CN219181489U - 一种小体积的双输出低噪声降频器 - Google Patents

一种小体积的双输出低噪声降频器 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种小体积的双输出低噪声降频器,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,第一射频单元与V极化探针连接,第二射频单元与H极化探针连接,输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,第一输出单元包括第一稳压电路,第一稳压电路与所述锁相器模块连接,第二输出单元包括第二稳压电路,第二稳压电路与锁相器模块连接,锁相器模块分别与第一输出单元和第二输出单元连接。减少外围电子电路的运用,降低功耗,大幅度上降低降频器的成本,极大增强了双输出降频器的市场竞争力,本实用新型可广泛应用于卫星通信技术领域。

Description

一种小体积的双输出低噪声降频器
技术领域
本实用新型涉及卫星通信技术领域,尤其涉及一种小体积的双输出低噪声降频器。
背景技术
随着科技和生活的发展,通讯的传递也越来越普及,卫星电视比例也越来越高,作为卫星电视接收设备中的降频器、随着电子半导体器件、及电路设计越来越成熟。从传统的DRO介质振荡设计、到现在的PLL锁相环电路设计,使得降频器设计越来越简洁及稳定。但目前的降频器的原材料、制造成本高,严重影响该产品在市场上的竞争力。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例的目的是提供一种小体积的双输出低噪声降频器,通过从机构外形上缩小降频器,降低压铸材料成本。
本实用新型实施例提供了一种小体积的双输出低噪声降频器,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,所述极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,所述射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,所述第一射频单元与所述V极化探针连接,所述第二射频单元与所述H极化探针连接,所述输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,所述第一输出单元包括第一稳压电路,所述第一稳压电路与所述锁相器模块连接,所述第二输出单元包括第二稳压电路,所述第二稳压电路与所述锁相器模块连接,所述锁相器模块分别与所述第一输出单元和所述第二输出单元连接。
可选地,所述第一射频单元和所述第二射频单元均包括芯片KTD354。
可选地,所述锁相器模块包括芯片KTD1052M和芯片KTD1052M外围电路。
可选地,所述锁相器模块包括信号参考电路,所述信号参考电路与所述芯片KTD1052M连接。
可选地,所述第一稳压电路和所述第二稳压电路均包括78L06芯片。
可选地,所述极化探针模块、所述射频模块、所述锁相器模块和所述输出模块均集成在PCB板上。
可选地,所述PCB板的制作原材料包括FR4板材。
可选地,所述第一输出单元和所述第二输出单元均包括独立的电路。
实施本实用新型实施例包括以下有益效果:本实用新型实施例提供一种小体积的双输出低噪声降频器,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,所述极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,所述射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,所述第一射频单元与所述V极化探针连接,所述第二射频单元与所述H极化探针连接,所述输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,所述第一输出单元包括第一稳压电路,所述第一稳压电路与所述锁相器模块连接,所述第二输出单元包括第二稳压电路,所述第二稳压电路与所述锁相器模块连接,所述锁相器模块分别与所述第一输出单元和所述第二输出单元连接。通过射频模块将前级信号放大,具有低噪声,无需其它外围偏置电路为其提供工作电压,通过锁相器模块的处理,起到了电路简洁、连接器件少、信号传输损失小,通过两个独立的第一第二输出单元使得输出更加精确,减少外围电子电路的运用,降低功耗,大幅度上降低降频器的成本,极大增强了双输出降频器的市场竞争力。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种小体积的双输出低噪声降频器的原理框图;
图2是本实用新型实施例提供的一种小体积的双输出低噪声降频器的整体架构图;
图3是本实用新型实施例提供的一种小体积的双输出低噪声降频器的原理示意图;
图4是本实用新型实施例提供的一种小体积的双输出低噪声降频器的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本实用新型实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
