶部设置有贴封层(6)，所述贴封层(6)包含二次封装固晶与贴片垂直结构。
2.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：所述引线框架(1)包含有芯片焊盘(11)、被动元器件盘(12)与两个外接垂直结构导通焊盘(13)。
3.根据权利要求2所述的基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：所述外接垂直结构导通焊盘(13)上设置有若干个外接垂直导孔引脚接头，所述引脚接头包含输出电压、地线、信号电压、使能、反馈。
4.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：所述金属层(5)为铜金属或镍铜双层金属。
5.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：所述环氧树脂、ABF塑封层(4)上通过垂直导孔工艺形成通孔(41)，所述金属层(5)的底部通过通孔(41)与引线框架(1)连接。
6.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的SIP模组，其特征在于：所述引线框架(1)的厚度为100-500μm。
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| CN202221736535.1U CN219457583U (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 基于引线框架类垂直封装的sip模组 |
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Publications (1)
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| CN219457583U true CN219457583U (zh) | 2023-08-01 |
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Country Status (1)
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2022
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