CN219226249U - 下片机 - Google Patents

Abstract

一种下片机。所述下片机包括：加热载台；下片载台；以及下片操作组件；其中，所述加热载台与所述下片载台相接；所述下片载台上设置有漏液结构；所述漏液结构靠近所述加热载台与所述下片载台的交接处；所述漏液结构具有暴露于所述下片载台上表面的第一开口；所述漏液结构上与所述第一开口相对端的尺寸，大于所述第一开口的尺寸。采用上述方案，可以降低漏液槽的清洁频率，提高产能。

Description

下片机

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种下片机。

背景技术

在半导体后段(BS)工艺中，对晶圆执行键合时，会将液态蜡均匀分布在晶圆表面，然后再将晶圆与基底贴合，以增加晶圆硬度，后续再将与基底贴合的晶圆执行研磨及抛光等制程。下片时，需要使用下片机将晶圆及基底分离。

具体下片过程为：在下片机的加热区将蜡融化，之后，加热载台真空吸附载体与晶圆，同时，下片机的压力组件真空吸附基底。接着，通过下片机的推动组件将基底从加热区载台上推动至下片区的下片载台上，从而使得晶圆与基底分离。

通常情况下，下片载台与加热载台紧密连接，二者的交接处设置有漏液槽，基底从加热载台推动至下片载台时，融化的蜡液会从漏液槽漏出。

现有的下片机中，漏液槽容易被堵塞，需要经常清洁，清洁频率较高，从而影响产能。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是：如何降低漏液槽的清洁频率，提高产能。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种下片机，所述下片机包括：

加热载台；

下片载台；

以及下片操作组件；

其中，所述加热载台与所述下片载台相接；

所述下片载台上设置有漏液结构；所述漏液结构靠近所述加热载台与所述下片载台的交接处；所述漏液结构具有暴露于所述下片载台上表面的第一开口；所述漏液结构上与所述第一开口相对端的尺寸，大于所述第一开口的尺寸。

可选地，所述漏液结构侧壁包括：垂直部及倾斜部，所述垂直部与所述下片载台上表面垂直相交，形成所述第一开口；所述倾斜部与所述垂直部连接，且相对于所述垂直部向外倾斜。

可选地，所述漏液结构为漏液孔，所述漏液孔贯穿所述下片载台。

可选地，还包括：漏液盒，所述漏液盒位于所述漏液孔下方，用于接收从所述漏液孔内流出的液体。

可选地，所述下片载台包括：承载部及支撑部；

所述承载部用于承载基底；

所述支撑部位于所述承载部下方，用于支撑所述承载部。

可选地，所述支撑部上具有第一导轨及第二导轨，所述第一导轨及第二导轨位于所述支撑部相对的两边缘，所述漏液盒沿所述第一导轨及第二导轨滑动。

可选地，所述下片载台上具有气管孔及气管，所述气管孔的第一开口暴露于所述下片载台的上表面；所述气管孔的第二开口暴露于所述承载部的侧壁，作为气管接口，与所述气管连接。

可选地，还包括：液位传感器，位于所述支撑部上，用于感应所述漏液盒内的液位状态。

可选地，所述液位传感器数量为两个，分别位于所述支撑部的对称两侧。

可选地，所述下片操作组件包括：

压力组件，适于对基底施加压力，以真空吸附所述基底；

推动组件，适于在所述压力组件吸附所述基底后，向所述压力组件施加推力，以将所述基底由所述加热载台推动至所述下片载台上。

与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下优点：

应用本实用新型的方案，在下片载台上设置有漏液结构，该漏液结构具有暴露于下片载台上表面的第一开口，由于漏液结构上与所述第一开口相对端的尺寸，大于所述第一开口的尺寸，使得漏液结构在垂直于所述下片载台上表面方向呈上窄下宽结构，由此可以增大漏液结构底部尺寸，防止残蜡粘附侧壁造成堵塞，大大减少凝固在漏液孔中的残蜡，进而降低漏液孔的清洁频率，减少对产能的影响。