参照图1,本实用新型实施例提供一种小体积的双输出低噪声降频器,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,所述极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,所述射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,所述第一射频单元与所述V极化探针连接,所述第二射频单元与所述H极化探针连接,所述输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,所述第一输出单元包括第一稳压电路,所述第一稳压电路与所述锁相器模块连接,所述第二输出单元包括第二稳压电路,所述第二稳压电路与所述锁相器模块连接,所述锁相器模块分别与所述第一输出单元和所述第二输出单元连接。
其中,V极化探针,用于接收卫星信号并进行垂直极化,H极化探针,用于接收卫星信号并进行水平极化。
第一射频单元,用于接收垂直极化的卫星信号并将接收的卫星信号进行放大,第二射频单元,用于接收水平极化的卫星信号并将接收的卫星信号进行放大。
锁相器模块,用于接收第一射频单元输出的信号和第二射频单元输出的信号,对接收的信号进行处理后输出。
第一输出单元和第二输出单元,用于接收锁相器模块输出的信号,并输出供用户端使用。
具体的,卫星信号经过V极化探针和H极化探针接收极化后分别对应输入到射频模块的第一射频单元和第二射频单元进行卫星信号放大,放大的卫星信号输入到锁相器模块,锁相器模块对输入的卫星信号进行相应的处理得到所需本振频率,并解调出所需的中频信号,放大后分两路从第一输出单元和第二输出单元输出,第一稳压电路为第一输出单元提供稳压供电,第二稳压电路为第二输出单元提供稳压供电。
参照图1-4,可选地,所述第一射频单元和所述第二射频单元均包括芯片KTD354。
具体的,芯片KTD354是一种前级高增益低噪声放大器,具有电路简洁、连接器件少、信号传输损失小等优势。卫星信号经V/H极化探针接收后输入到射频芯片IC2(KTD354)和IC4(KTD354)进行低噪声放大,得到高增益、低噪声的射频信号;V极化探针垂直极化的卫星信号输入到射频芯片IC2(KTD354)的第1脚,卫星信号经过前级放大后从射频芯片IC2(KTD354)的第3脚输出;H极化探针垂直极化的卫星信号输入到射频芯片IC4(KTD354)的第1脚,卫星信号经过前级放大后从射频芯片IC4(KTD354)的第3脚输出。
可选地,所述锁相器模块包括芯片KTD1052M和芯片KTD1052M外围电路。
可选地,所述锁相器模块包括信号参考电路,所述信号参考电路与所述芯片KTD1052M连接。
具体的,芯片KTD1052M是一款应用于卫星电视接收系统中高频头的双通道下变频器,可将10.7-12.75G射频信号经10.75GHz本振信号混频滤波为0.95-1.45G中频信号,该芯片集成了两个片内射频放大器、四个镜像抑制混频器、4*2开关矩阵、两个中频放大器、两个固定频率VCO(压控振荡器,Voltage controlled oscillator)&PLL(Phase Locked Loop,锁相环)、TP(Test Point,测试点检测电路)、外部FET(Field Effect Transistor,场效应晶体管)供电电路等,信号输入端可输出电压;芯片KTD1052M对输出的极化卫星信处理得到10.75GHz的双本振频率,并解调出来所需的中频信号经内部放大后分两路进行输出;性能稳定、集成性高、外围器件少、内置低增益放大电路、很大程度的降低了芯片内部的信号辐射、及饱和失真。去耦电容C5与芯片KTD1052M的引脚DECZ连接、去耦电容C7与芯片KTD1052M的引脚NEG连接,去耦电容C4与芯片KTD1052M的引脚DEC1连接、去耦电容C6与芯片KTD1052M的引脚CAP连接;信号参考电路包括SMD1,晶振SDM1的型号为25MHz晶体振荡器,电容C8,和C9为信号参考电路的去耦电容,过滤噪声;通过改变芯片KTD1052M的引脚2、3对地电阻,可改变V极化与H极化的位置(即原来的V极化输入成为H极化、H极化转换成V极化模式);通过改变芯片KTD1052M的引脚2、4对地电阻,调整整机的输出增益。
可选地,所述第一稳压电路和所述第二稳压电路均包括78L06芯片。
具体的,78L06芯片是一种三端稳压管,其直到临界反向击穿电压前都具有很高的电阻,稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内,端电压几乎不变,表现出稳压特性;芯片IC1和芯片IC5为输出模块提供稳定的独立电压;芯片IC1-78L06的引脚3(OUT)与芯片KTD1052M的引脚GC连接,芯片IC1-78L06的引脚1(IN)连接到第一输出单元的输出端口1,电容C2为芯片IC1-78L06的输出端的去耦电容,过滤输出端的噪声,电容C3为芯片IC1-78L06的输入端的去耦电容,过滤输入端的噪声;电容C1为第一输出单元的耦合电容,芯片KTD1052M输出的信号经过耦合电容后输出到第一输出单元的输出端口1;芯片IC5-78L06的引脚1(IN)连接到第二输出单元的输出端口2,电容C10为芯片IC1-78L06的输出端的去耦电容,过滤输出端的噪声,电容C11为芯片IC1-78L06的输入端的去耦电容,过滤输入端的噪声;电容C12为第一输出单元的耦合电容,芯片KTD1052M输出的信号经过耦合电容后输出到第二输出单元的输出端口2。
可选地,所述极化探针模块、所述射频模块、所述锁相器模块和所述输出模块均集成在PCB板上。