附图说明

图1是一种下片制程的示意图；

图2是一种下片机中加热区及下片区的侧视图；

图3是沿图2中x方向看时下片载台的侧视图；

图4是本实用新型一实施例中下片机局部结构的俯视图；

图5是是图4中下片机结构沿A-A线剖开后的立体结构图；

图6是图5中B部分的放大结构示意图；

图7是本实用新型一实施例中下片载台的结构示意图；

图8是本实用新型一实施例中漏液盒的结构示意图。

具体实施方式

半导体的后段工艺，可以包括以下制程：

1)键合制程：将液态蜡通过旋转均匀分布在晶圆表面，然后在键合(Bond)区通过加热、抽取真空以及加压的方式，使液态蜡凝固达到蓝宝石(Sapphire)基底与晶圆贴合，以增加晶圆硬度，方便在研磨制程进行减薄。

2)测厚制程：采用激光三角测量法，准确测出晶圆厚度。

3)研磨：研磨设备有Z1和Z2两个磨轮，磨轮Z1先对晶圆进行粗磨至一定厚度，再由磨轮Z2对晶圆进行细磨至需求厚度。

4)抛光制程：通过湿蚀刻的方式对晶圆背面进行抛光，方便后续制程在晶圆背面镀上一层金属。

5)下片制程：通过加热方式将蜡融化，使晶圆与蓝宝石基底分离。

6)下片清洗制程：通过真空将晶圆以及载体吸附在卡盘(Chuck)上，卡盘旋转时使用两种有机溶剂，可以将晶圆表面的残蜡去除。

7)贴片制程：利用真空将晶圆吸附在卡盘上，在晶圆背面贴上膜，方便晶圆在切割站点进行切割，切割后的晶粒(Die)黏附在膜上。

8)切割制程：利用激光按照切割需求将晶圆切割为成千上万颗的晶粒，在切割前涂覆(coating)水溶性溶液，以对晶圆进行保护，切割后将溶液清洗掉。

9)扩晶制程：增加每颗晶粒之间的间距。

10)烧结物(Recast)蚀刻：通过湿蚀刻的方式对晶圆切割道产生的烧结物进行去除。

11)烘烤：将晶圆表面的水分烘干。

12)紫外光线(UV)解胶：利用UV光可以将UV膜的粘性降低，方便挑拣。

图1为一种下片制程的示意图。参照图1，在下片制程中，在下片机加热区的加热载台11上将蜡融化，之后，加热载台11真空吸附载体12与晶圆13，同时，下片机的压力组件14真空吸附基底15。接着，通过下片机的推动组件(未示出)将基底15从加热区载台11上推动至下片区的下片载台16上，从而使得晶圆13与基底15分离。

图2为一种下片机中加热区及下片区的侧视图。参照图2，加热载台11和下片载台16紧密连接。加热载台11的下方设置有气缸11a，气缸需要上下运动，从而为使得加热载台11受热。

图3是沿图2中x方向看时下片载台16的侧视图。参照图3，在下片载台16下方，设置有气管16a，通过该气管16a可以向下片载台16上表面的基底吹气，使得基底降温。

参照图1，下片载台16与加热载台11的交接处设置有漏液槽17，基底15从加热载台11推动至下片载台16时，融化的蜡液会从漏液槽17漏出，由漏液槽17对基底15表面的残蜡进行清除。

现有下片载台16的漏液槽17，内壁与下片载台16上表面垂直(即二者夹具为90度)，截面呈矩形，由此导致基底15表面的残蜡很容易在漏液槽17靠口内凝固，进而在量产的情况下约两天就会造成漏液槽17堵塞，堵塞后的。漏液槽17无法对基底的残蜡进行清除，故需要经常对漏液槽17清洁，清洁频率较高。并且，每次清洁漏液槽17约30分钟，由此会造成一部分的产能损耗。

针对该问题，本实用新型提供了一种下片机，该下片机的下片载台上设置有漏液结构，所述漏液结构具有暴露于下片载台上表面的第一开口，并且，漏液结构上与所述第一开口相对端的尺寸，大于所述第一开口的尺寸，由此可以增大漏液结构底部的尺寸，这样，进入漏液结构内的残蜡可以流至漏液结构底部，而非堵塞在第一开口内，减少第一开口堵塞的情况，降低漏液结构的清洁频率，从而降低产能损耗。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例作详细地说明。

本实用新型实施例提供了一种下片机，所述下片机包括：

加热载台；

下片载台；

以及下片操作组件；

其中，所述加热载台与所述下片载台相接；

所述下片载台上设置有漏液结构；所述漏液结构靠近所述加热载台与所述下片载台的交接处；所述漏液结构具有暴露于所述下片载台上表面的第一开口；所述漏液结构上与所述第一开口相对一侧的尺寸，大于所述第一开口的尺寸。