具体的,射频放大采用集成芯片KTD354,锁相器模块采用KTD1052M芯片,V/H极化探针、V/H极化射频放大电路、KTD1052M芯片和输出模块集成在一块PCB板,减少了传统分立器件、解决各部分电路之间的不匹配问题;同时由于集成化后、信号传输的距离变短。
可选地,所述PCB板的制作原材料包括FR4板材。
具体的,同时由于集成化后、信号传输的距离变短,使得PCB的板材要求降低,传统的板材需要高频板材LNB33,通过此设计,板材可使用普通FR4板材即可达到基本同样的性能。
可选地,所述第一输出单元和所述第二输出单元均包括独立的电路。
具体的,输出端口1与输出端口2均设有独立的稳压电路,第一稳压电路和第二稳压电路,互相独立的芯片IC1-78L06和IC5-78L06,独立的耦合电容C1和C12,信号的输出互不干扰。
参照图2,在进行卫星信号接收时,降频器外接开关,其中开关的水平极化信号接口连接第二射频单元,开关的垂直极化信号接口连接第一射频单元。开关可以接收经过降频处理的水平极化信号,还可以接收经过降频处理的垂直极化信号,满足不同的信号接收需求,卫星电视信号的中频信号经由两路输出,满足多路的需求,有利于降低成本,简化电路,极大提升降频器的性能。
本实用新型的工作原理是:卫星电视信号信经LNB一体化主体接收卫星信号,卫星信号经水平极化或垂直极化两种模式进行接收;由射频集成芯片KTD354进行放大后输入集成锁相器KTD1052M相应的极化输入端进行处理,处理后得到所需本振9.75GHz—10.6GHz的双本振频率,并解调出来所需的中频信号经内部放大后分两路进行输出。
实施本实用新型实施例包括以下有益效果:本实用新型实施例提供一种小体积的双输出低噪声降频器,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,所述极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,所述射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,所述第一射频单元与所述V极化探针连接,所述第二射频单元与所述H极化探针连接,所述输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,所述第一输出单元包括第一稳压电路,所述第一稳压电路与所述锁相器模块连接,所述第二输出单元包括第二稳压电路,所述第二稳压电路与所述锁相器模块连接,所述锁相器模块分别与所述第一输出单元和所述第二输出单元连接。通过射频模块将前级信号放大,具有低噪声,无需其它外围偏置电路为其提供工作电压,电路简洁、连接器件少、信号传输损失小;通过锁相器模块的处理,其性能稳定、集成性高、外围器件少、内置低增益放大电路,很大程度的降低了芯片内部的信号辐射及饱和失真,通过两个独立的第一第二输出单元使得输出更加精确,减少外围电子电路的运用,降低功耗,大幅度上降低降频器的成本,极大增强了双输出降频器的市场竞争力。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明,但本实用新型创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (8)

1.一种小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,包括极化探针模块、射频模块、锁相器模块和输出模块,所述极化探针模块包括V极化探针和H极化探针,所述射频模块包括第一射频单元和第二射频单元,所述第一射频单元与所述V极化探针连接,所述第二射频单元与所述H极化探针连接,所述输出模块包括第一输出单元和第二输出单元,所述第一输出单元包括第一稳压电路,所述第一稳压电路与所述锁相器模块连接,所述第二输出单元包括第二稳压电路,所述第二稳压电路与所述锁相器模块连接,所述锁相器模块分别与所述第一输出单元和所述第二输出单元连接。
2.根据权利要求1所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述第一射频单元和所述第二射频单元均包括芯片KTD354。
3.根据权利要求1所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述锁相器模块包括芯片KTD1052M和芯片KTD1052M外围电路。
4.根据权利要求3所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述锁相器模块包括信号参考电路,所述信号参考电路与所述芯片KTD1052M连接。
5.根据权利要求1所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述第一稳压电路和所述第二稳压电路均包括78L06芯片。
6.根据权利要求1所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述极化探针模块、所述射频模块、所述锁相器模块和所述输出模块均集成在PCB板上。
7.根据权利要求6所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述PCB板的制作原材料包括FR4板材。
8.根据权利要求1-7任一项所述的小体积的双输出低噪声降频器,其特征在于,所述第一输出单元和所述第二输出单元均包括独立的电路。
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