图4为本实用新型一实施例中下片机局部结构的俯视图。图5是图4中下片机结构沿A-A线剖开后的立体结构图。

参照图4及图5，加热载台21位于下片机的加热区。在加热载台21上，将晶圆及载体表面的蜡融化。之后，使用下片操作组件，将基底真空吸附，并推动至下片区的下片载台22上。基底表面的残蜡通过漏液结构23去除。

图6为图5中B部分的放大结构示意图。参照图6，所述漏液结构23具有暴露于所述下片载台22上表面的第一开口231；所述漏液结构23上与所述第一开口231相对端的尺寸w2，大于所述第一开口231的尺寸w1，即w2大于w1。由此在垂直于下片载台22上表面的方向上，漏液结构23具有上窄下宽的结构。当基底的残蜡漏至漏液结构23的侧壁上时，会顺着漏液结构23的侧壁流向漏液结构23的底部，从而尽量减少堆积在第一开口231侧壁的残蜡，也就可以减少漏液结构23被堵塞的频率，降低产能损耗。

参照图6，在本实用新型的一实施例中，所述漏液结构23的侧壁可以包括：垂直部232及倾斜部233，所述垂直部232与所述下片载台22上表面垂直相交，即夹角为90度，形成所述第一开口231；所述倾斜部233与所述垂直部232连接，且相对于所述垂直部232，向外倾斜。由此可以使得所述漏液结构23上与所述第一开口231相对端的尺寸w2，大于所述第一开口231的尺寸w1。

在具体实施中，所述漏液结构23可以为漏液槽，此时，所述漏液结构23除侧壁外，还包括底部，漏至漏液结构23内的残蜡会最终堆积在漏液结构23的底部。采用该结构作为漏液结构23，清洁漏液结构23内残蜡时，需要使用镊子等工具将残蜡从漏液槽中扣除，清洁效率较低。

在本实用新型的一实施例中，所述漏液结构23可以为漏液孔，所述漏液孔可以贯穿所述下片载台22。换言之，所述漏液结构23为贯穿所述下片载台22上、下表面的通孔。此时，漏至漏液结构23内的残蜡会通过漏液孔另一端漏出，由此可以减少凝固在漏液孔内的残蜡量，从而降低清洁频率。

相应地，在本实用新型的一实施例中，参照图5，所述下片机还可以包括：漏液盒24，所述漏液盒24位于所述漏液孔23下方，用于接收从所述漏液孔内流出的液体。

在具体实施中，所述漏液盒24的大小不作限制，具体可以根据下片载台22下方空间大小进行设置。所述漏液盒24的形状与所述漏液孔23相匹配，所述漏液孔23内流出的液体可以流入至漏液盒24内，而不会污染下片区。

为了便于将漏液盒24推入漏液孔23下方，以及便于从漏液孔23下方将漏液盒24取出，在本实用新型的一实施例中，可以在下片载台22下方设置导轨，漏液盒24可以在导轨上滑动至漏液孔23下方。

具体地，参照图7，所述下片载台22可以包括：承载部221及支撑部222。其中，所述承载部221用于承载基底；所述支撑部222位于所述承载部221下方，用于支撑所述承载部221。

在一实施例中，所述支撑部222上具有第一导轨222a及第二导轨222b，所述第一导轨222a及第二导轨222b位于所述支撑部222相对的两边缘，所述漏液盒可以沿所述第一导轨222a及第二导轨222b上滑动。具体地，支撑部222底端具有相内突出的突出部，第一导轨222a及第二导轨222b可以位于该突出部的边缘。

图8为本实用新型一实施例中漏液盒24的结构示意图。参照图7及图8，漏液盒24的形状为长方体，所述漏液盒24的下方可以设置有第一滑动部24a及第二滑动部24b。使用时，将第一滑动部24a嵌入至第一导轨222a内，将第二滑动部24b嵌入至第二导轨222b内，对漏液盒24施加一定的外力，可以使得第一滑动部24a在第一导轨222a上滑动，以及使得第二滑动部24b在第二导轨222b上滑动，最终使得漏液盒24能够达到目标位置。

参照图8，在一些实施例中，漏液盒24上可以设置把持部24c，通过操作把持部24c，向漏液盒24施加外力，从而便于将漏液盒24推入漏液孔23下方，以及便于从漏液孔23下方将漏液盒24取出。

在具体实施中，为了能够及时对漏液盒进行清洁，避免因漏液盒24被残蜡装满而影响基底清洁效果，可以在支撑部上设置液位传感器，通过所述液位传感器感应漏液盒内的液位状态，由此可以在漏液盒内液位较高时，及时去除漏液盒对其清洁。

在具体实施中，所述液位传感器的数量可以仅为一个，也可以为两个，例如，参照图7，可以在支撑部222的对称两侧分别设置第一液位传感器251及第二液位传感器252。通过第一液位传感器251及第二液位传感器252共同感应漏液盒24内的液位。

需要说明的是，在具体实施中，可以对漏液盒内的残蜡进行回收，以降低成本。

在现有技术中，参照图3，下片载台16的下方设置有气管16a。

在本实施例中，参照图4，为了便于将取出及推入漏液盒24，可以将气管26设置在下片载台22的承载部内。具体地，气管26的一端与承载部上的气管口221a连接，另一端自承载部的侧壁伸出，而非从承载部的下方伸出，由此可以从承载部的侧壁向基底吹气，对基底进行冷却。

在具体实施中，所述下片操作组件可以包括：压力组件及推动组件。其中，所述压力组件可以对基底施加压力，从而真空吸附基底。所述推动组件可以在压力组件吸附所述基底后，向所述压力组件施加推力，以将所述基底由所述加热载台推动至所述下片载台上。

由上述内容可知，本实用新型实施例中的下片机，通过改变漏液孔形状及漏液结构类型，使残蜡不容易黏附在侧壁造成漏液孔堵塞。另外，通过改变气管及漏液孔位置的方式，方便安装漏液盒装置，以增加残蜡的存放空间。并且，增加传感器用来感应漏液盒液位状态。漏液盒还可以用于回收残蜡，节约成本。本实用新型的方案，可在月度保养时候对漏液孔及漏液盒进行清洁，减少漏液孔的清洁频率，提高产能。

虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种下片机，其特征在于，包括：

加热载台；

下片载台；

以及下片操作组件；

其中，所述加热载台与所述下片载台相接；

所述下片载台上设置有漏液结构；所述漏液结构靠近所述加热载台与所述下片载台的交接处；所述漏液结构具有暴露于所述下片载台上表面的第一开口；所述漏液结构上与所述第一开口相对端的尺寸，大于所述第一开口的尺寸。

2.如权利要求1所述的下片机，其特征在于，所述漏液结构侧壁包括：垂直部及倾斜部，所述垂直部与所述下片载台上表面垂直相交，形成所述第一开口；所述倾斜部与所述垂直部连接，且相对于所述垂直部向外倾斜。

3.如权利要求1所述的下片机，其特征在于，所述漏液结构为漏液孔，所述漏液孔贯穿所述下片载台。

4.如权利要求3所述的下片机，其特征在于，还包括：漏液盒，所述漏液盒位于所述漏液孔下方，用于接收从所述漏液孔内流出的液体。

5.如权利要求4所述的下片机，其特征在于，所述下片载台包括：承载部及支撑部；

所述承载部用于承载基底；

所述支撑部位于所述承载部下方，用于支撑所述承载部。

6.如权利要求5所述的下片机，其特征在于，所述支撑部上具有第一导轨及第二导轨，所述第一导轨及第二导轨位于所述支撑部相对的两边缘，所述漏液盒沿所述第一导轨及第二导轨滑动。

7.如权利要求5所述的下片机，其特征在于，所述下片载台上具有气管孔及气管，所述气管孔的第一开口暴露于所述下片载台的上表面；所述气管孔的第二开口暴露于所述承载部的侧壁，作为气管接口，与所述气管连接。

8.如权利要求5所述的下片机，其特征在于，还包括：液位传感器，位于所述支撑部上，用于感应所述漏液盒内的液位状态。

9.如权利要求8所述的下片机，其特征在于，所述液位传感器数量为两个，分别位于所述支撑部的对称两侧。

10.如权利要求1所述的下片机，其特征在于，所述下片操作组件包括：

压力组件，适于对基底施加压力，以真空吸附所述基底；

推动组件，适于在所述压力组件吸附所述基底后，向所述压力组件施加推力，以将所述基底由所述加热载台推动至所述下片载台上。

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